CN105468828B - 一种ⅲ-ⅴ族hemt表面势基集约型模型的建模方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种Ⅲ‑Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法。该方法是首先建立Ⅲ‑Ⅴ族HEMT本征结构和非本征结构模型，结合器件的物理结构和行为机理，构建拓扑结构，再将建立的模型嵌入商用EDA工具；然后对实际耗尽型器件进行在片测试，获得器件的各种性能测试数据；最后对集约型模型进行验证。本发明解决了现有的器件电流、电荷方程无法积分、分段点不连续、无法用于非线性电路仿真等问题，通过求解表面势源头方程推导模型电流、电荷/电容方程的方法，解决现有物理模型存在的量子效应处理的物理问题和经典载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题；重新推导体电荷密度计算公式，解决了电荷模型中难以胶合问题。

Description

一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法

技术领域

本发明涉及微电子器件建模技术，尤其涉及到一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法。

背景技术

Ⅲ-Ⅴ族高电子迁移率晶体管(HEMT)被公认为是微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件，目前利用Ⅲ-Ⅴ族HMET制作的低噪声放大器和功率放大器已经广泛应用于卫星接收系统、电子雷达系统和光纤通信系统。但作为微波单片集成电路计算机辅助设计(MMIC CAD)的基础，可适用于大型电子设计自动化(EDA)仿真应用的Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件模型依然匮乏，建模技术发展滞后。模型和建模技术的可行性、精度是MMIC CAD能否成功的关键。电路规模越大、指标和频段越高，对器件模型要求也越高，非线性电路设计比线性电路设计对器件模型也越高。因而准确的Ⅲ-Ⅴ族HEMT对提高射频和微波毫米波电路设计的成功率、缩短电路研制周期是非常重要的。但Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件结构愈加复杂、功率变大、频率增高、电路设计新要求不断提出，这些给模型的精确开发和参数提取带来了新问题和新挑战。Ⅲ-Ⅴ族HEMT集约型模型的开发成为工业界和学术界公认的难题，器件的电流和电荷/电容模型方程是其中急需突破的领域。

发明内容

本发明的目的是针对现有Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件建模技术的不足，提供一种针对Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法，旨在解决现有的Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件电流、电荷方程无法积分、分段点不连续、无法用于非线性电路仿真等问题，建立精确的Ⅲ-Ⅴ族HEMT集约型模型。

本发明方法的技术方案分为建立集约型模型和模型参数提取两个过程进行，具体内容如下：

步骤一.建立Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型内核模型：

1.1将Ⅲ-Ⅴ族HEMT费米势的影响和量子效应直接写入泊松方程，根据沟道(x方向)中载流子分布列泊松方程(1)，建立表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT不同的器件结构和器件机理的表面势模型方程(2)；

Ψ_s为表面电势，q为电荷量，ε_s为介电常数，右边中括号里的四项分别表示多子空穴N、受主电荷N_A、极化电荷N_P、少子电子P和施主电荷N_D的贡献。

由于Ⅲ-Ⅴ族HEMT中N_A很小，这里忽略受主N_A的影响。

在Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势Ψ_s表现为(V_gs－V_fb)和V_cs的隐函数，V_gs是栅源电压，V_cs是施加在沟道与源之间的电压，V_fb为平带电压，γ为体因子，Ψ_F为费米势，V_T为阈值电压。

1.2对步骤(1.1)建立的Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势模型方程(2)进行求解，利用能带关系和沟道中的泊松方程求出沟道内耗尽区和积累区的表面势初解，应用泰勒级数展开近似的方法，获得表面势的精确解Ψ_s；

1.3首先根据步骤(1.2)获得表面势的精确解将Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件工作区细分成三个区(Ψ_s<0，0<Ψ_s<3V_T，Ψ_s>3V_T)，然后分别通过公式(3)～(5)对上述三个区求解体电荷密度q_s：

在Ψ_s<0时，体电荷密度的计算见公式(3)，

在0<Ψ_s<3V_T时，体电荷密度的计算见公式(4)，

在Ψ_s>3V_T时，体电荷密度的计算见公式(5)，

1.4根据上述求解的体电荷密度，电荷密度沿着y方向积分所得端电荷，通过以下公式(6)～(10)建立表面势基模型，公式(7)～(10)分别为全工作区的漏源电流I_ds、漏电荷Q_dd、源电荷Q_ss、栅电荷Q_gg的方程；

q_i＝-(V_gs-V_fb-ψ_s)-q_s (6)

Q_gg＝-(Q_dd+Q_ss) (10)

其中q_i为反型层电荷密度，μ为电子迁移率，W为栅宽，L为栅长；

小结：步骤1.1-1.4获得的精确表面势解析解和体电荷模型可实现电流、电荷方程在器件所有工作区的连续、可导性，完成的Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型内核模型(本征结构模型)的建立；

步骤二.建立非本征结构偏压相关元件模型：

2.1本发明采用肖克利(Shockley)理想二极管方程(11)～(12)进行表征非本征结构模型栅源电流I_gs、栅漏电流I_gd：

其中I_js为源端反向饱和电流，N_js为源端的发射系数，I_jd为漏端反向饱和电流，N_jd为漏端的发射系数，V_gs为栅源电压，V_gd为栅漏电压。

为表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件跨导、漏电导在直流和交流条件下的差异引入电流I_dp定义为：

I_dp＝β₁I_ds (13)

I_ds＝0，x_g≤0 (14)

I_ds＝β₁q_iΔψ/G_vsat x_g＞0 (15)

其中模型参数β₁是沟道的长宽比，I_ds为栅源电流，为了归一化表面势方程引入变量x_g，x_g＝(V_gs-V_fb)/V_T，Δψ＝ψ_sd-ψ_ss为沟道内的表面势变化值,ψ_sd是漏端的表面势，ψ_ss是源端的表面势；q_i为反型层荷密度；G_vsat是T＝300K(T是温度)时零电场迁移率的乘积。

G_vsat定义为

其中E_ffec0为有效电场强度，M_ue为迁移率降低的系数，H_mue为迁移率降低的指数，θ_vast为速度饱和迁移因子。

小结:步骤二建立栅-源二极管电流方程，栅-漏二极管电流方程，及表征跨导频率分布效应的I_dp电流方程，完成非本征结构偏压相关元件模型；

步骤三.结合Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件物理结构和行为机理，将步骤(1)本征模型和步骤(2)非本征模型构建集约型模型拓扑结构；

步骤四.将步骤(3)建立的模型嵌入商用EDA工具，实现模型在EDA仿真工具中可用，具体是：

采用Verilog-a语言对步骤(3)提出的模型拓扑结构进行了描述。模型源代码可通过编译器直接编译并链接到仿真器的模型库中，实现模型在EDA仿真工具中可用。

步骤五.模型参数提取和确定：

5.1器件截止情况下的散射参数S提取寄生元件参数，包括寄生感漏、源接触电阻R_d、R_s和端口引线高频漏、源寄生电感L_d、L_s；

5.2测量零偏置情况下器件的散射参数S，采用近似提取方法将散射参数S转换为阻抗参数和导纳参数，直接提取寄生元件参数，包括寄生电感L_g、栅接触电阻R_g、栅端侧墙寄生电容C_frg、漏端侧墙寄生电容C_frd、版图漏源寄生电容C_ds、源端二极管结寄生电阻R_gs、漏端二极管结寄生电阻R_gd；

5.3测量器件直流电流电压特性，采用安捷伦公司ICCAP(Integrated CircuitCharacterization and Analysis Program-集成电路表征及分析软件)软件拟和获得各直流模型参数，包括跨导g_m，漏源电流I_ds，栅-漏、栅-源结二极管D_js、D_jd，并由I_th＝I_ds×V_ds获得热子电路元件热电流I_th。

5.4测取全工作区域小信号散射参数S获得器件电压电容特性曲线，ICCAP软件提取内核模型的三端电荷模型参数，包括栅漏电容C_gdi、栅源电容C_gsi和源漏电容C_dsi；

5.5在较大频率范围(选择0～40GHz)测量散射参数S，ICCAP软件提取高频特性参数，估算跨导频率分布效应临界频率f，f＝1/(2π×R_db×C_db)，确定表征跨导频率分布效应的电阻R_dp、电容C_dp值和交流电流放大倍数β。

5.6将步骤5.1-5.5提取的模型参数进行优化：

重新测取全工作区域范围(即包括工作和非工作状态)散射参数S，采用随机优化算法，对模型所有参数进行优化。注意：直流电流模型参数和偏压无关量在之前提取过程中应该先确定，确定后不再改变。

小结：在片测试实际器件，获得的测试数据按照步骤(5.1)-(5.6)实现模型参数值的提取和确定。

步骤六.集约型模型验证：

给出测试与仿真的器件输出特性、转移特性、跨导特性、电容-电压特性曲线的对比，器件测试与模型仿真结果一定程度验证建立的电荷模型的准确性。

本发明方法通过求解表面势源头方程推导模型电流、电荷/电容方程的方法，突破了现有Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件建模技术，能解决现有物理模型存在的量子效应处理的物理问题和经典载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题；重新推导体电荷密度计算公式，解决了电荷模型中难以胶合问题，为本发明的创新之处。

附图说明

图1为本发明的模型测试与参数提取流程图，其中图1.a为器件测试与参数提取总流程，图1.b为器件模型所有参数的提取流程；

图2为Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件集约型模型拓扑结构；

图3为T＝25℃栅源电压V_gs＝-5V到1V，AlGaN/GaN HEMT器件测试与模型仿真的漏源电流-漏源电压I_ds-V_ds曲线；

图4 T＝25℃，漏源电压V_ds＝0,2,4,6,8,10V，AlGaN/GaN HEMT器件测试与模型仿真漏源电流-栅源电压I_ds-V_gs曲线；

图5 T＝25℃，漏源电压V_ds＝10V，AlGaN/GaN HEMT器件测试与模型仿真的跨导-栅源电压g_m-V_gs曲线；

图6 T＝25℃，漏源电压V_ds＝1V到10V，AlGaN/GaN HEMT器件测试与模型仿真的栅源电容-栅源电压C_gs-V_gs曲线。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的测试验证分析说明。

AlGaN/GaN HEMT器件是Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件的重要代表，本发明对2栅指、0.25um栅长、10um栅宽的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件进行了集约型模型建立和模型参数提取，由中电集团提供管芯测试数据。如图1所示，AlGaN/GaN HEMT表面势基集约型模型的建模方法包括如下步骤；

步骤一.建立AlGaN/GaN HEMT表面势基集约型内核模型：

1.1将AlGaN/GaN HEMT器件特有的极化、量子效应等写入二维泊松方程，推导AlGaN/GaN HEMT器件表面势方程，实现对器件不同结构的表征，建立表面势方程；

1.2求解AlGaN/GaN HEMT表面势方程，得到表面势初解，应用泰勒级数近似，获得表面势的精确解；

1.3表面势精确解代入体电荷密度方程以求解器件三个工作区的体电荷密度。

1.4获得体电荷密度基础上建立电流、电荷方程，完成表面势基内核模型。

步骤二.建立非本征结构偏压相关元件模型：

提出表征AlGaN/GaN HEMT器件跨导频率分布效应的电流源I_dp，采用Shockley理想二极管方程表征偏压相关的栅-源、栅-漏二极管，建立器件非本征结构模型；

步骤三.将步骤(1)和(2)提出的表征沟道载流子输运和电荷存储行为的表面势基电流和电荷内核模型，和描述AlGaN/GaN HEMT器件非本征结构行为的模型进行集约结合，建立描述器件物理结构和行为机理的集约型模型拓扑结构，如图2模型拓扑结构中各组件物理意义说明如下：

L_g、L_d、L_s：端口引线高频寄生电感，若源、漏端金属引线较长、应用频率较高时还需考虑金属趋肤效应，偏压无关；

R_g、R_d、R_s：栅、漏、源接触电阻，偏压无关；

D_js、D_jd：栅-漏、栅-源结二极管，D_js和V_gsi相关，D_jd和V_gd、V_ds相关；

C_gsi、C_gdi、C_dsi：总栅电荷对偏压求解结果，偏压相关；

C_ds：版图漏源寄生电容，偏压无关；

R_gd、R_gs：二极管结寄生电阻，偏压无关；

I_ds：沟道电流，偏压相关；

I_dp：交流电流源，实现对跨导频率分布效应的表征。在直流条件下，该电流源不起作用，当应用频率越过f＝1/(2π×R_db×C_db)时，由其产生的跨导、漏导分量叠加于直流电流I_ds产生跨导和漏电导上，产生频率分布效应；

R_dp、C_dp：跨导频率分布效应参数，处理为常量，临界频率计算方法为：f＝1/(2π×R_db×C_db)，一般结构AlGaN/GaN HEMT器件，该频率通常为几十MHz，部分特殊结构器件，临界频率可达几个GHz；

β：交流电流放大倍数值；

R_th、C_th：热子电路元件，为功率器件，用以表征器件热效应下功率耗散，偏压无关；

I_th：计算方式为I_th＝I_ds*V_ds；

C_frg、C_frd：栅侧墙寄生电容，偏压无关；

步骤四.在商用EDA工具中实现模型：

4.1本发明采用Verilog-a语言描述AlGaN/GaN HEMT器件模型拓扑结构和模型方程的源代码主结构如下，通过编译器直接编译模型源代码并链接到各种商业电路仿真器如安捷伦公司先进设计系统(Agilent ADS)、Cadence、Hspice软件的模型库中，实现模型在仿真工具中可用；

步骤五.AlGaN/GaN HEMT器件模型参数提取：

5.1对实际耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件进行在片测试，获得AlGaN/GaN HEMT器件的各种性能测试数据，包括器件晶体管散射参数、直流特性、交流特性；

5.2测试数据按照图1的器件测试和模型参数提取方法流程图，实现模型参数提取，获得的器件模型参数；

5.3器件截止情况下测取晶体管散射参数S，此时dV_ds/dI_ds＝0，对应于拓扑结构上沟道短路，从中可精确提取偏压无关的漏、源接触电阻R_d、R_s，端口引线高频漏、源寄生电感L_d、L_s和热子电路元件热电阻R_th、热电容C_th。

5.4测量零偏置电压条件下散射参数S，此时晶体管拓扑结构等效为无源网络，利用5.1已提取所得参数，采用近似提取方法将散射参数转换为阻抗参数，可估算栅寄生电感L_g、栅接触电阻R_g；而后将散射参数转换为导纳参数，可估算栅侧墙寄生电容C_frg、C_frd，版图漏源寄生电容C_ds，二极管结寄生电阻R_gs、R_gd；

5.5测量器件的直流特性，包括器件输出特性，器件转移特性，和器件跨导特性，ICCAP软件拟和获得直流模型参数，跨导g_m，漏源电流I_ds，栅-漏、栅-源结二极管D_js、D_jd，热子电路元件热电流I_th。

5.5测量器件的交流特性，通过测全工作区小信号域散射参数S获得栅源电容与栅源电压(C_gs-V_gs)、栅漏电容与栅漏电压(C_gd-V_gd)的特性曲线，提取三端电荷相关内核模型参数，栅漏电容C_gdi，栅漏电容C_gdi和栅源电容C_gsi；

5.6测取的较大频率范围(选择0～40GHz)散射参数S，估算跨导频率分布效应临界频率f，确定表征跨导频率分布效应的电阻R_dp，电容C_dp和交流电流放大倍数β值；

5.7步骤5.3-5.6提取的模型所有参数进行优化；

步骤六.集约型模型验证和评估：

将在图3～6中将测试数据与模型仿真数据进行拟合对比，图3为T＝25℃，V_gs＝-5V到1V，间隔为1V条件下器件测试所得数据和模型仿真I_ds-V_ds之间的对比，两者有很好的拟合；图4为T＝25℃，V_ds＝0V到10V，间隔2V条件下器件测试所得数据和模型仿真I_ds-V_gs之间的对比，数据有很好的拟合，从以上测试数据与模型仿真数据的拟合来看，Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基器件集约型模型能很好反映AlGaN/GaN HEMT器件的传输特性与转移特性，验证了本发明所提出的漏电流建模技术的有效性；图5为T＝25℃，频率为2GHz时，间隔2V条件下器件测试所得散射参数推导和模型仿真所得的跨导g_m的对比，图5数据的拟合验证了I_dp模型能较为准确表征AlGaN/GaN HEMT器件跨导频率分布效应；图6为T＝25℃，Vds＝1到10V，间隔为1V条件下器件测试所得Y参数推导和模型仿真获得的C_gs-V_gs特性曲线的对比，在电压V_gs较小的情况下拟合较好，但是由于测试所用的器件尺寸小，测试结果不够理想，在V_gs较高条件下有一些偏差；以上器件测试与模型仿真结果实现对集约型模型实际表征能力和精度的验证，Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件表面势基集约型模型能很好反映实际器件的电学特性，证明了本发明所提出的建模技术的有效性和集约型模型的准确性。

Claims (2)

1.一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

步骤(1)、建立Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型内核模型：

将Ⅲ-Ⅴ族HEMT费米势的影响和量子效应直接写入泊松方程，建立表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT不同的器件结构和器件机理的表面势模型方程，然后应用泰勒级数近似，获得表面势精确解；

根据表面势精确解将Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件工作区细分成三个区，求解器件三个工作区的体电荷密度，构建体电荷模型；

通过精确表面势解析解和体电荷模型实现电流、电荷方程在器件所有工作区的连续、可导性，完成的Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型内核模型的建立；

步骤(2)、建立非本征结构偏压相关元件模型：

表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件跨导频率分布效应的I_dp电流方程，以及采用Shockley理想二极管方程表征偏压相关的栅-源、栅-漏二极管，建立器件非本征结构偏压相关元件模型；

步骤(3)、结合Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件的物理结构和行为机理，将步骤(1)本征模型和步骤(2)非本征模型构建集约型模型拓扑结构；

步骤(4)、将步骤(3)建立的模型嵌入商用EDA工具，实现模型在EDA仿真工具中可用；

步骤(5)、模型参数提取和确定：

对实际耗尽型Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件进行在片测试，获得Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件的各种性能测试数据，包括器件晶体管散射参数S、直流特性、交流特性；

步骤(6)、集约型模型验证：

给出测试与仿真的器件输出特性、转移特性、跨导特性、电容-电压特性曲线的对比，器件测试与模型仿真结果一定程度验证建立的电荷模型的准确性；

步骤(1)具体如下：

1.1将Ⅲ-Ⅴ族HEMT费米势的影响和量子效应直接写入泊松方程，根据沟道中载流子分布列泊松方程(1)，建立表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT不同的器件结构和器件机理的表面势模型方程(2)；

其中Ψ_s为表面电势，q为电荷量，ε_s为介电常数，N为多子空穴，N_A为受主电荷，N_P为极化电荷，P为少子电子，N_D为施主电荷；

由于Ⅲ-Ⅴ族HEMT中N_A很小，这里忽略受主N_A的影响；

在Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势Ψ_s表现为(V_gs－V_fb)和V_cs的隐函数，V_gs是栅源电压，V_cs是施加在沟道与源之间的电压，V_fb为平带电压，γ为体因子，Ψ_F为费米势，V_T为阈值电压；

1.2对步骤(1.1)建立的Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势模型方程(2)进行求解，利用能带关系和沟道中的泊松方程求出沟道内耗尽区和积累区的表面势初解，应用泰勒级数展开近似的方法，获得表面势的精确解Ψ_s；

1.3首先根据步骤(1.2)获得表面势的精确解将Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件工作区细分成三个区(Ψ_s<0，0<Ψ_s<3V_T，Ψ_s>3V_T)，然后分别通过公式(3)～(5)对上述三个区求解体电荷密度q_s：

在Ψ_s<0时，体电荷密度的计算见公式(3)，

在0<Ψ_s<3V_T时，体电荷密度的计算见公式(4)，

在Ψ_s>3V_T时，体电荷密度的计算见公式(5)，

1.4根据上述求解的体电荷密度，电荷密度沿着y方向积分所得端电荷，通过以下公式(6)～(10)建立表面势基模型，公式(7)～(10)分别为全工作区的漏源电流I_ds、漏电荷Q_dd、源电荷Q_ss、栅电荷Q_gg的方程；

q_i＝-(V_gs-V_fb-ψ_s)-q_s (6)

Q_gg＝-(Q_dd+Q_ss) (10)

其中q_i为反型层电荷密度，μ为电子迁移率，W为栅宽，L为栅长；

步骤(2)具体如下：

2.1采用Shockley理想二极管方程(11)～(12)进行表征非本征结构模型栅源电流I_gs、栅漏电流I_gd：

其中I_js为源端反向饱和电流，N_js为源端的发射系数，I_jd为漏端反向饱和电流，N_jd为漏端的发射系数，V_gs为栅源电压，V_gd为栅漏电压；

为表征Ⅲ-Ⅴ族HEMT器件跨导、漏电导在直流和交流条件下的差异引入电流I_dp定义为：

I_dp＝β₁I_ds (13)

I_ds＝0，x_g≤0 (14)

I_ds＝β₁q_iΔψ/G_vsat x_g＞0 (15)

其中模型参数β₁是沟道的长宽比；I_ds为栅源电流；为了归一化表面势方程引入变量x_g，x_g＝(V_gs-V_fb)/V_T；Δψ＝ψ_sd-ψ_ss为沟道内的表面势变化值,ψ_sd是漏端的表面势，ψ_ss是源端的表面势；q_i为反型层荷密度；G_vsat是T＝300K时零电场迁移率的乘积，G_vsat定义为

其中E_ffec0为有效电场强度，M_ue为迁移率降低的系数，H_mue为迁移率降低的指数，θ_vast为速度饱和迁移因子；

步骤(5)具体如下：

5.1器件截止情况下测量散射参数S，此时dV_ds/dI_ds＝0，对应于拓扑结构上沟道短路，从中可精确提取偏压无关的寄生元件参数，包括寄生感漏、源接触电阻R_d、R_s和端口引线高频漏、源寄生电感L_d、L_s；

5.2器件零偏置情况下测量散射参数S，此时拓扑结构等效为无源网络，利用步骤5.1已提取所得参数，采用近似提取方法将散射参数S转换为阻抗参数和导纳参数，直接提取寄生元件参数，包括寄生电感L_g、栅接触电阻R_g、栅端侧墙寄生电容C_frg、漏端侧墙寄生电容C_frd、版图漏源寄生电容C_ds、源端二极管结寄生电阻R_gs、漏端二极管结寄生电阻R_gd；

5.3测量器件直流电流电压特性，采用ICCAP软件拟和获得各直流模型参数，包括跨导g_m，漏源电流I_ds，栅-漏、栅-源结二极管D_js、D_jd，并由I_th＝I_ds×V_ds获得热子电路元件热电流I_th；

5.4测量器件的交流特性，通过测取全工作区域小信号散射参数S获得器件电压电容特性曲线，ICCAP软件提取内核模型的三端电荷模型参数，包括栅漏电容C_gdi、栅源电容C_gsi和源漏电容C_dsi；

5.5在较大频率范围(选择0～40GHz)测量散射参数S，ICCAP软件提取高频特性参数，估算跨导频率分布效应临界频率f；由于f＝1/(2π×R_db×C_db)，确定表征跨导频率分布效应的电阻R_dp、电容C_dp值和交流电流放大倍数β；

5.6将步骤5.1～5.5提取的模型参数进行优化。

2.如权利要求1所述的一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法，其特征在于直流电流模型参数和偏压无关量在提取过程中应该先确定，确定后不再改变。