CN105374573A - 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法 - Google Patents

一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105374573A
CN105374573A CN201510968462.7A CN201510968462A CN105374573A CN 105374573 A CN105374573 A CN 105374573A CN 201510968462 A CN201510968462 A CN 201510968462A CN 105374573 A CN105374573 A CN 105374573A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
preparation
electrode material
super capacitor
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510968462.7A
Other languages
English (en)
Inventor
亓钧雷
刘瑜琳
林景煌
郭佳乐
冯吉才
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201510968462.7A priority Critical patent/CN105374573A/zh
Publication of CN105374573A publication Critical patent/CN105374573A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32—Carbon-based
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯表面改性技术或存在改善效果有限的问题，或存在掺杂元素与碳原子电负性相差较大，可以很容易地形成共价结合的问题。本发明的方法：采用甲烷，氩气和氢气制备石墨烯材料；将二苄基二硫醚溶液涂覆在石墨烯表面，放入石英管中，在氩气气氛中退火处理。本发明用于硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备。

Description

一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法
技术领域
本发明涉及电极材料的制备方法。
背景技术
石墨烯材料是碳原子sp2杂化后形成的二维共轭结构材料，具有良好的导电性，稳定性和高的电子迁移率，更重要的是，其巨大的理论比表面积(2675m2g-1)使其成为双电层电容的理想电极材料，其理论上的比电容值可达(550Fg-1)，但是，现在实际制备的石墨烯电极材料的比电容值却远远小于理论值，除了制备过程中石墨烯的缺陷和堆叠等原因是石墨烯的导电性，电子迁移率和比表面积大大降低以外，石墨烯本身电子结构稳定，表面能较低，与水基电解液中的水分子和正离子结合力较小，限制了双电层电容的形成，因此电极材料的比电容值较低，之后组装而成的对称型超级电容器能量密度也不高，制约了其实际的应用。
因此，提高超级电容器电极材料的实际比电容值一直是一个热门的问题。赝电容超级电容器的电极材料通过氧化还原反应与电解液相互作用储存电荷，可以得到较大的能量密度，但是由于电极材料本身的稳定性和氧化还原反应的不完全可逆性，赝电容材料的循环稳定性较差。因此，对石墨烯材料进行改性，保留其电极材料较高的功率密度和循环稳定性情况下，提高其比电容值，是一个亟待解决的问题。
目前对石墨烯表面改性的技术主要有引入表面缺陷和石墨烯掺杂。用Ar等离子体刻蚀石墨烯表面引入缺陷，可以提高其表面能，明显改善其疏水性，提高其比电容值，但是改善效果有限。化学元素掺杂石墨烯能够明显提高其电化学性能，用氮等离子体刻蚀石墨烯材料，就得到了较为理想的比电容值。但是掺杂元素B、N等与碳原子电负性(电负性值：B:2.04、N:3.04、C:2.55)相差较大，可以很容易地形成共价结合。
发明内容
本发明要解决现有石墨烯表面改性技术或存在改善效果有限的问题，或存在掺杂元素与碳原子电负性相差较大，可以很容易地形成共价结合的问题，而提供一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法。
一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，具体是按照以下步骤进行的：
一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，调节氩气气体流量为30sccm～60sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～400Pa，并在压强为200Pa～400Pa和氩气气氛下，在20min～60min内将温度升温至600℃～800℃；
二、通入氢气和甲烷气体，调节氢气气体流量为5sccm～15sccm，调节甲烷气体流量为10sccm～30sccm，调节氩气气体流量为100sccm～200sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为500Pa～1000Pa，然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min；
三、沉积结束后，关闭加热电源，停止通入氢气和甲烷气体，在氩气气氛下，以冷却速度为5℃/min～30℃/min将温度由600℃～800℃冷却至室温，得到VFG原材料；
四、将VFG原材料浸泡在二苄基二硫醚溶液中3min～5min，浸泡后放置于石英管中，向石英管中通入氩气并密封，然后在温度为600℃～1050℃的条件下，退火30min～120min，最后停止加热，随炉冷却至室温，即得到硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料；
所述的二苄基二硫醚溶液的浓度为3mg/mL～10mg/mL。
本发明的硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料制备的基本原理：在PECVD系统中，等离子体离化CH4提供碳源并刻蚀生长的石墨烯，使其表面带有缺陷。这些生长过程中的缺陷有利于后续硫原子掺杂并代替石墨烯晶格中的碳原子。然后将二苄基二硫醚溶液涂覆在石墨烯上进行退火处理，制备硫掺杂的石墨烯电极材料。
本发明的有益效果是：
1、本发明在PECVD系统中，利用高动能等离子体轰击CH4提供碳源，等离子体同时影响VFG的生长过程并且轰击其表面，所以得到生长表面具有缺陷而内部完整的VFG片层，在保留了石墨烯本征结构的同时VFG的表面缺陷使硫原子便于掺入。
2、本发明在石墨烯晶格中掺入硫原子，与化学元素掺杂中常见的的氮、硼元素不同，硫原子与碳原子的电负性相差很小，因此硫掺杂使石墨烯片层局部畸变但保留了其电中性的电子结构，是一种新的化学元素掺杂改性石墨烯的方法。
3、本发明的方法步骤简单，工艺易控制，原料来源广泛，大幅提高材料的比电容值，并且保持了石墨烯的循环稳定性，可以广泛地应用于超级电容器领域中。
本发明用于一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举的具体实施方式，还包括各具体实施方式之间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，具体是按照以下步骤进行的：
一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，调节氩气气体流量为30sccm～60sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～400Pa，并在压强为200Pa～400Pa和氩气气氛下，在20min～60min内将温度升温至600℃～800℃；
二、通入氢气和甲烷气体，调节氢气气体流量为5sccm～15sccm，调节甲烷气体流量为10sccm～30sccm，调节氩气气体流量为100sccm～200sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为500Pa～1000Pa，然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min；
三、沉积结束后，关闭加热电源，停止通入氢气和甲烷气体，在氩气气氛下，以冷却速度为5℃/min～30℃/min将温度由600℃～800℃冷却至室温，得到VFG原材料；
四、将VFG原材料浸泡在二苄基二硫醚溶液中3min～5min，浸泡后放置于石英管中，向石英管中通入氩气并密封，然后在温度为600℃～1050℃的条件下，退火30min～120min，最后停止加热，随炉冷却至室温，即得到硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料；
所述的二苄基二硫醚溶液的浓度为3mg/mL～10mg/mL。
本实施方式通过对石墨烯进行硫掺杂来进行表面改性，硫原子掺入石墨烯晶格之中，可以使其产生局部畸变，但由于硫原子与碳原子的电负性相近，不改变石墨烯的电中性结构。硫原子的掺入活化了石墨烯的表面状态，增大了石墨烯表面对电解液中溶剂分子与正离子的吸引，在超级电容器中形成了更大的双电层面积，在保留材料高的循环稳定性的基础上增加了其比电容值。该发明步骤简单，工艺易控制，原料来源广泛，可以广泛地应用于超级电容器领域中。并且提供了一种新的元素掺杂石墨烯的思路，完善了化学元素掺杂石墨烯进行改性的机理。
本实施方式的有益效果是：
1、本实施方式在PECVD系统中，利用高动能等离子体轰击CH4提供碳源，等离子体同时影响VFG的生长过程并且轰击其表面，所以得到生长表面具有缺陷而内部完整的VFG片层，在保留了石墨烯本征结构的同时VFG的表面缺陷使硫原子便于掺入。
2、本实施方式在石墨烯晶格中掺入硫原子，与化学元素掺杂中常见的的氮、硼元素不同，硫原子与碳原子的电负性相差很小，因此硫掺杂使石墨烯片层局部畸变但保留了其电中性的电子结构，是一种新的化学元素掺杂改性石墨烯的方法。
3、本实施方式的方法步骤简单，工艺易控制，原料来源广泛，大幅提高材料的比电容值，并且保持了石墨烯的循环稳定性，可以广泛地应用于超级电容器领域中。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一中所述的集电极材料为金属Ni、Pt、Cu或泡沫Ni。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是：步骤四中所述的二苄基二硫醚溶液是按以下步骤制备的：将二苄基二硫醚加入到溶剂中，超声振动3min～5min；所述的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇或丙酮。其它与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤二中所述的甲烷气体与氩气的气体流量比为10:150；步骤二中所述的甲烷气体与氢气的气体流量比为10:5。其它与具体实施方式一至三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为650℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。其它与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为750℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。其它与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为600Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。其它与具体实施方式一至六相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为800Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。其它与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：步骤四中然后在温度为700℃的条件下，退火30min～120min。其它与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：步骤四中然后在温度为900℃的条件下，退火30min～120min。其它与具体实施方式一至九相同。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式一至十之一不同的是：步骤四中然后在温度为600℃～1050℃的条件下，退火50min。其它与具体实施方式一至十相同。
具体实施方式十二：本实施方式与具体实施方式一至十一之一不同的是：步骤四中然后在温度为600℃～1050℃的条件下，退火100min。其它与具体实施方式一至十一相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：
本实施例所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，具体是按照以下步骤进行的：
一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空至压强为5Pa以下，通入氩气，调节氩气气体流量为40sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为300Pa，并在压强为300Pa和氩气气氛下，在20min内将温度升温至700℃；
二、通入氢气和甲烷气体，调节氢气气体流量为8sccm，调节甲烷气体流量为15sccm，调节氩气气体流量为130sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为1000Pa，然后在射频功率为150W、压强为1000Pa和温度为700℃的条件下进行沉积，沉积时间为30min；
三、沉积结束后，关闭加热电源，停止通入氢气和甲烷气体，在氩气气氛下，以冷却速度为30℃/min将温度由700℃冷却至室温，得到VFG原材料；
四、将VFG原材料浸泡在二苄基二硫醚溶液中5min，浸泡后放置于石英管中，向石英管中通入氩气并密封，然后在温度为1050℃的条件下，退火100min，最后停止加热，随炉冷却至室温，即得到硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料；
所述的二苄基二硫醚溶液的浓度为4mg/mL；
步骤一中所述的集电极材料为金属Ni；
步骤四中所述的二苄基二硫醚溶液是按以下步骤制备的：将二苄基二硫醚加入到溶剂中，超声振动4min；所述的溶剂为甲醇。
将本实施例制备的硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料在6mol/L的KOH电解液中进行循环伏安测试：
在电压扫描速率为2mV/s时候比电容达到376.5F/g，并且在10000次循环试验后，保持96.74％的循环稳定性。

Claims (10)

1.一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：
一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，调节氩气气体流量为30sccm～60sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～400Pa，并在压强为200Pa～400Pa和氩气气氛下，在20min～60min内将温度升温至600℃～800℃；
二、通入氢气和甲烷气体，调节氢气气体流量为5sccm～15sccm，调节甲烷气体流量为10sccm～30sccm，调节氩气气体流量为100sccm～200sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为500Pa～1000Pa，然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min；
三、沉积结束后，关闭加热电源，停止通入氢气和甲烷气体，在氩气气氛下，以冷却速度为5℃/min～30℃/min将温度由600℃～800℃冷却至室温，得到VFG原材料；
四、将VFG原材料浸泡在二苄基二硫醚溶液中3min～5min，浸泡后放置于石英管中，向石英管中通入氩气并密封，然后在温度为600℃～1050℃的条件下，退火30min～120min，最后停止加热，随炉冷却至室温，即得到硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料；
所述的二苄基二硫醚溶液的浓度为3mg/mL～10mg/mL。
2.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述的集电极材料为金属Ni、Pt、Cu或泡沫Ni。
3.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤四中所述的二苄基二硫醚溶液是按以下步骤制备的：将二苄基二硫醚加入到溶剂中，超声振动3min～5min；所述的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇或丙酮。
4.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中所述的甲烷气体与氩气的气体流量比为10:150；步骤二中所述的甲烷气体与氢气的气体流量比为10:5。
5.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为650℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。
6.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa和温度为750℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。
7.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为600Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。
8.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中然后在射频功率为100W～200W、压强为800Pa和温度为600℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为5min～60min。
9.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤四中然后在温度为700℃的条件下，退火30min～120min。
10.根据权利要求1所述的一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于步骤四中然后在温度为900℃的条件下，退火30min～120min。
CN201510968462.7A 2015-12-21 2015-12-21 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法 Pending CN105374573A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510968462.7A CN105374573A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510968462.7A CN105374573A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105374573A true CN105374573A (zh) 2016-03-02

Family

ID=55376673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510968462.7A Pending CN105374573A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105374573A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170587A (zh) * 2017-05-26 2017-09-15 中国石油大学(北京) 一种硫掺杂MXene材料及其制备方法与应用
CN107285303A (zh) * 2017-08-21 2017-10-24 上海乔辉新材料科技有限公司 一种用于石墨烯表面改性的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070237990A1 (en) * 2003-06-02 2007-10-11 Kh Chemicals Co., Ltd. Carbon nanotube electrode comprising sulfur or metal nanoparticles as a binder and process for preparing the same
CN103172057A (zh) * 2013-03-07 2013-06-26 华南理工大学 一种氮硫共掺杂石墨烯的制备方法
CN103646789A (zh) * 2013-12-20 2014-03-19 哈尔滨工业大学 一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法
CN103903861A (zh) * 2014-04-23 2014-07-02 南开大学 金属硫化物与石墨烯复合材料对电极及其制备方法和应用
CN104192830A (zh) * 2014-05-20 2014-12-10 江苏欧力特能源科技有限公司 一种水热法制备氮硫共掺杂石墨烯的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070237990A1 (en) * 2003-06-02 2007-10-11 Kh Chemicals Co., Ltd. Carbon nanotube electrode comprising sulfur or metal nanoparticles as a binder and process for preparing the same
CN103172057A (zh) * 2013-03-07 2013-06-26 华南理工大学 一种氮硫共掺杂石墨烯的制备方法
CN103646789A (zh) * 2013-12-20 2014-03-19 哈尔滨工业大学 一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法
CN103903861A (zh) * 2014-04-23 2014-07-02 南开大学 金属硫化物与石墨烯复合材料对电极及其制备方法和应用
CN104192830A (zh) * 2014-05-20 2014-12-10 江苏欧力特能源科技有限公司 一种水热法制备氮硫共掺杂石墨烯的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHI YANG等: "Sulfur-Doped Graphene as an Efficient Metal-free Cathode Catalyst for Oxygen Reduction", 《ACS NANO》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170587A (zh) * 2017-05-26 2017-09-15 中国石油大学(北京) 一种硫掺杂MXene材料及其制备方法与应用
CN107170587B (zh) * 2017-05-26 2019-10-25 中国石油大学(北京) 一种硫掺杂MXene材料及其制备方法与应用
CN107285303A (zh) * 2017-08-21 2017-10-24 上海乔辉新材料科技有限公司 一种用于石墨烯表面改性的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105336505A (zh) 一种氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法
CN102849731B (zh) 一种氮掺杂石墨烯水凝胶及其制备方法和应用
CN102020263B (zh) 一种合成石墨烯薄膜材料的方法
CN108017090B (zh) 一种高密度边界双层二硫化钼纳米片及其制备方法
CN105441711A (zh) 一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法
CN104944418B (zh) 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法
CN103000535A (zh) 一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
CN103086370A (zh) 一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法
CN105397344B (zh) 原位生长石墨烯和碳纳米管增强Ti基钎料的方法
CN104269281A (zh) 非对称式超级电容器的制作方法
CN103093974B (zh) 石墨烯/氢氧化钴-铁氰化钾/氢氧化钾超级电容器储能电极体系的制备方法
CN103569992A (zh) 一种碳纳米管的制备方法
CN105448531A (zh) 一种针状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法
CN104269283A (zh) 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法
CN102842354A (zh) 三维网络结构的石墨烯基背电极材料及其制备方法
CN105236384A (zh) 一种制备三维石墨烯/碳纳米管超轻结构体的方法
CN104064378A (zh) 一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法
CN105374573A (zh) 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法
CN109913850B (zh) 一种表面包覆复合薄膜的基底及其制备方法和应用
CN103407988A (zh) 一种低温制备石墨烯薄膜的方法
CN105405680A (zh) 一种碳颗粒/二氧化锰复合电极材料的制备方法
CN103646789B (zh) 一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法
CN103449415A (zh) 硼掺杂石墨烯的制备方法
CN102891074A (zh) 基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
CN104319117A (zh) 一种3d碗状混合纳米结构石墨烯超级电容器电极材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160302