CN105428069A - 一种具有复合固体电解质的固体电解电容器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种具有复合固体电解质的固体电解电容器,由阀金属或阀金属氧化物构成阳极,设置在所述阳极表面上的阀金属氧化物电介质层,以及设置在所述电介质层表面的复合固体电解质构成,该复合固体电解质至少包含二氧化锰第一固体电解质及导电高分子第二固体电解质。使用该复合固体电解质的固体电解电容器不仅具有高工作电压、低漏电流和低等效串联电阻,而且工艺简单、性能可控。
Description
技术领域
本发明属于固体电解电容器制备领域,具体涉及一种具有复合固体电解质的固体电解电容器及其制备方法。
背景技术
商业化的固体电解电容器是以二氧化锰或导电高分子作为固体电解质,其广泛应用于消费电子、物联网、智能通信、微波通信、汽车电子、航空军事等领域。其中以二氧化锰为固体电解质的固体钽电解电容器商业化较早,具有高工作电压、低漏电流等优点,但由于二氧化锰固体电解质的电导率低,因此二氧化锰固体钽电解电容器的等效串联电阻(ESR)高。一种新型导电高分子具有高电导率,以其作为固体电解质的固体铝电解电容器则具有超低等效串联电阻(ESR)、良好的高频特性和高安全性等显著优势,成为固体电解电容器发展的趋势,但它的工作电压明显低于二氧化锰固体钽电解电容器,大大限制了其应用范围。合理利用二氧化锰及导电高分子固体电解质的优点,将可以提供良好综合性能的固体电解电容器。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术存在的不足,提供一种具有复合固体电解质的固体电解电容器及其制备方法。使用该复合固体电解质的固体电解电容器具有高工作电压、低漏电流和低等效串联电阻(ESR),而且制备工艺简单、性能可控。
为了实现以上目的,本发明采用如下技术方案:
一种具有复合固体电解质的固体电解电容器,复合固体电解质设置于阀金属氧化物电介质层表面,至少包含二氧化锰第一固体电解质及导电高分子第二固体电解质。
电介质层的40~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,更优地电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质表面覆盖导电高分子第二固体电解质。
二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.11~10μm,更优地平均厚度为0.5~5μm。导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1,更优地比值为40:1~2:1。
导电高分子第二固体电解质为聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物中的至少一种。
本发明具有复合固体电解质的固体电解电容器,按以下步骤进行制备:
(1)电介质层的制备:在阀金属或阀金属氧化物的阳极表面,通过阳极氧化形成阀金属氧化物,制得电介质层;
(2)复合固体电解质的制备:通过浸渍、喷涂、电泳、印刷等方式,在电介质层的表面形成包含硝酸锰的溶液,并热分解,制备二氧化锰第一固体电解质;在电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质表面,通过化学聚合方法或电化学聚合方法制备导电高分子第二固体电解质,制得复合固体电解质;
(3)固体电解电容器的组装:在复合固体电解质的表面覆盖导电碳层及银层,并组装、封装成固体电解电容器。
步骤(1)中,作为阳极的阀金属为铝、钽、铌、钛中的至少一种,阀金属氧化为一氧化铌;作为电介质层的阀金属氧化物为与阳极对应的三氧化二铝、五氧化二钽、一氧化铌、二氧化钛中的至少一种。
步骤(2)中,电介质层的41~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,更优地电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,且二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.11~10μm,更优地平均厚度为0.5~5μm。
步骤(3)中,电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖导电高分子第二固体电解质。导电高分子第二固体电解质为聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物中的至少一种。导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1,更优地比值为40:1~2:1。
本发明的有益效果在于:使用该复合固体电解质的固体电解电容器,具有高工作电压、低漏电流和低等效串联电阻(ESR),而且制备工艺简单、性能可控。
附图说明
图1表示电介质层表面包含二氧化锰第一固体电解质的俯视图
图2表示电介质层表面包含二氧化锰第一固体电解质的正视图
图3表示电介质层表面包含复合固体电解质的俯视图
图4表示电介质层表面包含复合固体电解质的正视图
1阳极
2电介质层
3二氧化锰第一固体电解质
4导电高分子第二固体电解质
5复合固体电解质
具体实施方式
本发明中,固体电解电容器,由阀金属或阀金属氧化物阳极1,设置在所述阳极1表面上的阀金属氧化物电介质层2,以及设置在所述电介质层表面的复合固体电解质5构成。复合固体电解质至少包含二氧化锰第一固体电解质3及导电高分子第二固体电解质4。
本发明中,电介质层的40~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,更优地电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,电介质的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖导电高分子第二固体电解质。
本发明中,二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.11~10μm,更优地平均厚度为0.5~5μm。导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1,更优地厚度比值为40:1~2:1。
本发明中,导电高分子第二固体电解质为聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物中的至少一种。
本发明中,具有复合固体电解质的固体电解电容器,按以下步骤进行制备:
(1)电介质层的制备:将阀金属或阀金属氧化物阳极,在包含己二酸、磷酸、硼酸或其盐中至少一种的溶液中,通过阳极氧化在阳极表面形成相应的阀金属氧化物,制得电介质层;
(2)复合固体电解质的制备:通过浸渍、喷涂、电泳、印刷等方式,在电介质层的表面形成包含硝酸锰的溶液,再热分解;重复浸渍及热分解多次,制备二氧化锰第一固体电解质;在电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面,通过化学聚合或电化学聚合方法形成导电高分子第二固体电解质,制得复合固体电解质;
(3)固体电解电容器的组装:在复合电解质的表面依次覆盖导电碳层及银层,组装并以环氧模塑料塑封,制备固体电解电容器。
本发明步骤(1)中,作为阳极的阀金属为铝、钽、铌、钛中的至少一种,阀金属氧化为一氧化铌;作为电介质层的阀金属氧化物为与阳极对应的三氧化二铝、五氧化二钽、一氧化铌、二氧化钛中的至少一种。
本发明步骤(2)中,由于固体电解电容器的漏电流和耐电压主要取决于电介质层,因此在电介质层表面先制备二氧化锰第一固体电解质,以提高固体电解电容器的耐电压。再制备导电高分子第二固体电解质,使固体电解电容器保持低等效串联电阻。
本发明步骤(2)中,电介质层的41~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,更优地电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质。当第一固体电解质全部覆盖电介质层的表面,可以完全保护电介质层不与导电高分子第二固体电解质接触,以保证固体电解电容器的耐电压,但是同时也完全阻断了高电导率的导电高分子第二固体电解质与电介质层接触的通道,可能无法很好地保持固体电解电容器低等效串联电阻。同时控制二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.11~10μm,更优地为0.5~5μm,如果平均厚度小于0.11μm,采用浸渍、喷涂等溶液法不能达到要求,就不能保证本发明的工艺可操作性,也不能保证固体电解电容器的耐电压。如果二氧化锰第一固体电解质的平均厚度大于10μm,固体电解电容器的等效串联电阻将太大。
本发明步骤(2)中,导电高分子第二固体电解质必须完全覆盖电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面。如果存在裸露的电介质层,那么下一步骤的导电碳层将直接与电介质层接触而短路,而且固体电解电容器的容量引出率也将降低。导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1,更优地比值为40:1~2:1。
本发明步骤(2)中通过化学聚合方法或电化学聚合方法制备高电导率的导电高分子第二固体电解质。导电高分子第二固体电解质为导电聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物中的至少一种。其中聚吡咯,聚3,4-乙烯二氧噻吩已经应用于商业化的固体电解电容器中。
在本发明中,固体电解电容器中包含复合固体电解质的芯子可以为块状、片状或带状,以叠层或卷绕组装,并封装成块状、片状、柱状外型中的任一种,也可以组装成不规则外型的固体电解电容器。
本发明用下列实施例来进一步说明本发明,但本发明的保护范围并不限于下列实施例。
实施例1
以腐蚀铝箔为阳极,将腐蚀铝箔浸渍于80℃,150g/L己二酸铵溶液中,在35V电压下阳极氧化30min,在腐蚀铝箔表面制备三氧化二铝电介质层。将包含三氧化二铝层的腐蚀铝箔浸渍于0.1mol/L硝酸锰溶液中,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在三氧化二铝层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.1mol/L吡咯及0.1mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,再60℃烘干30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体铝电解电容器。其中三氧化二铝层的40%表面覆盖平均厚度为0.1μm的二氧化锰第一固体电解质,三氧化二铝层的60%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为8μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例2
以腐蚀铝箔为阳极,将腐蚀铝箔浸渍于80℃,150g/L己二酸铵溶液中,在35V电压下阳极氧化30min,在腐蚀铝箔表面制备三氧化二铝电介质层。将包含三氧化二铝层的腐蚀铝箔浸渍于0.1mol/L硝酸锰溶液中,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在三氧化二铝层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.2mol/L吡咯及0.2mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,再60℃烘干30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体铝电解电容器。其中三氧化二铝层的50%表面覆盖平均厚度为0.3μm的二氧化锰第一固体电解质,三氧化二铝层的50%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为18μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例3
以腐蚀铝箔为阳极,将腐蚀铝箔浸渍于80℃,150g/L己二酸铵溶液中,在35V电压下阳极氧化30min,在腐蚀铝箔表面制备三氧化二铝电介质层。将包含三氧化二铝层的腐蚀铝箔浸渍于0.1mol/L硝酸锰溶液中,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在三氧化二铝层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。将二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.3mol/L吡咯及0.3mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,再60℃烘干30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体铝电解电容器。其中三氧化二铝层的60%表面覆盖平均厚度为0.5μm的二氧化锰第一固体电解质,三氧化二铝层的40%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为20μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例4
以腐蚀铝箔为阳极,将腐蚀铝箔浸渍于80℃,150g/L己二酸铵溶液中,在35V电压下阳极氧化30min,在腐蚀铝箔表面制备三氧化二铝电介质层。将包含三氧化二铝层的腐蚀铝箔浸渍于0.1mol/L硝酸锰溶液中,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在三氧化二铝层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.4mol/L吡咯及0.4mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,再60℃烘干30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体铝电解电容器。其中三氧化二铝层的70%表面覆盖平均厚度为1μm的二氧化锰第一固体电解质,三氧化二铝层的30%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为30μm的导电高分子第二固体电解质。
对比例1
以腐蚀铝箔为阳极,将腐蚀铝箔浸渍于80℃,150g/L己二酸铵溶液中,在35V电压下阳极氧化30min,在腐蚀铝箔表面制备三氧化二铝电介质层。铝箔浸渍于0.2mol/L吡咯及0.2mol/L对甲苯磺酸钠的水溶液中5min,再60℃烘干30min,浸渍于0.2mol/L过硫酸铵水溶液中5min,再60℃烘干30min,循环浸渍和烘干5次,以化学聚合方法制备导电高分子第一固体电解质。导电高分子第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.1mol/L吡咯及0.1mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备导电高分子固体铝电解电容器。
实施例5
以烧结钽块为阳极体,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面形成五氧化二钽电介质层。在五氧化二钽层的表面喷涂0.1mol/L硝酸锰溶液,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解2次,在五氧化二钽层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.25mol/L吡咯及0.25mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体钽电解电容器。其中五氧化二钽层的80%表面覆盖平均厚度为2μm的二氧化锰第一固体电解质,五氧化二钽层的20%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为40μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例6
以烧结钽块为阳极体,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面形成五氧化二钽电介质层。在五氧化二钽层的表面喷涂0.1mol/L硝酸锰溶液,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在五氧化二钽层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.25mol/L吡咯及0.25mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体钽电解电容器。其中五氧化二钽层的90%表面覆盖平均厚度为3μm的二氧化锰第一固体电解质,五氧化二钽层的10%表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖平均厚度为30μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例7
以烧结钽块为阳极体,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面形成五氧化二钽电介质层。将五氧化二钽层的表面浸渍于0.1mol/L硝酸锰溶液,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解2次,在五氧化二钽层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。将二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.25mol/L吡咯及0.25mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体钽电解电容器。其中五氧化二钽层的95%表面覆盖平均厚度为5μm的二氧化锰第一固体电解质,五氧化二钽层的5%表面及二氧化锰的表面覆盖平均厚度为25μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例8
以烧结钽块为阳极体,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面形成五氧化二钽电介质层。将五氧化二钽层浸渍0.05mol/L硝酸锰溶液,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在五氧化二钽层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。将二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.25mol/L吡咯及0.25mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体钽电解电容器。其中五氧化二钽层的100%表面覆盖平均厚度为10μm的二氧化锰第一固体电解质,二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖平均厚度为20μm的导电高分子第二固体电解质。
实施例9
以烧结钽块为阳极体,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面形成五氧化二钽电介质层。将五氧化二钽层浸渍于0.05mol/L硝酸锰溶液,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解3次,在五氧化二钽层的表面制备二氧化锰第一固体电解质。将二氧化锰第一固体电解质与外加电极相连接作为阳极,以不锈钢导电电极为阴极,在0.25mol/L吡咯及0.25mol/L对甲苯磺酸钠的溶液中,3mA/cm2恒电流下电化学聚合30min,制备导电高分子第二固体电解质。在导电高分子第二固体电解质表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备固体钽电解电容器。其中五氧化二钽层的100%表面覆盖平均厚度为10μm的二氧化锰第一固体电解质,二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖平均厚度为10μm的导电高分子第二固体电解质。
对比例2
以烧结钽块为阳极,将烧结钽块浸渍于80℃,150g/L磷酸溶液中,在90V电压下阳极氧化30min,在烧结钽块表面制备五氧化二钽电介质层。将五氧化二钽层浸渍于0.5mol/L硝酸锰溶液中,再300℃热分解30min,重复浸渍和热分解5次,在五氧化二钽层的表面覆盖二氧化锰固体电解质。在二氧化锰固体电解质的表面依次涂覆导电碳浆和银浆,组装并用环氧塑封料封装,制备二氧化锰固体钽电解电容器。
表1实施例及对比例的实验效果对比
例子 | 耐电压(V) | 容量(μF) | ESR(mΩ) |
实施例1 | 25 | 21.2 | 56 |
实施例2 | 27 | 21.6 | 53 |
实施例3 | 29 | 22.8 | 52 |
实施例4 | 29 | 22.6 | 43 |
对比例1 | 16 | 21.8 | 40 |
实施例5 | 29 | 22.4 | 41 |
实施例6 | 29 | 22.5 | 42 |
实施例7 | 29 | 22.3 | 45 |
实施例8 | 28 | 22.8 | 43 |
实施例9 | 25 | 20.9 | 121 |
对比例2 | 30 | 22.1 | 300 |
本发明实施例1-4中制备的具有复合固体电解质的固体铝电解电容器,其耐电压均明显较对比例1高。实施例5-9中制备的具有复合固体电解质的固体钽电解电容器,其等效串联电阻(ESR)均明显较对比例2低。特别是实施例3~8,当复合固体电解质中二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.5~5μm,导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为10:1~2:1,固体电解电容器的耐电压、等效串联电阻综合性能最佳。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:所述的复合固体电解质设置于阀金属氧化物电介质层的表面,至少包含二氧化锰第一固体电解质及导电高分子第二固体电解质。
2.如权利要求1所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:电介质层的40~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖导电高分子第二固体电解质。
3.如权利要求1所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖导电高分子第二固体电解质。
4.如权利要求1或2或3所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1。
5.如权利要求1或2或3所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为40:1~2:1。
6.如权利要求1或2或3所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:所述二氧化锰第一固体电解质的平均厚度为0.11μm~10μm,更优地为0.5μm~5μm。
7.如权利要求1所述的具有复合固体电解质的固体电解电容器,其特征在于:所述的导电高分子第二固体电解质为聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚苯乙烯及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物中的至少一种。
8.一种具有复合固体电解质的固体电解电容器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)电介质层的制备:在阀金属或阀金属氧化物的阳极表面,通过阳极氧化形成阀金属氧化物,制得电介质层;
(2)复合固体电解质的制备:在电介质层表面浸渍包含硝酸锰的溶液,再热分解;重复浸渍、热分解,在电介质层表面覆盖二氧化锰第一固体电解质;在电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质表面,利用化学聚合方法或电化学聚合方法形成导电高分子第二固体电解质,制得复合固体电解质;
(3)固体电解电容器的组装:在复合固体电解质的表面覆盖导电碳层及银层,并组装、封装成固体电解电容器。
9.如权利要求8所述的一种具有复合固体电解质的固体电解电容器的制备方法,其特征在于:所述电介质层的41~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,更优地电介质层的80~100%表面覆盖二氧化锰第一固体电解质,电介质层的剩余表面及二氧化锰第一固体电解质的表面覆盖导电高分子第二固体电解质。
10.如权利要求8所述的一种具有复合固体电解质的固体电解电容器的制备方法,其特征在于:所述的导电高分子第二固体电解质的平均厚度与二氧化锰第一固体电解质的平均厚度比值为80:1~1:1,更优地比值为40:1~2:1。
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