CN105390553B - 太阳能电池模块的形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种太阳能电池模块的形成方法，包括：提供一太阳能电池装置；以及形成一等离体子共振结构于该太阳能电池装置之上或之中，其中该等离体子共振结构包括多个平直金属线互相平行。其中形成该等离体子共振结构的步骤包括：将一金属前驱物溶液置入一针头的内管；将一高分子溶液置入该针头的一外管，其中该外管包覆该内管；使该金属前驱物溶液与该高分子溶液同时喷出，形成互相平行的多个平直线材于该太阳能电池装置的一透明基板上，其中所述平直线材各自包括一高分子管包覆一金属前驱物线；以及还原所述平直线材的该金属前驱物线，以形成所述金属线，其中该高分子管包覆所述金属线。

Description

太阳能电池模块的形成方法
技术领域
本发明是关于太阳能电池模块，更特别包含其等离体子(Plasmon)共振结构与其形成方法。
背景技术
太阳能电池可将太阳光转换成电力，进而提供无穷无尽的能源。现今以硅为基底的太阳能电池以单晶硅和多晶硅为主。与结晶性硅太阳能电池相比之下，非晶硅薄膜太阳能电池的成本可降低至2到5倍，但非晶硅在能隙附近对于光的吸收效率并不好，所以如何提升其转换效率便成为重要议题。此外，随着硅芯片越来越薄(2013年180μm，预估2023年降至100μm)，每减少5μm的厚度，采用此硅芯片的太阳能电池的短路电流Jsc则随之下降0.02A(效率降低0.05％)。换言之，硅芯片的厚度越薄，采用其的太阳电池的转换效率越低。综上所述，目前亟需开发可提升太阳能电池的转换效率的材料与制程技术。
发明内容
本发明一实施例提供的太阳能电池模块，包括：太阳能电池装置，以及等离体子(Plasmon)共振结构，位于太阳能电池装置之上或之中，其中等离体子共振结构包括多个平直金属线互相平行。
本发明一实施例提供的太阳能电池模块的形成方法，包括：提供太阳能电池装置；以及形成等离体子共振结构于太阳能电池装置之上或之中，其中等离体子共振结构包括多个平直金属线互相平行。
附图说明
图1A与图1B是本发明实施例中，太阳能电池模块的示意图；
图2A至图2C是分叉、曲折、与断裂的金属线的示意图；
图3A至图3C是本发明实施例中，金属线的排列上视图；
图4是本发明一实施例中，形成线材的装置的示意图；
图5是本发明一实施例中，针头的剖视图；
图6与图7是本发明实施例中，线材的示意图。
【符号说明】
10 太阳能电池装置；
11 等离体子共振结构；
11A 金属线；
41、43 针筒；
42、44 针筒泵浦；
45 针头；
45I 内管；
45O 外管；
47 线材；
47A 金属前驱物线；
47B 高分子管；
101、105 基板；
103 光电转换元件；
103A、103C 电极；
103B 半导体转换层。
具体实施方式
如图1A所示，本发明一实施例的太阳能电池模块包括太阳能电池装置10，以及等离体子共振结构11位于其上。太阳能电池装置10包含基板101与105，以及夹设于两者之间的光电转换元件103。在某些太阳能电池装置10中，光电转换元件103依序为电极103A、半导体转换层103B、以及另一电极103C。在上述结构中，太阳光由电极103A进入，照射半导体转换层103B后产生的电子与空穴分别流向电极103A与103C，即形成电流。为了让太阳光能进入半导体转换层103B，电极103A与103C可为透明材质如ITO，或图案化的不透明材质如金属。上述半导体转换层103B可为铜铟镓硒、铜铟硒、或类似物的薄膜半导体。在本发明一实施例中，半导体转换层103B可为单晶硅、多晶硅、非晶硅、或上述的多层结构。在本发明一实施例中，光电转换元件103为染料太阳能电池(DSSC)结构，其一侧的电极上具有吸附染料的氧化钛粒子，且两侧电极之间夹设电解质。不论采用何种半导体转换层103B，均可形成等离体子共振结构11于入光侧的基板101上。
在本发明一实施例中，等离体子共振结构11是形成于太阳能电池装置10之中。如图1B所示，等离体子共振结构11是形成于电极103A上。在本发明另一实施例中，等离体子共振结构11形成于电极103A与基板101之间(未附图)。在本发明一实施例中，等离体子共振结构11为导电结构，其可作为电极而不需另外形成电极103A。此时多个金属线11A之间需电性连接，以达导电需求。
可以理解的是，除了上述两个电极分别位于光电转换层的相反两侧上的设计以外，电极也可位于光电转换层的同一侧上，端视需要而定。
上述等离体子共振结构11包括多个平直金属线11A互相平行。必需注意的是，上述“平直”指的是金属线11A没有分叉(见图2A)、曲折(zig-zag，见图2B)、与断裂(见图2C)等现象。可以理解的是，上述分叉、曲折、与断裂等现象必然降低等离体子共振的效果。在本发明一实施例中，金属线11A与太阳能电池装置10的长边或宽边平行，且金属线11A的长度与太阳能电池装置10的长度或宽度实质上相同，如图3A与图3B所示。在本发明一实施例中，金属线11A与太阳能电池装置10的长边之间具有非垂直的夹角，如图3C所示。
在本发明一实施例中，太阳能电池装置10具有走线(bus bar)以电性连接多个太阳能电池单元。上述等离体子共振结构11的所有平直金属线11A均与上述走线平行，以增加太阳能电池装置10的转换效率。举例来说，若平直金属线11A与走线交错甚至垂直，则无法有效提升太阳能电池装置10的转换效率。
上述等离体子共振结构11的形成方法可参考申请人早先申请的中国台湾专利申请号TW102125685。如图4所示，将高分子溶液置入针筒41，并将金属前驱物溶液置入针筒43。针筒41连结至针头45的外管45O，而针筒43连结至针头45的内管45I。如图5所示，针头45的外管45O与内管45I的剖面为同心圆。接着施加电压至针头45，使金属前驱物溶液与高分子溶液同时由针头45喷出，形成线材47于基板101上。如图6所示，线材47主要包含金属前驱物线(metal precursor wire)47A，以及包覆金属前驱物线47A的高分子管(polymer tube)47B。上述形成线材47的制程即所谓的静电纺丝法。
在本发明一实施例中，高分子溶液的溶剂为高极性的有机溶剂如甲醇或丙酮，其对应的高分子为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等羟基化合物。此外，可视情况添加盐类如四丁基铵磷酸盐(TBAP)或十六烷基三甲基溴化铵(cetyltrimethylammonium bromide，CTAB)。上述盐类加入溶液中可增加静电纺丝时的极化程度，故可降低整体高分子的使用量。
在本发明一实施例中，盐类的添加量约介于1mg/mL至100mg/mL之间。在本发明另一实施例中，高分子溶液的溶剂为低极性的有机溶剂如四氢呋喃(THF)、甲苯、或氯仿。上述高分子可为聚丙烯腈(Polyacrylonitrile，PAN)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、或乙烯醋酸乙烯共聚物(Ethylene Vinyl Alcohol，EVA)。当高分子溶液的溶剂为高极性的有机溶剂时，在形成金属线后可采用水清洗移除高分子，制程上相对环保。当高分子溶液的溶剂为低极性的有机溶剂时，由于高分子溶液与金属前驱物溶液不互溶，可形成高品质的金属线。在本发明一实施例中，高分子溶液中的高分子浓度介于约100mg/mL至200mg/mL之间。
在本发明一实施例中，金属前驱物溶液包括金属化合物与还原剂。金属化合物可为银化合物(如硝酸银或氧化银)、铂化合物(如氯化铂或氧化亚铂)、金化合物(如氯化金或四氯金酸)、或上述的组合。还原剂的种类取决于金属化合物的种类。举例来说，当金属化合物为硝酸银时，还原剂为乙二醇。当金属化合物为氧化银时，还原剂为氨水。当金属化合物为氯化铂时，还原剂为联胺、硼氢化钠、氢气、或醇类。当金属化合物为氯化金时，还原剂为柠檬酸钠、或维他命C的水溶液。金属化合物的浓度视金属化合物的种类而定。举例来说，硝酸银的浓度约介于1mg/ml至100mg/ml之间，而氧化银的浓度约介于1mg/ml至100mg/ml之间。还原剂的浓度则视还原剂种类而定。举例来说，乙二醇可直接作为高极性有机溶剂，而氨水的浓度约介于1至50wt％之间。
在本发明一实施例中，针头45的内管45I的直径约介于0.5mm至2mm之间，端视所需的金属线的直径而定。在本发明一实施例中，针头45的外管45O与内管45I的直径差距约介于0.01mm至5mm之间。
在本发明一实施例中，施加至针头45的电压约介于10kV至12kV之间。在本发明一实施例中，针头45与基板101之间的距离约介于5cm至50cm之间。通过施加平行电场至基板101，可控制平直且互相平行的线材47其排列周期(即后续还原形成的平直且互相平行的金属线11A其排列周期)。在本发明一实施例中，金属线11A的排列周期介于0.01μm至1000μm之间，以达等离体子共振的效果。若金属线11A的排列周期过大或过小，将无法产生等离体子共振的效果，而无益于增加太阳能电池装置的Jsc。
在本发明一实施例中，通过针筒泵浦42与44控制针筒41与43，进而调整高分子溶液与金属前驱物的流速。举例来说，高分子溶液由针头45喷出的流速约介于0.1mL/hr至5mL/hr之间，而金属前驱物溶液由针头45喷出的流速约介于0.01mL/hr至1mL/hr之间。
经上述步骤后，可将线材47置于室温中的一般大气下，让金属前驱物线47A中的还原剂慢慢还原金属化合物，即形成金属线11A如图7所示。在本发明一实施例中，可于大气下回火线材47，以加速上述还原反应。举例来说，回火温度可约介于100℃至200℃之间。
接着可视情况采用适当溶剂清洗移除包覆金属线11A的高分子管47B。举例来说，当高分子管47B为PVP时，可采用水清洗移除高分子管47B，以保留金属线11A。当高分子管47B为PAN时，可采用THF清洗移除高分子管47B。经上述步骤后即得金属线11A，其直径约介于1nm至400nm之间，且导电率约介于104S/m至107S/m之间。值得注意的是，上述金属线11A的长度无上限，可依需要延伸至所需长度，比如实质上等于太阳能电池装置10的长度或宽度。另一方面，上述清洗移除高分子管47B的步骤并非必要。特别是在等离体子共振结构11形成于太阳能电池装置10(如染料敏化太阳能电池)中，比如等离体子共振结构11形成于电极上而会接触电解质时，高分子管47B可避免电解质侵蚀金属线11A。另一方面，当等离体子共振结构11形成于太阳能电池装置10上时，也可保留高分子管47B以进一步保护金属线11A。可以理解的是，若等离体子共振结构11形成于太阳能电池装置10中并作为电极，则需洗除高分子管47B以达导电效果。
在本发明一实施例中，可将上述针头45整合至喷涂(spray)机台上。以静电纺丝法喷涂形成金属线11A的好处在于更精准的控制金属线11A的图案，且不需额外施加电场以进一步简化制程。
接着在上述含有等离体子共振结构11的基板101上形成光电转换元件103与基板105，形成方法可为黏合等对组装方式。在本发明一实施例中，可先完成太阳能电池装置10后，再于基板101上形成等离体子共振结构11。在本发明一实施例中，可在基板101上先形成电极103A，再依序形成等离体子共振结构11、半导体转换层103B、电极103C、与基板105。不论采用何种方式，等离体子共振结构11均形成于入光侧的基板101上，或入光侧的基板101与半导体转换层103B之间。
经由上述说明，本技术领域中具有通常知识者自可在上述步骤之前、之中、或之后进行其他额外步骤，或省略部分步骤。举例来说，在完成上述结构后，可进一步以封装材料包覆整个太阳能电池模块。在另一实施例中，可先以封装材料包覆太阳能电池装置后，再形成上述的等离体子共振装置于入光侧的封装材料上。此外，可形成额外的导线以电性连接多个太阳能电池装置，再进行上述封装置程。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举数实施例配合所附附图，作详细说明如下：
实施例
以下实施例的针头，其外管管径为1.25mm，内管管径为0.95mm，并以静电纺丝法喷涂方式形成线材。所有线材与金属线的直径均由穿透式电子显微镜(TEM，JEOL JEM-2100F)测量。
实施例1
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表1所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成两条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得两条平行银线(长度为2500nm，直径为500nm，排列间距为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表1所示，其测量方法为ASTM E927。
表1
实施例2
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表2所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成两条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得两条平行银线(长度为50000nm，直径为500nm，排列间距为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表2所示，其测量方法为ASTM E927。
表2
实施例3
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表3所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成两条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得两条平行银线(长度为125000nm，直径为500nm，排列间距为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表3所示，其测量方法为ASTM E927。
表3
实施例4
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表4所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成4条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得4条平行银线(长度为50000nm，直径为500nm，排列周期为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表4所示，其测量方法为ASTM E927。
表4
实施例5
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表4所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成6条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得6条平行银线(长度为50000nm，直径为500nm，排列周期为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表6所示，其测量方法为ASTM E927。
表5
实施例6
取太阳能电池模块(Sunrise Global Solar Energy Company Ltd.，Sunrise156x156Monocrystalline Solar Cell 3Bus Bars)，测量其短路电流与转换效率如表4所示(测量标准为ASTM E927)。
将硝酸银的乙二醇溶液(30mg/mL)置于连接至针头内管的针筒中，并将PVP的甲醇溶液(200mg/mL)置于连接至针头外管的针筒中。通过针筒泵浦控制，内管中的银前驱物溶液流速为0.1mL/hr，而外管中的高分子溶液流速为1mL/hr。经喷涂后，形成8条平行排列的线材(高分子管包覆银前驱物线)于太阳能电池模块其入光侧的基板上。上述线材彼此平行，且与太阳能电池装置的走线(bus bar)平行。将上述线材于150℃下回火10分钟后，以水清洗去除高分子管以得8条平行银线(长度为50000nm，直径为500nm，排列周期为100nm)。上述具有等离体子共振结构于太阳能电池装置上的短路电流与转换效率如表6所示，其测量方法为ASTM E927。
表6
虽然本发明已以数个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，包括：
提供一太阳能电池装置；以及
形成一等离体子共振结构于该太阳能电池装置之上或之中，
其中该等离体子共振结构包括多个平直金属线互相平行，
其中形成该等离体子共振结构的步骤包括：
将一金属前驱物溶液置入一针头的内管；
将一高分子溶液置入该针头的一外管，其中该外管包覆该内管；
使该金属前驱物溶液与该高分子溶液同时喷出，形成互相平行的多个平直线材于该太阳能电池装置的一透明基板上，其中所述平直线材各自包括一高分子管包覆一金属前驱物线；以及
还原所述平直线材的该金属前驱物线，以形成所述金属线，其中该高分子管包覆所述金属线。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该太阳能电池装置具有一走线，且该走线与所述平直金属线平行。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该高分子管包括聚乙烯吡咯烷酮。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，还原所述平直线材的该金属前驱物线的步骤包括一回火步骤。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该回火步骤的温度介于100℃至200℃之间。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，还包括以一溶剂清洗移除该高分子管。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该外管与该内管的剖面为同心圆。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该内管的直径介于0.5mm至2mm之间。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该外管与该内管的直径差距介于0.01mm至5mm之间。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该高分子溶液由针头喷出的流速介于0.1mL/hr至5mL/hr之间。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池模块的形成方法，其特征在于，该金属前驱物溶液由针头喷出的流速介于0.01mL/hr至1mL/hr之间。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108110082B (zh) * 2016-11-24 2019-09-27 中国科学院大连化学物理研究所 一种用于封装柔性太阳能电池栅线电极的装置及封装方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866961A (zh) * 2010-06-09 2010-10-20 中国科学院电工研究所 一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构
CN102637748A (zh) * 2011-02-11 2012-08-15 三菱综合材料株式会社 太阳能电池用敏化剂及利用该敏化剂的太阳能电池

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8866007B2 (en) * 2006-06-07 2014-10-21 California Institute Of Technology Plasmonic photovoltaics
EP2109147A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-14 FOM Institute for Atomic and Molueculair Physics Photovoltaic cell with surface plasmon resonance generating nano-structures
CN101302682A (zh) * 2008-07-03 2008-11-12 吉林邦安宝医用设备有限公司 包埋纳米银的抗菌超细纤维无纺布生产方法及设备
JP2010225798A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Olympus Corp 光電変換半導体装置とその製造方法
CN102496639B (zh) * 2011-12-21 2014-05-14 中国科学技术大学 等离激元增强型中间带太阳能电池及其光电转换薄膜材料

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866961A (zh) * 2010-06-09 2010-10-20 中国科学院电工研究所 一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构
CN102637748A (zh) * 2011-02-11 2012-08-15 三菱综合材料株式会社 太阳能电池用敏化剂及利用该敏化剂的太阳能电池

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