CN105622126A - 一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法。该Si3N4陶瓷覆铜基板包括：Si3N4陶瓷基板、TiN过渡层、Ti金属层、TiCu过渡层和铜层。其制备包括：1)对Si3N4陶瓷基板及铜片进行清洗；2)将TiH2粉与粘结剂的水溶液混合均匀得混合浆料，在Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均涂覆TiH2层，烘干；3)将涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板在保护气氛下进行热处理；4)将清洗过的铜片置于Si3N4陶瓷基板表面，于热压模具内进行热压处理；5)取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温，即得。本发明通过在氮化硅陶瓷表面形成一层Ti中间层，并通过热压方式获得TiN与TiCu过渡层，以确保氮化硅与铜的结合。

Description

一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法
技术领域
本发明属于陶瓷金属化技术领域，特别涉及一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法。
背景技术
随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基板是大功率电子器件、集成电路基板的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。电动汽车等的发展对基板的抗热震性等力学性能提出了更严格的要求。
目前广泛应用的的Al2O3陶瓷基板不仅热导率(22～40W/m·K)很低，而且抗弯强度(380～385MPa)低，已不能满足日益增长的需求；AlN陶瓷基板虽然具有优异的热导率(190～260W/m·K)，但抗弯强度(392～490MPa)也相对较低。Si3N4陶瓷具有高强度(600～900MPa)、高韧性、耐腐蚀、耐高温、抗热震性好等优良性能。2002年，Hirosaki等人采用分子动力学方法模拟了α-Si3N4和β-Si3N4单晶中的能量传递，预测β-Si3N4沿晶轴c轴方向的热导率为450W/m·K；2011年，YouZhou等人制备出热导率为177W/m·K的Si3N4陶瓷，为Si3N4陶瓷覆铜基板的发展提供了基础。可见，Si3N4陶瓷覆铜基板是理想的陶瓷基板材料。
目前关于Si3N4陶瓷覆铜基板的研究还较少。由于Si3N4与Cu之间的润湿性很差，Si3N4与Cu的结合较困难，因此选择合适的氮化硅陶瓷基板金属化方法至关重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种Si3N4陶瓷覆铜基板及其制备方法。本发明通过在氮化硅陶瓷表面形成一层Ti中间层，并通过热压方式获得TiN与TiCu过渡层，以确保氮化硅与铜的结合。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
本发明的第一目的在于提供一种Si3N4陶瓷覆铜基板，包括：Si3N4陶瓷基板、TiN过渡层、Ti金属层、TiCu过渡层和铜层，所述Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均覆有TiN过渡层，所述TiN过渡层的表面设有Ti金属层，所述Ti金属层的表面设有TiCu过渡层，以及所述TiCu过渡层的表面设有铜层。
所述Si3N4陶瓷覆铜基板是先在Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均涂覆TiH2层进行热处理；然后在TiH2层的表面放置铜片，经热压处理后形成所述Si3N4陶瓷覆铜基板。
所述的Ti金属层的厚度为0.5～10μm；优选Ti金属层的厚度为6～9μm。
本发明的第二目的在于提供一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，包括：
第一步，对Si3N4陶瓷基板及铜片进行清洗；
第二步，将TiH2粉与粘结剂的水溶液混合均匀得混合浆料，在Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均涂覆TiH2层，于烘干箱内100～300℃烘干1～2h；
第三步，将涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板在保护气氛下进行热处理，温度500～900℃，时间0.5～1h，使Si3N4陶瓷基板的表面形成Ti金属层；
第四步，将清洗过的铜片置于步骤三所得的Si3N4陶瓷基板表面，于热压模具内进行热压处理，真空度1×10-4～10×10-4Pa，压力0.5～30MPa，温度800～1080℃，保温1h；
第五步，取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温，即得。
进一步的，步骤二中所述的混合浆料中，TiH2粉、粘结剂、水所占比重分别为65～69.9wt％、0.1～5wt％、30wt％。
进一步的，步骤二中所述的粘结剂为聚乙烯醇粘结剂。
进一步的，步骤二中所述的TiH2层的厚度为0.1～20μm；优选TiH2层的厚度为10～15μm。
进一步的，步骤三中所述的保护气氛为惰性气体保护气氛；优选氩气保护气氛。
进一步的，步骤三中所述的Ti金属层的厚度为0.5～10μm；优选Ti金属层的厚度为6～9μm。
进一步的，步骤三中所述的温度为600～800℃。
进一步的，步骤四中所述的温度为1000℃。
进一步的，步骤四中所述的压力为4～5MPa。
热压处理时，温度在上升过程中，发生Ti与Cu的扩散，形成TiCu过渡层；当温度达到1000℃以上时，保温1h，以促进Ti向氮化硅扩散，使Ti与Si3N4反应形成TiN过渡层。关于温度控制，温度低于800℃时，Si3N4与Ti的反应速率很低，主要是Ti与Cu的扩散，形成TiCu过渡层；温度高于1080℃时，可能会导致铜片变形，不利于刻蚀图形以及铜表面的管理。
本发明通过先在氮化硅表面制备一层Ti金属层，再通过热压法在Ti金属层表面覆铜。原理是：处于氮化硅与铜之间的钛金属层在热压过程中，与金属铜之间形成TiCu过渡层(Cu+Ti→TiCu)，与氮化硅瓷片之间形成TiN过渡层(Si3N4+Ti→TiN+TixSiy)，这两种过渡层实现了氮化硅与铜之间的结合。
与现有技术相比，本发明的积极效果如下：
(1)热压法工艺成熟、条件易控制，可以提高Si3N4陶瓷覆铜基板的成品率；
(2)以金属Ti作为中间层，热压过程中获得TiN、TiCu过渡层，所得Si3N4陶瓷覆铜基板的结合强度高、导热性能好、抗热震性优良。
附图说明
图1为本发明Si3N4陶瓷覆铜基板的结构示意图；
图2为本发明Si3N4陶瓷覆铜基板的热压烧结结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
第一步：用酸碱溶液、去离子水，通过超声清洗、喷淋、预脱水等工艺对铜片、Si3N4陶瓷基板进行清洗去除材料表面的杂质。
第二步：将TiH2粉体(69.7wt％)、聚乙烯醇(0.3wt％)、水(30wt％)混合均匀制得混合浆料，并在Si3N4陶瓷基板的上下两个表面各涂覆厚10μm的TiH2层，置于烘干箱内300℃烘干2h。
第三步：在氩气保护气氛下对涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板进行热处理，设定温度900℃，时间1h，使涂覆的TiH2分解，形成厚度为6μm的Ti金属层。
第四步：将经过清洗的铜片放置于覆有Ti金属层的陶瓷基板表面，并将其放入热压模具内，在真空环境下，真空度2×10-4Pa，施加压力5MPa，从室温升温至1000℃，发生Ti与Cu的扩散，形成TiCu过渡层；当温度达到1000℃时，保温1h，以促进Ti向氮化硅扩散，使Ti与Si3N4反应形成TiN过渡层。
第五步：取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温。
获得结合优良、抗弯强度高、热导率优良的Si3N4陶瓷覆铜基板。
实施例2
第一步：用酸碱溶液、去离子水，通过超声清洗、喷淋、预脱水等工艺对铜片、Si3N4陶瓷基板进行清洗去除材料表面的杂质。
第二步：将TiH2粉体(68wt％)、聚乙烯醇(2wt％)、水(30wt％)混合均匀，并在Si3N4陶瓷基板的上下两个表面各涂覆厚10μm的TiH2层，置于烘干箱内300℃烘干2h。
第三步：在氩气保护气氛下对涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板进行热处理，设定温度800℃，时间1h，使涂覆的TiH2分解，形成厚度为6μm的Ti金属层。
第四步：将经过清洗的铜片放置于覆有Ti金属层的陶瓷基板表面，并将其放入热压模具内，在真空环境下，真空度2.5×10-4Pa，施加压力4.5MPa，从室温升温至1000℃，发生Ti与Cu的扩散，形成TiCu过渡层；当温度达到900℃时，保温1h，以促进Ti向氮化硅扩散，使Ti与Si3N4反应形成TiN过渡层。
第五步：取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温。
获得结合优良、抗弯强度高、热导率优良的Si3N4陶瓷覆铜基板。
实施例3
第一步：用酸碱溶液、去离子水，通过超声清洗、喷淋、预脱水等工艺对铜片、Si3N4陶瓷基板进行清洗去除材料表面的杂质。
第二步：将TiH2粉体(66wt％)、聚乙烯醇(4wt％)、水(30wt％)混合均匀，并在Si3N4陶瓷基板的上下两个表面各涂覆厚15μm的TiH2层，置于烘干箱内300℃烘干2h。
第三步：在氩气保护气氛下对涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板进行热处理，设定温度900℃，时间1h，使涂覆的TiH2分解，形成厚度为9μm的Ti金属层。
第四步：将经过清洗的铜片放置于覆有Ti金属层的陶瓷基板表面，并将其放入热压模具内，在真空环境下，真空度3×10-4Pa，施加压力5MPa，从室温升温至1000℃，发生Ti与Cu的扩散，形成TiCu过渡层；当温度达到1050℃时，保温1h，以促进Ti向氮化硅扩散，使Ti与Si3N4反应形成TiN过渡层。
第五步：取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温。
获得结合优良、抗弯强度高、热导率优良的Si3N4陶瓷覆铜基板。
以下针对现有的陶瓷覆铜基板与实施例1-3制备的Si3N4陶瓷覆铜基板作对比，选择目前市场上较为主流的Al2O3覆铜陶瓷基板(厂商：上海申和热磁电子有限公司)作为对比例。
对上述基板进行抗弯强度、剥离强度、导热率(ISO22007-2(2008)塑胶-热导率与热扩散率的测定)性能测试，结果如表1所示。
抗弯强度测试条件：环境温度10～35℃，相对湿度≤80％，支点间距30mm，加载速率0.5mm/min；
剥离强度测试条件：90度剥离，环境温度10～35℃，相对湿度≤80％，速度设定50mm/min，试样宽度5mm。
表1
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (10)

1.一种Si3N4陶瓷覆铜基板，包括：Si3N4陶瓷基板、TiN过渡层、Ti金属层、TiCu过渡层和铜层，所述Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均覆有TiN过渡层，所述TiN过渡层的表面设有Ti金属层，所述Ti金属层的表面设有TiCu过渡层，以及所述TiCu过渡层的表面设有铜层。
2.根据权利要求1所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板，其特征在于：所述Si3N4陶瓷覆铜基板是先在Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均涂覆TiH2层进行热处理；然后在TiH2层的表面放置铜片，经热压处理后形成所述Si3N4陶瓷覆铜基板。
3.一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，包括：
第一步，对Si3N4陶瓷基板及铜片进行清洗；
第二步，将TiH2粉与粘结剂的水溶液混合均匀得混合浆料，在Si3N4陶瓷基板的上表面和下表面均涂覆TiH2层，于烘干箱内100～300℃烘干1～2h；
第三步，将涂覆有TiH2层的Si3N4陶瓷基板在保护气氛下进行热处理，温度500～900℃，时间0.5～1h，使Si3N4陶瓷基板的表面形成Ti金属层；
第四步，将清洗过的铜片置于步骤三所得的Si3N4陶瓷基板表面，于热压模具内进行热压处理，真空度1×10-4～10×10-4Pa，压力0.5～30MPa，温度800～1080℃，保温1h；
第五步，取出经热压处理的Si3N4陶瓷覆铜基板，冷却至室温，即得。
4.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤二中所述的混合浆料中，TiH2粉、粘结剂、水所占比重分别为65～69.9wt％、0.1～5wt％、30wt％。
5.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤二中所述的TiH2层的厚度为0.1～20μm。
6.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤三中所述的保护气氛为惰性气体保护气氛。
7.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤三中所述的Ti金属层的厚度为0.5～10μm。
8.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤三中所述的温度为600～800℃。
9.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤四中所述的温度为1000℃。
10.根据权利要求3所述的一种Si3N4陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤四中所述的压力为4～5MPa。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106427342A (zh) * 2016-09-23 2017-02-22 钦州学院 坭兴陶上镶嵌金属的工艺
CN108640701A (zh) * 2018-08-16 2018-10-12 南通通州湾新材料科技有限公司 一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其制备方法
CN110158100A (zh) * 2019-04-20 2019-08-23 无锡天杨电子有限公司 一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法
CN110662359A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 德胜光电股份有限公司 氮化硅陶瓷电路板结构
CN111196727A (zh) * 2019-11-20 2020-05-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法
CN111908924A (zh) * 2020-07-22 2020-11-10 江苏富乐德半导体科技有限公司 一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法
CN113665188A (zh) * 2021-08-26 2021-11-19 昆明理工大学 一种钛-碳纤维-钛“三明治”型复合材料及其制备方法
CN114478044A (zh) * 2021-12-26 2022-05-13 南通威斯派尔半导体技术有限公司 一种改善覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178476A (ja) * 1985-01-30 1986-08-11 京セラ株式会社 セラミツクと金属の接合方法及びその接合構造
CN101439984A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 段维新 陶瓷/金属复合结构及其制造方法
EP2661160A1 (en) * 2010-12-28 2013-11-06 Tokuyama Corporation Metallized substrate, metal paste composition, and method for producing metallized substrate
CN103715101A (zh) * 2013-12-23 2014-04-09 上海申和热磁电子有限公司 直接覆铜陶瓷基板的热压方法
CN104362099A (zh) * 2014-09-17 2015-02-18 上海申和热磁电子有限公司 高热导覆铜陶瓷基板的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61178476A (ja) * 1985-01-30 1986-08-11 京セラ株式会社 セラミツクと金属の接合方法及びその接合構造
CN101439984A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 段维新 陶瓷/金属复合结构及其制造方法
EP2661160A1 (en) * 2010-12-28 2013-11-06 Tokuyama Corporation Metallized substrate, metal paste composition, and method for producing metallized substrate
CN103715101A (zh) * 2013-12-23 2014-04-09 上海申和热磁电子有限公司 直接覆铜陶瓷基板的热压方法
CN104362099A (zh) * 2014-09-17 2015-02-18 上海申和热磁电子有限公司 高热导覆铜陶瓷基板的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周飞等: "通过Cu/Ti液相扩散反应进行Si3N4/Cu的连接", 《浙江大学学报（工学版）》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106427342A (zh) * 2016-09-23 2017-02-22 钦州学院 坭兴陶上镶嵌金属的工艺
CN108640701A (zh) * 2018-08-16 2018-10-12 南通通州湾新材料科技有限公司 一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其制备方法
CN110158100A (zh) * 2019-04-20 2019-08-23 无锡天杨电子有限公司 一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法
CN110158100B (zh) * 2019-04-20 2021-01-15 无锡天杨电子有限公司 一种清洗氮化硅陶瓷覆铜板黑边的方法
CN110662359A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 德胜光电股份有限公司 氮化硅陶瓷电路板结构
CN111196727A (zh) * 2019-11-20 2020-05-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法
CN111196727B (zh) * 2019-11-20 2022-05-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法
CN111908924A (zh) * 2020-07-22 2020-11-10 江苏富乐德半导体科技有限公司 一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法
CN113665188A (zh) * 2021-08-26 2021-11-19 昆明理工大学 一种钛-碳纤维-钛“三明治”型复合材料及其制备方法
CN113665188B (zh) * 2021-08-26 2022-10-14 昆明理工大学 一种钛-碳纤维-钛“三明治”型复合材料及其制备方法
CN114478044A (zh) * 2021-12-26 2022-05-13 南通威斯派尔半导体技术有限公司 一种改善覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法

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