CN105336595A - 一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，该制造方法包括：在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底；在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层。本发明提供的一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，通过在形成隧穿氧化层之前，在硅衬底表面首先形成第一氧化层并去除，随后在处理后的硅衬底上再形成隧穿氧化层，使隧穿氧化层的致密度好、质量高，从而改善存储器件的可靠性，提高数据保持能力和反复擦写次数。

Description

一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器

技术领域

本发明涉及存储器制造技术，尤其涉及快闪存储器的浮栅工艺中一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器。

背景技术

快闪存储器是一类非易失性存储器，允许在操作中多次擦除或编程，并且在供电电源关闭后，仍然能够保持存储单元内的信息。当前，随着移动设备市场的日益增大，快闪存储器的可靠性面临更高的要求，比如数据保持能力、反复擦写次数等性能，同时随着市场对大容量产品的强劲需求，快闪存储器的可靠性也面临着更大的挑战。快闪存储器主要采用浮栅(FloatingGate)工艺，因此隧穿氧化层(tunneloxide)的质量成为影响快闪存储器的可靠性的主要因素。

参考图1，为现有技术提供的隧穿氧化层12的示意图。现有技术采用干氧氧化工艺形成隧穿氧化层12，具体过程为：(1)湿法清洗硅衬底10；(2)采用干氧氧化方法形成隧穿氧化层12。

现有技术的缺陷在于：(1)简单的湿法清洗并不能去除硅衬底10表面的缺陷和可移动金属离子11，缺陷和可移动金属离子11会影响硅衬底10和隧穿氧化层12的界面态完整性，可移动金属离子11在快闪存储器工作之后，会形成离子漂移，造成隧穿氧化层12损伤，缺陷会造成隧穿氧化层12的致密度和质量变差；(2)干氧氧化工艺形成的隧穿氧化层12结构疏松、质量差，造成隧穿氧化层12具有较多缺陷。由此，现有技术的隧穿氧化层12膜层的结构疏松和质量差，导致快闪存储器的可靠性变差，影响快闪存储器的数据保持能力和反复擦写次数。

发明内容

本发明提供一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，通过在形成隧穿氧化层之前，在硅衬底表面首先形成第一氧化层并去除，随后在处理后的硅衬底上再形成隧穿氧化层，使隧穿氧化层的致密度好、质量高，从而改善存储器件的可靠性，提高数据保持能力和反复擦写次数。

第一方面，本发明提供了一种隧穿氧化层的制造方法，包括：

在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底；

在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层。

进一步地，在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，包括：

对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底；

采用干氧氧化工艺，在所述清洗后的硅衬底表面形成所述第一氧化层；

采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层。

进一步地，采用湿法化学清洗方法对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底。

进一步地，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层的溶液为混合酸性溶液，其中，所述混合酸性溶液包含有氢氟酸。

进一步地，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层时，还包括：

去除所述硅衬底表面的缺陷和金属离子。

进一步地，所述第一氧化层的厚度为

进一步地，在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层的方法是现场蒸汽生成法。

进一步地，所述隧穿氧化层为隧穿氧化硅层。

进一步地，所述隧穿氧化层的厚度为

第二方面，本发明提供了一种快闪存储器，其中，所述快闪存储器的隧穿氧化层的制造方法为上述第一方面所述的制造方法。

进一步地，所述快闪存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。

本发明实施例提供的一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，通过采用干氧法生长第一氧化层并去除，有效的消除了硅衬底表面的缺陷、沾污和可移动金属离子，使处理后的硅衬底的表面洁净度提高，便于形成质量良好的隧穿氧化层，其次，通过现场蒸汽生成工艺在处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层，ISSG工艺的工艺特点能够形成致密度高、质量好的隧穿氧化层，相应地，良好质量的隧穿氧化层可以提高存储器件的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的隧穿氧化层12的示意图；

图2是本发明实施例提供的一种隧穿氧化层的制造方法的流程示意图；

图3是本发明实施例提供的清洁后的硅衬底200的示意图；

图4是本发明实施例提供的形成第一氧化层220的示意图；

图5是本发明实施例提供的去除第一氧化层220的示意图；

图6是本发明实施例提供的形成隧穿氧化层230的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图2，为本发明实施例提供的一种隧穿氧化层的制造方法的流程示意图，本实施例的技术方案可适用于基于改善和提高快闪存储器的可靠性的目的而制造快闪存储器的隧穿氧化层的情况，该快闪存储器可以为内存或便携性器件应用于任意数码、电子、智能化仪表等产品中，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据。基于本发明实施例提供的方法制造的快闪存储器的隧穿氧化层，能够有效改善快闪存储器的可靠性，提高快闪存储器件的数据保持能力和增加其反复擦写次数等。为了更加详尽的说明本发明的隧穿氧化层制造方法，将结合图3-图6对本发明的各个步骤作进一步阐述。该制造方法具体包括如下步骤：

步骤110、在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底。

如上所述，在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，其目的在于，清除硅衬底的表面缺陷以及表面上的可移动金属离子和沾污。在此，对于在硅衬底表面形成第一氧化层并去除的操作，本发明采用以下优选的实施方式实现，具体包括：

S111、对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底；

S112、采用干氧氧化工艺，在所述清洗后的硅衬底表面形成所述第一氧化层；

S113、采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层。

参考图3所示，为本发明实施例提供的清洁后的硅衬底200的示意图。随着IC集成度的提高，硅衬底200表面的洁净度对于获得IC器件高性能和成品率至关重要，并且硅衬底200表面的沾污会影响器件可靠性。当前，引起硅衬底200的表面沾污的因素主要有：(1)空气中的氧气，当硅衬底200材料暴露在空气中时，硅衬底200表面和空气中的氧气发生氧化反应生成非常薄的一层二氧化硅层，该二氧化硅层被称为自然氧化层；(2)空气中传播的颗粒，漂浮的颗粒可能粘附在硅衬底200表面；(3)有机杂质。这些因素会对后续的膜层沉积工艺产生严重的影响，比如，自然氧化层影响硅衬底200上单晶薄膜层的形成和隧穿氧化层的生长，并且自然氧化层中的某些金属杂质可以向硅衬底200内部转移形成电学缺陷，颗粒沾污可能造成器件电路开路或短路，有机杂质沾污会降低隧穿氧化层材料的致密性，影响器件的性能。

综上所述，硅衬底200表面的沾污会导致硅衬底200上的隧穿氧化层缺陷数量增加，使得硅衬底200上的半导体芯片无法通过电学测试，进而引起芯片电学失效和报废，增加了芯片制造成本，因此在硅衬底200表面进行清洗是必要的步骤。

进一步地，采用湿法化学清洗方法对所述硅衬底200表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底200。

如上所述，对于S111，对所述硅衬底200表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底200，其中，在此优选的湿法清洗实施方式具体是采用湿法化学清洗，化学清洗是为了除去原子、离子、有机杂质等沾污，在此采用的方法是采用RCA标准清洗工艺对硅衬底200表面进行清洗，如浓度非常低的氢氟酸和其他溶液的混合酸性溶液等，以去除硅衬底200表面的颗粒、杂质、有机物等沾污，通过对硅衬底200表面进行湿法清洗，可以获得表面相对洁净的硅衬底200，减少硅衬底200表面的沾污数量，进而形成良好的隧穿氧化层，降低沾污对器件的可靠性的影响。

如图3所示，硅衬底200经过湿法清洗后的洁净度是相对而言的，经过湿法清洗之后，硅衬底200表面的颗粒沾污、杂质沾污、有机物沾污等大多数被去除，但仍旧剩余极少量的沾污，同时硅衬底200表面还具有的表面缺陷，通过湿法清洗并不能去除，在此，硅衬底200上的表面缺陷主要包括，可移动金属离子210和硅衬底200的缺陷。

参考图4，为本发明实施例提供的形成第一氧化层220的示意图。对于S112，采用干氧氧化工艺，在所述清洗后的硅衬底200表面形成所述第一氧化层220，其目的在于，通过采用干氧氧化工艺，形成第一氧化层220，此时第一氧化层220为硅衬底200的表面发生氧化反应后形成的氧化物，由于该硅衬底200的表面具有缺陷，因此形成的第一氧化层220中还包括硅衬底200的缺陷氧化后形成的缺陷氧化物质。

已知硅衬底200上的表面缺陷具体是指可移动金属离子210和缺陷，在此，采用干氧氧化工艺形成第一氧化层220，可以使硅衬底200的硅与氧气发生反应，并且硅衬底200表面的缺陷也会被氧化，形成缺陷氧化物质，因此该第一氧化层220为氧化硅和缺陷氧化物质的混合氧化层，其中，缺陷氧化物质由缺陷形成且含量非常低。此时，该第一氧化层220会将可移动金属离子210，以及湿法清洗后剩余的极少量沾污掩盖在第一氧化层220下面，因此需要通过去除第一氧化层220的同时消除硅衬底200上的可移动金属离子210和少量沾污缺陷，随后，硅衬底200的缺陷也会随着第一氧化层220的去除而消除。消除可移动金属离子210和硅衬底200的缺陷的原因在于，可移动金属离子210和缺陷会对器件的可靠性造成严重的影响。沾污对器件可靠性造成的影响在此不做赘述。

可移动金属离子210和硅衬底200的缺陷造成的影响具体表现为：可移动金属离子210在硅衬底200热生长和沉积隧穿氧化层的工艺过程中，往往会沾污上带负电的离子，而硅衬底200的缺陷可能会和氧原子结合，形成缺陷氧化物质，并且表面缺陷会影响硅衬底200表面的完整性。在此基础上，不洁净和表面有缺陷的硅衬底200经过多层工艺形成半导体器件，当半导体器件处于工作状态时，半导体器件外部具有外加电场，且器件自身在电场作用下会产生较高温度，那么带负电的离子和可移动金属离子210在半导体器件表面的电场作用下，正电荷向加了负偏压的电极附近聚集，负电荷向正电压的电极处聚集，进而，可移动金属离子210和带负电的离子在硅衬底200表面和隧穿氧化层表面形成离子漂移，改变了隧穿氧化层的空间分布和硅衬底200的表面电势，而硅衬底200的缺陷形成的缺陷氧化物质由于影响了硅衬底200表面的完整性以及会存在于硅衬底200表面的隧穿氧化层中，因此会影响隧穿氧化层的质量和致密度，由此，影响了半导体器件的性能和可靠性，因此，消除可移动金属离子210和硅衬底200的缺陷可以提高半导体器件的可靠性。

如上所述，采用干氧氧化工艺形成第一氧化层220。硅衬底200的热氧化工艺按所用的氧化气氛可分为：湿氧氧化、水汽氧化和干氧氧化。在此优选干氧氧化工艺的原因在于：(1)湿氧氧化生长膜时，虽然生长速率快，但薄膜质地疏松、致密性差，并且氧化后的硅衬底200表面存在较多位错和腐蚀坑，更加影响器件可靠性；(2)水汽氧化生长膜时，薄膜结构疏松、氧化后的硅衬底200表面有斑点和缺陷、膜层含水量多，所以在工艺中很少单独采用；(3)干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧气直接与硅衬底200表面反应生成氧化膜层，生成的氧化膜结构致密、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好。综上所述，采用干氧氧化工艺是最优化选择。

参考图5，为本发明实施例提供的去除第一氧化层220的示意图。对于S113，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层220，已知在S112中，采用干氧氧化工艺生成了第一氧化层220，由于硅衬底200表面具有可移动金属离子210和硅衬底200的缺陷，因此形成的第一氧化层220为氧化硅和微量缺陷氧化物质形成的混合氧化层，其第一氧化层220与硅衬底200的间隙中，具有可移动金属离子210、极少量沾污，此时，去除第一氧化层220，那么硅衬底200表面的可移动金属离子210和沾污也需被去除，使形成洁净度高、表面较少缺陷的硅衬底200表面，便于形成良好的隧穿氧化层，并提高半导体器件的可靠性。

如上所述，湿法刻蚀技术是通过溶液腐蚀以去除第一氧化层220的技术，该技术具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜，因此采用湿法刻蚀技术能够有效的去除第一氧化层220，而不会对硅衬底200表面产生大的损伤。已知第一氧化层220为氧化硅和微量缺陷氧化物质形成的混合氧化层，其下具有可移动金属离子210和硅衬底200的极少量沾污，因此采用湿法刻蚀技术时所使用的腐蚀溶液必须对氧化硅和缺陷氧化物质具有效果，并且还对可移动金属离子210和沾污具有效果，才能将硅衬底200表面的缺陷、沾污、可移动金属离子去除。

在此，本实施例中，优选地，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层220的溶液为混合酸性溶液，其中，所述混合酸性溶液包含有氢氟酸，其原因在于，(1)对于第一氧化层220下的可移动金属离子210，氢氟酸能与一般金属、金属氧化物以及氢氧化物相作用，生成各种金属氟盐，且作用不及盐酸那么强烈，并且氢氟酸溶液对硅的腐蚀速度很小，所以不会在去除可移动金属离子210后，对硅衬底200造成严重的损伤；(2)对于第一氧化层220中的氧化硅和缺陷氧化物质，氢氟酸对氧化硅和氧化物的腐蚀性极强，当氢氟酸溶液与氧化硅发生反应时，生成物为四氟化硅和水，其中，四氟化硅是气体，因此氢氟酸腐蚀氧化硅后，生成物洁净；(3)对于硅衬底200表面的沾污，氢氟酸能够溶解有机杂质，并且具有湿法清洗硅衬底200的作用。综上所述，以氢氟酸为主的混合溶液能够有效刻蚀第一氧化层220，从而消除硅衬底200表面的缺陷，并去除硅衬底表面的可移动金属离子210，以及二次去除硅衬底200表面的沾污，具有刻蚀效果好、不损伤硅衬底200、刻蚀生成物干净便于去除、洁净度高的优势。

进一步地，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层220时，还包括：去除所述硅衬底200表面的缺陷和金属离子。

综上所述，已知在形成第一氧化层220后，硅衬底200表面有可移动金属离子210和极少量沾污，第一氧化层220中含有缺陷形成的微量缺陷氧化物质，该可移动金属离子位于第一氧化层220的下表面区域，因此采用氢氟酸溶液去除第一氧化层220时，硅衬底200表面的可移动金属离子210、表面沾污等，也会随着氢氟酸对第一氧化层220的腐蚀，而被有效地去除，以及形成了处理后的硅衬底200。

进一步地，所述第一氧化层220的厚度为

如上所述，第一氧化层220的厚度为在此，该第一氧化层220的厚度很薄，造成这一结果的原因在于：(1)干氧氧化工艺的生长速率慢，因此生成的氧化层的厚度较为薄弱；(2)生成第一氧化层220的目的在于通过氧化工艺消除硅衬底200表面的可移动金属离子210和缺陷，因此第一氧化层220的厚度不需要很厚；(3)便于有效的刻蚀去除第一氧化层220。

如图5所示，此时的硅衬底200为处理后的硅衬底200，具有洁净的表面，消除了可移动金属离子210、硅衬底200表面的缺陷和沾污，因此采用后续工艺形成的隧穿氧化层的质量高，制备的半导体器件的可靠性也得以提高。

该步骤110，通过采用干氧氧化工艺在硅衬底200上形成第一氧化层220，并采用湿法刻蚀去除该第一氧化层220，使得硅衬底200表面的可移动金属离子210、缺陷和沾污等能够被去除，从而使硅衬底200表面洁净、完整，避免了可移动金属离子210和缺陷对硅衬底200表面和硅衬底200上沉积的隧穿氧化层的影响，相应提高了后续隧穿氧化层的质量，从而提高了器件的可靠性。

步骤120、在所述处理后的硅衬底200表面形成隧穿氧化层230。

参考图6，为本发明实施例提供的形成隧穿氧化层230的示意图。在此，优选的实施方式是，在所述处理后的硅衬底200表面形成隧穿氧化层230的方法是现场蒸汽生成法(In-SituSteamGeneration，ISSG)，优选地，所述隧穿氧化层230为隧穿氧化硅层。

ISSG工艺是一种低压快速氧化热退火技术，它的反应气氛为一定比例的氧气和氢气的混合体，其中，仅掺入痕量氢气，在高温下氢会与氧产生类似于燃烧的化学反应，生成大量的气相活性自由基(其中，主要为原子氧)，并且ISSG工艺的反应压强通常在667-2000Pa之间，反应气压的变化能够改变化学反应速率和化学反应发生的区域，进而导致待沉积材料表面原子氧浓度分布的变化，使得ISSG氧化退火时可以做到可控补偿生长，并且原子氧具有强氧化作用，在原子氧的氧化下，待沉积材料表面的物质与原子氧发生氧化反应，会生成氧化硅膜，该工艺生成的氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度也比较小，氧化物薄膜的质量比较高。

综上所述，在反应气压和原子氧的双重作用下，采用ISSG工艺在待沉积材料表面可以形成平坦、致密度好、缺陷少的氧化膜。已知在本实施例中，待沉积材料为硅衬底200材料，ISSG工艺中的大量的气相活性自由基很容易和硅发生反应，生成高质量和高密度的氧化层，且能够有效减少氧化层中的缺陷，因此生成的氧化层为氧化硅层，此时该氧化硅层即是上述所说的隧穿氧化层230。与现有的干氧氧化工艺相比，ISSG工艺的快速升温速度远远高于干氧法，能够大大缩短热处理时间和有效限制杂质扩散程度。ISSG工艺的制程温度在1000℃之上，在如此高的反应温度下，能够有效减少硅衬底200的内应力，能够很好的修复硅衬底200和隧穿氧化层230的表面态。

由此可知，ISSG工艺在对硅衬底200表面形成的二氧化硅薄膜热退火的同时能够进行补偿氧化生成，实现了二氧化硅薄膜的平坦化，并且能够使薄膜的致密度好、隧穿场强增加，使硅氧界面良好，从而提高了器件的可靠性。

进一步地，所述隧穿氧化层230的厚度为

如上所述，采用ISSG工艺形成的隧穿氧化层230的厚度为其原因在于，当隧穿氧化层230的厚度过于厚时，会导致形成的快闪存储器的擦写电压提高、功耗增大，并会导致快闪存储器的擦写速度变慢，当隧穿氧化层230的厚度过于薄时，会导致快闪存储器的数据保持能力降低，因此采用ISSG工艺形成的隧穿氧化层230的厚度为

该步骤120，通过采用ISSG工艺生成隧穿氧化层230，在去除第一氧化层220后，硅衬底200表面的缺陷、沾污和可移动金属离子210几乎全部消除，有效避免了沾污、缺陷和可移动金属离子210对隧穿氧化层230质量的影响，其次，ISSG工艺的反应温度高、氧化性强以及可控生长的优势，使得在硅衬底200上形成了质量好、致密度高、缺陷少的隧穿氧化层230。

本发明实施例提供的一种隧穿氧化层230的制造方法和具有该隧穿氧化层230的快闪存储器，通过采用干氧法生长第一氧化层220并去除，有效的消除了硅衬底200表面的沾污、缺陷和可移动金属离子210，使处理后的硅衬底200的表面洁净度提高，便于形成质量良好的隧穿氧化层230，其次，通过现场蒸汽生成工艺在处理后的硅衬底200表面形成隧穿氧化层230，ISSG工艺的工艺特点能够形成致密度高、质量好、缺陷少的隧穿氧化层230，相应地，良好质量的隧穿氧化层230可以提高存储器件的可靠性。

根据本发明实施例提供的一种隧穿氧化层的制造方法，由此本发明还提供了一种快闪存储器，其中，所述快闪存储器的隧穿氧化层的制造方法为上述制造方法。

进一步地，所述快闪存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。

如上所述，根据上述一种隧穿氧化层的制造方法在快闪存储器中形成的隧穿氧化层，能够相应的在很大程度上提高所属快闪存储器的可靠性，可靠性主要表现在存储器的数据保持能力和反复擦写次数的性能上。

快闪存储器中，电荷通过隧穿氧化层的输运在浮栅上进行存储电荷或存储电荷量。隧穿氧化层的损伤和其膜层中的缺陷是影响快闪存储器可靠性的主要因素，原因在于，隧穿氧化层的损伤和缺陷会成为浮栅中所存储电荷的纵向泄露通道。当浮栅中的电荷发生横向移动时，此时隧穿氧化层中的缺陷和损伤就很有可能导致浮栅中大量电荷的泄露，严重影响数据的保持能力，甚至最终导致器件可靠性完全丧失，其次，快闪存储器的反复擦写会引起隧穿氧化层的损伤和缺陷，再加上隧穿氧化层本身具有的损伤和缺陷，会大大降低快闪存储器的反复擦写次数，因此，质量优异的隧穿氧化层能够改善快闪存储器的可靠性，提高数据保持能力和反复擦写次数。

现有技术中，隧穿氧化层采用干氧氧化法形成，此时硅衬底表面和隧穿氧化层的界面间隙具有可移动的金属离子和表面缺陷，使得隧穿氧化层的致密度低和质量差，当栅极加正电压后，可移动金属离子在隧穿氧化层中形成离子漂移，改变了隧穿氧化层的空间分布和硅衬底的表面电势，使隧穿氧化层发生损伤，因此，现有技术中的隧穿氧化层具有较严重的损伤和缺陷，降低了快闪存储器的可靠性。

本发明中，采用干氧氧化工艺形成第一氧化层并去除，消除了硅衬底的表面缺陷和可移动的金属离子，使得处理后的硅衬底表面利于形成质量优异的隧穿氧化层，其次，采用ISSG工艺在表面洁净的硅衬底上形成隧穿氧化层，ISSG工艺与干氧氧化工艺相比，形成的膜层致密度好、质量好、缺陷少，因此，本发明有效改善了隧穿氧化层的质量，使其损伤和缺陷都大大降低，从而相应的提高了快闪存储器的可靠性，使得数据保持能力和反复擦写次数大大提升。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种隧穿氧化层的制造方法，其特征在于，包括：

在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底；

在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，包括：

对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底；

采用干氧氧化工艺，在所述清洗后的硅衬底表面形成所述第一氧化层；

采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法化学清洗方法对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层的溶液为混合酸性溶液，其中，所述混合酸性溶液包含有氢氟酸。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层时，还包括：

去除所述硅衬底表面的缺陷和金属离子。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层的方法是现场蒸汽生成法。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为隧穿氧化硅层。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为

10.一种快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器的隧穿氧化层的制造方法为上述权利要求1-9中任一项所述的制造方法。

11.根据权利要求10所述的快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。