CN105374735A - 通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征 - Google Patents

通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征 Download PDF

Info

Publication number
CN105374735A
CN105374735A CN201510489712.9A CN201510489712A CN105374735A CN 105374735 A CN105374735 A CN 105374735A CN 201510489712 A CN201510489712 A CN 201510489712A CN 105374735 A CN105374735 A CN 105374735A
Authority
CN
China
Prior art keywords
feature
coating solution
substrate
patterning
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510489712.9A
Other languages
English (en)
Inventor
罗特莎娜·李玛丽
尼莉莎·德雷格
黛安·海姆斯
理查德·戈特斯古
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN105374735A publication Critical patent/CN105374735A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02301—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment in-situ cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76837—Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明涉及通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征，具体提供了一种方法，其包括在湿式清洁了半导体衬底之后并且在湿式清洁之后不执行干燥步骤的情况下沉积膜溶液到半导体衬底的图案化的特征上湿式清洁。膜溶液包括电介质膜前体或包括反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体。该方法包括通过加热衬底到烘烤温度将至少一种溶剂和未反应的溶液烘烤出由膜溶液形成的膜。该方法包括固化衬底。

Description

通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征
技术领域
本公开涉及衬底处理方法，更具体而言，涉及用于在衬底上沉积膜的方法。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。当前所冠名的发明人的工作(一定程度上在该背景部分中有所描述)以及在提交申请时可能没有资格作为现有技术的本说明书的方面，既不能明显地也不能隐含地被当做针对本发明的现有技术。
衬底(如半导体晶片)的制造通常需要多个处理步骤，该多个处理步骤可包括材料沉积、平坦化、特征图案化、特征蚀刻和特征清洁。在衬底的处理期间，这些处理步骤通常重复一次或更多次。
随着半导体装置不断缩小到更小的特征尺寸，越来越需要高深宽比(HAR)结构以达到预期的器件性能目标。使用HAR结构对于一些衬底处理步骤产生了挑战。例如，诸如蚀刻和清洁之类的湿式处理对于HAR结构带来了归因于衬底的干燥期间所产生的毛细管力所产生的问题。毛细管力的强度取决于表面张力、正在进行干燥的蚀刻流体、清洁流体或冲洗流体的接触角、特征分隔和/或特征的深宽比。如果在干燥过程中所产生的毛细管力过高，则HAR特征将会变得收紧或塌毁到彼此上且可能会发生静摩擦，这严重地降低了器件的成品率。
为了解决这个问题，一种方法使用具有比去离子水更低的表面张力的冲洗流体，以防止特征塌毁。虽然该方法对于相对低的深宽比结构一般是成功的，但这种方法也有与使用去离子水的方法同样的塌毁和静摩擦问题。冲洗流体仍产生有限量的表面张力，该有限量的表面张力在干燥期间生成力，该力对于脆弱的HAR结构而言依然过强。
用于干燥HAR结构的另一种方法涉及用超临界流体溶解和冲洗冲洗流体。超临界流体在正常处理时不会产生表面张力。然而，在使用超临界流体时会产生一些技术上和制造上的挑战。这些挑战包括：高的设备和安全成本、长的处理时间、在处理期间会变化的溶剂质量、由于流体的扩散性和可调性所带来的极端敏感性、以及由于超临界流体与处理腔室的组件的相互作用所产生的晶片缺陷/污染问题。
用于防止在处理期间HAR结构塌毁的另一种方法是添加机械支撑。然而，这种方法通常具有较高的成本和工艺复杂性，这会对吞吐量和产量产生不利影响。此外，机械支撑受限于特定类型的图案化特征。
发明内容
本发明提供了一种方法，该方法包括在湿式清洁半导体衬底之后且在湿式清洁之后不执行干燥步骤的情况下沉积膜溶液到半导体衬底的图案化特征上。所述膜溶液包括电介质膜前体或反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体。所述方法包括通过加热所述衬底到烘烤温度，将至少一种溶剂和未反应溶液烘烤出由所述膜溶液形成的膜。
在其它特征中，所述方法包括，在沉积所述膜溶液之前且在干法清洁之后，用冲洗流体冲洗所述图案化的特征。所述冲洗流体包括水、含水的醇和极性溶剂中的至少一种。
在其它特征中，所述方法包括在烘烤所述膜之后固化所述衬底。所述固化包括加热、热退火、紫外线(UV)固化、等离子体固化或化学反应固化中的至少一种。所述固化的固化温度大于所述烘烤温度。
在其它特征中，所述方法包括使用旋涂方法施加所述膜溶液到所述图案化的特征。
在其它特征中，沉积所述膜溶液包括：用第一溶液预先湿润所述半导体衬底；使用所述膜溶液置换所述第一溶液；以及使用旋涂机旋涂所述衬底。所述置换和所述旋涂以连续、同时以及重叠的方式中的一种方式进行。
在其它特征中，所述膜溶液的所述电介质膜前体包括聚硅氮烷。所述图案化的特征包括至少一种高深宽比(HAR)特征。所述至少一种高深宽比(HAR)特征的深宽比大于或等于8。
一种方法包括在湿式清洁半导体之后并且在湿式清洁后不执行干燥步骤的情况下用冲洗流体冲洗半导体衬底的图案化特征湿式清洁。该方法包括使用膜溶液至少部分置换在所述图案化的特征上的所述冲洗流体。所述膜溶液包括电介质膜前体或反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体。所述方法包括通过加热所述衬底到烘烤温度，将至少一种溶剂和未反应溶液烘烤出由所述膜溶液形成的膜。所述方法包括在烘烤所述膜之后固化所述衬底。
在其它特征中，所述冲洗流体包括水、含水的醇和极性溶剂中的至少一种。所述固化包括加热、热退火、紫外线(UV)固化、等离子体固化或化学反应固化中的至少一种。所述固化的固化温度大于所述烘烤温度。
在其它特征中，所述方法包括使用旋涂方法施加所述膜溶液到所述图案化的特征。所述膜溶液的所述电介质膜前体包括聚硅氮烷。所述图案化的特征包括至少一种高深宽比(HAR)特征。所述至少一种高深宽比(HAR)特征的深宽比大于或等于8。
本公开的进一步的适用范围将会从详细描述、权利要求和附图中变得显而易见。详细叙述以及具体实施例旨在仅供说明，而并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细说明和附图，会更充分地理解本发明，其中：
图1是包括高深宽比(HAR)结构的衬底的一个实施例的侧剖视图；
图2A-2D是根据本公开的在使用旋涂膜进行的特征填充期间的包括HAR结构的衬底的一个实施例的侧剖视图；
图3是根据本公开的使用旋涂膜对HAR结构进行特征填充的方法的一个实施例；
图4是根据本公开的用于在衬底的HAR结构上置换并沉积旋涂膜的方法的一个实施例；和
图5A-5C示出了根据本公开的在衬底的HAR结构上置换并沉积旋涂膜的一个实施例。
在附图中，附图标记可以被重复使用，以确定相似和/或相同的元件。
具体实施方式
根据本公开的系统和方法使得能够在晶片湿式清洁步骤后并且没有事先干燥步骤的情况下，使用旋涂膜沉积对HAR结构进行无塌陷特征填充。所述方法通过在湿式清洁后保持表面湿润并转换到用于旋涂膜的液体前体，消除了在干燥过程中发生的在HAR特征之间的蒸气/液体界面。干燥过程中所产生的毛细管力被消除，并且HAR结构能够使用旋涂膜在没有塌陷也没有静摩擦的情况下填充。
仅作为示例，用于膜沉积的方法可以在清洁轨道上执行。在湿式清洁后，衬底可以用后冲洗流体冲洗。在一些实施例中，后冲洗流体包括水、含水的醇或极性溶剂，其保持在具有HAR特征的表面上。旋涂机可用于旋涂膜溶液，该膜溶液包括膜前体或包括溶剂、反应物、表面活性剂或载体液体中的至少一种和膜前体。如果使用反应物化学品的话，则反应物化学品与膜前体反应以创建固体膜。
仅作为示例，热板或其它固化方法可用于驱除在膜中的过量的或未反应的液体。在一些实施例中，沉积的膜可以是电介质膜。仅作为示例，该溶液可以是电介质溶液，该电介质溶液包括在含水醇溶液中的电介质膜前体。在衬底上的润湿体积由膜溶液置换(displace)。选择膜溶液以通过润湿表面扩散，从而提供自底向上的填充。在一些实施例中，如在浅沟槽隔离(STI)、预金属电介质(PMD)或金属间电介质(IMD)应用中，该膜溶液以有助于间隙填充的方案进行操作。在可替换的方法中，只有膜前体被沉积，并且扩散/反应通过润湿层发生。
如可以理解的，本文所描述的方法使得能在湿式清洁后并且没有事先干燥上面沉积膜的表面的情况下，将诸如电介质膜之类的膜沉积到诸如半导体晶片之类的衬底的图案化的表面上。这种方法避免了具有在湿式清洁后的干燥过程中HAR特征塌陷或变得收紧的问题。这种方法还通过减少干燥衬底所需的步骤来提高工艺产量。
现在参考图1，示出了包括高深宽比(HAR)结构的衬底10的实施例。衬底10是半导体衬底，其包括下伏衬底层14、半导体器件16、预金属电介质(PMD)层18、一个或多个金属间电介质(IMD)层20-1,20-2以及20-N(统称IMD层20)、和HAR结构24，其中N是大于零的整数。在一些实施例中，HAR结构24可包括窄沟槽(例如20纳米的沟槽)。在一些实施例中，HAR结构24可具有的深宽比≥8，10，12，15，20或50。虽然示出了衬底的一个具体实施例，但这里描述的方法可以用于用膜填充具有图案化的表面的其它类型的衬底。
现在参考图2A-2D，显示了在执行晶片湿式清洁步骤之后在用膜对HAR结构进行特征填充期间的包括HAR结构110的衬底的实施例。该特征填充可以不经事先干燥的步骤进行。在湿式清洁步骤之后，流体保留在HAR结构110上。后冲洗流体118可以用于冲洗衬底100。后冲洗流体118可包括水、含水的醇或其它极性溶剂。如图2B所示，膜溶液122被沉积在HAR结构110上，并且后冲洗流体118被置换。膜溶液122可包括膜前体或包括反应物、溶剂、载体液体或表面活性剂中的至少一种和膜前体。
在一些实施例中，膜溶液是电介质膜溶液。在一些示例中，电介质膜可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、氧化铝、氧化铪、低k电介质、或多孔电介质。在一些实施例中，膜溶液是旋涂膜溶液。在一些实施例中，膜前体包括一个或多个聚硅氮烷，但也可以使用其它膜前体。在一些实施例中，膜溶液可包括将与膜前体起化学反应的其它的反应物，例如水、过氧化物或醇。在一些实施例中，膜溶液还可以包括可分别加快或减慢与膜前体的化学反应的催化剂或抑制剂。在一些实施例中，载体流体可以包括水、含水的醇、溶剂、表面活性剂或其它的载体流体。
如图2C所示，溶剂和由膜溶液产生的膜中的过量的或未反应的液体被从膜烘烤出来，从而留下未固化的电介质层128。之后，可执行固化步骤或其它处理。
在一些实施例中，衬底的溶剂烘烤会在比随后的固化步骤低的温度下发生。仅作为示例，固化可以包括加热、热退火、紫外线(UV)固化、等离子体固化或化学反应性固化。仅作为示例，衬底可在高温(如在≥300℃-800℃的温度)下并且/或者在氧气、臭氧、蒸汽或其它含氧气体的存在下固化。仅作为示例，所述溶剂烘烤可以在75℃和300℃之间的温度(例如150℃)下进行。
现在参考图3，示出了在湿式清洁步骤后用膜对HAR结构进行特征填充的方法200的实施例。可以在没有事先干燥步骤的情况下执行特征填充。在202，在衬底的湿式清洁后，干燥步骤被跳过。在206，湿式清洁步骤后剩余的流体被置换并被替代为膜溶液，该膜溶液包括膜前体或包括反应物、溶剂、载体流体和表面活性剂中的至少一种和膜前体。在210，溶剂和过量的或未反应的液体被从膜烘烤出来。在214，可执行固化步骤。
仅作为示例，水解的前体可被用于在具有H2O或醇的溶液中形成Si(OH)3R'。水解的前体扩散到溶液中到达预润湿的衬底上。聚合发生在润湿的衬底上以形成SiCOH膜。仅举例来说，水解的前体可用于在具有H2O的溶液中形成Si(OH)4。水解的前体扩散到溶液中到达预润湿的衬底上。聚合发生在润湿的衬底上以形成SiO2或SiOxHy膜。仅举例来说，可以使用未水解的前体，其然后与在膜溶液中的H2O或醇发生反应。水解和聚合发生在润湿的衬底上，以形成膜。在这些实施例中，膜溶液发生反应以在润湿的衬底上形成溶胶、凝胶或固体膜。
现在参考图4，示出了用于置换和沉积膜溶液的方法220的一个实施例。在222，衬底被用后冲洗流体冲洗，后冲洗流体如水、含水的醇溶液或极性溶剂。在224，膜前体或反应物、溶剂、载体液体和表面活性剂中的至少一种和膜前体被分配以置换在衬底上的后冲洗流体。在226，衬底通过旋涂机或其他设备转动以均匀地分配流体并除去过量的液体。置换和旋转可顺序地发生、同时发生和/或以重叠的方式发生。
现在参考图5A-5C，置换和沉积电介质溶液的一个实施例被示出。如图5A所示，衬底250被布置在旋涂机254上，例如水、含水的醇或极性溶剂之类的后冲洗流体从流体源260沉积到衬底250上。如图5B所示，包括膜前体或包括溶剂、反应物、载体流体和表面活性剂中的至少一种和膜前体的膜溶液268沉积在衬底250上。可以理解的是，间隙填充的变化可以通过改变膜溶液中的膜前体的浓度、膜溶液中的反应物的浓度、膜溶液的表面张力、膜溶液的亲水性、润湿时间、和旋转(spin-off)速度来进行。
如图5C所示，旋转旋涂机254以在衬底250上均匀分布膜溶液。置换和旋转可顺序地发生、同时发生和/或以重叠的方式发生。包括膜前体或包括膜前体和载体流体的溶液268中的一些保留在衬底250上。包括膜前体或包括膜前体和载体流体的溶液268中的一些可以被转移到旋涂机254的表面上。
前面的描述在本质上仅仅是说明性的并且不意图以任何方式限制本公开、其应用、或其用途。本公开的广泛教导可以以多种形式实现。因此，尽管本公开包括特定的实施例，但本公开的真实范围不应因此被限制，因为在研究附图、说明书以及所附的权利要求后，其它的修改方案将变得显而易见。如本发明中使用的，短语A、B和C中的至少一个应被解释为是指使用非排他性的逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应当被解释为是指“至少一个A，至少一个B，和至少一个C”。应该理解的是，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时)执行，而不改变本公开的原理。

Claims (20)

1.一种方法，其包括：
在湿式清洁包含图案化的特征的半导体衬底之后：
在湿式清洁所述半导体衬底之后不执行干燥步骤，而将膜溶液沉积到所述半导体衬底的所述图案化的特征上，
其中，所述膜溶液包括：
电介质膜前体；或
反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体；以及
通过加热所述衬底到烘烤温度，将至少一种溶剂和未反应溶液烘烤出由所述膜溶液形成的膜。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在沉积所述膜溶液之前且在湿式清洁之后，用冲洗流体冲洗所述图案化的特征。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述冲洗流体包括水、含水的醇和极性溶剂中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在烘烤所述膜之后固化所述衬底。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述固化包括加热、热退火、紫外线(UV)固化、等离子体固化或化学反应固化中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述固化的固化温度大于所述烘烤温度。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用旋涂方法施加所述膜溶液到所述图案化的特征。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述膜溶液包括：
用第一溶液预先湿润所述半导体衬底；
使用所述膜溶液置换所述第一溶液；以及
使用旋涂机旋涂所述衬底。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述置换和所述旋涂以连续、同时以及重叠的方式中的一种方式进行。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜溶液的所述电介质膜前体包括聚硅氮烷。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的特征包括至少一种高深宽比(HAR)特征。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述至少一种高深宽比(HAR)特征的深宽比大于或等于8。
13.一种方法，包括：
在湿式清洁包含图案化特征的半导体衬底之后：
在湿式清洁所述半导体衬底之后不执行干燥步骤，而用冲洗流体冲洗所述半导体衬底的所述图案化的特征；
使用膜溶液至少部分置换在所述图案化的特征上的所述冲洗流体；
其中，所述膜溶液包括：
电介质膜前体；或
反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体；
通过加热所述衬底到烘烤温度，将至少一种溶剂和未反应溶液烘烤出由所述膜溶液形成的膜；以及
在烘烤所述膜之后，固化所述衬底。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述冲洗流体包括水、含水的醇和极性溶剂中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述固化的固化温度大于所述烘烤温度。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述固化包括加热、热退火、紫外线(UV)固化、等离子体固化或化学反应固化中的至少一种。
17.根据权利要求13所述的方法，进一步包括使用旋涂方法施加所述膜溶液到所述图案化的特征。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述膜溶液的所述电介质膜前体包括聚硅氮烷。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述图案化的特征包括至少一种高深宽比(HAR)特征。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述至少一种高深宽比(HAR)特征的深宽比大于或等于8。
CN201510489712.9A 2014-08-11 2015-08-11 通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征 Pending CN105374735A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/456,235 2014-08-11
US14/456,235 US20160042945A1 (en) 2014-08-11 2014-08-11 Coverage of high aspect ratio features using spin-on dielectric through a wetted surface without a prior drying step

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105374735A true CN105374735A (zh) 2016-03-02

Family

ID=55267946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510489712.9A Pending CN105374735A (zh) 2014-08-11 2015-08-11 通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160042945A1 (zh)
KR (1) KR20160019391A (zh)
CN (1) CN105374735A (zh)
TW (1) TW201622007A (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10008396B2 (en) 2014-10-06 2018-06-26 Lam Research Corporation Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures
US10068781B2 (en) 2014-10-06 2018-09-04 Lam Research Corporation Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using sacrificial bracing material that is removed using hydrogen-rich plasma
US10475656B2 (en) 2017-12-19 2019-11-12 Micron Technology, Inc. Hydrosilylation in semiconductor processing
US10784101B2 (en) 2017-12-19 2020-09-22 Micron Technology, Inc. Using sacrificial solids in semiconductor processing
US11037779B2 (en) 2017-12-19 2021-06-15 Micron Technology, Inc. Gas residue removal
US10964525B2 (en) 2017-12-19 2021-03-30 Micron Technology, Inc. Removing a sacrificial material via sublimation in forming a semiconductor
US10957530B2 (en) 2017-12-19 2021-03-23 Micron Technology, Inc. Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor
US10497558B2 (en) 2018-02-26 2019-12-03 Micron Technology, Inc. Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160019391A (ko) 2016-02-19
US20160042945A1 (en) 2016-02-11
TW201622007A (zh) 2016-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105374735A (zh) 通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征
KR101827020B1 (ko) 고애스펙트비 나노구조들의 패턴 붕괴를 저감시키는 방법
CN105489529B (zh) 用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法
KR102269818B1 (ko) 고 종횡비 구조물들의 무붕괴 건조 방법
CN101459116B (zh) 浅沟槽隔离结构的制造方法
TWI815007B (zh) 使用對刺激敏感的犧牲性支撐材料的基板處理系統及方法
CN112956000B (zh) 经硼掺杂的非晶形碳硬掩模及方法
JP2017506204A (ja) 高分子表面の担体との制御された結合のための物品および方法
KR20110116966A (ko) 실리카질 막의 제조에 사용하는 침지용 용액 및 이를 사용한 실리카질 막의 제조법
JPH0845912A (ja) 半導体装置の製造方法
CN107742606B (zh) 一种键合晶圆的结构及其制备方法
CN101719468B (zh) 一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法
US9679770B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus
JP4476336B2 (ja) パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
CN103576445A (zh) 作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法
TWI711069B (zh) 半導體製程中之矽氫化
US20130095665A1 (en) Systems and methods for processing substrates
TW201909264A (zh) 氮化物特徵的受控蝕刻
TWI822057B (zh) 用於選擇性蝕刻氮化矽膜之組合物及方法
US6746615B1 (en) Methods of achieving selective etching
TW202400755A (zh) 氮化矽蝕刻組合物及方法
CN113113301A (zh) 半导体结构的形成方法
KR100361859B1 (ko) 반도체소자의산화막식각방법
KR100641950B1 (ko) 반도체소자의 콘택플러그 형성방법
KR20070081652A (ko) 반도체 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160302

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication