CN105669037A - 分层微晶石瓷砖的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种分层微晶石瓷砖的加工方法，包括加工一种分层微晶石瓷砖，它包括微晶石板体，板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层；其加工方法包括：A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料，熔融冷却形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中再结晶；B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料，熔融冷却形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于晶粒之上再放入晶层，再进行结晶形成晶层对；C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶。本发明可以解决现有微晶石瓷砖不能分成造成层次感差的问题。

Description

分层微晶石瓷砖的加工方法
技术领域
本发明涉及建筑材料加工技术领域，尤其是一种多层的微晶石陶瓷板材的加工方法。
背景技术
微晶石瓷砖因微晶石的多种优点而广受大众喜爱，随着人们需要的提高，需要一种多种图案色彩重叠的视觉感受或是明暗度等指标不一样等可以产生层叠视觉效果的微晶石瓷砖，以装饰电视墙等室内装潢的需要。
现有的微晶石陶瓷板材，一般都是采用烧结的工艺制成，即原料配好后在高于1000°C的高温下熔融，再低温结晶，形成微晶石板料后再进行剪裁成为微晶石陶瓷板材。这样的工艺由于熔融状态下原料微粒的状态分布比较均匀，结晶后的微晶石为一个整体，即为一层结构，没有层次感。如果想要分层，有企业将板料烧结成较薄的多块，在粘合起来，形成一块多层的板料，由于多层粘合需要各种粘合剂，在使用中这种多层粘合的微晶石陶瓷板材非常不牢固，而且粘合剂的使用，造成微晶石瓷砖的光洁度，滤光性等性能都大受影响，因而无法正常使用。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种分层微晶石瓷砖的加工方法，以解决现有微晶石瓷砖不能分成造成层次感差的问题。
为了解决上述问题，本发明的技术方案是：本分层微晶石瓷砖的加工方法包括加工一种分层微晶石瓷砖，所述分层微晶石瓷砖包括微晶石板体，所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层；所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分：二氧化硅60～70份，碳酸钙16～20份，氧化钙6～10份，氧化锌3～4份，碳酸钡2～3份，氧化硼2～3份；第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1～1.5份；
其加工方法包括以下步骤：
A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成第偶数层的晶层；
B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上让入步骤A获得的第偶数层晶层，再进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对；
C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.8小时，形成微晶石板料；
D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图等加工，形成微晶石陶瓷板材。
在上述技术方案中，更为具体的技术方案可以是：第偶数层所述微晶石材料层的厚度小于第奇数层所述微晶石材料层的厚度。
由于采用了上述技术方案，本发明与现有技术相比具有如下有益效果：
本分层微晶石瓷砖的加工方法的分层微晶石瓷砖采用多层微晶石材料层层叠设置的方式，使折射率由于不同时结晶而不同，多层微晶石材料层层叠使视觉上产生层叠的效果；另外，每层微晶石材料层可以采用有差异的材料，更增加层叠的视觉效果，尤其是在偶数层的微晶石材料层多增加了一定量的氧化钠，效果更佳，又不会因而太黑吸光太多而遮挡住其他层的颜色；不同厚度的微晶石材料层层叠，更能体现出层次的视觉感受。本方法使用多次烧结的方式进行晶层对的烧结，最后完成多层微晶石材料层的结晶，较之使用粘结剂粘结，结构致密牢固，施工和使用方便，又没有粘结剂对光洁度，滤光性等性能的影响，层次感强。
附图说明
图1是本发明实施例一的主视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例作进一步详述：
实施例一：
如图1所示的本分层微晶石瓷砖的加工方法，包括加工一种分层微晶石瓷砖，这种分层微晶石瓷砖包括微晶石板体，微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层，这里是三层，从上之下依次为第一层微晶石材料层1、第二层微晶石材料层2、第三层微晶石材料层3，采用多层微晶石材料层层叠设置的方式，使折射率由于不同时结晶而不同，多层微晶石材料层层叠使视觉上产生层叠的效果。
第一层微晶石材料层1原料包括以下重量份的组分：二氧化硅60，碳酸钙20份，氧化钙6份，氧化锌4份，碳酸钡2份，氧化硼3份。
第二层微晶石材料层2的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅60，碳酸钙20份，氧化钙6份，氧化锌4份，碳酸钡2份，氧化硼3份，氧化钠1份。
第三层微晶石材料层3的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅60，碳酸钙20份，氧化钙6份，氧化锌4份，碳酸钡2份，氧化硼3份。每层微晶石材料层可以采用有差异的材料，更增加层叠的视觉效果。
第一层微晶石材料层1的厚度A=0.9毫米，A大于第二层微晶石材料层2的厚度B，B=0.4毫米，第三层微晶石材料层3的厚度C=1.2毫米。不同厚度的微晶石材料层层叠，更能体现出层次的视觉感受。
其加工方法包括以下步骤：
A、将第二层微晶石材料层的二氧化硅60，碳酸钙20份，氧化钙6份，氧化锌4份，碳酸钡2份，氧化硼3份，氧化钠1份，粉碎混合、配料，之后在1500°C的温度下熔融1.8小时，再自然冷却8小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1000°C，结晶时间为0.5小时，形成第二数层的晶层；
B、将第一层和第三层的微晶石材料层的原料二氧化硅60，碳酸钙20份，氧化钙6份，氧化锌4份，碳酸钡2份，氧化硼3份，粉碎混合、配料，之后在1550°C的温度下熔融2.6小时，再自然冷却10小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶粒之中再插入步骤A获得的第二数层晶层，再进行结晶，结晶温度为1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第一和第二加第三层的三晶层对；
C、再于1020°C结晶时间为0.8小时，形成微晶石板料；
D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图等加工，形成微晶石陶瓷板材。
实施例二：
本分层微晶石瓷砖的加工方法，包括加工一种分层微晶石瓷砖，这种分层微晶石瓷砖包括微晶石板体，微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层，这里是五层，从上之下依次为第一层微晶石材料层、第二层微晶石材料层、第三层微晶石材料层、第四层微晶石材料层、第五层微晶石材料层。
第一层微晶石材料层原料包括以下重量份的组分：二氧化硅65份，碳酸钙18份，氧化钙8份，氧化锌3.5份，碳酸钡2.5份，氧化硼2.5份。
第二层微晶石材料层的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅70，碳酸钙16份，氧化钙10份，氧化锌3份，碳酸钡1份，氧化硼2份，氧化钠1.2份。
第三层微晶石材料层的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅65份，碳酸钙18份，氧化钙8份，氧化锌3.5份，碳酸钡2.5份，氧化硼2.5份。
第四层微晶石材料层的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅65，碳酸钙16份，氧化钙8份，氧化锌3份，碳酸钡1份，氧化硼2份，氧化钠1.5份。
第五层微晶石材料层的原料包括有以下重量份的组分：二氧化硅60份，碳酸钙16份，氧化钙8份，氧化锌3份，碳酸钡2份，氧化硼2.5份，三氧化二铝3.3份。
第一至五层微晶石材料层的厚度依次为：0.6毫米，0.3毫米，0.6毫米，0.3毫米，0.7毫米。
其加工方法包括以下步骤：
A、将第四层微晶石材料层的原料二氧化硅70，碳酸钙16份，氧化钙10份，氧化锌3份，碳酸钡1份，氧化硼2份，氧化钠1.2份，粉碎混合、配料，之后在1550°C的温度下熔融2小时，再自然冷却10小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1020°C，结晶时间为0.5小时，形成第偶数层的晶层；
B、将第五层的微晶石材料层的原料二氧化硅70，碳酸钙16份，氧化钙10份，氧化锌3份，碳酸钡1份，氧化硼2份，三氧化二铝3份，粉碎混合、配料，之后在1500°C的温度下熔融2.6小时，再自然冷却9小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶层之上让入步骤A获得的第四层晶层，再进行结晶，结晶温度为1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第四和第五第的双晶层对；
C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，即将第二层微晶石材料层的二氧化硅70，碳酸钙16份，氧化钙10份，氧化锌3份，碳酸钡1份，氧化硼2份，氧化钠1.2份粉碎混合、配料，之后在1500°C的温度下熔融1.8小时，再自然冷却8小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1000°C，结晶时间为0.5小时，形成第二数层的晶层；将第一层和第三层的微晶石材料层的原料二氧化硅65份，碳酸钙18份，氧化钙8份，氧化锌3.5份，碳酸钡2.5份，氧化硼2.5份，粉碎混合、配料，之后在1550°C的温度下熔融2.6小时，再自然冷却10小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶粒之中再插入步骤A获得的第二数层晶层，再进行结晶，结晶温度为1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第一和第二加第三层的三晶层对；再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.8小时，形成微晶石板料；
D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图等加工，形成微晶石陶瓷板材。

Claims (2)

1.一种分层微晶石瓷砖的加工方法，其特征在于：包括加工一种分层微晶石瓷砖，所述分层微晶石瓷砖包括微晶石板体，所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层；所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分：二氧化硅60～70份，碳酸钙16～20份，氧化钙6～10份，氧化锌3～4份，碳酸钡2～3份，氧化硼2～3份；第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1～1.5份；
其加工方法包括以下步骤：
A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成第偶数层的晶层；
B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上让入步骤A获得的第偶数层晶层，再进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对；
C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.8小时，形成微晶石板料；
D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图等加工，形成微晶石陶瓷板材。
2.根据权利要求1所述的分层微晶石瓷砖的加工方法，其特征在于：第偶数层所述微晶石材料层的厚度小于第奇数层所述微晶石材料层的厚度。
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