CN105390224A - 制备具有减少的重稀土金属的Nd-Fe-B磁性材料的方法 - Google Patents

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Abstract

制备磁性材料的方法，包括提供含有Nd、Fe和B的芯粉形式的第一材料的步骤。将第一材料与第二材料结合以形成粉末组合物。第二材料包括选自Dy、Tb以及它们的组合的组分。封装粉末组合物以形成封装的粉末组合物。在封装过程中以及之后对粉末组合物施加磁场以排列其中的磁偶极子。在热量下等静压制封装的粉末组合物以形成磁性材料。

Description

制备具有减少的重稀土金属的Nd-Fe-B磁性材料的方法
技术领域
在至少一个方面，本发明一般涉及电动机以及它们的制造，并且更具体地涉及用于形成永磁体的方法，所述永磁体使用稀土(RE)元素以用于改善电动机的功率密度(与感应电动机等相比)，特别是使用重稀土元素例如Dy和Tb以用于改善高温磁性。
背景技术
永磁体被用在多个领域诸如微电子、汽车、医疗设备、发电等中。永磁体典型地由硬磁材料形成，硬磁材料也在汽车、航空航天和电信工业中获得应用。稀土磁体，例如Nd-Fe-B比大多数其他硬磁体具有更高的能量密度。此外，此类磁体被用在汽车应用中，例如启动器、小马达、交流发电机、传感器、仪表以及电动和混合动力车辆推进系统。
烧结稀土磁体通常由粉末金属通过在压力下成形然后烧结而制成。绝大多数硬磁体由铁氧体和Nd-Fe-B形成。铁氧体比较便宜但是只具有适中的磁性。该材料主要用在其中尺寸和重量不是主要设计考量的应用中。
高强度永磁体必备的固有性质包括高饱和磁化强度、大的磁晶各向异性以及合理的高居里温度。这些性质受到例如微观结构、化学组成、磁体尺寸、表面涂层等因素的强烈影响。受微观结构影响的材料性质(例如磁性)包括相和组成分布、晶粒尺寸、晶粒形态和取向、以及晶粒边界。当晶粒尺寸低于被称为单畴限制(singledomainlimit)的临界极限时，退磁困难得多，从而导致优异的硬磁性。该单畴限制与特定的固有磁性(包括各向异性常数和饱和磁化强度)相关。对于Nd-Fe-B磁体来说，单畴限制为约300nm。
用以产生精细尺度微观结构的优选的商业技术为熔融纺丝(meltspinning)。取决于加工参数，熔融纺丝产生包括近似20-30nm的精细、等轴晶粒或无定形结构的微观结构。在进一步加工时保留精细的微观结构以使磁性最优化是至关重要的。各向异性磁体是以晶粒呈优选的晶体学排列(crystallographicalignment)制造的。高度的晶体学排列导致了高能源产品。相比于64MGOe的理论最大值，微观结构的衰退以及可达到的有限的晶体学排列将可商业获得的能源产品限制为约50兆高斯-奥斯特(MGOe)。
烧结的Nd-Fe-B永磁体在低温下具有非常好的磁性。在磁化之后，永磁体处于热力学非平衡状态。外部条件、特别是温度的任何变化，导致向另一种更加稳定的状态的转变。这些转变通常伴随有磁性的变化。由于Nd2Fel4B相的有限的低居里温度，顽磁和内禀矫顽力(intrinsiccoercivity)随着温度升高而迅速降低。存在两种常见手段用来改善Nd-Fe-B永滋体的热稳定性和用来增强磁性，从而获得用于混合动力和电动车辆的紧密的、轻质的和强力的马达。一种手段在于通过添加Co来提高居里温度，所述Co可完全地溶解在Nd2Fe14B相中。然而，具有Co的Nd-Fe-B磁体的矫顽力下降，这可能是由于用于反向畴(reverseddomain)的成核位置。第二种手段在于添加重稀土元素。已知的是在Nd-Fe-B磁体中用镝(Dy)替代钕(Nb)或铁(Fe)导致各向异性场以及内禀矫顽力的增加，和饱和磁化强度的降低(C.S.Herget,Metal，Poed.Rep.V.42，P.438(1987).W.Rodewald,J.Less-CommonMet.，V111，P77(1985).D.Plusa,J.J.Wystocki,Less-CommonMet.V.133，P.231(1987))。据信一旦在晶粒的表面出现反向畴的核，就会立即发生整个晶粒的磁性反转。反向磁畴(Reversemagneticdomain)仅来自于晶粒边界。如果我们可以使得Dy围绕晶粒边界均一地分布，那么矫顽力应会被提高，并且顽磁应不会改变很多。因此，习惯做法是在熔融和合金化之前将重稀土金属例如Dy或Tb添加至混合的金属中。然而，Dy和Tb是非常稀有和昂贵的。在自然界中，很小部分的稀土金属是重RE，而重RE仅含有约2-7％的Dy。Dy的价格最近已经急剧地升高。如果需要甚至更高的磁性，那么就需要Tb，而其比Dy昂贵得多。
烧结的Nd-Fe-B基磁体的理想微观结构为Fe14Nd2B晶粒，其优选地被非铁磁性的富含Nd的相(主要的Nd加上一些Fe4Nd1.1B4的共晶基体和由杂质稳定的Fe-Nd相)隔离。Dy和/或Tb的添加导致了基于Fe、Nd和Dy或Tb的不同三元晶界相的形成。这些相位于晶粒边界区域并且在Fe14Nd2B晶粒的表面上。
用以改善磁性的任何元素的添加应当满足以下条件：1)金属间相应当是非铁磁性的，以分离铁磁性的晶粒；2)金属间相必须比Nd2Fe14B相具有更低的熔点以经由液相烧结制备密致材料；和3)所述元素应当在Nd2Fe14B中具有低溶解度以保持良好的磁性。已知矫顽力会受到Nd2Fe14B晶粒之间的边界相的形态的很大影响。
因此，需要用于制备永磁体、并且特别地是Nd-Fe-B基磁体的改进方法。
发明内容
本发明涉及的项目包括：
1.制备磁性材料的方法，该方法包括：
a)提供包括芯粉的第一材料，所述芯粉含有Nd、Fe和B；
b)将所述第一材料与第二材料结合以形成粉末组合物，所述第二材料包括选自Dy、Tb以及它们的组合的组分；
c)封装所述粉末组合物，以形成封装的粉末组合物；
d)在封装过程中以及之后对所述粉末组合物施加磁场以将其磁化；和
e)等静压制所述封装的粉末组合物，同时加热使得所述粉末组合物的温度从第一温度增加至第二温度，以形成压制的组合物。
2.根据项目1所述的方法，进一步包括：
f)在约500到1000℃的温度下加热和烧结所述压制的组合物。
3.根据项目1所述的方法，进一步包括随后的退火，以进一步稳定微观结构并优化磁性。
4.根据项目3所述的方法，其中所述退火包括在从高温到低温的阶梯式的温度加热所述磁性材料。
5.根据项目1所述的方法，其中等静压制所述封装的粉末组合物的步骤包括在50MPa到350MPa的压力下使用惰性气体压制所述粉末组合物。
6.根据项目1所述的方法，其中所述第一温度是约5℃至约35℃，并且所述第二温度是约500℃至约1000℃。
7.根据项目3所述的方法，其中所述惰性气体是氩气或氮气。
8.根据项目1所述的方法，其中所述封装的粉末是通过将所述粉末组合物放置到模具或胶囊中形成。
9.根据项目1所述的方法，其中封装所述粉末组合物的步骤包括选择性地激光烧结所述粉末组合物，以形成限定预定式样的固体表层。
10.根据项目1所述的方法，其中所述粉末组合物包括布置在所述第一材料上的第二材料的涂层。
11.根据项目10所述的方法，其中所述涂层包括镝、铽或它们的组合。
12.根据项目10所述的方法，其中所述磁性材料包含不均匀分布的Dy、Tb或它们的组合。
13.根据项目1所述的方法，其中所述磁性材料包括平均浓度为约0.3至约6重量％的Dy。
14.根据项目1所述的方法，其中所述磁性材料包括平均浓度为约零至约3重量％的Tb。
15.根据项目1所述的方法，其中所述磁场具有约1至约3特斯拉(T)的磁场强度。
16.根据项目1所述的方法，其中所述第一材料由式Nd2Fe14B描述。
17.根据项目16所述的方法，其中所述第一材料还包括选自Pr、Ga、Co、Cu以及它们的组合的组分。
18.根据项目1所述的方法，其中所述第二材料包括约5至约95重量％的镝和95至5重量％的铽。
19.根据项目18所述的方法，其中所述第二材料还包括选自Fe、B、Pr、Ga、B、Co、Cu以及它们的组合的组分。
20.制备磁性材料的方法，该方法包括：
a)提供含有Nd、Fe和B的芯粉；
b)将所述芯粉与含有稀土金属的粉末结合以形成粉末组合物；
c)封装所述粉末组合物，以形成封装的粉末组合物；
d)对所述粉末组合物施加磁场以将其磁化；
e)在50MPa到350MPa的压力下使用惰性气体等静压制所述封装的粉末组合物，对所述封装的粉末加热使得所述粉末组合物的温度从约5℃至35℃的第一温度增加至约500℃至1000℃的第二温度，以形成压制的组合物；以及
f)在约500至1000℃的温度下加热和烧结所述压制的组合物。
21.根据项目20所述的方法，其中所述含有稀土金属的粉末包括选自镝、铽以及它们的组合的组分。
22.根据项目20所述的方法，其中所述封装的粉末是通过将所述粉末组合物放置到封装模具或胶囊中形成。
23.根据项目20所述的方法，其中封装所述粉末组合物的步骤包括选择性激光烧结所述粉末组合物，以形成限定预定式样的固体表层。
24.根据项目20所述的方法，进一步包括随后的退火，以进一步稳定微观结构并优化磁性。
25.根据项目1所述的方法，其中所述退火包括在从高温到低温的阶梯式的温度对所述磁性材料加热。
本发明通过在至少一个实施方案中提供制备磁性材料的方法来解决现有技术的一个或多个问题。所述方法包括提供芯粉(corepowder)形式的第一材料的步骤，所述芯粉含有Nd、Fe和B。所述第一材料与第二材料结合以形成粉末组合物(combination)。所述第二材料包括选自Dy、Tb以及它们的组合的组分。封装所述粉末组合物，以形成封装的粉末组合物。在封装过程中以及之后对所述粉末组合物施加磁场以排列其中的磁偶极子。等静压制(isostaticallypressed)所述封装的粉末组合物，同时加热使得所述粉末组合物的温度从第一温度增加至第二温度，以形成压制的组合物(composition)。
在另一实施方案中，提供一种制备磁性材料的方法。所述方法包括提供含有Nd、Fe和B的芯粉的步骤。所述芯粉与含有稀土金属的粉末结合以形成粉末组合物。封装所述粉末组合物，以形成封装的粉末组合物。在封装过程中以及之后对所述粉末组合物施加磁场以将其磁化。所述封装的粉末组合物在50MPa到350MPa的压力下由惰性气体等静压制。在该步骤过程中，加热所述封装的粉末使得所述粉末组合物的温度从约5℃至35℃的第一温度增加至约500℃至1000℃的第二温度，以形成压制的组合物。在一些情况下，在第一和第二温度之间存在另外的保温温度，每个温度具有2分钟至2小时的保持时间。最后在约500到1000℃的温度下加热和烧结所述压制的组合物。可能存在另外的阶梯式的保温温度。
有利地，与传统的烧结处理相比，上面阐述的方法允许较低的处理温度和较短的总处理时间以用于使用高压制备磁性材料。较低的温度和较短的处理时间使得能够沿着晶粒边界增加Dy分布，并且增加微观结构中的Dy分布的不均匀性。该分布提高了磁性例如高温下的矫顽力，这对于混合电动车辆中的牵引马达应用来说是至关重要的。
附图简述
图1A-C提供了使用热等静压制备磁性材料的方法的示意性流程图。
发明详述
现将详细地参照本发明的组成、实施方案和方法，其构成发明人目前已知的实施本发明的最佳模式。附图不必是按比例绘制的。然而，将理解的是所公开的实施方案仅为本发明的示例，其可以以不同的和可替代的形式来实施。因此，本文所公开的具体细节不解释为限制性的，而仅作为用于本发明任意方面的代表性基础和/或作为用于教导本领域技术人员来多方面地使用本发明的代表性基础。还将理解，本发明并不限于下述的具体实施方案和方法，因为具体的组分和/或条件当然可以变化。此外，本文所使用的术语仅用于描述本发明的特定实施方案的目的，并不意在以任何方式进行限制。
除了在实施例中，或者另外明确指出时，本说明书中指示材料的量或者反应和/或使用条件的所有数值量均被理解为在描述本发明的最宽的范围中用词语“约”来修饰，其旨在表示多至指示值的±10％。此外，除非明确相反地说明：百分比、“份数”和比率值以重量计；对适用于与本发明有关的给定的目的的材料的组或者种类的描述意味着所述组或者种类中的任意两个或更多个成员的混合是同样合适的；以化学术语描述的成分是指在加入至本说明中所指定的任意组合时的成分，并且不必然排除一旦混合之后混合物的成分之间的化学相互作用；首字母缩略词或其他缩写的首次定义应用于所有本文中后来使用的相同的缩写，并且应用对最初定义的缩写的正常语法变型的必要修正；而且，除非明确相反地说明，性质的测量通过与在先或在后对于相同性质所参照的相同的技术来确定。
还必须注意到，除非在上下文中明确地另外指出，如在说明书和所附的权利要求中所使用的，单数形式的“一种”、“一个”以及“所述”包括复数指示物。例如，提及单数形式的组分，其意图包括多个组分。
在整个本申请中，当引用出版物时，在此通过引用将这些出版物的公开内容以其全部内容并入到本申请中，以更充分地描述本发明所属领域的现有技术。
术语“室温”指的是约5℃至约35℃的范围。
术语“稀土金属”指的是镧系金属、钪和钇。在本发明的上下文中有用的稀土金属是镝(Dy)和铽(Tb)。
本方法使用热等静压(HIP)以形成磁性材料。热等静压是用于改善多种材料例如钛、钢、铝和超合金等的得到确认的方法。HIP是对金属和其他材料同时施加高温和压力指定量的时间以获得固体部件，以用于改善它们的机械性质。在HIP单元中，高温炉被围在压力容器内。温度、压力和处理时间都被精确控制。所述部件在惰性气体、通常是氩气中被加热，所述惰性气体沿各个方向均匀地施加“等压”(isostatic)压力。这使得材料变得“塑性”，其使空隙能够在压差下瓦解。空隙扩散的表面结合在一起以消除该缺陷，其实现了高密度，甚至接近理论密度。
热等静压减少或消除了铸件中的空隙。封装的粉末能够被加固以产生全致密的材料。此外，不同的材料能够被结合在一起以制造独特的、成本有效的组件。有利地，能够制定热等静压参数以最小化后续的热处理需求。典型地，在等静压制中，压力是沿各个方向均匀的或是等压的。材料被加固，用更简单地术语来说，至使空隙瓦解的“塑性状态”。空隙的洁净表面(cleansurface)结合在一起，使得组件或部件更为坚固。瓦解的空隙不会改变或更改部件或组件的形状。热等静压的一个重要特征是金属粉末的界面必须与气态压力介质隔离。这通常通过封装金属粉末而实现。本发明提供两种用于封装的方法：1)用胶囊封存，和2)选择性的激光烧结。
参照图1，提供了描述用于制备磁性材料的方法的示意性流程图。在步骤a)中，提供含有Nd、Fe和B的芯粉形式的第一材料10。在一种变型中，第一材料由式Nd2+/-10％Fe14+/-10％B1+/-10％、并且特别是由Nd2Fe14B描述。在一种细化形式中，第一材料还包括选自Pr、Ga、Co、Cu以及它们的组合的元素。这些附加的元素可以替代Nd和/或Fe和/或B或者是填隙的。在步骤b)中，第一材料与第二材料12结合以形成粉末组合物14。在一些变型中，第二材料12呈粉末的形式。此类粉末可包括颗粒(即非薄片)和/或具有约5至约40的宽度与厚度的纵横比的薄片。典型地，第二材料14包括选自Dy、Tb以及它们的组合的组分。在一种细化形式中，第二材料包含约5至约95重量％的镝和95至5重量％的铽。在另一种细化形式中，第二材料还包含选自Fe、B、Pr、Ga、B、Co、Cu以及它们的组合的元素。
可以利用本领域技术人员已知的用于结合第一材料和第二材料的任意数量的过程。例如，第一材料10可以通过例如物理气相沉积(例如溅射、蒸发等)或化学气相沉积的过程而涂覆有第二材料12的层。在一种细化形式中，机械合金化用于形成粉末组合物14。在典型的机械合金化过程中，粉末组合物在高能球磨机中经受重复的熔焊、破碎和再熔焊。高能研磨机用于促进冷焊所要求的塑性变形并且减少处理时间。机械合金化过程起始于按预定比率将各自以粉末形式提供的第一材料10和第二材料12混合以形成粉末混合物。将该粉末混合物与碾磨介质(例如钢球)一起装载到球磨机中。然后将粉末混合物研磨预定的一段时间。处理参数包括研磨机类型，研磨容器，研磨速度(通常是约50至约400rpm，典型地是约250rpm)，研磨时间(通常是约0.5至约12小时)，碾磨介质(例如硬化钢、不锈钢等)的类型、尺寸和尺寸分布，球和粉末的重量比(通常是约1∶1直至高达约220∶1，典型地是约10∶1)，填充样品瓶(vial)的程度，研磨气氛(例如真空、氮气或氩气)，以及研磨的温度(通常是约室温至约250℃)。在一种变型中，第一材料10和第二材料12各自单独地包括具有约1至约200微米(μm)(以直径计)粒度的颗粒。第一材料10和第二材料12的原料粉末来源包括纯金属、中间合金或预合金化的粉末。
在步骤c)中，将粉末组合物14封装以形成由限定预定式样(pattern)的封装固体表面层18包围的封装的粉末组合物16。可替代地，可将粉末组合物14放置在模具中。在一种变型中，通过封存在低碳钢或能够与金属粉末相容的其他金属的胶囊中来封装粉末组合物14。通过板材金属成形(sheetmetalforming)和熔焊来制备该胶囊。设计该胶囊以给出具有所需形状的全致密磁体。通过使用胶囊作为磁体表面的一部分可制备复合层状磁体。在另一种变型中，通过选择性的激光烧结来实现封装。选择性的激光烧结可制备具有完整的、不透气的表层的复合封装(complexlyencapsulated)的金属部件。然后可通过如下所述的无包套热等静压(container-lesshotisostaticpressing)来将这些部件直接后处理至全致密(fulldensity)。选择性的激光烧结允许由计算机辅助设计(CAD)模型直接制成自由形式的、复合封装的、三维(3-D)的部件。其依赖于作为用于制备复制品，构建在选择的区域内具有材料添加物的层的完整的对象的基础的计算机生成的模型。特别地，通过使用扫描激光束相继地熔合粉末的薄层来生成对象。每个被扫描的层代表该对象的数学上切割的(mathematicallysliced)CAD模型的横截面。高能激光束在磁场下能够将金属粉末直接熔合成具有良好密度(＞70％)的半固体磁性材料部件。在步骤d)中，将来自磁体20的磁场施加给粉末组合物，以排列其中的磁偶极子。在一种细化形式中，在封装过程中和之后(在下述的步骤e和/或f和/或g的过程中)施加磁场。在另一种细化形式中，磁场具有约1至约3特斯拉(T)的磁场强度。
仍然参照图1，在步骤e)中等静压制封装的粉末组合物16，同时加热使得粉末组合物的温度从第一温度增加至第二温度，以形成压制的组合物21。在该步骤中，将封装的粉末组合物16放在等静压制室22中，所述等静压制室22包括加热器24和与等静压制室流体连通的惰性气体源26(例如氩气或氮气)。在一种细化形式中，在热等静压过程中将封装的粉末组合物保持在磁场中，而在另一个细化形式中不是如此。通常，用惰性气体例如氩气或氮气在50MPa到350MPa的压力下等静压制封装的粉末组合物。在一些变型中，在第一和第二温度之间存在另外的保温温度，每个温度具有2分钟至2小时的保持时间。在一种细化形式中，所述第一温度是约5℃至约35℃，并且所述第二温度是约500℃至约1000℃。在另一种细化形式中，所述第一温度是约5℃至约35℃，并且所述第二温度是约500℃至约900℃。在另一种细化形式中，所述第一温度是约5℃至约35℃，并且所述第二温度是约550℃至约800℃。在另一种细化形式中，等静压制封装的粉末组合物，同时从约25℃的温度加热至约1000℃的温度。在步骤f)中，在约500至1000℃的温度下烧结和加热压制的组合物21。在热等静压和热处理之后可使压制的组合物保持在磁体上，或者通过机械加工(machining)或通过其他机械的或化学的方法而将其移除。任选地在步骤g)中，随后将压制的组合物21退火以进一步稳定微观结构并优化磁性。在一种细化形式中，退火包括在高温到低温的阶梯式温度对磁性材料加热。在一种细化形式中，在600至800℃下将组合物退火1至5小时，并然后在300至500℃下退火1至5小时。例如，在700℃下将组合物退火3小时，然后在400℃下退火3小时。
典型地，本实施方案的方法产生了磁性材料，其中第一材料涂覆有第二材料的层。在一种细化形式中，第二材料形成具有约1至约100微米厚度的层。在各种细化形式中，第二材料形成的层具有约为以下的厚度：2至100微米，2至90微米，2至80微米，2至70微米，2至60微米，或者5至20微米(优先性依次递增)。特别地，本文所阐述的方法产生了镝和/或铽的不均匀分布。就此而言，不均匀分布意味着镝和/或铽被分布或集中在粉末颗粒的界面，而颗粒内部具有很少或者没有镝和/或铽。
有利地，上面阐述的方法允许使用与许多现有技术方法相比更少量的镝和/或铽。例如，与常规方法相比，镝和/或铽的量可减少至少2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％或8重量％(优先性依次递增)。与具有相似的高磁性的传统磁体的约6至9重量％相比，磁体和/或粉末组合物14的平均镝和/或铽浓度可以在约0.3至约6重量％、或约0.3至约5重量％、或约0.3至约4重量％、或约0.3至约3重量％的范围内。在一种细化形式中，磁体和/或粉末组合物14包含平均浓度为约零至约3重量％的Tb。涂覆处理产生高达约5至约80重量％或者更多的镝和/或铽的表面浓度，和低的镝和/或铽的本体浓度(即颗粒内部的浓度)的粉末颗粒。如果需要的话，可以有意地添加镝和/或铽或者使其从颗粒表面部分地扩散到粉末颗粒中。然而，颗粒内部的镝和/或铽的本体浓度小于镝和/或铽的表面浓度。将涂覆处理引入到当前的用于粉末冶金的制备中作为额外的步骤。应该理解，在一种细化形式中，可通过磁体的各种热处理、尤其是退火制度而来操控镝和/或铽的浓度分布特征。较长时间或较高温度能够使分布较宽并且较少集中在颗粒表面。
如果需要的话，可以使用Dy或Tb或者它们二者。如果包括Tb，则不需要那么多的Dy。例如，Dy和Tb的组合可以小于约6重量％。Tb在改善磁性方面可比Dy有效得多。然而，应该相对于Tb的显著更高的成本进行平衡。如果需要的话，可以使用多至约10的Dy与Tb的比率。
尽管在上面描述了示例性的实施方案，但是这些实施方案并不旨在描述本发明的所有可能形式。相反，说明书中使用的词语是描述性的而非限制性的词语，并且将理解的是在不背离本发明的精神和范围的情况下可以作出各种改变。另外，各种施行的实施方案的特征可以组合以形成本发明的进一步的实施方案。

Claims (10)

1.制备磁性材料的方法，该方法包括：
a)提供包括芯粉的第一材料，所述芯粉含有Nd、Fe和B；
b)将所述第一材料与第二材料结合以形成粉末组合物，所述第二材料包括选自Dy、Tb以及它们的组合的组分；
c)封装所述粉末组合物，以形成封装的粉末组合物；
d)在封装过程中以及之后对所述粉末组合物施加磁场以将其磁化；和
e)等静压制所述封装的粉末组合物，同时加热使得所述粉末组合物的温度从第一温度增加至第二温度，以形成压制的组合物；以及
f)在约500至1000℃的温度下加热和烧结所述压制的组合物。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括随后的退火，以进一步稳定微观结构并优化磁性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述退火包括在从高温到低温的阶梯式的温度对所述磁性材料加热。
4.根据权利要求1所述的方法，其中等静压制所述封装的粉末组合物的步骤包括在50MPa到350MPa的压力下使用惰性气体压制所述粉末组合物，所述第一温度是约5℃至约35℃，并且所述第二温度是约500℃至约1000℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其中封装所述粉末组合物的步骤包括选择性地激光烧结所述粉末组合物，以形成限定预定式样的固体表层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述粉末组合物包括布置在所述第一材料上的所述第二材料的涂层，所述涂层包括镝、铽或它们的组合。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述磁性材料包含不均匀分布的Dy、Tb或它们的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁性材料包括平均浓度为约0.3至约6重量％的Dy和平均浓度为约零至约3重量％的Tb。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料由式Nd2Fe14B描述。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一材料还包括选自Pr、Ga、Co、Cu以及它们的组合的组分，并且所述第二材料还包括选自Fe、B、Pr、Ga、B、Co、Cu以及它们的组合的组分。
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