CN105376939A - 基板结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种基板结构及其制作方法。该制作方法包括：提供具有上表面的绝缘基材。对绝缘基材的部分上表面照射第一激光光束，以形成第一凹刻图案。第一激光光束为红外光激光光束或光纤激光光束。第一凹刻图案具有改质表面。形成第一金属层于绝缘基材的上表面上。第一金属层覆盖绝缘基材的上表面与第一凹刻图案的改质表面，并填满第一凹刻图案。对第一金属层进行研磨程序，以暴露出绝缘基材的上表面，而定义出第一图案化线路层。第一图案化线路层的第一上表面与绝缘基材的上表面切齐。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板结构及其制作方法，且特别是涉及一种具有较佳导热效果的基板结构及其制作方法。
背景技术
一般来说，在绝缘基材上制作线路层，通常是将线路层制作于绝缘基材的上表面上。因此，当发热元件设置于线路层时，发热元件所产生的热必须通过线路层的厚度以及绝缘基材的厚度才能传递至外界。如此一来，发热元件的散热路径中的热阻较大，无法达到快速导热的效果。
为了解决上述的问题，现有通过研磨的方式降低绝缘基板的厚度；或者是，通过曝光、光刻、蚀刻的方式来制作内埋式的线路层，以减少绝缘基板的厚度，来有效降低散热路径中的热阻。然而，上述的方式都会增加制作工艺步骤，且耗时不易于量产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板结构，具有较佳的导热效果。
本发明还一目的在于提供一种基板结构的制作方法，用以制作上述的基板结构。
为达上述目的，本发明的基板结构的制作方法，其包括以下步骤。提供绝缘基材，其中绝缘基材具有上表面。对绝缘基材的部分上表面照射第一激光光束，以形成第一凹刻图案，其中第一激光光束为红外光激光光束或光纤激光光束，且第一凹刻图案具有一改质表面。形成第一金属层于绝缘基材的上表面上，其中第一金属层覆盖绝缘基材的上表面与第一凹刻图案的改质表面，并填满第一凹刻图案。对第一金属层进行研磨程序，以暴露出绝缘基材的上表面，而定义出第一图案化线路层，其中第一图案化线路层的第一上表面与绝缘基材的上表面切齐。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘基材的材质包括陶瓷(如氧化铝、氮化铝、碳化硅或氮化硅)或玻璃。
在本发明的一实施例中，上述的第一凹刻图案的深度介于绝缘基材的厚度的0.3％至60％之间。
在本发明的一实施例中，上述的形成第一金属层于绝缘基材的上表面的方法为无电电镀法。
在本发明的一实施例中，上述的第一金属层的材质包括铜或镍。
在本发明的一实施例中，上述的基板结构的制作方法还包括：对第一金属层进行研磨程序之后，形成防焊层于第一图案化线路层上，其中防焊层暴露出部分第一图案化线路层；以及形成表面处理层于防焊层所暴露出的第一图案化线路层上。
在本发明的一实施例中，上述的提供绝缘基材时，绝缘基材已具有凹穴(可在绝缘基材制作时，利用冲压方式来形成)，且上表面为立体表面。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘基材还具有相对于上表面的下表面，基板结构的制作方法还包括：形成第一金属层于绝缘基材的上表面上之前，对绝缘基材的部分下表面照射第二激光光束，以形成第二凹刻图案。
在本发明的一实施例中，上述的基板结构的制作方法，还包括：形成第二凹刻图案之后，形成第二金属层于绝缘基材的下表面上，其中第二金属层填满第二凹刻图案，而形成第二图案化线路层，且第二图案化线路层的第二下表面与绝缘基材的下表面切齐。
在本发明的一实施例中，上述的第一凹刻图案的深度介于绝缘基材的厚度的0.3％至40％之间，而第二凹刻图案的深度介于绝缘基材的厚度的0.3％至40％之间。
本发明的基板结构，其包括绝缘基材以及第一图案化线路层。绝缘基材具有上表面以及位于上表面的第一凹刻图案。第一图案化线路层配置于第一凹刻图案内且填满第一凹刻图案，其中第一图案化线路层的第一表面与绝缘基材的上表面切齐。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘基材还具有相对于上表面的下表面以及位于下表面的第二凹刻图案。
在本发明的一实施例中，上述的基板结构还包括：第二图案化线路层，配置于第二凹刻图案内且填满第二凹刻图案，其中第二图案化线路层的一第二下表面与绝缘基材的下表面切齐。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘基材还具有凹穴，且上表面为立体表面。
在本发明的一实施例中，上述的基板结构还包括：防焊层，配置于第一图案化线路层上，其中防焊层暴露出部分第一图案化线路层；以及表面处理层，配置于防焊层所暴露出的第一图案化线路层上。
基于上述，由于本发明的基板结构是通过红外光激光光束或光纤激光光束来于绝缘基材上形成凹刻图案，接着再形成金属层于凹刻图案内，并通过研磨程序而定义出图案化线路层。因此，相较于现有必须通过曝光、光刻及蚀刻的方式来形成内埋式线路而言，本发明的基板结构的制作方法制作工艺步骤简单，可减少制作工艺时间及生产成本，故较适于量产。此外，由于本发明的图案化线路层是配置于绝缘基材的凹刻图案内(意即图案化线路层可视为一种内埋式线路)，因此可减少部分绝缘基材的厚度。当一发热元件配置于图案化线路层上时，发热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构的导热效果。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1E为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图；
图2A为本发明的一实施例的一种基板结构的剖面示意图；
图2B以及图2C为图2A的基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；
图3为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；
图4为本发明的另一实施例的一种基板结构的剖面示意图；
图5为本发明的又一实施例的一种基板结构的剖面示意图。
符号说明
100、100a、100b、100c、100d：基板结构
100b’：子基板结构
110、110’、110”：绝缘基材
111：凹穴
112、112”：上表面
114、114”：下表面
120、120”：第一凹刻图案
120’、120”’：第二凹刻图案
122、122’：改质表面
130：第一金属层
130’：第二金属层
140、140”：第一图案化线路层
140’、140”’：第二图案化线路层
142：第一上表面
142’、142”’：第二下表面
150：防焊层
160：表面处理层
C：切割线
L1：第一激光光束
L2：第二激光光束
具体实施方式
图1A至图1E为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图。请先参考图1E，在本实施例中，基板结构100包括绝缘基材110以及第一图案化线路层140。绝缘基材110具有上表面112以及位于上表面112的第一凹刻图案120。第一图案化线路层140配置于第一凹刻图案120内且填满第一凹刻图案120，其中第一图案化线路层140的第一表面142与绝缘基材110的上表面112切齐。再者，为了有效保护第一图案化线路层140，本实施例的基板结构100可还包括防焊层150与表面处理层160。防焊层150配置于第一图案化线路层140上且暴露出部分第一图案化线路层140，而表面处理层160配置于防焊层150所暴露出的第一图案化线路层140上。
在制作工艺上，依照本实施例的基板结构的制作方法，首先，请参考图1A，提供绝缘基材110，其中绝缘基材110具有上表面112，且此上表面112为平面。在本实施例中，绝缘基材110的材质例如是陶瓷(如氧化铝、氮化铝、碳化硅或氮化硅等等)或玻璃。优选地，绝缘基材110的导热系数介于10W/m.K至300W/m.K之间，且绝缘基材110的厚度介于0.3毫米至3毫米之间。
接着，请参考图1B，对绝缘基材110的部分上表面112照射第一激光光束L1，以形成第一凹刻图案120。特别是，本实施例的第一激光光束L1具体化为红外光激光光束或光纤激光光束，且第一凹刻图案120具有改质表面122。此处，第一凹刻图案120的深度，优选地，介于绝缘基材110的厚度的0.3％至60％之间，且第一激光光束L1的功率，优选地，介于5瓦至100瓦之间。
需说明的是，此处所述的改质表面122实质上为第一凹刻图案120的内壁，且改质表面122的形成是通过第一激光光束L1将绝缘基材110内的非金属物质移除所形成。而，改质表面122的形成目的在于有助于后续第一金属层130(请参考图1C)与绝缘基材110之间的键结力。此外，第一凹刻图案120的形成仅移除绝缘基材110的部分区域的厚度，因此并不影响整体绝缘基材110的结构强度。
接着，请参考图1C，形成第一金属层130于绝缘基材110的上表面112上，其中第一金属层130覆盖绝缘基材110的上表面112与第一凹刻图案120的改质表面122，并填满第一凹刻图案120。此处，形成第一金属层130于绝缘基材110的上表面112的方法具体化为无电电镀法，意即化镀法，而第一金属层130的材质例如是铜、镍或其他适当的金属材料。
之后，请同时参考图1C与图1D，对第一金属层130进行研磨程序，以暴露出绝缘基材110的上表面112，而定义出第一图案化线路层140，其中第一图案化线路层140的第一上表面142与绝缘基材110的上表面112实质上切齐。换言之，此处的第一图案化线路层140可视为一种内埋式线路。
需说明的是，此研磨程序的目的除了可定义出位于第一凹刻图案120内的第一图案化线路层140之外，也可避免所定义出的第一图案化线路层140产生短路的现象。另一方面，也可降低第一图案化线路层140的表面粗度，进而可提升后续的封装品质。此处，研磨程序例如是化学机械研磨制作工艺(chemicalmechanicalpolishing,CMP)或电化学抛光(ElectrochemicalPolish,ECP)。
最后，请参考图1E，为了有效保护第一图案化线路层140以避免产生氧化反应，在对第一金属层130进行研磨程序之后，形成防焊层150于第一图案化线路层140上，其中防焊层150覆盖部分第一图案化线路层140并暴露出部分第一图案化线路层140。此处，防焊层150的目的除了在保护第一图案化线路层140之外，还具有防止第一图案化线路层140产生短路的现象。优选地，防焊层150的材质例如是环氧树脂(epoxy)、聚亚酰胺(Polyimide,PI)或其他适当材料。接着，形成表面处理层160于防焊层150所暴露出的第一图案化线路层140上，可有效保护第一图案化线路层140以避免产生氧化。优选地，可通过溅镀、电镀或化镀等方式来形成表面处理层160，其中表面处理层160例如是金层、银层、锡层、铋层、镍金层、镍银层、钯镍层、镍钯金层、钯铜层或锡铋合金层。至此，已完成基板结构100的制作。
由于本实施例的基板结构100是通过红外光激光光束或光纤激光光束来于绝缘基材110上形成第一凹刻图案120，接着再形成金属层130于第一凹刻图案120内，并通过研磨程序而定义出第一图案化线路层140(可视为一种内埋式线路)。因此，相较于现有必须通过曝光、光刻及蚀刻的方式来形成内埋式线路而言，本实施例的基板结构100的制作方法制作工艺步骤简单，可减少制作工艺时间及生产成本，故较适于量产。
此外，由于本实施例所采用的绝缘基材110的导热系数较大(即介于10W/m.K至300W/m.K之间)，因此本实施例的绝缘基材110可视为是一种高导热绝缘基材。再者，由于本实施例的图案化线路层140是配置于绝缘基材110的第一凹刻图案120内，因此可减少部分绝缘基材110的厚度，但对于整体基板结构100的结构强度并不影响。故，当发热元件(未绘示)配置于第一图案化线路层140上时，发热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材110(意即原来绝缘基材110的厚度扣除第一图案化线路层140的厚度之后所剩下的绝缘基材110的厚度)而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构100的导热效果。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A为本发明的一实施例的一种基板结构的剖面示意图。请同时参考图1E与图2A，本实施例的基板结构100a与图1E中的基板结构100相似，但是二者主要差异之处在于：本实施例的绝缘基材110’还具有相对于上表面112的下表面114以及位于下表面114的第二凹刻图案120’，其中第二图案化线路层140’配置于第二凹刻图案120’内且填满第二凹刻图案120’。优选地，第二图案化线路层140’的第二下表面142’与绝缘基材110’的下表面114实质上切齐。
在制作工艺上，可在图1B的步骤之后且在图1C的步骤之前，意即，在形成第一凹刻图案120之后且在形成第一金属层130于绝缘基材110的上表面112上之前，请参考图2B，对绝缘基材110’的部分下表面114照射第二激光光束L2，以形成第二凹刻图案120’，其中第二凹刻图案120’具有改质表面122’。此处，如图2B所示，本实例的第二凹刻图案120’的深度实质上大于第一凹刻图案120的深度，但并不以此为限。优选地，第一凹刻图案120的深度介于绝缘基材110’的厚度的0.3％至40％之间，而第二凹刻图案120’的深度介于绝缘基材110’的厚度的0.3％至40％之间。接着，请参考图2C，形成第一金属层130于绝缘基材110’的上表面112上，其中第一金属层130覆盖绝缘材110’的上表面112上。接着，形成第二金属层130’于绝缘基材110’的下表面114上，其中第二金属层130’覆盖绝缘基材110’的下表面114与第二凹刻图案120’的改质表面122’，并填满第二凹刻图案120’。
需说明的是，此处形成第二金属层130’的步骤是在形成第一金属层130的步骤之后。但是，在其他实施例中，第二金属层130’的形成步骤也可在形成第一金属层130的步骤之前；或者是，第一金属层130与第二金属层130’同时形成。换言之，第一金属层130与第二金属层130’若同时形成，则第一金属层130与第二金属层130’的材质可相同；若第一金属层130与第二金属层130’不是同时形成，则第一金属层130与第二金属层130’的材质可相同或不同。
再者，若是第一金属层130与第二金属层130’同时制作，即第一金属层130与第二金属层130’采用相同材质，由于第一凹刻图案120的深度小于第二凹刻图案120’的深度，因此可于第一金属层130填满第一凹刻图案120且覆盖绝缘基材110’的上表面112时，先贴附于阻挡层(如胶带)于第一金属层130上，而后再继续让第二金属层130’填满第二凹刻图案120’且覆盖绝缘基材110’的下表面114。此作法可减少后续研磨第一金属层130的时间。或者是，使第二金属层130’填满第二凹刻图案120’且覆盖绝缘基材110’的下表面114，此时第一金属层130也已填满第一凹刻图案120且覆盖绝缘基材110’的上表面112，但上述的作法在后续研磨第一金属层130时所需时间较多。
值得一提的是，虽然在此是通过在绝缘基材110’的部分下表面114照射第二激光光束L2来形成第二凹刻图案120’。但于其他实施例中，也可以是直接提供具有第二凹刻图案120’的绝缘基材110’，意即利用冲压方式来形成具有第二凹刻图案120’的绝缘基材110’，可省去制作第二凹刻图案120’的制作工艺步骤，可有效减少基板结构100a的制作步骤及降低生产成本。
之后，如图1D的步骤，对第一金属层130以及第二金属层130’分别进行研磨程序，以暴露出绝缘基材110’的上表面112与下表面114，而分别定义出第一图案化线路层140以及第二图案化线路层140’，请参考图2A。详细来说，第一图案化线路层140的第一上表面142与绝缘基材110’的上表面112实质上切齐，第二图案化线路层140’的第二下表面142’与绝缘基材110’的下表面114实质上切齐。最后，再进行图1E的步骤，意即形成防焊层150与表面处理层160，即可完成基板结构100a的制作。
由于本实施例的绝缘基材110’的上表面112与下表面114上分别配置有内埋的第一图案化线路层140与第二图案化线路层140’，因此可有效减少部分绝缘基材110’的厚度。再者，第二凹刻图案120’的深度大于第一凹刻图案120的深度，因此当第一金属层130与第二金属层130’分别形成第一凹刻图案120与第二凹刻图案120’内，而定义出第一图案化线路层140与第二图案化线路层140’时，第二图案化线路层140’相较于第一图案化线路层140可具有较佳的散热效果。故，当发热元件(未绘示)配置于第一图案化线路层140上时，发热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材110’(意即原来绝缘基材110’的厚度扣除第一图案化线路层140的厚度及/或第二图案化线路层140’的厚度之后所剩下的绝缘基材110’的厚度)，以及利用第二图案化线路层140’的高导热系数(意即第二图案化线路层140’的导热系数大于绝缘基材110’的导热系数)，而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构100a的导热效果。
图3为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。请同时参考图1E与图3，本实施例的基板结构100b与图1E中的基板结构100相似，本实施例的基板结构100b为半成品。详细来说，于图1E的步骤之后，意即于形成防焊层150与表面处理层160之后，也可对绝缘基材110’相对于上表面112的下表面114照射第二激光光束L2，而形成第二凹刻图案120’。此处，形成第二凹刻图案120’的目的在于减少绝缘基材110’的厚度。最后，在沿着切割线C来切割绝缘基材110’，而形成多个子基板结构100b’。此时，子基板结构100b’的厚度相较于原来的绝缘基材110’的厚度明显小很多，故子基板结构100b’可视为一种超薄高导热的基板结构。
图4为本发明的另一实施例的一种基板结构的剖面示意图。请同时参考图1E与图4，本实施例的基板结构100c与图1E中的基板结构100相似，二者主要差异之处在于：本实施例的绝缘基材110”还具有凹穴111，且上表面112”具体化为立体表面，如图4所示，上表面112”是有平面以及围绕此平面的斜面所组成。详细来说，凹穴111可通过照射激光光束的方式来形成，此时，绝缘基材110”的上表面112”为立体表面。接着，再如图1B的步骤，在对绝缘基材110”的部分上表面112”照射第一激光光束L1，以形成第一凹刻图案120”。之后，接续图1C至图1E步骤，即可完成基板结构100c的制作。
由于本实施例的绝缘基材110”的上表面112”为立体表面，且第一凹刻图案120”是沿着凹穴111来设置，因此后续所定义出的第一图案化线路层140”可视为立体的内埋式线路。此外，凹穴111的设置可降低部分绝缘基材110”的厚度，因此当发热元件(未绘示)设置于第一图案化线路层140”上时，热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材110”而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构100c的导热效果。
图5为本发明的又一实施例的一种基板结构的剖面示意图。请同时参考图4与图5，本实施例的基板结构100d与图4中的基板结构100c相似，二者主要差异之处在于：本实施例的绝缘基材110”还具有相对于上表面112”的下表面114”以及位于下表面114”的第二凹刻图案120”’，其中第二图案化线路层140”’配置于第二凹刻图案120”’内且填满第二凹刻图案120”’。优选地，第二图案化线路层140”’的第二下表面142”’与绝缘基材110”的下表面114”实质上切齐。制作工艺上，第二凹刻图案120”’与第二图案化线路层140”’的形成方式同图2B与图2C的制作步骤。
由于本实施例的绝缘基材110”的上表面112”与下表面114”上分别配置有内埋的第一图案化线路层140”与第二图案化线路层140”’以及凹穴111，因此可有效减少部分绝缘基材110”的厚度。故，当发热元件(未绘示)配置于第一图案化线路层140”上时，发热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材110”以及第二图案化线路层140”’的高导热系数，而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构100d的导热效果。
由于本发明的基板结构是通过红外光激光光束或光纤激光光束来于绝缘基材上形成凹刻图案，接着再形成金属层于凹刻图案内，并通过研磨程序而定义出图案化线路层。因此，相较于现有必须通过曝光、光刻及蚀刻的方式来形成内埋式线路而言，本发明的基板结构的制作方法制作工艺步骤简单，可减少制作工艺时间及生产成本，故较适于量产。此外，由于本发明的图案化线路层是配置于绝缘基材的凹刻图案内(意即图案化线路层可视为一种内埋式线路)，因此可减少部分绝缘基材的厚度。当发热元件配置于图案化线路层上时，发热元件所产生的热可经过较薄厚度的绝缘基材而传递至外界，因此可有效降低散热路径中的热阻，进而可提高基板结构的导热效果。
虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
Claims (15)
1.一种基板结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供绝缘基材，该绝缘基材具有上表面；
对该绝缘基材的部分该上表面照射第一激光光束，以形成第一凹刻图案，其中该第一激光光束为红外光激光光束或光纤激光光束，且该第一凹刻图案具有改质表面；
形成第一金属层于该绝缘基材的该上表面上，其中该第一金属层覆盖该绝缘基材的该上表面与该第一凹刻图案的该改质表面，并填满该第一凹刻图案；以及
对该第一金属层进行研磨程序，以暴露出该绝缘基材的该上表面，而定义出第一图案化线路层，其中该第一图案化线路层的第一上表面与该绝缘基材的该上表面切齐。
2.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，该绝缘基材的材质包括陶瓷或玻璃。
3.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，该第一凹刻图案的深度介于该绝缘基材的厚度的0.3％至60％之间。
4.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，形成该第一金属层于该绝缘基材的该上表面的方法为无电电镀法。
5.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，该第一金属层的材质包括铜或镍。
6.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，还包括：
对该第一金属层进行该研磨程序之后，形成防焊层于该第一图案化线路层上，其中该防焊层暴露出部分该第一图案化线路层；以及
形成表面处理层于该防焊层所暴露出的该第一图案化线路层上。
7.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其特征在于，提供该绝缘基材时，该绝缘基材已具有凹穴，且该上表面为立体表面。
8.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该绝缘基材还具有相对于该上表面的下表面，其特征在于，还包括：
形成该第一金属层于该绝缘基材的该上表面上之前，对该绝缘基材的部分该下表面照射第二激光光束，以形成第二凹刻图案。
9.如权利要求8所述的基板结构的制作方法，其特征在于，还包括：
形成该第二凹刻图案之后，形成第二金属层于该绝缘基材的该下表面上，其中该第二金属层填满该第二凹刻图案，而形成第二图案化线路层，且该第二图案化线路层的第二下表面与该绝缘基材的该下表面切齐。
10.如权利要求8所述的基板结构的制作方法，其特征在于，该第一凹刻图案的深度介于该绝缘基材的厚度的0.3％至40％之间，而该第二凹刻图案的深度介于该绝缘基材的厚度的0.3％至40％之间。
11.一种以权利要求1所述的基板结构的制作方法所制作的基板结构，其特征在于，包括：
绝缘基材，具有上表面以及位于该上表面的第一凹刻图案；以及
第一图案化线路层，配置于该第一凹刻图案内且填满该第一凹刻图案，其中该第一图案化线路层的第一表面与该绝缘基材的该上表面切齐。
12.如权利要求11所述的基板结构，其特征在于，该绝缘基材还具有相对于该上表面的下表面以及位于该下表面的第二凹刻图案。
13.如权利要求12所述的基板结构，其特征在于，还包括：
第二图案化线路层，配置于该第二凹刻图案内且填满该第二凹刻图案，其中该第二图案化线路层的第二下表面与该绝缘基材的该下表面切齐。
14.如权利要求11所述的基板结构，其特征在于，该绝缘基材还具有凹穴，且该上表面为立体表面。
15.如权利要求11所述的基板结构，其特征在于，还包括：
防焊层，配置于该第一图案化线路层上，其中该防焊层暴露出部分该第一图案化线路层；以及
表面处理层，配置于该防焊层所暴露出的该第一图案化线路层上。
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