CN105576100A - 发光器件和照明系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件和照明系统。公开一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：基板；在基板上的第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的接触层；在接触层上的绝缘层；被电连接到第一导电半导体层的第一分支电极；通过经过绝缘层被电连接到第一导电半导体层并且被连接到第一分支电极的多个第一通孔电极；被电连接到第一分支电极的第一焊盘电极；通过经过绝缘层接触接触层的第二焊盘电极；被连接到第二焊盘电极并且被布置在绝缘层上的第二分支电极；以及通过绝缘层被提供以将第二分支电极电连接到接触层的多个第二通孔电极。

Description

发光器件和照明系统
技术领域
实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光器件(LED)包括具有将电能转换成光能的特性的p-n结二极管。可以通过组合周期表的III-V族元素形成p-n结二极管。LED可以通过调节化合物半导体的组成比来表现各种颜色。
当正向电压被施加到LED时，n层的电子与p层的空穴相组合，使得与在导带和价带之间的能隙相对应的能量可以被释放。LED发射像光一样的能量。
例如，氮化物半导体表现优异的热稳定性和宽带隙能，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子设备中已经被备受关注。具体地，采用氮化物半导体的蓝、绿以及UV发光器件已经被商业化并且被广泛地使用。
根据电极的位置发光器件可以被分类成横向型和垂直型。
在根据现有技术的发光器件当中的横向型发光器件被形成在其中氮化物半导体层被形成在基板上，并且两个电极层被布置在氮化物半导体层上的结构中。
同时，因为在大的区域上执行台面蚀刻所以根据现有技术的横向型发光器件具有在能够发射光的有源层处引起的大的损耗。为了补偿损耗，执行各种尝试以确保更宽的有源层。
例如，根据现有技术，已经尝试以通过形成接触通过电极型的氮化物半导体层的电极确保有源层的相对大的区域以允许电极被部分地或者电连接到氮化物半导体层使得有源层的被去除的区域被减少。然而，因为操作电压VF被增加所以现有技术具有可靠性的问题，并且因此，要求改进。
另外，根据现有技术，由于电极层的光吸收可以降低光提取效率。
发明内容
实施例是要提供一种具有优异的光效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装和照明系统。
另外，实施例是要提供一种具有优异的光效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装和照明系统。
为了实现目的，根据实施例，提供一种发光器件，其包括：基板105；在基板105上的第一导电半导体层112；在第一导电半导体层112上的有源层114；在有源层114上的第二导电半导体层116；在第二导电半导体层116上的接触层120；在接触层120上的绝缘层130；第一分支电极146，该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112；多个第一通孔电极(viaelectrode)145，其通过经过绝缘层130被连接到第一分支电极146并且被电连接到第一导电半导体层112；第一焊盘电极142，该第一焊盘电极142被电连接到第一分支电极146；第二焊盘电极152，该第二焊盘电极152通过经过绝缘层130来接触接触层120；第二分支电极156，该第二分支电极156被连接到第二焊盘电极152并且被布置在绝缘层130上；以及多个第二通孔电极155，其通过绝缘层130被提供以将第二分支电极156电连接到接触层120。
另外，根据实施例的发光器件包括发光结构110，该发光结构110包括第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116；第一分支电极146，该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112；多个第三通孔电极149，其被连接到第一分支电极146并且通过经过预先确定的绝缘层130被电连接到第一导电半导体层112；第二分支电极156，该第二分支电极156被电连接到第二导电半导体层116，同时在第二分支电极156和第二导电半导体层116之间插入接触层120；以及多个第二通孔电极155，其被布置在第二分支电极156和接触层120之间，同时经过绝缘层130。
被电连接到第一导电半导体层112的第三通孔电极149中的一个具有比布置在接触层130上的第二通孔电极155的第二水平宽度W宽的第三水平宽度W3。
照明系统可以包括具有发光器件的发光单元。
根据实施例，实施例能够提供具有优异的发光效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装和照明系统。
另外，根据实施例，实施例能够提供具有优异的光提取效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装和照明系统。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图。
图2是沿着图1的线I-I'截取的第一截面图。
图3是图1的部分A的放大视图。
图4是沿着图1的线Ⅱ-Ⅱ'截取的第二截面图。
图5是根据现有技术的发光器件的一部分的照片。
图6是根据第二实施例的沿着图1的线I-I’截取的第三截面图。
图7是根据第二实施例的沿着图1的线Ⅱ-Ⅱ’截取的第四截面图。
图8是根据第三实施例的沿着图1的线Ⅱ-Ⅱ’截取的第五截面图。
图9是示出根据第四实施例的发光器件的平面图。
图10是沿着图9的线Ⅲ-Ⅲ'截取的第六截面图。
图11是沿着图9的线Ⅳ-Ⅳ'截取的第七截面图。
图12是沿着图9的线Ⅲ-Ⅲ'截取的第八截面图。
图13是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。
图14是示出根据实施例的照明设备的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或者结构被称为是在另一基板、另一层(或者膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案“上”或者“下”时，其能够“直接地”或者“间接的”在另一基板、层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案上，或者也可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
(实施例)
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的平面图。图2是沿着图1的线I-I’截取的第一截面图。图4是沿着图1的线II-II’截取的第二截面图。
如在图2中所示，根据第一实施例的发光器件100可以包括基板105、形成在基板105上的第一导电半导体层112、形成在第一导电半导体层112上的有源层114、以及形成在有源层114上的第二导电半导体层116。第一和第二导电半导体层112和116以及有源层114可以组成发光结构110。
另外，如在图2中所示，根据第一实施例的发光器件100可以包括接触层120，该接触层120形成在第二导电半导体层116上；绝缘层130，该绝缘层130形成在接触层120上；第一分支电极146，该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112；以及第一焊盘电极142，该第一焊盘电极142被连接到第一分支电极146使得第一电极142被电连接到第一导电半导体层112。
另外，根据第一实施例的发光器件100可以包括多个第一通孔电极145，所述多个第一通孔电极145被连接到第一分支电极146并且经过绝缘层130使得第一通孔电极145被电连接到第一导电半导体层112。
第一电极140可以包括第一焊盘电极142、第一分支电极146以及第一通孔电极145。
如在图4中所示，根据第一实施例的发光器件100可以包括第二焊盘电极152，经过绝缘层130的该第二焊盘电极152接触接触层120；第二分支电极156，该第二分支电极156被布置在绝缘层130上同时被连接到第二焊盘电极152；以及第二通孔电极155，该第二通孔电极155被插入在第二分支电极156和接触层120之间同时经过绝缘层130。
第二电极150可以包括第二焊盘电极152、第二分支电极156以及第二通孔电极155。
在下文中，将会参考图2a和图3描述根据实施例的发光器件100的特性。虽然在图1、图2a以及图3中示出根据第一实施例的横向型发光器件，但是实施例不限于此。
根据第一实施例，基板105可以包括绝缘基板或者导电基板。例如，基板105可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3、或者其组合中的至少一个，但是实施例不限于此。预先确定的凹凸结构(未示出)可以被形成在基板105上以改进光提取效率，但是实施例不限于此。
根据第一实施例，预先确定的缓冲层(未示出)被形成在基板105上以减少在发光结构110和基板105之间的晶格错配。缓冲层可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个，但是实施例不限于此。
根据第一实施例，发光器件100可以包括形成在基板105或者缓冲层上的发光结构110。发光结构110可以包括在基板105上的第一导电半导体层112、第一导电半导体层112上的有源层114、以及有源层114上的第二导电半导体层116。
使用被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体层可以实现第一导电半导体层112。例如，当第一导电半导体层112是N型半导体层时，第一导电掺杂物可以包括用作N型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se以及Te，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成公式的半导体材料。例如，第一导电半导体层112可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及InP中的至少一个。
在有源层114中，其后通过第一导电半导体层112注入的电子和通过第二导电半导体层116注入的空穴相互汇合，使得具有通过组成有源层(发光层)的材料的内在的能带确定的能量的光被发射。
有源层114可以包括单量子阱、多量子阱(MQW)、量子线结构、以及量子点结构中的至少一个。
有源层114可以具有阱层/阻挡层。例如，有源层114可以被形成在具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs、GaP/AlGaP、InGaAs/AlGaAs以及InGaP/AlGaP中的至少一个的对结构中，但是实施例不限于此。阱层可以包括具有低于阻挡层的带隙的材料。
根据第一实施例，电子阻挡层(未示出)可以被形成在有源层114上。例如，电子阻挡层可以包括基于AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)的半导体，并且可以具有高于有源层114的能带隙。电子阻挡层160被注入有P型离子以有效地阻挡溢出的电子，使得可以增加空穴注入效率。
根据实施例，第二导电半导体层116可以包括掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体层。例如，第二导电半导体层116可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成公式的半导体材料。当第二导电半导体层116包括P型半导体层时，第二导电掺杂物可以包括用作第二导电掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba。
如在图2a中所示，根据第一实施例，发光器件100可以包括在第二导电半导体层116上的接触层120、在接触层120上的绝缘层130、电连接第一导电半导体层112的第一分支电极146、连接第一分支电极146并且经过绝缘层130以电连接到第一导电半导体层112的第一通孔电极145、以及连接第一分支电极140使得第一焊盘电极142被电连接到第一导电半导体层112的第一焊盘电极142。
通过多层单金属、金属合金、以及金属氧化物可以形成接触层120，使得可以有效地注入载流子。接触层120包括透射电极以改进光提取效率并且降低工作电压，使得可靠性可以被改进。
例如，接触层120可以包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锌)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf，或者其组合中的至少一个，但是实施例不限于此。
绝缘层130可以包括包括氧化物或者氮化物的电绝缘体，但是实施例不限于此。绝缘层130可以执行短路保护功能。例如，绝缘层130可以被插入在第一通孔电极145、接触层120、第二导电半导体层116和有源层114之间，使得防止第一通孔电极145、接触层120、第二导电半导体层116和有源层114相互短路。
绝缘层130是由透光绝缘材料形成使得可以改进光提取效率。
如在图2中所示，根据第一实施例，在其中第一焊盘电极142被形成的位置处没有台面蚀刻有源层114，从而确保有源层区域以改进内部发光效率，并且改进由于电流扩展的光效率。
因此，根据第一实施例，第一焊盘电极142被布置在绝缘层130上，使得第一焊盘电极142可以被连接到第一分支电极146。第一焊盘电极142可以垂直地重叠绝缘层130和接触层120。接触层120被设置在第一焊盘电极142下面同时将绝缘层130插入在接触层120和第一焊盘电极142之间，从而扩宽发光区域以改进载流子注入效率，使得光效率能够被改进。
根据第一实施例，如在图2中所示，通过台面蚀刻工艺接触层120、第二导电半导体层116以及有源层114被部分地去除，使得第一导电半导体层112可以被部分地暴露。
第一分支电极146可以被电连接到暴露的第一导电半导体层112。
根据第一实施例，N型分支电极结构充分地确保与N型半导体层的接触区域以防止工作电压被增加，使得器件的可靠性可以被改进。P型分支电极采用点接触结构以有助于电流扩展。第二导电半导体层116接触接触层120以防止工作电压被增加，使得可以最大化器件的可靠性和发光效率。
为此，根据第一实施例，如在图1和图2a中所示，电连接到第一导电半导体层112的第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1比在第一通孔电极145之间的第一距离D1长，使得其中第一通孔电极145被电连接到第一导电半导体层112的区域，可以被充分地确保，从而防止工作电压被增加以改进发光器件的可靠性。
另外，根据第二实施例，如在图4中所示，电连接到接触层120的第二通孔电极155中的一个的第二水平宽度W2比在第二通孔电极155之间的第二距离D2长，使得其中第二通孔电极155被电连接到接触层120的区域可以被充分地确保，从而防止工作电压被增加以改进发光器件的可靠性。
表1示出实施例示例和用于比较的比较示例的电气特性。
[表1]
Po(mW) Vf(V) 电流(mA) WPE(％)
实施例示例 107.0 2.847 65 57.82
比较示例 102.84 2.864 65 55.24
如在表1中所示，根据第一实施例，电连接到第一导电半导体层112的第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1被设置为比在第一通孔电极145之间的第一距离D1长，并且电连接到接触层120的第二通孔电极155中的一个的第二水平宽度W2被设置为比在第二通孔电极155之间的第一距离D2长。根据比较示例，点接触被应用到的发光器件的通孔电极的水平宽度基本上等于在通孔电极之间的距离。
如上所述，根据现有技术，基于通过通孔电极与氮化物半导体层的电连接执行确保更宽的有源层的尝试。然而，因为工作电压VF被增加所以现有技术具有可靠性的问题。
如在表1中所示，当第一实施例被应用时，与现有技术相比较，工作电压VF被减少，使得可靠性被改进。另外，光(Po)的强度从102.84mW增加到107mW，使得电光转换效率(WPE)从55.24％到57.82％被增加了大约2.5％。
同时，在根据现有技术的点接触结构的情况下，根据部分接触通过变化金属层增加工作电压的问题已经被出现。
例如，图5是根据现有技术的发光器件的照片，其中根据现有技术的发光结构10包括GaN层，并且电极层20包括Cr层21、Al层22以及Ni层23。
根据现有技术，当电极层20被形成在发光结构10上时，随着温度被增加，内部金属化合物I被产生，使得电极层20是易碎的并且工作电压被增加，从而引起电可靠性的问题。
根据第一实施例，电连接到第一导电半导体层112的第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1被控制为比在第一通孔电极145之间的第一距离D1长，使得与第一导电半导体层112的电接触区域可以被充分地确保。因此，发光器件的中心电流拥挤可以被最小化使得光效率被改进。另外，可以改进电可靠性使得光效率被改进。
根据第一实施例，电连接到第一导电半导体层112的第一通孔电极145的第一水平宽度W1可以是第一通孔电极145之间的第一距离D1的2.5倍或者更多倍。
例如，根据第一实施例，第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1可以等于或者大于大约50μm，并且在第一通孔电极145之间的第一距离D1可以是大约20μm，但是实施例不限于此。当第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1小于大约50μm时，由于电流拥挤，所以工作电压Vf可以被增加使得发挥对可靠性的影响。
例如，第一实施例，第一通孔电极145中的一个的第一水平宽度W1可以是处于大约50μm至大约70μm的范围内，并且在第一通孔电极145之间的第一距离D1可以是处于大约15μm至25μm的范围中，但是实施例不限于此。
虽然在表1中示出的比较示例的通孔电极的水平宽度是大约20μm，但是根据第一实施例的第一通孔电极145的第一水平宽度W1被控制以处于大约50μm至大约70μm，优选地，大约54μm至大约66μm的范围中，使得与第一导电半导体层112的电接触区域可以被充分地确保以最小化发光器件芯片的中心电流拥挤，从而改进电可靠性以及光效率。
作为比较示例，当通孔电极的水平宽度近似于在通孔电极之间的距离时，在第一导电半导体层和通孔电极之间的接触区域不足以确保显著的光强度和电可靠性。
图3是图1的部分A的放大视图。
参考图1至图3，根据实施例，当从顶部观看时，接触接触层120的第二通孔电极155中的一个的第二厚度T2比第二分支电极156的第一厚度T1厚，使得充分地接触接触层120的区域被广泛地确保并且剩余的区域被设置为窄。因此，可以改进电可靠性并且能够防止当被发射的光被反射或通过分支电极阻挡时可能引起的光提取效率的降低。
例如，当从顶部观看时当高的电流被施加并且第二通孔电极155中的一个的第二厚度T2相对被扩大时，可以改进电可靠性。
虽然在任何附图中未示出，但是第一电极140可以采用包括具有第一厚度T1的第二分支电极156和具有第二厚度T2的第二通孔电极155的第二电极150的技术特性。
图6是根据第二实施例的沿着图1的线I-I’截取的发光器件102的第三截面图。图7是根据第二实施例的沿着图1的线II-II’截取的发光器件的第四截面图。
如在图6中所示，根据第二实施例，第一电极140可以包括接触第一导电半导体层112的第一接触分支电极144和布置在第一通孔电极145上的第一反射分支电极147。
根据第二实施例，通过采用接触第一导电半导体层112的第一接触分支电极144，在第一通孔电极145和第一导电半导体层112之间的接触特性可以被确保为最大值，使得工作电压被减少以改进电可靠性。
例如，第一接触分支电极144可以包括Cr、Ni、Ti、Rh、Pd、Ir、Ru、Pt、Au以及Hf中的至少一个或其组合，但是实施例不限于此。
另外，根据实施例，第一反射分支电极147被设置在第一分支电极146的较低部分处，使得通过第一分支电极146的光吸收可以被最小化，从而改进外部光提取效率。
第一反射分支电极147可以包括Ag、Al、Ni、Ti、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一个或者其组合，但是实施例不限于此。
第一反射分支电极147可以被形成在多层结构中，但是实施例不限于此。例如，如果第一反射分支电极147被形成以具有两个层，则第一反射分支电极147可以包括Al/Ni或者Ag/Ni。如果第一反射分支电极147被形成以具有单层，则第一反射分支电极147可以包括分布布拉格反射镜(DBR)，但是实施例不限于此。
另外，如在图7中所示，根据第二实施例的第二电极150可以包括被设置在第二分支电极156的较低部分处的第二反射分支电极157，使得通过第二分支电极156的光吸收可以被最小化，从而改进外部光提取效率。
第二反射分支电极157可以包括Ag、Al、Ni、Ti、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一个，或者其组合，但是实施例不限于此。第二反射分支电极157可以被形成在多层结构中，但是实施例不限于此。
图8是根据第三实施例的沿着图1的线II-II’截取的第五截面图。
根据第三实施例，第二电极150可以包括在第二通孔电极155的外部处的第二反射通孔电极154。
第二反射通孔电极154可以被插入在接触层120和第二通孔电极155之间。第二反射通孔电极154可以包围第二通孔电极155的侧表面，但是实施例不限于此。
根据第三实施例，因为第二反射通孔电极154被设置到第二通孔电极155的外部，所以通过第二通孔电极155的光吸收可以被最小化。
图9是示出根据第四实施例的发光器件的平面图。图10是沿着图9的线III-III’截取的第六截面图。图11是沿着图9的线IV-IV’截取的第七截面图。
根据第四实施例的发光器件104可以包括发光结构110，该发光结构110包括第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116；第一分支电极146，该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112；多个第三通孔电极149，其被连接到第一分支电极146并且通过经过预先确定的绝缘层130被电连接到第一导电半导体层112；第二分支电极156，该第二分支电极156电连接到第二导电半导体层116同时在其间插入接触层120；以及多个第二通孔电极155，其被布置在第二电极156和接触层120之间同时经过绝缘层130。
第四实施例可以采用第一至第三实施例的技术特性。
如在图9中所示，根据第四实施例，电连接到第一导电半导体层112的第三通孔电极149中的一个的第三水平宽度W3可以大于布置在接触层130上的第二通孔电极的第二水平宽度W2。
根据第四实施例，电连接到第一导电半导体层112的第三通孔电极149的第三水平宽度W3被控制以大于电连接到接触层120的第二通孔电极155的第二水平宽度W2，使得大大地发布电流拥挤的芯片的中心部分上可以充分地确保电接触第一导电半导体层112的第三通孔电极149的区域。因此，可以最小化中心部分的中心电流拥挤使得光效率被改进。另外，可以改进电可靠性使得光效率被改进。
另外，如在图9中所示，根据第四实施例，连接到第一分支电极146的第三通孔电极149的第三水平宽度W3可以大约是第三通孔电极149之间的第三距离D3的三倍或者更多倍。因此，通过将两个第三通孔电极149指配给一个第一分支电极146，第三通孔电极149可以被布置到第一分支电极146。
根据第四实施例，为了电流扩展的目的在第三通孔电极149之间的第三距离D3可能比在第二通孔电极155之间的第二距离D2长。例如，为了电流扩展的目的在第三通孔电极149之间的第三距离D3可以被确保为是大约100μm或者更多，使得可以防止电流拥挤并且可能由于电流扩展确保电可靠性。
根据第四实施例，电接触第一导电半导体层112的第三通孔电极149的区域可以被充分地确保以防止工作电压被增加，使得发光器件的可靠性可以被更多地改进。
图12是沿着图9的线III-III’截取的第八截面图。
如在图12中所示，根据第四实施例的发光器件的第一电极140可以包括被设置在第一分支电极146的较低部分处的第三反射分支电极147，使得通过第一分支电极146的光吸收可以被最小化，从而改进外部光提取效率。
第三反射分支电极147可以包括Ag、Al、Ni、Ti、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一个，或者其组合，但是实施例不限于此。第三反射分支电极147可以被形成在多层结构中，但是实施例不限于此。
根据实施例，实施例能够提供具有优异的光效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装以及照明系统。
另外，根据实施例，实施例能够提供具有优异的光提取效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装以及照明系统。
图13是示出其中根据实施例的发光器件被安装的发光器件封装的截面图。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体部205、安装在封装主体部分205上的第三和第四电极层213和214、安装在封装主体部分205上并且被电连接第三和第四电极层213和214的发光器件100、以及具有荧光体232并且包围发光器件100的制模构件230。
第三和第四电极层213和214被彼此电绝缘以向发光器件100供电。此外，第三和第四电极层213和214反射从发光器件100发射的光以改进光效率，并且将从发光器件100发射的热排出到外部。
通过布线方案、倒装芯片方案以及贴片方案中的一个发光器件100可以被电连接到第三电极层213和/或第四电极层214。
图14是根据实施例的照明系统的分解透视图。
根据实施例的照明设备可以包括盖2100、光源模块2200、散热模块2400、电源单元2600、内壳2700和插座2800。此外，根据实施例的照明系统可以进一步包括构件2300和固定器2500的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装。
光源模块2200可以包括光源单元2210、连接板2230、以及连接器2250。构件2300被设置在热辐射构件2400的顶表面上，并且具有多个光源单元2210和连接器2250被插入到的导向凹槽2310。
固定器2500封闭被设置在内壳2700中的绝缘部2710的容纳凹槽2719。因此，被容纳在内壳2700的绝缘部2710中的电源单元2600被密封。固定器2500具有导向突出部2510。
电源单元2600可以包括凸起部2610、引导部2630、基座2650和延伸部2670。内壳2700可以包括制模部和电源单元2600。通过硬化制模溶液以将电源单元2600固定到内壳2700的内部形成制模部。
根据实施例的多个发光器件封装被排列在基板上，并且用作光学构件的导光板、棱镜片、扩散片以及荧光片可以被布置在从发光器件封装发射的光的路径上。
根据实施例的发光器件可以被应用于背光单元、照明单元、显示装置、指示器、灯、街灯、车辆照明装置、车辆显示装置、智能时钟等等，但是实施例不限于此。
本说明书中，任何参考“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等等是指结合实施例所述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。出现在说明书的各个地方中的这些短语并不一定均参考相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合其他实施例，实施这些特征、结构或特性在本领域的技术人员的范围内。
尽管参考多个示例性实施例描述了实施例，应理解到能由本领域的技术人员设计将落在本公开内容的原理的精神和范围内的许多其他改进和实施例。更具体地说，各种变形和改进在本公开内容、附图和附加权利要求的范围内的主题组合配置的组件和/或配置是可能的。除组件和/或配置的变形和改进外，对本领域的技术人员来说，替代用法将是显而易见的。

Claims (16)

1.一种发光器件，包括：
基板；
在所述基板上的第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第二导电半导体层；
在所述第二导电半导体层上的接触层；
在所述接触层上的绝缘层；
第一分支电极，所述第一分支电极被电连接到所述第一导电半导体层；
多个第一通孔电极，所述多个第一通孔电极通过经过所述绝缘层被连接到所述第一分支电极并且被电连接到所述第一导电半导体层；
第一焊盘电极，所述第一焊盘电极被电连接到所述第一分支电极；
第二焊盘电极，所述第二焊盘电极通过经过所述绝缘层接触所述接触层；
第二分支电极，所述第二分支电极被连接到所述第二焊盘电极并且被布置在所述绝缘层上；以及
多个第二通孔电极，所述多个第二通孔电极通过所述绝缘层被提供以将所述第二分支电极电连接到所述接触层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一通孔电极中的一个具有比在所述第一通孔电极之间的第一距离长的第一水平宽度。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一通孔电极中的一个的第一水平宽度是所述第一通孔电极之间的第一距离的2.5倍或者更多倍。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一水平宽度是处于大约50μm至70μm的范围中。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一距离是处于大约15μm至25μm的范围中。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，当从顶部观看时接触所述第一导电半导体层的第一通孔电极中的一个具有比所述第一分支电极的第一厚度厚的第二厚度。
7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一分支电极下面的第一反射分支电极。
8.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一通孔电极和所述第一导电半导体层之间的接触分支电极。
9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二分支电极下面的第二反射分支电极。
10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二通孔电极和所述接触层之间的第三反射通孔电极。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第三反射通孔电极包围所述第二通孔电极的侧表面。
12.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
第一分支电极，所述第一分支电极被电连接到所述第一导电半导体层；
多个第三通孔电极，所述多个第三通孔电极被连接到所述第一分支电极并且通过经过预先确定的绝缘层被电连接到所述第一导电半导体层；
第二分支电极，所述第二分支电极被电连接到所述第二导电半导体层，同时在所述第二分支电极和所述第二导电半导体层之间插入接触层；以及
多个第二通孔电极，所述多个第二通孔电极被布置在所述第二分支电极和所述接触层之间，同时经过所述绝缘层，
其中，被电连接到所述第一导电半导体层的第三通孔电极中的一个具有比在所述接触层上布置的第二通孔电极的第二水平宽度宽的第三水平宽度。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，被电连接到所述第一导电半导体层的第三通孔电极中的一个的第三水平宽度是所述第三通孔电极之间的第三距离的三倍或者更多倍。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第三距离是100μm或者更多。
15.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括在所述第一分支电极下面的第一反射分支电极。
16.一种照明系统，包括根据权利要求1至15中的一项所述的发光器件。
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