CN105502413A - 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法 - Google Patents

一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105502413A
CN105502413A CN201510894823.8A CN201510894823A CN105502413A CN 105502413 A CN105502413 A CN 105502413A CN 201510894823 A CN201510894823 A CN 201510894823A CN 105502413 A CN105502413 A CN 105502413A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nanocrystal
preparation
substrate
silica tube
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510894823.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105502413B (zh
Inventor
杨喜宝
吕航
徐菁
王莉丽
陆晓东
王秋实
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bohai University
Original Assignee
Bohai University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bohai University filed Critical Bohai University
Priority to CN201510894823.8A priority Critical patent/CN105502413B/zh
Publication of CN105502413A publication Critical patent/CN105502413A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105502413B publication Critical patent/CN105502413B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明属于纳米材料领域，主要涉及一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法。采用管式炉装置，无需金属催化剂，将Si粉和S粉按质量比1：1混合均匀，置于炉中心高温区，将收集基底放置于低温区，将炉内腔体充入氩气并将管式炉中心区升温至1000-1100℃，保温1.5-2？h，冷却后可在低温区的基底上收集到白色粉末为SiO2非晶纳米线以及纳米晶粒。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高，无需添加催化剂等优点。制备的非晶纳米线和纳米晶粒在结构和尺寸上可实现有序生长，在催化、滤光、光吸收、医药、磁介质及新材料等领域具有应用潜力。

Description

一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法
技术领域
本发明涉及一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒及其制备的方法，属于低维纳米材料制备的技术领域。
背景技术
SiO2是一种具有良好电绝缘性的材料，具有优异的光学透明性，作为重要的光致发光材料和波导材料一直以来备受关注。SiO2纳米颗粒是一种精细化工产品，在建筑、化工、医药、航空航天特制品以及光学器件上都有重要应用。近年来，一维纳米结构因其具有独特的光、电、磁和光催化等物理和化学性质，吸引了大家的研究热情。SiO2纳米线是一种新型的一维纳米材料，卓越的体积效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等，使其不仅具有普通二氧化硅的性质，而且具备纳米粒子所特有的性质，在橡胶、塑料、纤维、涂料、光化学和生物医学等领域都具有广泛的应用前景。由此，开发SiO2纳米颗粒和纳米线这种SiO2低维纳米材料新的合成方法，进而开发其物理化学性能具有重大意义。
目前制备纳米SiO2的方法主要有干法和湿法。干法包括气相法和电弧法；湿法有沉淀法、溶胶凝胶法和水热合成法等。比较而言，气相法制备的产品具有粒径分布均匀、纯度高、性能好等优点，是工业上常用的方法，但其制备过程中能耗大，成本高一直是工业生产领域亟待解决的难题。
人们常用的气相法中，有些需要通入SiH2，或SiCl4等气体作为原材料这些气体通常具有毒性，不仅对环境有污染，而且对操作者的身心健康存在负面影响，此外在精确控制原材料气体的混合比例及流量时需要采用昂贵的精密设备仪器，导致成本过高；为保证气-液-固生长过程的顺利进行，在气相法生长过程中也有一些需要引入价格昂贵的金属催化剂(比如Au)，这可能在生长的Si纳米线中形成深能级杂质，而且实验装备昂贵，生产成本高；另外还有一些科研工作者使用气相法制备纳米SiO2时需要使用Si片作为沉积衬底，同时又作为反映原材料，此方法虽然降低了生产成本，但产品沉积方式略为单一，限制了其在更广泛领域的应用。
发明内容
发明目的：
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提出了一种成本低廉、安全环保、沉积过程简易、结构排布有序的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料及其制备方法。
技术方案：
本发明是通过以下技术方案实施的：
一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：
步骤一、将Si粉和S粉充分研磨并混合均匀作为反应源，放入石英管一端；
步骤二、将使用的衬底基片清洗干净，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar；
步骤三、炉子升温至使反应源温度达到反应温度，衬底温度达到沉积温度，保温1.5-2hrs，至反应结束；
步骤四、反应结束后取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。
所述Si粉和S粉按照质量比1:1的比例充分研磨混合均匀后作为反应源。
所述石英管为一端开口或两端均开口；一端开口石英管应把反应源放在封闭一端，两端开口的石英管把反应源放在开口处，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底。
所述的衬底为Si片或石英片。
步骤三中反应温度为1000-1100℃，沉积温度稳定在950-970℃或1050-1070℃。
步骤二中保护气体的流量为20-50sccm。
反应时间为1.5-2hrs，反应完毕即关闭Ar，取出石英管，降温过程的物理环境为室温，大气条件下。
制备的SiO2非晶纳米线直径为100-500nm，长度达到20μm以上，纳米线的形貌和结构在衬底上有序排布，随沉积温度升高，纳米线长度越来越短，最短达到200nm；同时，在衬底上非晶纳米线长度为1.5-3μm的沉积区域沉积了尺寸为200-500nm的纳米晶粒。
优点效果：
1、本发明所述方法不需要金属或金属化合物作为催化剂，所得产物不会引入深能级杂质，具有很高的纯度。
2、本发明所述方法沉积过程简易，即可实现硅片上原位生长，又可使用其他衬底材料，便于兼容各种集成工艺。
3、本发明所述控制SiO2非晶纳米线及纳米晶粒生长的方法产量高，成本低，操作简单，安全环保。
4、本发明实现了SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的有序生长，在微电子工艺和光学等领域有很重要的应用前景。
附图说明
图1是不同长度的SiO2非晶纳米线的SEM图。其中，图1(a)为长度＞20μm的SiO2非晶纳米线；图1(b)为长度在2μm的SiO2非晶纳米线；图1(c)为长度＜500nm的非晶纳米线。
图2是SiO2纳米晶粒的SEM图。
图3是SiO2非晶纳米线的EDX能谱图，其中O原子和Si原子比为70％:30％。
图4是SiO2非晶纳米线和纳米晶粒样品的XRD图。
图5是SiO2非晶纳米线和纳米晶粒样品的光致发光图谱。
具体实施方式：
本发明采用管式炉装置，无需金属催化剂，是将Si粉和S粉混合后置于充有流动保护气体的管式炉反应腔中，在1000-1100℃反应1.5-2hrs，衬底放在管式炉腔的低温区用以收集产品。衬底要先用丙酮超声，并用去离子水清洗。制备纳米线和纳米晶粒时要求保护气体流量控制在20-50sccm。纳米线的尺寸和纳米晶粒的生长位置由衬底所在区域和沉积温度控制。
本发明所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其步骤如下：
步骤一、将Si粉和S粉用研钵充分研磨并混合均匀作为反应源，放入石英管一端
步骤二、将使用的衬底基片清洗干净，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar。
步骤三、打开管式炉的升温组件，炉子升温至使反应源温度达到反应温度，衬底温度达到沉积温度，保温1.5-2hrs，至反应结束。
步骤四、反应结束后取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。
所述Si粉和S粉按照质量比1:1的比例充分研磨混合均匀后作为反应源。确保反应充分进行。
所述石英管为一端开口或两端均开口；一端开口石英管应把反应源放在封闭一端，两端开口的石英管把反应源放在开口处，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底。这样保证了载气在反应腔体内部流动方向，又使衬底处于样品生长所需温度局域范围内，有助于样品的顺利生长。
所述的衬底为Si片或石英片，或其他耐高温基片。可兼容微电子器件工艺，扩大应用背景。
步骤三中反应温度为1000-1100℃，沉积温度稳定在950-970℃或1050-1070℃。
步骤二中保护气体的流量为20-50sccm。这样即可以避免流量过大造成浪费，又能够确保样品的顺利生长。
反应时间为1.5-2hrs，反应完毕即关闭Ar，取出石英管，降温过程的物理环境为室温，大气条件下，不会对纳米线生长造成影响。
制备的SiO2非晶纳米线直径为100-500nm，长度达到20μm以上，纳米线的形貌和结构在衬底上有序排布，随沉积温度升高，纳米线长度越来越短，最短达到200nm；同时，在衬底上非晶纳米线长度为1.5-3μm的沉积区域沉积了尺寸为200-500nm的纳米晶粒。
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明：
实施例1：
将纯度为99.99％的0.5g硫粉和纯度为99.99％的0.5g硅粉混合均匀，并用研钵充分研磨作为反应源，放入石英管一端；使用n型Si(111)片作为衬底基片，将其清洗干净，沿着石英管在距离反应源12-16cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar，把流量控制在20sccm；打开管式炉的升温组件，使炉内反应源温度达到1000℃，衬底温度约为950–970℃，并保持恒温2hrs；取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒，参阅图1和图2。图1(a)中SiO2非晶纳米线沉积温度约为950℃，其直径为100-500nm，长度达到20μm以上。图1(b)和图1(c)中SiO2非晶纳米线沉积温度约为960℃和970℃，随沉积温度升高，纳米线长度越来越短，最短达到200nm；纳米线的形貌和结构在衬底上有序排布。图2显示在衬底上非晶纳米线长度为1.5-3μm的沉积区域沉积了尺寸为200-500nm的纳米晶粒。
实施例2：
将纯度为99.99％的0.5g硫粉和纯度为99.99％的0.5g硅粉混合均匀，并用研钵充分研磨作为反应源，放入石英管一端；使用石英玻璃片作为衬底基片，将其清洗干净，沿着石英管在距离反应源14-18cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar，把流量控制在20sccm；打开管式炉的升温组件，使炉内反应源温度达到1000℃，衬底温度约为950-970℃，并保持恒温2hrs；取出石英管并降至室温，即在衬底上生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。生长的纳米线的直径为100-500nm，长度在20μm以上，纳米晶粒尺寸为200-500nm。
实施例3：
将纯度为99.99％的0.5g硫粉和纯度为99.99％的0.5g硅粉混合均匀，并用研钵充分研磨作为反应源，放入石英管一端；使用n型Si(111)片作为衬底基片，将其清洗干净，沿着石英管在距离反应源10-18cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar，把流量控制在30sccm；打开管式炉的升温组件，使炉内反应源温度达到1000℃，衬底温度约为950–970℃，并保持恒温2hrs；取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。本实施例制备的纳米线的EDX能谱图如图3所示，说明该纳米线的成分为SiO2。本实施例制备非晶纳米线和纳米晶粒样品的XRD图如图4所示，其中位于70°衍射峰来源于衬底，位于20°宽衍射来自于非晶SiO2纳米线，另三个衍射峰均来自SiO2纳米晶粒。本实施例制备非晶纳米线和纳米晶粒样品的光致发光图谱如图5所示，位于443.8nm和533.3nm的发光峰最可能来源于样品内在氧空位所引起的缺陷发光。
实施例4：
将纯度为99.99％的0.5g硫粉和纯度为99.99％的0.5g硅粉混合均匀，并用研钵充分研磨作为反应源，放入石英管一端；使用n型Si(111)片作为衬底基片，将其清洗干净，沿着石英管在距离反应源14-20cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar，把流量控制在50sccm；打开管式炉的升温组件，使炉内反应源温度达到1100℃，衬底温度约为1050–1070℃，并保持恒温1.8hrs；取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。生长的纳米线的直径为100-500nm，长度在20μm以上，纳米晶粒尺寸为200-500nm。
实施例5：
将纯度为99.99％的0.7g硫粉和纯度为99.99％的0.7g硅粉混合均匀，并用研钵充分研磨作为反应源，放入石英管一端；使用n型Si(111)片作为衬底基片，将其清洗干净，沿着石英管在距离反应源15-18cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar，把流量控制在32sccm；打开管式炉的升温组件，使炉内反应源温度达到1000℃，衬底温度在950-970℃，并保持恒温2hrs；取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。生长的纳米线的直径为100-500nm，长度在20μm以上，纳米晶粒尺寸为200-500nm。

Claims (8)

1.一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：
步骤一、将Si粉和S粉充分研磨并混合均匀作为反应源，放入石英管一端；
步骤二、将使用的衬底基片清洗干净，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底，把装有反应源和衬底的石英管放入管式炉内，通入保护气体Ar；
步骤三、炉子升温至使反应源温度达到反应温度，衬底温度达到沉积温度，保温1.5-2hrs，至反应结束；
步骤四、反应结束后取出石英管并降至室温，即在衬底上有序生长出白色絮状SiO2非晶纳米线及纳米晶粒。
2.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述Si粉和S粉按照质量比1:1的比例充分研磨混合均匀后作为反应源。
3.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述石英管为一端开口或两端均开口；一端开口石英管应把反应源放在封闭一端，两端开口的石英管把反应源放在开口处，沿着石英管在距离反应源10-20cm处放置衬底。
4.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：所述的衬底为Si片或石英片。
5.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：步骤三中反应温度为1000-1100℃，沉积温度稳定在950-970℃或1050-1070℃。
6.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：步骤二中保护气体的流量为20-50sccm。
7.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：反应时间为1.5-2hrs，反应完毕即关闭Ar，取出石英管，降温过程的物理环境为室温，大气条件下。
8.根据权利要求1所述的SiO2非晶纳米线及纳米晶粒材料的制备方法，其特征在于：制备的SiO2非晶纳米线直径为100-500nm，长度达到20μm以上，纳米线的形貌和结构在衬底上有序排布，随沉积温度升高，纳米线长度越来越短，最短达到200nm；同时，在衬底上非晶纳米线长度为1.5-3μm的沉积区域沉积了尺寸为200-500nm的纳米晶粒。
CN201510894823.8A 2015-12-08 2015-12-08 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法 Expired - Fee Related CN105502413B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510894823.8A CN105502413B (zh) 2015-12-08 2015-12-08 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510894823.8A CN105502413B (zh) 2015-12-08 2015-12-08 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105502413A true CN105502413A (zh) 2016-04-20
CN105502413B CN105502413B (zh) 2017-08-11

Family

ID=55710800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510894823.8A Expired - Fee Related CN105502413B (zh) 2015-12-08 2015-12-08 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105502413B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106241818A (zh) * 2016-08-10 2016-12-21 渤海大学 SiO2不规则纳米晶体网状结构及其制备方法
CN106276922A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 渤海大学 一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法
CN106367063A (zh) * 2016-08-10 2017-02-01 渤海大学 一种S掺杂SiO2微球及其制备方法
CN113800939A (zh) * 2021-08-30 2021-12-17 华中科技大学 一种纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料及其制备方法
CN115849862A (zh) * 2022-08-19 2023-03-28 希纳高科(江苏)有限公司 一种纳米线纤维增强型硅气凝胶复合材料制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5843391A (en) * 1996-04-16 1998-12-01 Furukawa Co., Ltd. Method of manufacturing silicon sulfide
CN101066763A (zh) * 2007-06-07 2007-11-07 上海交通大学 直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法
CN101186303A (zh) * 2007-12-19 2008-05-28 复旦大学 一种有机-无机复合氧化硅纳米线的合成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5843391A (en) * 1996-04-16 1998-12-01 Furukawa Co., Ltd. Method of manufacturing silicon sulfide
CN101066763A (zh) * 2007-06-07 2007-11-07 上海交通大学 直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法
CN101186303A (zh) * 2007-12-19 2008-05-28 复旦大学 一种有机-无机复合氧化硅纳米线的合成方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106241818A (zh) * 2016-08-10 2016-12-21 渤海大学 SiO2不规则纳米晶体网状结构及其制备方法
CN106276922A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 渤海大学 一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法
CN106367063A (zh) * 2016-08-10 2017-02-01 渤海大学 一种S掺杂SiO2微球及其制备方法
CN106367063B (zh) * 2016-08-10 2022-02-22 渤海大学 一种S掺杂SiO2微球及其制备方法
CN106276922B (zh) * 2016-08-10 2022-06-10 渤海大学 一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法
CN113800939A (zh) * 2021-08-30 2021-12-17 华中科技大学 一种纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料及其制备方法
CN113800939B (zh) * 2021-08-30 2023-02-28 华中科技大学 一种纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料及其制备方法
CN115849862A (zh) * 2022-08-19 2023-03-28 希纳高科(江苏)有限公司 一种纳米线纤维增强型硅气凝胶复合材料制备方法
CN115849862B (zh) * 2022-08-19 2024-01-30 希纳高科(江苏)有限公司 一种纳米线纤维增强型硅气凝胶复合材料制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105502413B (zh) 2017-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105502413A (zh) 一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法
Chen et al. One-dimensional SiC nanostructures: Designed growth, properties, and applications
Kong et al. Catalytic growth of ZnO nanotubes
Quan et al. Polyol-mediated synthesis of PbS crystals: shape evolution and growth mechanism
Chandrasekar et al. Role of SiOx on the photoluminescence properties of β-SiC
Zhang et al. Bamboo-like 3C-SiC nanowires with periodical fluctuating diameter: homogeneous synthesis, synergistic growth mechanism, and their luminescence properties
Liu Low temperature synthesis of hexagonal phase ZnS nanocrystals by thermolysis of an air-stable single-source molecular precursor in air
Shan et al. Shape-controlled synthesis of monodispersed beta-gallium oxide crystals by a simple precipitation technique
Yadav et al. Synthesis of PbS–Al2O3 nanocomposites by sol–gel process and studies on their optical properties
KR101345440B1 (ko) 메조세공 템플릿을 이용한 나노 구조체의 대량 제조방법 및그에 의해 제조된 나노 구조체
Liang et al. Synthesis of in-situ SiC nanowires by self-assembly nanoparticles on carbon fibers and their photoluminescence properties
Khan et al. From Zn microspheres to hollow ZnO microspheres: A simple route to the growth of large scale metallic Zn microspheres and hollow ZnO microspheres
CN100560487C (zh) 一种低温制备立方碳化硅纳米线的方法
CN102689904B (zh) 一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法
Huang et al. Morphology controllable synthesis of ZnO crystals—pH-dependent growth
Niu et al. Ferrocene-assisted growth of SiC whiskers with hexagonal cross-section from a preceramic polymer
Huang et al. Ni (NO3) 2-assisted catalytic synthesis and photoluminescence property of ultralong single crystal Sialon nanobelts
Wang et al. Synthesis and photoluminescence of Si3N4 nanowires from La/SiO2 composites and Si powders
Jayakumar et al. A rare defect free 3D ZnO rod structure with strong UV emission
Wang et al. Synthesis of AgBiS 2 microspheres by a templating method and their catalytic polymerization of alkylsilanes
CN106276922A (zh) 一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法
CN100402709C (zh) 一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法
Longkullabutra et al. Large-scale: synthesis, microstructure, and FT-IR property of SiC nanowires
Zhang et al. Preparation and characterization of mesoporous SiC/SiO2 composite nanorods
Zhu et al. Preparation and characterization of TiO2 fiber with a facile polyorganotitanium precursor method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170811

Termination date: 20171208