CN105446519A - 触摸屏的加工方法及触摸屏 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触摸屏的加工方法及触摸屏。触摸屏的加工方法,包括如下步骤:S1:在ITO导电膜上制作出ITO图案;S2:在ITO导电膜的位于ITO图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块,外围银浆地线位于银浆块的外侧;S3:对银浆块进行干刻,以形成各个独立的导电银浆线,多个独立的导电银浆线与ITO图案相连。根据本发明实施例的触摸屏的加工方法,有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离,可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠,可以避免外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路,可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。

Description

触摸屏的加工方法及触摸屏
技术领域
本发明涉及电子设备领域,尤其是涉及触摸屏的加工方法及触摸屏。
背景技术
常见的单层ITO导电膜触摸屏,一般都是在ITO导电膜的基础上蚀刻ITO导电图案后,再在ITO导电图案四周丝印导电银浆线路,其导电银浆线路分别和ITO导电图案相连接。ITO导电图案通过导电银浆线路连接到屏体驱动芯片,从而实现触摸功能。
现有的单层ITO导电膜触摸屏一般制作流程为:在ITO导电膜上丝印蚀刻膏通过曝光显影工艺制作出ITO图案,再在四周丝印多个独立的导电银浆线路连接每个通道的ITO图案。这种方式制作出来的ITO导电触摸屏,压贴ACF后其边缘与干刻区重叠,在电场作用下,金球、粒子、异物、水汽等使地线与干刻线之间形成微短路,屏体会产生跳点的现象。
另一种制作流程为:在ITO导电图案四周丝印导电银浆块,再通过激光干刻设备将导电银浆块干刻成多个独立的导电银浆线路,从而使导电银浆线路连接到屏体驱动芯片,从而实现触摸功能。如果是窄边框的屏体,一般走线空间不足,没有办法满足工艺条件。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此,本发明的一个目的在于提出一种触摸屏的加工方法,避免外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路。
本发明的另一个目的在于提出一种触摸屏,避免外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路。
根据本发明实施例的触摸屏的加工方法,包括如下步骤:S1:在ITO导电膜上制作出ITO图案;S2:在所述ITO导电膜的位于所述ITO图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块,所述外围银浆地线位于所述银浆块的外侧;S3:对所述银浆块进行干刻,以形成各个独立的导电银浆线,多个独立的所述导电银浆线与所述ITO图案相连。
根据本发明实施例的触摸屏的加工方法,通过同时丝印出来外围银浆地线和银浆块,并通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线,从而可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离,可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠,从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路,可以避免触摸屏发生跳点不良现象,同时通过采用干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线的加工方式,可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
根据本发明实施例的触摸屏,包括ITO导电膜,所述ITO导电膜上形成有ITO图案、多个导电银浆线和外围银浆地线,所述多个导电银浆线分布在所述ITO图案的外围,所述外围银浆地线分布在所述多个导电银浆线的外围,其中所述多个导电银浆线通过对银浆块干刻而成,所述银浆块和所述外围银浆地线丝印在所述ITO导电膜上。
根据本发明实施例的触摸屏,通过独立丝印出外围银浆地线,可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离,可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠,从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路,可以避免触摸屏发生跳点不良现象,同时通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线,可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
附图说明
图1为根据本发明实施例的触摸屏的加工方法的流程图;
图2为根据本发明实施例的触摸屏的局部示意图;
图3为传统的触摸屏的示意图;
图4为传统的触摸屏和FPC板和ACF的分解示意图;
图5为传统的触摸屏和FPC板和ACF的装配示意图。
附图标记:
触摸屏100、
ITO导电膜1、ITO图案10、外围银浆地线2、导电银浆线3、FPC4、ACF5。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下面首先描述FPC(柔性电路板)热压绑定触摸屏的具体步骤和原理,同时简述传统的触摸屏容易短路的原因。
FPC4与触摸屏都是单个独体,两个独体通过ACF5(即异方性导电胶)高温热压绑定,使之相互导通。操作步骤为:ACF5贴附于触摸屏的导电银浆线处,再通过热压设备对准FPC4与触摸屏的导电银浆线,将FPC4绑定到触摸屏上,其主要是通过高温(大于180℃)热压压爆ACF5中的金属粒子,使FPC4与触摸屏的导电银浆线通过金属粒子上下导通。
如图3所示,图3中的阴影区表示触摸屏100’容易发生短路的区域。结合图3和图5所示,贴附于触摸屏100’的导电银浆线3’上面的ACF5,和最外围的干刻线(如图3中阴影区域所示的线)部分重合在一起,这样就导致经高温高压压爆的ACF5金属离子会在干刻线之间,一般干刻线的宽度为0.06mm,金属粒子粒径常见在5~10μm之间,如果该干刻线区域有多个金属粒子聚集或者异物,使干刻线间隙较小,易形成电场。或者在高温高湿(60℃,95%RH)的条件下,易产生水汽,在电场作用下,水汽使地线2’与紧挨的导电银浆线3’之间形成微短路。
下面参考图1详细描述根据本发明实施例的触摸屏的加工方法。
根据本发明实施例的触摸屏的加工方法,包括如下步骤:
S1:在ITO导电膜上制作出ITO图案,需要进行说明的是,在该步骤S1中可以采用现有技术中的任何用于制作出ITO图案的加工方法在ITO导电膜上加工出ITO图案。在本发明的具体示例中,在步骤S1中,在ITO导电膜上丝印蚀刻膏并通过曝光显影工艺制作出ITO图案,从而降低了加工成本。其中在丝印蚀刻膏之前需将分切后的ITO导电膜进行缩水,以保证ITO导电膜的干燥性。
S2:在ITO导电膜的位于ITO图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块,外围银浆地线位于银浆块的外侧,换言之,外围银浆地线是独立丝印出来的。其中丝印外围银浆地线和银浆块在工艺上方式都是一样的,并且都是同时进行丝印的,同时丝印指的是采用一张钢网一次在ITO导电膜上丝印出外围银浆地线和银浆块,丝印出来的外围银浆地线和银浆块分隔开,在丝印完成后,需要对外围银浆地线和银浆块进行烘干,例如可以在132℃,15HZ的条件下进行烘烤。在本发明的一些具体示例中,外围银浆地线和银浆块的厚度为8-12um,外围银浆地线的宽度大于等于0.2mm。
S3:对银浆块进行干刻,以形成各个独立的导电银浆线,多个独立的导电银浆线与ITO图案相连。在本发明的具体示例中,在步骤S3中采用激光干刻机对银浆块进行干刻。
也就是说,根据本发明实施例的外围银浆地线,是独立丝印处来的,导电银浆线是在丝印出来的银浆块上进行干刻而成型的,这样可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离。
根据本发明实施例的触摸屏的加工方法,通过同时丝印出来外围银浆地线和银浆块,并通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线,从而可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离,可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠,从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路,可以避免触摸屏发生跳点不良现象,同时通过采用干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线的加工方式,可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
在本发明的一些具体实施例中,外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线之间的距离大于等于0.1mm。从而可以保证外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离足够长,进而避免发生微短路现象。
根据本发明优选实施例的触摸屏的加工方法包括如下步骤:
第一步:将分切后的ITO导电膜进行缩水后,使用蚀刻膏钢网在ITO导电膜上丝印蚀刻膏,再通过曝光显影工艺,将图案区的ITO黑化掉,保留下来的ITO层,即为ITO电极,以形成ITO图案。
第二步:在ITO导电膜刻蚀空白区域,通过钢网丝印外围银浆地线和银浆块,确保靠近FPC压贴ACF其边缘的银浆为独立丝印的外围银浆地线。
第三步:使用激光干刻机设备对ITO导电膜上的银浆块进行干刻,使之干刻成各个独立的通道。
下面参考图2详细描述根据本发明实施例的触摸屏100。
根据本发明实施例的触摸屏100,包括ITO导电膜1,ITO导电膜1上形成有ITO图案10、多个导电银浆线3和外围银浆地线2,多个导电银浆线3分布在ITO图案10的外围,外围银浆地线2分布在多个导电银浆线3的外围,其中多个导电银浆线3通过对银浆块干刻而成,银浆块和外围银浆地线2丝印在ITO导电膜1上。
在本发明的一些具体示例中,ITO图案10的形成可以采用如下方式:将分切后的ITO导电膜1进行缩水后,使用蚀刻膏钢网在ITO导电膜1上丝印蚀刻膏,再通过曝光显影工艺,将图案区的ITO黑化掉,保留下来的ITO层,即为ITO电极,以形成ITO图案10。
根据本发明实施例的触摸屏100,通过独立丝印出外围银浆地线2,可以有效的拉大外围银浆地线2与距离外围银浆地线2最近的导电银浆线3两者之间的距离,可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠,从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线2和导电银浆线3之间形成微短路,可以避免触摸屏100发生跳点不良现象,同时通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线3,可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
在本发明的一些具体实施例中,外围银浆地线2与距离外围银浆地线2最近的导电银浆线3之间的距离大于等于0.1mm,外围银浆地线2和每个导电银浆线3的厚度均为8-12um,外围银浆地线2的宽度大于等于0.2mm。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种触摸屏的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:在ITO导电膜上制作出ITO图案;
S2:在所述ITO导电膜的位于所述ITO图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块,所述外围银浆地线位于所述银浆块的外侧;
S3:对所述银浆块进行干刻,以形成各个独立的导电银浆线,多个独立的所述导电银浆线与所述ITO图案相连。
2.根据权利要求1所述的触摸屏的加工方法,其特征在于,在所述步骤S1中,在所述ITO导电膜上丝印蚀刻膏并通过曝光显影工艺制作出所述ITO图案。
3.根据权利要求1所述的触摸屏的加工方法,其特征在于,所述外围银浆地线和所述银浆块的厚度为8-12um。
4.根据权利要求1所述的触摸屏的加工方法,其特征在于,在所述步骤S3中采用激光干刻机对所述银浆块进行干刻。
5.根据权利要求1所述的触摸屏的加工方法,其特征在于,所述外围银浆地线的宽度大于等于0.2mm。
6.根据权利要求1所述的触摸屏的加工方法,其特征在于,所述外围银浆地线与距离所述外围银浆地线最近的所述导电银浆线之间的距离大于等于0.1mm。
7.一种触摸屏,其特征在于,包括ITO导电膜,所述ITO导电膜上形成有ITO图案、多个导电银浆线和外围银浆地线,所述多个导电银浆线分布在所述ITO图案的外围,所述外围银浆地线分布在所述多个导电银浆线的外围,其中所述多个导电银浆线通过对银浆块干刻而成,所述银浆块和所述外围银浆地线丝印在所述ITO导电膜上。
8.根据权利要求7所述的触摸屏,其特征在于,所述外围银浆地线与距离所述外围银浆地线最近的所述导电银浆线之间的距离大于等于0.1mm。
9.根据权利要求7所述的触摸屏,其特征在于,所述外围银浆地线和每个所述导电银浆线的厚度均为8-12um。
10.根据权利要求7所述的触摸屏,其特征在于,所述外围银浆地线的宽度大于等于0.2mm。
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Address after: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co

Patentee after: Shenzhen helitai photoelectric Co., Ltd

Address before: 518119 Guangdong province Shenzhen City Dapeng new Kwai town Yanan Road No. 1 building experimental Byd Co

Patentee before: SHENZHEN BYD ELECTRONIC COMPONENT Co.,Ltd.

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