CN111876743A - 柔性导电薄膜的生产加工系统及制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了柔性导电薄膜的生产加工系统及制备工艺，涉及基材镀膜领域；该生产加工系统包括薄膜贴合装置，用于将产品薄膜基材与衬底薄膜基材贴合形成复合薄膜，第一真空镀膜装置，用于在复合薄膜基材表面形成磁控溅射镀膜；第二真空镀膜装置，位于第一真空镀膜装置后方，用于在磁控溅射镀膜上形成第一金属镀层；第一水镀装置，位于第二真空镀膜装置后方，采用碱性水镀设备，在第一金属镀层上形成过渡金属镀层；第二水镀装置，位于第三真空镀膜装置后方，采用酸性水镀设备，在第一金属镀层上形成增厚金属镀层，剥离装置，用于将产品薄膜基材与衬底薄膜基材进行剥离；本发明的有益效果是：能够避免蒸镀工艺的高温因素对膜面串泡和孔洞的影响，可以有效的解决串泡问题，同时解决原蒸镀工艺的高温金属微粒将基膜击穿的孔洞问题。

Description

柔性导电薄膜的生产加工系统及制备工艺
技术领域
本发明涉及柔性卷材加工领域，更具体的说，本发明涉及一种柔性导电薄膜卷材的生产加工系统及制备工艺。
背景技术
真空镀膜主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发、磁控溅射、MBE分子束外延、PLD激光溅射沉积等很多种。主要分成蒸发和溅射两种。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。
中国专利文献CN108531876A公开了一种镀膜工艺流程，具体公开了以下内容：其是超薄基材上镀金属膜，以获得具有可提高粘合力的镀膜产品，其工艺流程如下，在超薄基材表面先采用磁控镀膜5-50nm，再水镀镀膜600-1000nm；或者工艺流程如下，在超薄基材表面先采用磁控镀膜5-50nm,然后蒸发镀膜100-700nm，最后水镀镀膜100-800nm。在具体的锂电池集流体的应用中，基材、镀层的性质(金属镀层)和镀层的厚度范围是一个较好的选择组合，在此基础上，磁控镀膜与水镀镀膜之间膜层的结合力得到了较好的性能体现。
采用蒸发镀膜结合水镀镀膜的工艺路线，在生产柔性导电薄膜卷材时具有以下两个突出的技术问题：一、串泡问题：柔性导电薄膜卷材产品采用的基膜为拉伸制程工艺，在制程过程中容易发生局部变形，在进行蒸发镀膜工艺时，由于蒸发镀膜工艺的温度较高，会使得基膜的形变恶化，产生在走膜方向一连串的变形，称为串泡。在采用该柔性导电薄膜卷材产品进行后产业链加工使用过程中会出现两个问题：①走膜过程中由于膜面有串泡，在串泡区域容易产生褶皱，影响产品优率。②在用户后加工工艺制程中，由于膜面上串泡区域使得后工序的走带与各种表面处理的均匀性不能保证，从而影响产品一致性。针对该问题，目前的制程工艺路线不能满足产品一致性和优率的要求，从实际估算来看，串泡会对产品形成约30％的优率损失。二、孔洞问题：柔性导电薄膜卷材产品基膜在经过蒸发镀膜工艺时，由于蒸发镀膜工艺温度较高且有微小波动，在走膜过程中不均匀蒸发导致的高温金属微粒容易将基膜击穿，形成孔洞，该孔洞的大小最大能达到毫米级别。而通常对于柔性导电薄膜产品合格率要求为孔洞不得大于500um。该缺陷在后产业链加工使用中会造成表处理过程中漏料现象，从而有一定几率会对终端产品造成极大的安全风险。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种柔性导电薄膜生产加工系统及制备工艺，以改善柔性导电薄膜在生产过程中出现的串泡问题和孔洞问题，以及生产结束后产品总体优率过低的问题。
为了达到上述目的，提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统，它包括：
用于将产品薄膜基材与衬底薄膜基材进行贴合，形成复合薄膜的薄膜贴合装置；
以及用于在复合薄膜基材表面形成磁控溅射镀膜的第一真空镀膜装置；
以及位于第一真空镀膜装置后方，用于在磁控溅射镀膜上形成第一金属镀层的第二真空镀膜装置，；
以及位于第二真空镀膜装置后方，用于在第一金属镀层上形成过渡金属镀层的第一水镀装置；
以及位于第一水镀装置后方，用于在过渡金属镀层上形成增厚金属镀层的第二水镀装置；
以及用于将衬底薄膜基材与产品薄膜基材从离型层处剥离的薄膜剥离装置。
优选的，在本发明中，薄膜贴合装置为薄膜贴合机，薄膜剥离装置为剥离机。
优选的，在本发明中，第一水镀装置可采用碱性水镀设备、酸性水镀设备中的一种，而第二水镀装置采用酸性水镀设备。
优选的，在本发明中，第一水镀装置与第二水镀装置之间还设置有第三真空镀膜装置，第三真空镀膜装置用于在过渡金属镀层上形成第二金属镀层，增厚金属镀层则形成于第二金属镀层上。
优选的，在本发明中，第一金属镀层、过渡金属镀层、第二金属镀层以及增厚金属镀层所镀金属均为铜，即第一金属镀层、过渡金属镀层、第二金属镀层以及增厚金属镀层均为镀铜层。
优选的，在本发明中，第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置和第三真空镀膜装置均采用磁控溅射镀膜设备，第一金属镀层和第二金属镀层的厚度均为8-15nm。
优选的，在本发明中，第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置以及第三真空镀膜装置可以为同一台磁控溅射镀膜设备。
优选的，在本发明中，磁控溅射镀膜为磁控溅射合金层，该磁控溅射合金层为镍铬合金层或镍铜合金层。
优选的，在本发明中，磁控溅射镀膜的厚度为2-10nm。
优选的，在本发明中，过渡金属镀层的厚度为50-250nm。
优选的，在本发明中，增厚金属镀层的厚度为600-950nm。
优选的，在本发明中，衬底薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。
优选的，在本发明中，产品薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。
本发明还提供了一种柔性导电薄膜的制备工艺，包括：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成0.3-1um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜基材进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材的两个表面都采用真空镀膜装置进行镀膜，形成2-10nm的磁控溅射合金层；
S4、通过真空镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成8-15nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成50-250nm的过渡金属镀层；
S6、通过第二水镀装置，在过渡金属镀层上形成厚度为600-950nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品薄膜基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
其中，在步骤S5与步骤S6之间具有步骤S51：通过真空镀膜装置，在过渡金属镀层上形成8-15nm的第二金属镀层；
所述的步骤S6即为：通过第二水镀装置，在第二金属镀层上形成厚度为600-950nm的增厚金属镀层。
其中，在步骤S51中，通过形成的第二金属镀层对柔性导电薄膜整体镀层的均匀性和致密性的补偿，使得薄膜卷材的延伸率不小于3％。
其中，在步骤S5，通过过渡金属镀层的形成，将柔性导电薄膜外表面形成金属镀膜的方阻降低至800mΩ以下。
其中，第一水镀装置采用碱性水镀设备，而第二水镀装置采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用碱性水镀设备。
本发明的有益效果是：由于采用水镀设备代替真空蒸镀设备，使得过渡金属镀层的存在，能够避免蒸镀工艺的高温因素对膜面串泡和孔洞的影响，可以有效的解决串泡问题；同时解决原蒸镀工艺的高温金属微粒将基膜击穿的孔洞问题，可以使产品优率提升一倍以上。
附图说明
图1为本发明的柔性导电薄膜的制备工艺的实施例流程图；
图2为本发明的柔性导电薄膜的制备工艺的另一个实施例流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
另外，本发明中所出现的装置，如薄膜贴合机、真空双面镀膜装置、水镀装置以及剥离机均为现有技术，故在接下来的描述中不再进行说明。
实施例1
在本实施例中柔性导电薄膜的生产加工系统包括依次排列的薄膜贴合机，第一真空双面镀膜装置、第二真空双面镀膜装置、第一水镀装置、第二水镀装置以及剥离机，在每个装置之间还可设置物料转运装置，便于对加工后的薄膜基材进行转运，其中，薄膜复合机主要用于将产品薄膜基材贴合在衬底薄膜基材上形成复合薄膜基材，剥离机主要用于将产品薄膜从基材上剥离从而得到产品。本实施例中，磁控溅射镀膜层为磁控溅射合金层，厚度为2nm。该磁控溅射合金层为镍铬合金层或镍铜合金层。镍铜合金层包括质量百分比为70％的镍和30％的铜。
进一步的，第二真空镀膜装置用于在磁控溅射镀膜层上形成第一金属镀层，本实施例中，第一金属镀层为镀铜层，厚度为8nm；第一水镀装置采用碱性水镀设备，用于在第一金属镀层上形成过渡金属镀层，本实施例中，过渡金属镀层为镀铜层，厚度为50nm；第二水镀装置采用酸性水镀设备，用于在第一金属镀层上形成增厚金属镀层，本实施例中，增厚金属镀层为镀铜层，厚度为600nm，最后，采用剥离机将衬底薄膜基材与产品薄膜基材剥离。
在磁控溅射合金层与第一金属镀层形成后，铜膜的方阻只能够达到10-30Ω，通过碱性镀铜形成的过渡金属镀层，能够将方阻降低至800mΩ以内，才能进行酸性镀铜。由于产品薄膜基材材质为PP膜、PE膜或PET膜等，在超出一定的温度条件下会产生热收缩变形，同时蒸镀过程中不可避免的会出现高温微粒飞溅熔穿薄膜基材形成孔洞，因而使用碱性镀铜工艺形成过渡金属镀层替代蒸镀工艺过程，能够避免蒸镀工艺的高温因素对膜面串泡和孔洞的影响，可以有效的解决串泡问题，同时解决原蒸镀工艺的高温铜蒸汽微粒将基膜击穿的孔洞问题，使得产品优率提升一倍以上。
如图1所示，本发明还提供的一种柔性导电薄膜制备工艺，具体步骤如下：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成0.3um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜基材进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材表面采用第一真空镀膜装置进行镀膜，形成2nm的磁控溅射合金层；
S4、通过第二真空镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成8nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成50nm的过渡金属镀层；
S6、通过第二水镀装置，在过渡金属镀层上形成厚度为600nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品薄膜基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后再次经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
其中第一真空镀膜装置和第二真空镀膜装置均为磁控溅射镀膜设备，第一水镀装置为碱性水镀设备，第二水镀装置为酸性水镀设备。
通过上述的制备工艺，在第一金属镀层上形成了过渡金属镀层，能够避免蒸镀工艺的高温因素对膜面串泡和孔洞的影响，可以有效的解决串泡问题，同时解决原蒸镀工艺的高温铜蒸汽微粒将基膜击穿的孔洞问题。
实施例2
本发明提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统，在本实施例中，与实施例1中的技术方案相同，其不同之处仅在于涂覆的离型层、磁控溅射合金层、第一金属镀层、过渡金属镀层以及增厚金属镀层的厚度，本实施例中，离型层的厚度为0.7um，磁控溅射合金层的厚度为6nm，第一金属镀层的厚度为11.5nm，过渡金属镀层的厚度为150nm，增厚金属镀层的厚度为775nm。
实施例3
本发明提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统和制备工艺，在本实施例中，与实施例1中的技术方案相同，其不同之处仅在于第一真空镀膜装置和第二真空镀膜装置均为同一台磁控溅射镀膜设备，也即在两道前后相邻工序中均采用同一台真空镀膜装置。
因而，在基于本实施例的柔性导电薄膜的生产加工系统的基础上，如图1所示，本发明提供的一种柔性导电薄膜制备工艺，该工艺包括以下的步骤：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成1um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜基材进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材表面采用真空镀膜装置进行镀膜，形成10nm的磁控溅射合金层；
S4、再次通过该真空镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成8nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成250nm的过渡金属镀层；
S6、通过第二水镀装置，在过渡金属镀层上形成厚度为900nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品薄膜基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
其中，第一水镀装置为碱性水镀设备，第二水镀装置为酸性水镀设备。
值得说明的是，在本具体实施方式中，虽然步骤S3进行磁控溅射合金层的制备和S4工序中第一金属镀层的制备采用的是同一台真空镀膜装置设备，即同一台磁控溅射镀膜设备；然而两个工序所采用的靶材可以是不同的，在两个工序间，需要进行磁控溅射靶材的更换。在本具体实施方式中，S3工序制备磁控溅射合金层时使用的靶材为镍铜合金靶材，而在S4工序制备第一金属镀层时需要将靶材换为纯铜靶材。
实施例4
本发明提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统和制备工艺，在本实施例中，与实施例3中的技术方案相同，其不同之处仅在于第一水镀装置和第二水镀装置均为酸性水镀设备。而且第一水镀装置和第二水镀装置可以为同一台酸性水镀设备，也即在这两道工序中均采用同一酸性水镀设备反复进行操作。
实施例5
在实施例2的基础上，针对柔性导电薄膜的生产加工系统，本发明还提供了一具体实施例，并且在本实施例中，柔性导电薄膜的生产加工系统也包括有排列的薄膜贴合装置、第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置、第一水镀装置、第二水镀装置以及剥离装置。
本实施例中，第一水镀装置与第二水镀装置之间还设置有第三真空镀膜装置，第三真空镀膜装置用于在过渡金属镀层上形成第二金属镀层，增厚金属镀层则形成第二金属镀层上。第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置和第三真空镀膜装置均采用磁控溅射镀膜设备，本实施例中，第二金属镀层为镀铜层，厚度为8nm，需要说明的是，第二金属镀层的厚度可以根据实际需要进行调整，并控制在8-15nm之间。
在本实施例中，由于产品薄膜基材在依次经过第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置以及第一水镀装置后，产品薄膜基材表面铜层不均匀且不致密，而第二水镀装置为酸镀装置，酸镀装置所采用的酸性镀液对金属镀层的金属溶解作用较强，因而在第一水镀装置的碱镀装置所形成的产品薄膜基材表面的过渡金属镀层不提倡直接进入第二水镀装置即酸镀装置进行下一步增厚镀层的工序，需要在形成过渡金属镀层之后再一次进入真空磁控镀膜工序，即通过第三真空镀膜装置在过渡金属镀层上形成第二金属镀层。通过增加的第三真空镀膜装置，补偿柔性薄膜卷材表面铜层的均匀性和致密性，能够使后续的酸性水镀过程更有效率，且由于使铜层具有良好的均匀性和致密性，使柔性薄膜卷材的延伸率达到了3％，解决了产品延伸率差的问题。
如图2所示，本实施例还提供一种柔性导电薄膜的制备工艺，该柔性导电薄膜的制备工艺包括以下的步骤：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成0.3um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材表面采用第一真空镀膜装置进行镀膜，形成2nm的磁控溅射合金层；
S4、通过第二真空镀膜装置设备，在磁控溅射合金层上形成8nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成50nm的过渡金属镀层；通过过渡金属镀层的形成，将柔性导电薄膜卷材外表面形成铜膜的方阻降低至800mΩ以下；
S51、通过第三真空镀膜装置，在过渡金属镀层上形成8nm的第二金属镀层；在该步骤中，通过第二金属镀层，使柔性导电薄膜卷材的延伸率大于3％；
S6、通过第二水镀装置，在第二金属镀层上形成厚度为600nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品薄膜基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
其中第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置和第三真空镀膜装置均为磁控溅射镀膜设备，第一水镀装置为碱性水镀设备，第二水镀装置为酸性水镀设备。
实施例6
本发明提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统及制备工艺，在本实施例中，与实施例5中的技术方案相同，其不同之处仅在于所述的过渡金属镀层以及增厚金属镀层的厚度，本实施例中，离型剂涂覆为0.7um,磁控合金溅射层为6nm，第一金属镀层厚度为11.5nm，过渡金属镀层的厚度为150nm，增厚金属镀层的厚度为775nm,第二金属镀层为11.5nm。
实施例7
本发明提供了一种柔性导电薄膜的生产加工系统和制备工艺，在本实施例中，与实施例5中的技术方案相同，其不同之处仅在于第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置和第三真空镀膜装置均为同一台磁控溅射镀膜设备，也即在前后三道工序中均采用同一台真空镀膜装置。
因而，如图2所述，基于本实施例提供的柔性导电薄膜的生产加工系统，本发明提供的一种柔性导电薄膜制备工艺，该工艺包括以下的步骤：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成1um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材表面采用真空镀膜装置进行镀膜，形成10nm的磁控溅射合金层；
S4、再次通过该真空镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成15nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成150nm的过渡金属镀层；
S51：再次通过该真空镀膜装置，在过渡金属镀层上形成15nm的第二金属镀层；
S6、通过第二水镀装置，在第二金属镀层上形成厚度为750nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品薄膜基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
其中，第一水镀装置为碱性水镀设备，第二水镀装置为酸性水镀设备。
值得说明的是，在本具体实施方式中，虽然步骤S3进行磁控溅射合金层的制备和S4工序中第一金属镀层的制备以及S51工序中第二金属镀层的制备采用的是同一台真空镀膜装置设备，即同一台磁控溅射镀膜设备；然而三个工序所采用的靶材可以是不同的，在前后不同的工序间，需要进行磁控溅射靶材的更换。在本具体实施方式中，S3工序制备磁控溅射合金层时使用的靶材为镍铜合金靶材，而在S4、S51工序制备第一金属镀层和第二金属镀层时需要将靶材换为纯铜靶材。
此外，第一水镀装置与第二水镀装置也可均采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用碱性水镀设备。甚至第一水镀装置与第二水镀装置可以采用同一台设备。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (19)

1.一种柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于，包括：
薄膜贴合装置，用于将产品薄膜基材与衬底薄膜基材进行贴合，形成复合薄膜基材；
第一真空镀膜装置，用于在复合薄膜基材表面形成磁控溅射镀膜；
第二真空镀膜装置，位于第一真空镀膜装置后方，用于在磁控溅射镀膜上形成第一金属镀层；
第一水镀装置，位于第二真空镀膜装置后方，用于在第一金属镀层上形成过渡金属镀层；
第二水镀装置，位于第一水镀装置后方，用于在过渡金属镀层上形成增厚金属镀层。
薄膜剥离装置，用于将产品薄膜基材与衬底薄膜基材进行剥离。
2.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述薄膜贴合装置为薄膜贴合机，所述剥离装置为剥离机。
3.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述第一水镀装置采用碱性水镀设备，而第二水镀装置采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用酸性水镀设备。
4.根据权利要求3所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述的第一水镀装置与第二水镀装置之间还设置有第三真空镀膜装置，第三真空镀膜装置用于在过渡金属镀层上形成第二金属镀层，所述的增厚金属镀层则形成于第二金属镀层上。
5.根据权利要求4所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述第一金属镀层、过渡金属镀层、第二金属镀层以及增厚金属镀层所镀金属均为铜，即所述第一金属镀层、过渡金属镀层、第二金属镀层以及增厚金属镀层均为镀铜层。
6.根据权利要求4所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置和第三真空镀膜装置均采用磁控溅射镀膜设备，第一金属镀层和第二金属镀层的厚度均为8-15nm。
7.根据权利要求6所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述第一真空镀膜装置、第二真空镀膜装置以及第三真空镀膜装置可以为同一台磁控溅射镀膜设备。
8.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述磁控溅射镀膜为磁控溅射合金层，该磁控溅射合金层为镍铬合金层或镍铜合金层。
9.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述磁控溅射镀膜的厚度为2-10nm。
10.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述过渡金属镀层的厚度为50-250nm。
11.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述增厚金属镀层的厚度为600-950nm。
12.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于：所述衬底薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。
13.根据权利要求1所述的柔性导电薄膜的生产加工系统，其特征在于:所述产品薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。
14.一种柔性导电薄膜的制备工艺，用于薄膜基材表面镀金属膜，其特征在于，该制备工艺包括以下的步骤：
S1、在衬底薄膜基材的两个面各涂覆一层离型剂，形成0.3-1um厚度的离型层。
S2、在两个离型层的表面各用一层产品薄膜基材进行贴合，形成第一复合薄膜基材。
S3、在第一复合薄膜基材表面采用真空镀膜装置进行镀膜，形成2-10nm的磁控溅射合金层；
S4、通过真空镀膜装置，在磁控溅射合金层上形成8-15nm的第一金属镀层；
S5、通过第一水镀装置，在第一金属镀层上形成50-250nm的过渡金属镀层；
S6、通过第二水镀装置，在过渡金属镀层上形成厚度为600-950nm的增厚金属镀层。
S7、将衬底薄膜基材与两层产品基材从离型层处进行剥离，从而同时得到两卷单面镀有金属的产品薄膜。
S8、将S7中的两卷单面镀有金属的产品薄膜再经过S1到S2步骤，在经过S2步骤时，将镀有金属的面与离型层贴合，之后经过S3-S7,得到两卷双面镀有金属的产品薄膜。
15.根据权利要求14所述的柔性导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的步骤S5与步骤S6之间具有步骤S51：通过真空镀膜装置，在过渡金属镀层上形成8-15nm的第二金属镀层；
所述的步骤S6即为：通过第二水镀装置，在第二金属镀层上形成厚度为600-950nm的增厚金属镀层。
16.根据权利要求15所述的柔性导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的步骤S51中，通过形成的第二金属镀层对柔性导电薄膜整体镀层的均匀性和致密性的补偿，使得薄膜卷材的延伸率不小于3％。
17.根据权利要求14所述的柔性导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的步骤S5中，通过过渡金属镀层的形成，将柔性导电薄膜外表面形成金属镀膜的方阻降低至800mΩ以下。
18.根据权利要求14所述的柔性导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述第一水镀装置采用碱性水镀设备，而第二水镀装置采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用酸性水镀设备；或第一水镀装置与第二水镀装置均采用碱性水镀设备。
19.根据权利要求14所述的柔性导电薄膜的制备工艺，其特征在于：所述第一水镀装置与第二水镀装置采用同一台酸性水镀设备。
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