CN105494100A - 樱花组织培养和快速繁殖方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种樱花组织培养和快速繁殖方法，步骤为：樱花茎段外植体的获得、樱花茎段外植体的诱导培养、樱花丛生芽的增殖培养、樱花的生根培养、樱花组培苗的炼苗和移栽，其中诱导培养、增殖培养、生根培养中使用本发明配制的培养基，获得的幼苗生根容易，健壮抗逆，抗病虫能力强，且幼苗整齐一致，质量高，栽培管理较容易。利用本发明获得的组培苗，对湿热环境适应能力强，其茎干挺立，质量提高1～2个等级，价值增加20％～40％。
Description
技术领域
本发明涉及植物的培养方法，具体地指一种樱花组织培养和快速繁殖方法。
背景技术
樱花，一般指的是蔷薇科(Rosaeeae)李亚科(Prunoidea)樱属(Cerasus)植物的花朵统称。樱花属木本，传统的繁殖方法主要是利用扦插、嫁接等繁殖方法，但这些繁殖方法一方面需要大量的母株，另方面还需花费大量人力、物力、财力、时间等，且繁殖系数低，成苗慢。随着樱花在城市和乡镇园林绿化建设中的广泛应用，需要大规模的苗木。因此，传统的繁殖方法已远远不能满足生产上的需要。
随着现代生物技术的发展，人们利用植物细胞的全能性，在人工控制的环境中，可以利用植物的茎尖、茎段、叶片等外植体诱导成小植株，这就是植物组织培养技术。植物组织苗具有根系发达，生长健壮，抗性增强，管理粗放，降低生产成本等特点。组织培养技术不仅具有繁殖系数大、成苗周期短的优点，而且能够保持亲本优良遗传性状的稳定性，为樱花快速繁殖和工业化生产提供了一条有效的途径。
近年来樱花的组培快繁技术日益受到人们的关注，并开展了广泛的研究，论文“日本晚樱组培快繁技术研究”(中国农学通报,第22卷,第10期,264-266)中将晚樱进行组培快繁，增值系数最高为2.31。现有技术樱花的组培快繁过程中：外植体萌芽率约为30～40％、增殖系数1～2.4、生根率不足50％，较低的成活率严重制约了樱花在城市绿化及园林建设中的应用。
目前，每当春天樱花盛开之季，各地樱花公园的游人如织，形成了独特的“赏樱游”并催生了“樱花经济”，据湖北省统计局报道，湖北省2013年首尝“花经济”硕果400亿，仅樱花一项就占全年旅游收入的20％，可见樱花在国内园林绿化中的地位十分重要，因此生产上迫切需要探讨出一种外植体萌芽率高、增殖系数大、生根率好的樱花快速繁殖技术，推动我国樱花产业化发展。
发明内容
本发明的目的就是要解决上述背景技术的不足，提供一种外植体萌芽率高、增殖系数大、生根率好的樱花组织培养和快速繁殖方法。
本发明的技术方案为：一种樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：取樱花一年生幼嫩枝条剪成枝段，经消毒、无菌水冲洗、吸干水分后，将枝段切成带一个腋芽的茎段；
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，4～5周后腋芽开始萌动，形成小芽；所述诱导培养基成分为：MS+6-BA0.5～1.0mg/L+NAA或IBA0.1～0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(3)樱花丛生芽的增殖培养：将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基上进行增殖培养，4～5周后形成丛生芽；所述增殖培养基成分为：WPM+KT1.0～2.0mg/L+IBA0.05～0.2mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：先将丛生芽切割的单芽在第一生根培养基培养1周；第二阶段：再转接第二生根培养基中培养3～4周，长出良好的根系；所述第一生根培养基成分为：1/2WPM+IBA0～1.5mg/L+NAA0.5～1.0mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；所述第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：常温炼苗3～6d后，移栽入基质中培养4～5周，获得樱花的快速繁殖苗。
诱导培养基成分为：MS+6-BA0.5～1.0mg/L+NAA或IBA0.1～0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0，表示以MS为基础培养基，每升基础培养基加入6-BA0.5～1.0mg、NAA或IBA0.1～0.2mg、蔗糖30g、琼脂6g，培养基pH5.6～6.0。以下增殖培养基、第一生根培养基、第二生根培养基同理，均为现有技术中植物培养基成分的通用表示方法，6-BA、NAA、IBA、KT为植物生长调节剂。
优选的，所述步骤(1)为：
樱花茎段外植体的获得：春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病害和虫害的一年生幼嫩枝条；用清水将嫩枝清洗干净，剪成3-5cm枝段，后用缓慢流水冲淋2～4h，再在超净工作台上用70％的酒精浸泡30～40s，用无菌水冲洗3～5次后用0.1％的升汞浸泡3～5min，无菌水冲洗3～5次，重复0.1％的升汞浸泡3～5min，无菌水冲洗3～5次；用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
优选的，所述步骤(2)中诱导培养基、步骤(3)中增殖培养基、步骤(4)中第一生根培养基、第二生根培养基配制好后均用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。
优选的，所述步骤(2)、步骤(3)、步骤(4)的培养条件均为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx，培养温度(25±1)℃。
优选的，所述步骤(5)为：
樱花组培苗的炼苗和移栽：将生根的试管苗移至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温炼苗3～6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩混合而成的基质中培养4～5周，获得樱花的快速繁殖苗。
进一步的，所述步骤(5)中基质由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩按体积比1:1:1混合而成。
本发明的有益效果为：
1.生根培养采用两阶段共同培养，在第一生根培养基中培养1周后再转入第二生根培养基中培养3～4周，两种不同的培养基调节了生根阶段单芽所需的养分，使吸收的营养均衡，提高了生根率。樱花组织培养和快速繁殖的方法体系稳定，操作较易，增殖率和组培苗生根率高，茎段外植体萌芽率为70％以上，增殖系数为4.0以上，生根率为90％以上。
2.获得的幼苗生根容易，健壮抗逆，抗病虫能力强，且幼苗整齐一致，质量高，栽培管理较容易。利用本发明获得的组培苗，对湿热环境适应能力强，其茎干挺立，质量提高1～2个等级，价值增加20％～40％。
3.对实现樱花的规范化种植，为樱花的现代化生产得到高产量、优品质的樱花产品起到关键性的作用，具有较好的市场应用前景。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成5cm左右枝段，于流水中冲洗2h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡30s，用无菌水冲洗3次，再用0.1％升汞消毒3min，无菌水冲洗3次，重复0.1％升汞消毒3min，无菌水冲洗3次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0(优选5.6)，即在1000mlMS培养基中加入1.0mg6-BA、0.1mg/LNAA、30g的蔗糖和6.0g的琼脂，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx(优选1500lx)，培养温度(25±1)℃。4周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为75％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.0mg/L+IBA0.1mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0(优选5.6)，即在1000mlWPM培养基中加入1.0mg的KT、0.1mg的IBA、0.5g的活性炭、30g的蔗糖和6.0g的琼脂，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx(优选1500lx)，培养温度(25±1)℃。增殖培养4周后形成丛生芽，增殖系数为4.2。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA1.0mg/L+NAA0.5mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0(优选5.6)，即在1000ml1/2WPM培养基中加入1.0mg的IBA、0.5mg的NAA、0.5g的活性炭、25g的蔗糖和6.0g的琼脂，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx(优选1500lx)，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养3周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0(优选5.6)，即在1000ml1/2WPM培养基中加入+0.5g的活性炭、25g的蔗糖和6.0g的琼脂，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx(优选1500lx)，培养温度(25±1)℃。生根率为90％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗3d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩混合组成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养4周移栽成活，幼苗成活率为80％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
实施例2
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成3cm左右枝段，于流水中冲洗4h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡40s，用无菌水冲洗5次，再用0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗5次，重复0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗5次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.15mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。5周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为78％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.2mg/L+IBA0.05mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。增殖培养5周后形成丛生芽，增殖系数为4.7。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA1.2mg/L+NAA0.7mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养4周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH6.0，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。生根率为91％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养5周移栽成活，幼苗成活率83％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
实施例3
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成4cm左右枝段，于流水中冲洗3h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡35s，用无菌水冲洗4次，再用0.1％升汞消毒4min，无菌水冲洗4次，重复0.1％升汞消毒4min，无菌水冲洗4次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.8mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800lx，培养温度(25±1)℃。30天后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为78％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.5mg/L+IBA0.1mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1600lx，培养温度(25±1)℃。增殖培养32天周后形成丛生芽，增殖系数为4.3。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA1.5mg/L+NAA0.5mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800lx，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养25d，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.8，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800lx，培养温度(25±1)℃。生根率为95％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗5d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养30d移栽成活，幼苗成活率87％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
实施例4
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成5cm左右枝段，于流水中冲洗2h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡40s，用无菌水冲洗4次，再用0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗3次，重复0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗3次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA1.0mg/L+IBA0.1mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1600lx，培养温度(25±1)℃。34d后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为80％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.6mg/L+IBA0.15mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.6，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1800lx，培养温度(25±1)℃。增殖培养34d后形成丛生芽，增殖系数为4.5。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+NAA1.0mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.7，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1700lx，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养4周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.8，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500lx，培养温度(25±1)℃。生根率为97％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗4d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养4周移栽成活，幼苗成活率85％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
实施例5
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成4cm左右枝段，于流水中冲洗4h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡35s，用无菌水冲洗5次，再用0.1％升汞消毒4min，无菌水冲洗5次，重复0.1％升汞消毒4min，无菌水冲洗5次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.6mg/L+IBA0.15mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500lx，培养温度(25±1)℃。5周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为74％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT2.0mg/L+IBA0.12mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500lx，培养温度(25±1)℃。增殖培养4周后形成丛生芽，增殖系数为4.6。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA0.5mg/L+NAA0.8mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养24天，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为5.9，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500lx，培养温度(25±1)℃。生根率为94％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养5周移栽成活，幼苗成活率84％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
实施例6
樱花组织培养和快速繁殖方法的步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：
春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病虫害的一年生带顶芽的幼嫩枝条，剪成5cm左右枝段，于流水中冲洗4h，然后在超净工作台上将材料浸入70％酒精中浸泡40s，用无菌水冲洗5次，再用0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗5次，重复0.1％升汞消毒5min，无菌水冲洗5次。将消毒好的材料放入无菌的培养皿内，用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：
将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，诱导培养基为MS+6-BA0.5mg/L+IBA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，诱导培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。5周后腋芽开始萌动，形成小芽，茎段外植体萌芽率为78％。
(3)樱花丛生芽的增殖培养：
将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基中培养，增殖培养基为WPM+KT1.0mg/L+IBA0.2mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，增殖培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。增殖培养5周后形成丛生芽，增殖系数为4.7。
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：将切割的单芽先在第一生根培养基上培养1周，第一生根培养基成分为1/2WPM+IBA0.8mg/L+NAA0.6mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH为6.0，第一生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。
第二阶段：再转接第二生根培养基中培养4周，长出良好的根系，第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH6.0，第二生根培养基配制好后用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。培养条件为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为2000lx，培养温度(25±1)℃。生根率为91％。
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：
将生根的试管苗移出培养室至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温下炼苗6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩组成混合而成的基质(消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩体积比为1:1:1)中。基质先用水淋透，然后用塑料薄膜覆盖保湿1周后，打开薄膜，每天用喷雾器喷雾3～5次保证基质潮湿和较高空气湿度。试管苗培养5周移栽成活，幼苗成活率83％。即通过组织培养获得樱花的快速繁殖苗。
利用樱花的组织培养和快速繁殖获得的组培苗，对湿热环境适应能力强，其茎干挺立，质量提高1～2个等级，价值增加20％～40％。跟国内外同类产品相比，我们的产品针对生产实际，利用樱花的组织培养苗为栽培材料，与传统的樱花生产中采用扦插等无性繁殖方法相比，具有较强抗病性、生长势旺、整齐一致等优点，有利于大规模种植获得健状樱花幼苗。因此，在大规模樱花的生产中，该方法及由该方法获得的樱花组培苗提高了樱花生产的科技含量，具有较强的竞争力，对实现樱花的规范化种植，为樱花的现代化生产得到高产量、优品质的樱花产品起到关键性的作用，具有较好的市场应用前景。
Claims (6)
1.一种樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，步骤为：
(1)樱花茎段外植体的获得：取樱花一年生幼嫩枝条剪成枝段，经消毒、无菌水冲洗、吸干水分后，将枝段切成带一个腋芽的茎段；
(2)樱花茎段外植体的诱导培养：将带一个腋芽的茎段在诱导培养基中培养，4～5周后腋芽开始萌动，形成小芽；所述诱导培养基成分为：MS+6-BA0.5～1.0mg/L+NAA或IBA0.1～0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(3)樱花丛生芽的增殖培养：将由腋芽萌动形成的小芽转接到增殖培养基上进行增殖培养，4～5周后形成丛生芽；所述增殖培养基成分为：WPM+KT1.0～2.0mg/L+IBA0.05～0.2mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(4)樱花的生根培养：共分2个阶段，第一阶段：先将丛生芽切割的单芽在第一生根培养基培养1周；第二阶段：再转接第二生根培养基中培养3～4周，长出良好的根系；所述第一生根培养基成分为：1/2WPM+IBA0～1.5mg/L+NAA0.5～1.0mg/L+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；所述第二生根培养基成分为：1/2WPM+活性炭0.5g/L+蔗糖25g/L+琼脂6g/L，pH5.6～6.0；
(5)樱花组培苗的炼苗和移栽：常温炼苗3～6d后，移栽入基质中培养4～5周，获得樱花的快速繁殖苗。
2.如权利要求1所述的樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(1)为：
樱花茎段外植体的获得：春天花后取樱花母株上生长发育正常、健康粗壮、无病害和虫害的一年生幼嫩枝条；用清水将嫩枝清洗干净，剪成3～5cm枝段，后用缓慢流水冲淋2～4h，再在超净工作台上用70％的酒精浸泡30～40s，用无菌水冲洗3～5次后用0.1％的升汞浸泡3～5min，无菌水冲洗3～5次，重复0.1％的升汞浸泡3～5min，无菌水冲洗3～5次；用吸水纸吸干多余水分，将枝段切成带一个腋芽的茎段。
3.如权利要求1所述的樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(2)中诱导培养基、步骤(3)中增殖培养基、步骤(4)中第一生根培养基、第二生根培养基配制好后均用蒸汽高压灭菌锅灭菌，121℃灭菌20min。
4.如权利要求1所述的樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(2)、步骤(3)、步骤(4)的培养条件均为：日光灯光源，每天连续光照16h，光照强度为1500～2000lx，培养温度(25±1)℃。
5.如权利要求1所述的樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(5)为：
樱花组培苗的炼苗和移栽：将生根的试管苗移至常温环境中，去除试管苗所在培养瓶的封口膜，在常温炼苗3～6d后，取出试管苗，再用清水洗净试管苗的根系后，移栽入由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩混合而成的基质中培养4～5周，获得樱花的快速繁殖苗。
6.如权利要求5所述的樱花组织培养和快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(5)中基质由消毒蛭石、消毒泥炭、消毒珍珠岩按体积比1:1:1混合而成。
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