CN105652602A - 边缘曝光装置及方法、基板处理装置 - Google Patents
边缘曝光装置及方法、基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105652602A CN105652602A CN201510855376.5A CN201510855376A CN105652602A CN 105652602 A CN105652602 A CN 105652602A CN 201510855376 A CN201510855376 A CN 201510855376A CN 105652602 A CN105652602 A CN 105652602A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- framework
- substrate
- edge exposure
- module
- exposure device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及边缘曝光装置及包括其的基板处理装置。根据本发明的一个实施例的边缘曝光装置包括支撑单元,其用于支撑基板;光照射单元,其包括用于同时对基板的四边进行光照射的光源。
Description
技术领域
本发明涉及处理基板的装置,更具体地,涉及一种可在基板的边缘执行曝光工艺的边缘曝光装置(Apparatusforedgeexposure)及方法、以及基板处理装置。
背景技术
近年来,液晶显示元件(LCD)和等离子显示板(PDP)元件等用于制造影像显示装置,而这些需要使用平板显示装置(FlatPanelDisplay,FPD)的基板。
制造平板显示装置的过程中需要执行制造基板的工艺、单元(cell)制造工艺、模块制造等许多工艺。尤其是,制造基板工艺中会执行在基板上形成多种图案的光刻工艺。光刻工艺中依次执行在基板上涂布如光刻胶等感光液的涂布工艺、涂布的感光膜上形成特定图案的曝光工艺、以及对曝光的感光膜的对应的区域执行显影处理的显影工艺。
显影工艺前会额外执行以一定宽度对基板的边缘进行曝光的边缘曝光工艺。
现有的边缘曝光装置通过扫描方式利用光对基板的一边进行照射来执行工艺。然而,当对基板边缘的曝光宽度改变时,无法通过扫描方式对基板的四边同时进行光照射,因而存在执行工艺的耗时较长的问题。另外,现有的边缘曝光装置中使用的光源为卤素灯。但卤素灯的灯寿命短,因此存在需要经常更换的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明的目的在于,提供一种边缘曝光装置及方法、以及基板处理装置,其可提高边缘曝光工艺的效率。
技术方案
本发明提供对基板的边缘进行光照射来执行边缘曝光工艺的边缘曝光装置。
根据本发明的一个实施例,上述边缘曝光装置可包括:支撑单元,其用于支撑基板;光照射单元,其包括用于同时对基板的四边进行光照射的光源。
根据一个实施例,上述光照射单元可包括:第一框架;第二框架,其与所述第一框架相邻;第三框架,其配置为与所述第二框架相邻且与所述第一框架平行;以及第四框架,其配置为与所述第一框架和所述第三框架相邻且与所述第二框架平行,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架分别配置有所述光源。
根据一个实施例,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架中,相邻的两个框架中的任意一个框架的前表面与另一个框架的内侧面的末端相向而置。
根据一个实施例,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架配置为可在垂直于各自长度方向的方向上移动。
根据一个实施例,上述支撑单元可包括:搬送轴,其沿一个方向搬送基板,且支撑基板的下部。
根据一个实施例,上述光源可为LED光源。
根据一个实施例,上述边缘曝光装置还可包括:外罩,其具有下部开放的空间,其中,所述光照射单元位于所述外罩的内部。
根据一个实施例,上述边曝光装置还可包括:驱动器,其使所述光照射单元在所述外罩的内部空间上下移动。
本发明提供一种处理基板的装置。
根据本发明的一个实施例,上述基板处理装置包括:索引模块,其用于使基板引入或引出,且配置为其长度方向沿着第一方向;涂布模块,其对基板执行涂布和烘烤工艺,并且与所述索引模块的一侧相邻,所述涂布模块配置为长度方向沿着垂直于所述第一方向的第二方向;显影模块,其对基板执行显影工艺,并且与所述索引模块的一侧相邻,所述显影模块配置为平行于所述涂布模块且其长度方向沿着所述第一方向;接口模块,其将基板搬送至所述涂布模块和所述显影模块,并且与所述涂布模块和所述显影模块相邻,所述接口模块配置为与所述索引模块平行且其长度方向沿着所述第一方向,并且与外部的曝光模块相连接;以及边缘曝光装置,其通过对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺,并且配置在所述接口模块和所述显影模块之间。所述边缘曝光装置包括:支撑单元,其用于支撑基板;光照射单元,其包括用于同时对基板的四边进行光照射的光源。
根据一个实施例,上述光照射单元包括:第一框架;第二框架,其与所述第一框架相邻;第三框架,其配置为与所述第二框架相邻且与所述第一框架平行;以及第四框架,其配置为与所述第一框架和所述第三框架相邻且与所述第二框架平行,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架分别配置有所述光源。
根据一个实施例,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架中,相邻的两个框架中的任意一个框架的前表面与另一个框架的内侧面的末端相向而置。
根据一个实施例,所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架配置为可在垂直于各自长度方向的方向上移动。
根据一个实施例,上述支撑单元可包括:搬送轴,其沿一个方向搬送基板,且支撑基板的下部。
根据一个实施例,上述光源可为LED光源。
根据一个实施例,上述边缘曝光装置还可包括:外罩,其具有下部开放的空间,其中,所述光照射单元位于所述外罩的内部。
根据一个实施例,上述边缘曝光装置还可包括:驱动器,其使所述光照射单元在所述外罩的内部空间上下移动。
本发明提供一种对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺的边缘曝光方法。
根据本发明的一个实施例,上述边缘曝光方法可同时将上述光照射到上述基板的四边。
根据一个实施例,上述光可为LED光。
根据本发明的另一个实施例,所述光照射单元从第一位置移动至第二位置的同时,将所述光照射到所述基板的四边。
根据一个实施例,所述第一位置的所述第一框架和第三框架之间的距离配置为比所述第二位置的所述第一框架和所述第三框架之间的距离长,所述第一位置的所述第二框架和所述第四框架之间的距离配置为比所述第二位置的所述第二框架和所述第四框架之间的距离长。
根据一个实施例,上述光可为LED光。
有益效果
根据本发明的一个实施例,能够提供同时光照射基板的边缘的边缘曝光装置及方法,以及基板处理装置,从而提高边缘曝光工艺的效率。
另外,根据本发明的一个实施例,能够提供对基板的边缘同时进行光照射,且还能移动光源的边缘曝光装置及方法,以及基板处理装置,从而提高边缘曝光工艺。
另外,根据本发明的一个实施例,作为用于边缘曝光装置中的光源利用LED光源,因此能够延长光源的使用时间,从而提高边缘曝光工艺的效率。
附图说明
图1为示意性地示出根据本发明的一个实施例的基板处理装置的图。
图2为示出根据本发明一实施例的边缘曝光装置的截面图。
图3为示出图2的支撑单元合光照射单元的平面图。
图4为示出图2的光照射单元的立体图。
图5和图6为示出光照射单元在第一位置和第二位置时的状态的图。
图7为示意性地示出基板上的、光照射到的位置的图。
图8为示意性地示出基板上的、光照射到的区域的图。
具体实施方式
在下文中,将参考所附的附图,对本发明的实施例进行详细说明。本发明的实施例可以以多种形态进行改变,不能认为本发明的范围仅限定在以下的实施例。本实施例是为了让本领域的普通的知识人员能都更完整地理解本发明而提供。因此,为了更加清楚的说明,附图中要素的形象有所夸张。
图1为示意性地示出根据本发明的一个实施例的基板处理装置的图。参考该图,基板处理装置1包括索引模块10、涂布模块20、接口模块30、边缘曝光装置40以及显影模块50。
索引模块10配置为与接口模块30平行。索引模块10和接口模块30之间配置有涂布模块20、边缘曝光装置40以及显影模块50。边缘曝光装置40与显影模块50相邻,且沿着长度方向。涂布模块20配置为与边缘曝光装置40和显影模块50平行。其中,配置了涂布模块20和显影模块50的上下方向称为第一方向12。从上方看时,与第一方向12垂直的方向称为第二方向14。与第一方向12和第二方向14均垂直的方向称为第三方向16。
索引模块10用于引入或引出基板W。作为一个例子,索引模块10可配置为其外部与搬送装置相连接。搬送装置可具有搬送辊。当基板W从外部被引入至索引模块10时,可通过用于搬送基板W的搬送辊实现引入。当基板W向外部引出时,也可通过用于搬送基板W的搬送辊实现引出。与此不同,索引模块10的外侧可配置有移送机器。移送机器可将外部的基板W移送至索引模块10或将完成工艺处理的基板W从索引模块10搬送至外部。索引模块10配置为其长度方向沿着第一方向12。
涂布模块20在基板W上执行涂布工艺等。涂布模块20配置为与索引模块10的一侧相邻。涂布模块20配置为其长度方向沿着第二方向14。涂布模块10包括清洗单元21、干燥单元22、涂布单元23以及烘烤单元24。涂布模块20中依次进行清洗工艺、干燥工艺、涂布工艺以及烘烤工艺。执行基板W的涂布工艺前,清洗单元21对基板W进行清洗。清洗单元21将清洗液供给至基板W来执行工艺。作为一个例子,清洗单元21可从配置于基板W的上部的清洗液供给装置接受清洗液。作为一个例子,作为清洗液可使用纯水。
干燥单元22对完成清洗工艺的基板W上残留的清洗液进行干燥。作为一个例子,干燥单元22可包括在基板W的上部供给空气来执行干燥工艺的流体供给部件。作为一个例子,流体供给部件可以为空气刀(AirKnife)。
涂布单元23在基板W上执行涂布工艺。作为一个例子,涂布工艺在基板W的上表面涂布感光液。感光液可以为光刻胶。完成涂布工艺的基板W被移送至烘烤单元24。烘烤单元24对基板执行烘烤工艺。作为一个例子,烘烤工艺可以是利用配置于基板W的下部的加热装置来对基板W进行加热。
在涂布模块20中完成工艺的基板W被移送至接口模块30。接口模块30移送在涂布模块20完成工艺的基板W。接口模块30将移送的基板搬送至外部的曝光模块。完成曝光工艺的基板W被搬送至接口模块30。接口模块30将完成曝光工艺的基板W移送至边缘曝光装置40。
接口模块30配置为与涂布模块20和边缘曝光装置40相邻。接口模块30配置为与外部的曝光模块相连接。接口模块30配置为与索引模块10平行。接口模块30配置为其长度方向沿第一方向12。接口模块30搬送基板W时可利用移送机器搬送基板W。
外部的曝光模块60可对基板W执行曝光工艺。曝光模块60配置为与接口模块30的一侧相邻。
显影模块50对基板W执行显影工艺。显影模块50的一侧相邻地配置有索引模块10。显影模块50与涂布模块20平行,且配置为其长度方向沿着第二方向14。
显影模块50包括显影单元51、冲洗单元52、干燥单元53以及检测器54。在显影模块50中,在显影单元51执行显影工艺后,在冲洗单元52和干燥单元53执行冲洗工艺和干燥工艺,之后在检测器54进行检查。
边缘曝光装置40执行对基板W的边缘进行光照射的边缘曝光工艺。边缘曝光装置40配置在接口模块30和显影模块50之间。作为一个例子,边缘曝光工艺40可在曝光工艺之后执行。与此不同,边缘曝光装置40可被配置在涂布模块20和接口模块30之间,因而可以在涂布工艺后执行边缘曝光工艺。
图2为示出根据本发明一实施例的边缘曝光装置的截面图。图3为示出图2的支撑单元合光照射单元的平面图。在下文中,参考图2和图3,边缘曝光装置40包括支撑单元100、光照射单元210、外罩230以及驱动器250。
支撑单元100在基板W的下部支撑基板W。支撑单元100包括搬送轴110、搬送辊120以及旋转驱动部130。
各个搬送轴110配置为其长度方向沿着第二方向14,搬送轴110沿着第一方向12彼此并排配置。搬送轴110的两端以可旋转的方式被支撑。各个搬送轴110结合有与基板W接触的多个搬送辊120。搬送辊120在基板W的搬送轴110的长度方向以彼此间隔的方式结合。搬送辊120被套在搬送轴110的外周面。各个搬送辊120具有环形状,能与搬送轴110一起旋转。
搬送轴110结合有旋转驱动部130。旋转驱动部130包括多个滑轮131、驱动电机132以及多个皮带133。滑轮131结合到搬送轴110的一侧,多个滑轮131中的、近邻驱动电机132的滑轮131与驱动电机连接。驱动电机132产生旋转力并将旋转力提供至连接的滑轮131。连接到驱动电机132的滑轮131将旋转力提供至连接的搬送轴110来使搬送轴110旋转。
多个滑轮131中彼此相邻的两个滑轮131依靠皮带133彼此连接。皮带133彼此连接多个滑轮131,从而将连接至驱动电机132的滑轮所提供的旋转力传送给相邻的滑轮131。因而,上述多个滑轮131旋转,而多个搬送轴110依靠多个滑轮131的旋转力而旋转。另外,多个滑轮131和多个皮带133还设置在搬送轴110的另一侧
光照射单元210对基板W进行光照射。光照射单元210可同时对基板W的四边进行光照射。光照射单元210位于支撑单元100的上部。从上部观察时,光照射单元210为长方形形状。
光照射单元210包括第一框架211、第二框架213、第三框架215、第四框架217以及光源211a、213a、215a、217a。光照射单元210为长方体的环形状。
第一框架211配置为其长度方向沿着第二方向14。第二框架213配置为其长度方向沿着第一方向12。第三框架215配置为其长度方向沿着第二方向14。第四框架217配置为其长度方向沿着第一方向12。
第一框架211和第三框架215配置为彼此相对。第二框架213和第四框架217配置为彼此相对。第一框架211配置为与第二框架213和第四框架217相邻。第三框架215配置为与第二框架213和第四框架217相邻。第一框架211配置为垂直于第二框架213和第四框架217。第三框架215配置为与第二框架213和第四框架217相邻。第三框架215配置为垂直于第二框架213和第四框架217。
第一框架211、第二框架213、第三框架215以及第四框架217中的任意一个框架的前表面与另一个框架的内侧面的末端相向而置。作为一个例子,第一框架211的前表面与第四框架217的内侧面的末端相向而置。第二框架213的前表面与第一框架211的内侧面的末端相向而置。第三框架215的前表面与第二框架213的内侧面的末端相向而置。第四框架27的前表面与第三框架215的内侧面的末端相向而置。
第一框架211、第二框架213、第三框架215以及第四框架217分别配置为可在垂直于长度方向的方向上移动。作为一个例子,第一框架211配置为可在第一方向12移动。第二框架213配置为可在第二方向14移动。第三框架215配置为可在第一方向12移动。第四框架217配置为可在第二方向14移动。
光源211a、213a、215a、217a分别配置在第一框架211、第二框架213、第三框架215以及第四框架217。作为一个例子,光源211a、213a、215a、217a可以为LED光源。LED光源可以为LED灯具,并且可分别沿第一框架211、第二框架213、第三框架215以及第四框架217的长度方向配置多个。
LED灯具相比卤素灯价格低廉,且灯具的寿命长。因而,在边缘曝光装置40上使用LED光源时,相比于使用卤素灯时的维持费用低廉、寿命长,从而无需经常更换。
外罩230防止在进行光照射时光从光照射单元210透到外部。外罩230具有下部开放的空间。外罩230的内部空间设置有光照射单元210。外罩230可以是长方体形状。外罩230可以是阻断光透向外部的材质。作为一个例子,外罩230的内部可涂覆阻断光的薄膜
驱动器250在外罩230的内部空间,沿上、下方向驱动光照射单元210。驱动器250利用额外的支架251来支撑光照射单元210,并且通过驱动部253而沿上、下驱动光照射单元210。
图5和图6为示出光照射单元在第一位置P1和第二位置P2时的状态的图,图7为示意性地示出基板上的、光照射到的位置的图,图8为示意性地示出基板上的、光照射到的区域的图。
在下文中,将参考图5至图8说明边缘曝光方法。结束而涂布工艺的基板W被搬送并移动至支撑单元。光照射单元210通过驱动器250从上部移动至下部。之后光照射单元210对欲曝光的区域进行光照射。光能够同时照射基板W的四边。
作为一个例子,光照射单元210可对基板W的边缘区域中选定的区域进行光照射。作为一个例子,光照射单元210可在第一位置P1对基板W的四边同时进行光照射,从而执行边缘曝光工艺。选择性地,也可在第二位置P2对基板W的四边同时进行光照射,从而执行边缘曝光工艺。
第一位置P1的第一框架211和第三框架215之间的距离配置为比第二位置P2的第一框架211和第三框架215之间的距离长。
第一位置P1的第二框架213和第四框架217之间的距离配置为比第二位置P2的第二框架213和第四框架217之间的距离长。
选择性地,光照射单元210可使各个框架211、213、215、217在垂直于其长度方向的方向上移动,因此在进行光照射时,能够使各个框架211、213、215、217移动至所需要的区域来进行光照射,从而对基板W进行光照射。
与此不同,光照射单元210可在垂直于其长度方向的方向上移动的同时,对基板W的四边进行光照射,从而执行边缘曝光工艺。
作为一个例子,如图7所示,光照射单元可将第一框架211、第二框架213、第三框架215以及第四框架217从第一位置P1移动至第二位置P2并同时对基板W的四边进行光照射。
如图8所示,光照射单元可在基板W的边缘区域A中想要的区域上执行边缘曝光工艺。
以上的详细说明用于举例说明本发明。并且前述的内容是以本发明的优选实施形式来说明的,可在进行多种其他组合、改变及环境下使用本发明。即,可在本说明书中公开的发明的概念的范围、与叙述的公开内容均等的范围及/或本领域的技术或知识范围内进行改变或修改。叙述的实施例是用于说明体现本发明的技术思想的最佳状态,能够在本发明的具体适用领域及用途中进行所需的多种改变。因而,以上的发明的详细说明并非为了将本发明限制在所公开的实施状态。另外,应解释为所附的权利要求还包括其他实施状态。
附图标记的说明
1:基板处理装置10:索引模块
20:涂布模块30:接口模块
40:边缘曝光装置50:显影模块
60:曝光模块100:支撑单元
210:光照射单元211:第一框架
213:第二框架215:第三框架
217:第四框架230:外罩
250:驱动器。
Claims (21)
1.一种边缘曝光装置,其对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺,其包括:
支撑单元,其用于支撑基板;
光照射单元,其包括用于同时对基板的四边进行光照射的光源。
2.根据权利要求1所述的边缘曝光装置,其中,所述光照射单元包括:
第一框架;
第二框架,其与所述第一框架相邻;
第三框架,其配置为与所述第二框架相邻且与所述第一框架平行;以及
第四框架,其配置为与所述第一框架和所述第三框架相邻且与所述第二框架平行,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架分别配置有所述光源。
3.根据权利要求2所述的边缘曝光装置,其中,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架中,相邻的两个框架中的任意一个框架的前表面与另一个框架的内侧面的末端相向而置。
4.根据权利要求2所述的边缘曝光装置,其中,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架配置为可在垂直于各自长度方向的方向上移动。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的边缘曝光装置,其中,所述支撑单元包括:
搬送轴,其沿一个方向搬送基板,且支撑基板的下部。
6.根据权利要求5所述的边缘曝光装置,其中,
所述光源为LED光源。
7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的边缘曝光装置,其中,所述边缘曝光装置还包括:
外罩,其具有下部开放的空间,
其中,所述光照射单元位于所述外罩的内部。
8.根据权利要求5所述的边缘曝光装置,其中,所述边曝光装置还包括:
驱动器,其使所述光照射单元在所述外罩的内部空间上下移动。
9.一种基板处理装置,其中,该基板处理装置包括:
索引模块,其用于使基板引入或引出,且配置为其长度方向沿着第一方向;
涂布模块,其对基板执行涂布和烘烤工艺,并且与所述索引模块的一侧相邻,所述涂布模块配置为长度方向沿着垂直于所述第一方向的第二方向;
显影模块,其对基板执行显影工艺,并且与所述索引模块的一侧相邻,所述显影模块配置为平行于所述涂布模块且其长度方向沿着所述第一方向;
接口模块,其将基板搬送至所述涂布模块和所述显影模块,并且与所述涂布模块和所述显影模块相邻,所述接口模块配置为与所述索引模块平行且其长度方向沿着所述第一方向,并且与外部的曝光模块相连接;以及
边缘曝光装置,其通过对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺,并且配置在所述接口模块和所述显影模块之间,
所述边缘曝光装置包括:
支撑单元,其用于支撑基板;
光照射单元,其包括用于同时对基板的四边进行光照射的光源。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述光照射单元包括:
第一框架;
第二框架,其与所述第一框架相邻;
第三框架,其配置为与所述第二框架相邻且与所述第一框架平行;以及
第四框架,其配置为与所述第一框架和所述第三框架相邻且与所述第二框架平行,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架分别配置有所述光源。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架中,相邻的两个框架中的任意一个框架的前表面与另一个框架的内侧面的末端相向而置。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架以及所述第四框架配置为可在垂直于各自长度方向的方向上移动。
13.根据权利要求9至12中的任意一项所述的基板处理装置,其中,所述支撑单元包括:
搬送轴,其沿一个方向搬送基板,且支撑基板的下部。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其中,
所述光源为LED光源。
15.根据权利要求9至12中的任意一项所述的基板处理装置,其中,所述边缘曝光装置还包括:
外罩,其具有下部开放的空间,
其中,所述光照射单元位于所述外罩的内部。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,所述边缘曝光装置还包括:
驱动器,其使所述光照射单元在所述外罩的内部空间上下移动。
17.一种边缘曝光方法,对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺,其包括:
其将所述光同时照射到所述基板的四边。
18.根据权利要求17所述的边缘曝光方法,其中,
所述光源为LED光源。
19.一种边缘曝光方法,其利用权利要求3所述的边缘曝光装置对基板的边缘区域进行光照射来执行边缘曝光工艺,其中,
所述光照射单元从第一位置移动至第二位置的同时,将所述光照射到所述基板的四边。
20.根据权利要求19所述的边缘曝光方法,其中,
所述第一位置的所述第一框架和第三框架之间的距离配置为比所述第二位置的所述第一框架和所述第三框架之间的距离长,
所述第一位置的所述第二框架和所述第四框架之间的距离配置为比所述第二位置的所述第二框架和所述第四框架之间的距离长。
21.根据权利要求19或20所述的边缘曝光方法,其中,
所述光源为LED光源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140168898A KR101681636B1 (ko) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 에지 노광 장치 및 방법, 기판 처리 장치 |
KR10-2014-0168898 | 2014-11-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105652602A true CN105652602A (zh) | 2016-06-08 |
CN105652602B CN105652602B (zh) | 2018-07-17 |
Family
ID=56193749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510855376.5A Active CN105652602B (zh) | 2014-11-28 | 2015-11-30 | 边缘曝光装置及方法、基板处理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101681636B1 (zh) |
CN (1) | CN105652602B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108319057A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-07-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基板边缘处理方法、掩膜版 |
CN108535966A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 株式会社斯库林集团 | 曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1655324A (zh) * | 2003-12-11 | 2005-08-17 | 日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
KR20070098119A (ko) * | 2006-03-31 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지 노광장치 및 그를 이용한 웨이퍼 에지노광방법 |
CN101713926A (zh) * | 2008-09-29 | 2010-05-26 | 株式会社Orc制作所 | 周边曝光装置及周边曝光方法 |
CN101923292A (zh) * | 2010-08-03 | 2010-12-22 | 深圳市路维电子有限公司 | 光罩边缘铬残留去除方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100733137B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-06-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지 노광 장치 |
KR101099613B1 (ko) * | 2009-05-27 | 2011-12-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
KR101180016B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2012-09-05 | (주)와이티에스 | 기판 주변 노광장치 |
-
2014
- 2014-11-28 KR KR1020140168898A patent/KR101681636B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-11-30 CN CN201510855376.5A patent/CN105652602B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1655324A (zh) * | 2003-12-11 | 2005-08-17 | 日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
KR20070098119A (ko) * | 2006-03-31 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지 노광장치 및 그를 이용한 웨이퍼 에지노광방법 |
CN101713926A (zh) * | 2008-09-29 | 2010-05-26 | 株式会社Orc制作所 | 周边曝光装置及周边曝光方法 |
CN101923292A (zh) * | 2010-08-03 | 2010-12-22 | 深圳市路维电子有限公司 | 光罩边缘铬残留去除方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108535966A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 株式会社斯库林集团 | 曝光装置、基板处理装置、曝光方法及基板处理方法 |
CN108319057A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-07-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基板边缘处理方法、掩膜版 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105652602B (zh) | 2018-07-17 |
KR20160064790A (ko) | 2016-06-08 |
KR101681636B1 (ko) | 2016-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180046037A1 (en) | Manufacturing method of alignment flim and device for manufacturing alignment film | |
JP2009157247A (ja) | 露光装置 | |
CN105652602A (zh) | 边缘曝光装置及方法、基板处理装置 | |
KR101270699B1 (ko) | 액정표시패널 제조장치 | |
TWI630464B (zh) | Light irradiation device | |
CN105045048A (zh) | 一种曝光基台和曝光设备 | |
TWI696826B (zh) | 檢查裝置及基板處理裝置 | |
JP7008466B2 (ja) | 紫外線照射装置および紫外線照射方法 | |
US9618851B2 (en) | Photoinduced alignment apparatus | |
CN103728785B (zh) | 光配向设备与光配向方法 | |
KR101567743B1 (ko) | 자외선 경화 장치 | |
JP5004786B2 (ja) | 露光装置の反転部 | |
CN104950582A (zh) | 一种边缘曝光系统和边缘曝光方法 | |
JP2000267106A (ja) | 液晶ディスプレイ基板処理方法と、その方法を利用した処理装置 | |
KR102256692B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 방법 | |
CN102819195B (zh) | 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法 | |
JP5430508B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の装置内温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
CN204009353U (zh) | 偏极化曝光装置 | |
JP6334449B2 (ja) | 塗布液供給装置、塗布液供給装置における洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR102371453B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법 | |
JP3306388B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
JP2015021185A5 (zh) | ||
CN203849555U (zh) | 一种曝光机 | |
KR102296277B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20130115828A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |