CN105449028A - 一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 - Google Patents
一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105449028A CN105449028A CN201510964453.0A CN201510964453A CN105449028A CN 105449028 A CN105449028 A CN 105449028A CN 201510964453 A CN201510964453 A CN 201510964453A CN 105449028 A CN105449028 A CN 105449028A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- alinp
- alinp layer
- thickness
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 title abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 32
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本发明还公开了上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。本发明的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。
Description
技术领域
本发明涉及可见光探测器，特别涉及一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法。
背景技术
随着移动设备对无线频谱的需求越来越高，造成网络频谱资源相对短缺。随着可见光通信技术的逐渐兴起，不仅能有效的缓解网络频谱枯竭的困境，而且能实现绿色通信。
现有的可见光探测器主要由硅锗半导体为主要材料制作而成其具有数据传输速率高、无有害射频辐射、安全性好等特点，但是由于响应峰值与主光源发光波长(蓝光波段)不一致导致探测器灵敏度低，噪声大；另外，Si本身的禁带宽度较窄，对蓝光响应度不高，需要加滤波片，也从而增加了成本、增大体积、减弱入射光信号等。因此，为了目前产业发展需求，急切需要设计一种针对蓝光波段的新型探测器。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于提供一种AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片。
本发明的另一目的在于提供上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；
还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO2层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。
所述基底为GaAs基底。
所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将基底在400～700℃下预处理；
(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×1018～9×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011～9×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×1017～9×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011～9×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1018～9×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面采用电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上采用电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：
1.本发明的AlInP基蓝光探测器，采用了AlInP材料作为吸收材料，主要针对蓝光波段电磁波进行有效吸收。
2、本发明的AlInP基蓝光探测器，不需要额外滤波片进行滤光，可消除滤光片对入射光的影响，并简化探测器的结构，有利于更好地实现蓝光探测。
3、本发明的AlInP基蓝光探测器，采用本探测器结构参数，有利于提高探测器对蓝光的响应度。
附图说明
图1为本发明的实施例1的AlInP基蓝光探测器的示意图。
图2为本发明的实施例1的波长响应度图。
图3为本发明的实施例2的波长响应度图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
如图1所示，本实施例的AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的GaAs基底1、作为n层的第一n-AlInP层2、作为π层的第一p-AlInP层3、作为n层的第二n-AlInP层4、作为π层的第二p-AlInP层5、作为p层的第三p-AlInP层6；还包括作为绝缘层的SiO2层7、第一Au电极8和第二Au电极9；所述SiO2层7与第一p-AlInP层3、第二n-AlInP层4、第二p-AlInP层5的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层2的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
本实施例中，所述GaAs基底的厚度为200μm；所述第一n-AlInP层的厚度为3μm；所述第一p-AlInP层的厚度为1μm；所述第二n-AlInP层的厚度为2μm；所述第二p-AlInP层的厚度为2μm；所述第三p-AlInP层的厚度为1μm；所述第一Au电极的厚度为1μm；所述第二Au电极的厚度为1μm。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将GaAs基底在550℃下预处理，用热电偶测得基底的温度；
(2)在GaAs基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为3×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为3×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
如图2所示，本实施例制备的AlInP基蓝光探测器可以实现在蓝光波段峰值响应度达到0.28A/W，较好地实现蓝光探测。
实施例2
本实施例的AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的GaAs基底、作为n层的第一n-AlInP层、作为π层的第一p-AlInP层、作为n层的第二n-AlInP层、作为π层的第二p-AlInP层、作为p层的第三p-AlInP层；还包括作为绝缘层的SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
本实施例中，所述GaAs基底的厚度为200μm；所述第一n-AlInP层的厚度为6μm；所述第一p-AlInP层的厚度为2μm；所述第二n-AlInP层的厚度为0.3μm；所述第二p-AlInP层的厚度为2μm；所述第三p-AlInP层的厚度为2μm；所述第一Au电极的厚度为1μm；所述第二Au电极的厚度为1μm。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将GaAs基底在650℃下预处理，用热电偶测得基底的温度；
(2)在GaAs基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为5×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为3×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为2×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为3×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
如图3所示，本实施例制备的AlInP基蓝光探测器可以实现在蓝光波段峰值响应度达到0.4A/W，较好地实现蓝光探测。
实施例3
本实施例的AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的GaAs基底、作为n层的第一n-AlInP层、作为π层的第一p-AlInP层、作为n层的第二n-AlInP层、作为π层的第二p-AlInP层、作为p层的第三p-AlInP层；还包括作为绝缘层的SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
本实施例中，所述基底的厚度为200μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1μm；第二n-AlInP层厚度为0.1μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1μm；SiO2层的厚度为0.1μm；第一Au电极的厚度为0.5μm；第二Au电极的厚度为0.5μm。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将基底在400℃下预处理，用热电偶测得基底的温度；
(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的测试数据与实施例1类似，在此不再赘述。
实施例4
本实施例的AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的GaAs基底、作为n层的第一n-AlInP层、作为π层的第一p-AlInP层、作为n层的第二n-AlInP层、作为π层的第二p-AlInP层、作为p层的第三p-AlInP层；还包括作为绝缘层的SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
本实施例中，所述基底的厚度为500μm；第一n-AlInP层的厚度为10μm；第一p-AlInP层的厚度为20μm；第二n-AlInP层的厚度为10μm；第二p-AlInP层的厚度为20μm；第三p-AlInP层的厚度为10μm；SiO2层的厚度为20μm；第一Au电极的厚度为10μm；第二Au电极的厚度为10μm。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将基底在700℃下预处理；
(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为9×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为9×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为9×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为9×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为9×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面采用电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上采用电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
本实施例的AlInP基蓝光探测器的测试数据与实施例1类似，在此不再赘述。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种AlInP基蓝光探测器，其特征在于，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；
还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。
2.根据权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器，其特征在于，所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO2层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。
3.根据权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器，其特征在于，所述基底为GaAs基底。
4.权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将基底在400～700℃下预处理；
(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×1018～9×1018cm-3；
(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011～9×1011cm-3；
(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×1017～9×1017cm-3；
(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1011～9×1011cm-3；
(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×1018～9×1018cm-3；
(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO2层用作绝缘层，所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；
(8)在SiO2层的表面采用电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；
(9)在第一n-AlInP层露出的表面上采用电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。
5.根据权利要求4所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO2层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。
6.根据权利要求4所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，所述基底为GaAs基底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510964453.0A CN105449028B (zh) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510964453.0A CN105449028B (zh) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105449028A true CN105449028A (zh) | 2016-03-30 |
| CN105449028B CN105449028B (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=55559008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510964453.0A Active CN105449028B (zh) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105449028B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106528973A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 华南理工大学 | 一种可见光蓝光探测器的模型的设计方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343726A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Ricoh Co Ltd | 光センサ |
| US5424222A (en) * | 1993-03-03 | 1995-06-13 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Method for manufacture of a blue-sensitive photodetector |
| KR20070000131A (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-02 | 학교법인연세대학교 | Ｃｍｏｓ 이미지센서용 적층형 포토다이오드 및 그 제조방법 |
| CN205211780U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 一种AlInP基蓝光探测器 |
-
2015
- 2015-12-18 CN CN201510964453.0A patent/CN105449028B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343726A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Ricoh Co Ltd | 光センサ |
| US5424222A (en) * | 1993-03-03 | 1995-06-13 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Method for manufacture of a blue-sensitive photodetector |
| KR20070000131A (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-02 | 학교법인연세대학교 | Ｃｍｏｓ 이미지센서용 적층형 포토다이오드 및 그 제조방법 |
| CN205211780U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 一种AlInP基蓝光探测器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106528973A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 华南理工大学 | 一种可见光蓝光探测器的模型的设计方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105449028B (zh) | 2017-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kang et al. | Monolithic germanium/silicon avalanche photodiodes with 340 GHz gain–bandwidth product | |
| US9401447B2 (en) | Semiconductor light-receiving element and method for manufacturing same | |
| KR101025186B1 (ko) | 거친 환경에 사용하기 위한 애벌런치 포토다이오드 | |
| JP5109981B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US20190378949A1 (en) | Optical semiconductor device and optical transceiver | |
| TWI404217B (zh) | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 | |
| CN105824138A (zh) | 基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器 | |
| CN104009103B (zh) | 一种高速铟镓砷探测器及其制作方法 | |
| Pan et al. | On the piezo‐phototronic effect in Si/ZnO heterojunction photodiode: the effect of the fermi‐level difference | |
| KR20140019984A (ko) | 가드링 구조를 갖는 아발란치 포토다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN112204757A (zh) | 基于本征等离子体激元-激子极化子的光电器件 | |
| CN205211780U (zh) | 一种AlInP基蓝光探测器 | |
| CN105449028A (zh) | 一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法 | |
| CN113299775B (zh) | 一种高速短波通信探测器 | |
| CN105428964B (zh) | 石墨烯太赫兹发射器及其制作方法 | |
| WO2014068850A1 (ja) | フォトダイオード | |
| CN104466664A (zh) | 纳米硅同心微环芯掺铒激光器件及其制备方法 | |
| CN109167245A (zh) | 可饱和吸收体制备方法及反射式、透射式可饱和吸收体 | |
| CN103258895B (zh) | 带有底栅控电极的平面电子发射光探测器 | |
| CN106409965A (zh) | 一种高速饱和单行载流子紫外光电二极管及制备方法 | |
| CN207883688U (zh) | 一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片 | |
| CN111933747A (zh) | 面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法 | |
| Kumar | High-speed short-wave infrared Si-based GeSn MQW phototransistor: an alternative to existing photodetectors | |
| CN107749563B (zh) | 基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器 | |
| CN109524499A (zh) | 可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |