CN105463376B - 具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；增强基材表面与导电金属箔层间的结合力，避免在极端工作条件下聚酰亚胺薄膜与导电金属层间的剥离，大大提高了产品性能，保证电路板的使用，降低使用成本。

Description

具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及用于柔性电路板的基体材料，特别涉及具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜及其制备方法。
背景技术
柔性电路(FPC)又称软性电路,是以聚脂薄膜或聚酰亚胺为基材制成的一种具有高度可靠性,绝佳曲挠性的印刷电路。柔性印刷线路板是用柔性绝缘基材(如聚酰亚胺等)制成的一种具有高度可靠性、绝缘性极佳的印刷电路，具有轻、薄、短、小的特点，可自由弯曲、折叠和卷曲，广泛应用于航空航天、手机、数码相机、笔记本电脑、液晶显示器、音像、汽车等领域。而挠性覆铜板(FCCL)是FPC的重要原材料。FCCL经过微蚀、贴干膜、曝光、显影、蚀刻、剥膜、线路化学清洗等一系列步骤可在基材表面形成所需的导电线路。而实际应用中，聚酰亚胺薄膜和铜箔之间的结合力是影响电路板的使用及寿命的重要因素。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜及其制备方法，增强基材表面与导电金属箔层间的结合力，避免在极端工作条件下聚酰亚胺薄膜与导电金属层间的剥离，大大提高了产品性能，保证电路板的使用，降低使用成本。
本发明的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；
进一步，所述Cr过渡层厚度为5-10μm；
进一步，所述聚酰亚胺基膜层的厚度为100-150μm，所述调节层的厚度为0.5-1μm；
进一步，所述机硅油为聚醚改性硅油、羟基硅油和氨基硅油中的一种；
本发明还公开一种具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜的制备方法，包括以下步骤：在聚酰亚胺基膜层至少一面形成调节层；然后在调节层表面形成过渡层；在过渡层的表面形成铜晶粒层；
进一步，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.4-0.8Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流85-100W；沉积时间为20-30分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层；
进一步，所述工作真空度为0.6Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流90W；沉积时间为25分钟；
进一步，通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
本发明的有益效果：本发明的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜及其制备方法，增强基材表面与导电金属箔层间的结合力，避免在极端工作条件下聚酰亚胺薄膜与导电金属层间的剥离，大大提高了产品性能，保证电路板的使用，降低使用成本。
具体实施方式
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油。
本实施例中，所述Cr过渡层厚度为5-10μm。
本实施例中，所述聚酰亚胺基膜层的厚度为100-150μm，所述调节层的厚度为0.5-1μm。
本实施例中，所述机硅油为聚醚改性硅油、羟基硅油和氨基硅油中的一种。
本实施例中，包括以下步骤：在聚酰亚胺基膜层至少一面形成调节层。然后在调节层表面形成过渡层；在过渡层的表面形成铜晶粒层。
本发明还公开一种高剥离强度挠性覆铜板的制作方法，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.4-0.8Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流85-100W；沉积时间为20-30分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。
本实施例中，所述工作真空度为0.6Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流90W；沉积时间为25分钟。
本实施例中，通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
实施例一
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；所述Cr过渡层厚度为5μm；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为100μm，所述调节层的厚度为0.5μm；所述机硅油为聚醚改性硅油。
其制备方法包括包括以下步骤：采用涂覆法在聚酰亚胺基膜层上形成至少一面形成调节层，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.4Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流85W；沉积时间为20分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。然后在调节层表面形成过渡层；通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
实施例二
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；所述Cr过渡层厚度为10μm；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为150μm，所述调节层的厚度为1μm；所述机硅油为羟基硅油。
其制备方法包括包括以下步骤：采用涂覆法在聚酰亚胺基膜层上形成至少一面形成调节层，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.8Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流100W；沉积时间为30分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。然后在调节层表面形成过渡层；通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
实施例三
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；所述Cr过渡层厚度为5μm；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为150μm，所述调节层的厚度为0.5μm；所述机硅油为氨基硅油。
其制备方法包括包括以下步骤：采用涂覆法在聚酰亚胺基膜层上形成至少一面形成调节层，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.4Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流100W；沉积时间为20分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。然后在调节层表面形成过渡层；通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
实施例四
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；所述Cr过渡层厚度为10μm；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为100μm，所述调节层的厚度为1μm；所述机硅油为氨基硅油。
其制备方法包括包括以下步骤：采用涂覆法在聚酰亚胺基膜层上形成至少一面形成调节层，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.8Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流85W；沉积时间为22的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。然后在调节层表面形成过渡层；通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
实施例五
本实施例的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；所述Cr过渡层厚度为7m；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为120所述调节层的厚度为0.8m；所述机硅油为聚醚改性硅油、羟基硅油和氨基硅油中的一种。
其制备方法包括包括以下步骤：采用涂覆法在聚酰亚胺基膜层上形成至少一面形成调节层，采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.5a；磁控金属Cr靶溅射功率为直流90沉积时间为25的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。然后在调节层表面形成过渡层；通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (4)

1.一种具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，其特征在于：包括聚酰亚胺基膜层和沉积于聚酰亚胺基膜层上的Cr过渡层以及形成于过渡层上的铜晶粒层，所述聚酰亚胺基膜层与过渡层之间为调节层，所述调节层为有机硅油；
所述Cr过渡层厚度为5-10μm；所述聚酰亚胺基膜层的厚度为100-150μm，所述调节层的厚度为0.5-1μm；
所述的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜的制备方法，包括以下步骤：在聚酰亚胺基膜层至少一面形成调节层；然后在调节层表面形成过渡层；在过渡层的表面形成铜晶粒层；
采用直流/射频磁控溅射镀膜设备，在靶材为1个磁控金属Cr靶，真空室本底真空度为1.0×10-4Pa，工作气氛为Ar，工作真空度为0.4-0.8Pa；
磁控金属Cr靶溅射功率为直流85-100W；沉积时间为20-30分钟的条件下在聚酰亚胺基膜层表面预先沉积金属Cr过渡层。
2.根据权利要求1所述的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，其特征在于：所述机硅油为聚醚改性硅油、羟基硅油和氨基硅油中的一种。
3.根据权利要求1所述的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，其特征在于：工作真空度为0.6Pa；磁控金属Cr靶溅射功率为直流90W；沉积时间为25分钟。
4.根据权利要求3所述的具有过渡结合层的聚酰亚胺覆金属薄膜，其特征在于：通过DC磁控管方式在氩气环境0.5Pa下以溅射的方式形成铜晶粒层。
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