CN105324356A - 高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法 - Google Patents
高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105324356A CN105324356A CN201480034675.6A CN201480034675A CN105324356A CN 105324356 A CN105324356 A CN 105324356A CN 201480034675 A CN201480034675 A CN 201480034675A CN 105324356 A CN105324356 A CN 105324356A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorobutane
- volume
- ppm
- etching
- butylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title abstract description 15
- FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane Chemical compound CCCCF FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 125000000383 tetramethylene group Chemical class [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims abstract description 28
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 8
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 8
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 7
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- LFLBHTZRLVHUQC-UHFFFAOYSA-N butyl methanesulfonate Chemical compound CCCCOS(C)(=O)=O LFLBHTZRLVHUQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000617 Mangalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004293 19F NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical class [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N butoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)C YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- OSQPUMRCKZAIOZ-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;ethanol Chemical compound CCO.O=C=O OSQPUMRCKZAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 208000012839 conversion disease Diseases 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 235000019628 coolness Nutrition 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000895 extractive distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QARBMVPHQWIHKH-UHFFFAOYSA-N methanesulfonyl chloride Chemical compound CS(Cl)(=O)=O QARBMVPHQWIHKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- -1 phenyl tetrafluoride phosphine Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ILWRPSCZWQJDMK-UHFFFAOYSA-N triethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCN(CC)CC ILWRPSCZWQJDMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C17/383—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C17/389—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by adsorption on solids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C19/00—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms
- C07C19/08—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Abstract
本发明涉及：高纯度1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下；该物质作为干蚀刻气体的用途；以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。根据本发明，可以提供适合作为面向半导体的等离子体反应用气体的高纯度1-氟代丁烷，该物质作为干蚀刻气体的用途以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。
Description
技术领域
本发明涉及作为半导体装置的制造领域中所使用的等离子体反应用气体、含氟医药中间体、氢氟烃类溶剂等有用的1-氟代丁烷以及使用其的等离子体蚀刻方法。经高纯度化的1-氟代丁烷特别是在使用等离子体反应的半导体装置的制造领域中，适合作为等离子体用蚀刻气体、CVD用气体等等离子体反应用气体。
背景技术
半导体制造技术的精细化在不断发展，在最尖端的工艺中，正在采用线宽为20nm、进而为10nm的一代。另外，伴随着精细化，其加工时的技术难度也在提高，通过所使用的材料、装置、加工方法等多方面的途径，推进着技术开发。
从这样的背景出发，本申请人也开发了也能够对应最尖端的干蚀刻工艺的、包含以式(1)：CxHyFz(式中，x表示3、4或5，y、z表示正整数且y>z)表示的饱和氟化烃的等离子体蚀刻气体，并报告了氟数少的饱和氟化烃具有超过硅氮化物膜的蚀刻中所使用的一氟代甲烷的性能(专利文献1)。
以往，作为用上述式(1)表示的饱和氟化烃的一种的1-氟代丁烷的制造方法，例如已知以下的制造方法。专利文献2中记载有：将1-丁醇转化为甲磺酸1-丁酯，然后，使该物质在丙二醇中与氟化钾反应，得到1-氟代丁烷。非专利文献1中记载有：将1-丁醇转化为三甲基甲硅烷氧基丁烷，并使该物质与氟化剂苯基四氟化膦接触，以收率35％得到1-氟代丁烷。另外，非专利文献2中记载有：通过对四丁基溴化铵与氟化铯的混合物进行加热，在系统内制备四丁基氟化铵，通过向其中添加1-溴代丁烷，以收率77％得到1-氟代丁烷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：WO2009/123038号小册子(US2011068086)
专利文献2：日本特开2013-6786号公报
非专利文献
非专利文献1：Tetrahedron,Vol.29,1877(1973)
非专利文献2：JournalofFluorineChemistry,Vol.73,185(1995)。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明人确认到：作为对层叠于硅、硅氧化物膜上的硅氮化物膜选择性地进行干蚀刻的气体使用通过上述以往技术中记载的方法而得的1-氟代丁烷时，过量地生成烃类的沉积物，从而蚀刻本身停止。
本发明为了解决该问题，目的在于提供含有1-氟代丁烷的干蚀刻气体以及将该1-氟代丁烷用作蚀刻气体的干蚀刻方法，其中，所述1-氟代丁烷可以对层叠于硅、硅氧化物膜上的硅氮化物膜等选择性地进行干蚀刻。
用于解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题而锐意研究，结果发现，若1-氟代丁烷中包含规定量以上的丁烯类，则产生该问题，从而完成本发明。
这样，根据本发明，提供1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下。该1-氟代丁烷中，优选氮含量为100体积ppm以下以及氧含量为50体积ppm以下。该1-氟代丁烷中，优选水分含量为50体积ppm以下。
本发明还提供本发明的1-氟代丁烷作为干蚀刻气体的用途以及将该物质用作蚀刻气体的干蚀刻方法。
具体实施方式
本发明的1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类的含量为1000体积ppm以下。
本发明中，丁烯类是1-丁烯、2-丁烯((E)-2-丁烯与(Z)-2-丁烯)及异丁烯的总称，1-氟代丁烷中存在的1种以上的丁烯类均为杂质。
本发明中，1-氟代丁烷的纯度及丁烯类的含量是由曲线图的峰面积算出的值，所述曲线图是通过测定以氢焰离子化检测器(FID)为检测器的气相色谱而得的。另外，丁烯类可以通过气相色谱质谱分析进行鉴定。1-氟代丁烷中的氮和氧的量是通过以热导检测器(TCD)为检测器的气相色谱测定的值。1-氟代丁烷中的水分量是用FT-IR测定的值。
本发明的1-氟代丁烷可以通过对利用公知的方法所制造的粗1-氟代丁烷进行蒸馏纯化以除去为杂质的丁烯类而得到。
制造1-氟代丁烷的方法并不受特别限定。例如可举出：(i)用氟化剂对1-丁醇进行氟化的方法，(ii)用氟化钾、氟化铯等碱金属氟化物处理1-溴代丁烷或烷基磺酸丁酯的方法等。
通过对用如上述的方法制造的粗1-氟代丁烷进行蒸馏纯化(精馏)等，可以将以丁烯类为代表的有机类杂质除去。通过对粗1-氟代丁烷进行精馏，可以使丁烯类的含量为1000体积％ppm以下、优选为500体积％ppm以下。
通过蒸馏纯化除去有机类杂质时，使用精馏塔。为了有效地分离1-氟代丁烷(沸点：32℃)和丁烯类：1-丁烯(沸点：-6.3℃)、(E)-2-丁烯(沸点：0.9℃)、(Z)-2-丁烯(沸点：3.7℃)，使用具有适度的理论塔板数的精馏塔。理论塔板数通常为10以上、50左右以下，优选为20以上50以下。丁烯类的沸点为常温以下，因此，由于在精馏塔的馏分馏出管内的气化现象，与目标1-氟代丁烷的分离表观上变差。因此，优选充分冷却(冷却至丁烯类的沸点以下)馏分馏出管和贮存初馏分的容器。
精馏时的压力以表压计通常为常压～10个大气压，优选为常压～5个大气压左右。对于回流量与馏出量的比(以下有时称作“回流比”)，为了高效率地分离容易形成气体状态的丁烯类，优选将回流比设定成30：1以上。若回流比过小，则无法高效率地分离丁烯类，不仅1-氟代丁烷的纯度的提高幅度变小，而且初馏分变多，所回收的1-氟代丁烷的总量变少。反之，若回流比过大，则每一次馏出到回收为止需要很多时间，因此精馏本身需要很多时间，生产率差。
精馏可以采用分批式、连续式的任一种，不过在制造量少的情况下优选采用分批式，在制造量多的情况下优选采用经由数根精馏塔的连续式。另外，也可以组合加入了萃取溶剂的萃取蒸馏操作进行。
另外，虽也取决于制造1-氟代丁烷时所适用的反应，不过在反应转化率低而需要原料回收的情况等下，例如也可以如下进行阶段性的蒸馏：在第1次蒸馏中分离原料化合物，在第2次蒸馏中分离杂质对象的丁烯类等。在该情况下，回流比也优选为40：1以上。
本发明的1-氟代丁烷中氮的含量优选为100体积ppm以下，更优选为80体积ppm以下，氧的含量优选为50体积ppm以下，更优选为30体积ppm以下。
可以通过如下方法除去1-氟代丁烷中的氮和氧：在通过精馏进行前述的丁烯类的除去的情况下，在0族的惰性气体中进行纯化的方法；或者，对1-氟代丁烷进行简单蒸馏后进行将馏分馏出的操作等的方法。利用后者的方法时，通过简单蒸馏将氮及氧与1-氟代丁烷一起馏出，由此，可以降低釜中残留的1-氟代丁烷中的氮和氧的量。相对于蒸馏釜中加入的1-氟代丁烷，馏出的1-氟代丁烷的量以重量为基准优选为20～50％，更优选为30～40％。贮存馏出的1-氟代丁烷，并将其加入下一批中，由此可以进行回收、再利用。
本发明的1-氟代丁烷的水分含量优选为50体积ppm以下，更优选为20体积ppm以下。
作为除去1-氟代丁烷中的水分的方法，可以采用使1-氟代丁烷与吸附剂接触等一般的方法。
作为吸附剂，可以使用分子筛、氧化铝等。另外，如日本特开2014-24785号公报(日本特愿2012-165797号)中所记载，对1-氟代丁烷这样的一氟代烃进行干燥时，优选使用分子筛3A。使用分子筛4A、5A等细孔径大的分子筛时，1-氟代丁烷分子被取入细孔内，使水分降低的效果可能下降。另外，带碱性的分子筛的使用将引起1-氟代丁烷的脱HF反应，因此，使用时均需要注意。作为氧化铝，优选使用由氧化铝水合物的加热脱水而生成的结晶性低的活性氧化铝。
另外，在使1-氟代丁烷接触前，预先将分子筛、氧化铝等吸附剂通过焙烧等操作活化，则可以使更多的水分吸附，因此优选。
通过使1-氟代丁烷与吸附剂接触，可以使1-氟代丁烷中的水分量降低至50体积ppm以下。若1-氟代丁烷中的水分含量多，则在对基板进行蚀刻加工后，水分吸附残留于加工面，存在铜等布线形成工序中层叠膜的剥落、引起埋入的布线的腐蚀之虞。因此优选尽可能地除去1-氟代丁烷中的水分量。
经过以下工序，可以获得适合作为等离子体反应用气体的高纯度的1-氟代丁烷：通过以上所说明的精馏，使反应粗产物中所包含的粗1-氟代丁烷成纯度99.9体积％以上，且丁烯类成1000体积ppm以下的工序(I)；接着，通过与吸附剂接触，除去水分的工序(II)；进而通过对1-氟代丁烷进行简单蒸馏，将1-氟代丁烷中的氮、氧浓度降低至100体积ppm以下、50体积ppm以下的工序(III)。从高效率地获得本发明的1-氟代丁烷的观点考虑，优选至少实施所述工序(I)，更优选实施工序(I)及(II)，特别优选实施工序(I)～(III)。
这样，通过将1-氟代丁烷中所包含的杂质含量控制到特定值以下，可以提高干蚀刻时的加工稳定性。1-氟代丁烷不仅可以应用于硅氮化物膜，而且也可以应用于氮氧化硅、氮化钛、氮化铝等无机氮化膜。
本发明的等离子体蚀刻方法，其特征在于，将本发明的1-氟代丁烷用作蚀刻气体。
本发明的等离子体蚀刻方法中使用的蚀刻气体，既可以仅由本发明的1-氟代丁烷组成，也可以进而包含氧气和/或氮气。
除1-氟代丁烷以外，并用氧气和/或氮气，由此有时可以防止孔底面的反应物沉积被认为是原因的蚀刻的停止(蚀刻停止(etchingstop))，同时显著地提高选择比。
相对于1-氟代丁烷，氧气及氮气的使用比例以氧气、氮气或氧气及氮气的合计的体积比计优选为0.1～50，更优选为0.5～30。
而且本发明中，作为处理气体，进而也可以包含选自氦、氩、氖、氪、氙中的至少1种的18族气体。通过并用18族气体，有时可以在确保上述选择比的同时，提高无机氮化膜的蚀刻速度。
相对于1-氟代丁烷，18族气体的使用比例以体积比计优选为0～100，更优选为0～20。
向处理室导入处理气体的导入速度与各成分的使用比例成比例，例如可以设成：1-氟代丁烷气体为8×10-3～5×10-2Pa·m3/秒，氧气为8×10-2～5×10-1Pa·m3/秒，18族气体为8×10-2～5×10-1Pa·m3/秒等。
导入了处理气体的处理室内的压力通常为0.0013～1300Pa，优选为0.13～13Pa。
接着，用等离子体产生装置，向处理室内的1-氟代丁烷气体(反应性等离子体气体)施加高频的电场，引起辉光放电，产生等离子体。
作为等离子体产生装置，可举出螺旋波方式、高频感应方式、平行平板型、磁控管方式及微波方式等装置，从容易产生高密度区域的等离子体方面考虑，优选使用螺旋波方式、高频感应方式及微波方式的装置。
等离子体密度不受特别限定。从使本发明的效果更好地表现的观点考虑，理想的是在等离子体密度为优选1011个离子/cm3以上、更优选1012～1013个离子/cm3的高密度等离子体气氛下进行蚀刻。
在蚀刻时被处理基板达到的温度并不受特别限定，优选为0～300℃、更优选为0～100℃、进一步优选为20～80℃的范围。基板的温度可以通过冷却等控制，也可以不控制。
蚀刻处理的时间通常为5～10分钟，但是，本发明中使用的处理气体由于可高速蚀刻，所以可设成2～5分钟以提高生产率。
如上所述，本发明的等离子体蚀刻方法是在处理室内产生蚀刻气体的等离子体并对配置于其内部的被处理物上的规定部位进行蚀刻的方法，其使用包含1-氟代丁烷的处理气体(蚀刻气体)。本发明的等离子体蚀刻方法优选为对无机氮化膜选择性地进行等离子体蚀刻的方法，更优选为对硅氮化物膜选择性地进行蚀刻的方法。本发明的等离子体蚀刻方法例如是相对于硅氧化物膜选择性地对硅氮化物膜进行等离子体蚀刻的方法。
通过在上述的蚀刻条件下对硅氮化物膜进行蚀刻，硅氮化物膜相对于硅氧化物膜的选择比至少为10以上，多数情况下可以得到20以上的选择比，可以在回避沉积物导致的蚀刻停止的同时，得到与以往相比显著地高的选择比。因此，即使构成器件的硅氧化物膜的薄膜化发展，也可以防止在对硅氮化物膜进行蚀刻期间硅氧化物膜缺失(SiO2膜断裂)，能够仅对硅氮化物膜可靠地进行蚀刻，从而可以制造电性能优异的器件。
本发明的等离子体蚀刻方法例如在半导体装置的制造中可以适用于如下情况：(a)形成将ONO膜(硅氧化物膜-硅氮化物膜-硅氧化物膜)上的规定区域开口的掩模图案，对掩模图案的开口部进行蚀刻，以除去至少上部硅氧化物膜，然后，对在开口部露出的硅氮化物膜选择性地进行蚀刻的情况；和(b)在开设了接触孔(contacthole)之后的工艺中，为了保护层间绝缘膜不受施加于作为氧化膜的层间绝缘膜的破坏的影响，在所开设的接触孔的侧壁(内壁)较薄地(例如为10～20nm厚)形成硅氮化物膜，然后，将接触孔底部的硅氮化物膜通过蚀刻除去的情况等。
实施例
以下，基于实施例对本发明进一步具体地进行说明，不过本发明的范围并不受以下的实施例限定。
以下所采用的分析条件如下述。
(1)气相色谱分析(GC分析)
装置：HP-6890(Agilent公司制造)
柱：GLSciencesInc.制InertCap-1，长60m，内径0.25mm，膜厚1.5μm
柱温：于40℃保持10分钟，接着以20℃/分升温，其后于240℃保持10分钟
进样温度：200℃
载气：氮
分流比：100/1
检测器：FID
(2)杂质分析(气相色谱质谱分析)
GC部分：HP-6890(Agilent公司制造)
柱：GLSciencesInc.制InertCap-1，长60m，内径0.25mm，膜厚1.5μm
柱温：于40℃保持10分钟，接着以20℃/分升温，其后于240℃保持10分钟
MS部分：Agilent公司制5973NETWORK
检测器：EI型(加速电压：70eV)
(3)1H及19F-NMR测定
装置：JNM-ECA-400(日本电子公司制造)400MHz
(4)氮、氧含量的测定(气相色谱分析)
GC部分：HP-7890(Agilent公司制造)
柱：Agilent公司制HP-5长30m，内径0.32mm，膜厚0.25μm
柱温：于40℃保持5分钟，接着以5℃/分升温，其后于65℃保持1分钟
气体取样器：50℃
载气：氦
检测器：TCD+脉冲放电型
(5)水分含量测定(FT-IR)
IG-1000(大塚电子公司制造)
室长度：10m。
[制造例1]
在带有搅拌机、滴液漏斗、迪姆罗特型冷凝器(Dimrothcondensor)的体积2L的玻璃制反应器中，加入1-丁醇(74g)、甲磺酰氯(126g)、无水异丙醚(500ml)，置于氮气氛下。将反应器用冰水冷却，用约2小时自滴液漏斗滴加三乙胺(121g)。滴加结束后，将全部内容物在0℃下搅拌30分钟，接着在25℃下搅拌6小时。
向反应液中添加500ml冰水，使生成的三乙胺盐酸盐溶解，分离成2层。对上层的有机层，用5％盐酸、饱和碳酸氢钠水溶液、继而饱和食盐水洗涤，然后，用无水硫酸镁干燥，并滤除硫酸镁。然后，用旋转蒸发器自滤液蒸馏除去异丙醚，用真空泵泵出，得到119g粗甲磺酰氧基丁烷。
[制造例2]
在带有搅拌机、滴液漏斗、馏分捕集用接受器以及迪姆罗特型冷凝器的体积1L的玻璃制反应器中，加入116g喷雾干燥氟化钾(Agilent公司制造)及400ml丙二醇，置于氮气氛下。将反应器浸入油浴中，加热到90℃，然后，用约3.5小时自滴液漏斗添加120g重复制造例1的反应而得到的粗甲磺酰氧基丁烷。滴加结束后，将全部内容物在90℃下搅拌2小时，将所生成的低沸点的产物捕集到浸渍在干冰/乙醇浴中的馏分捕集接受器中。然后，将油浴的温度降低直到80℃，将2个浸渍在干冰-乙醇浴中的玻璃制收集器与反应器串联连接。而且，在玻璃制收集器的出口连接压力控制器及真空泵。将真空泵起动，使用压力控制器将系统内的压力阶段性地降低，直至50～45kPa，继而35～30kPa，进而30～25kPa，从而将挥发成分回收到玻璃收集器中。将馏分捕集用接受器以及2个玻璃制收集器的内容物合并，用气相色谱进行分析，结果为包含3.47面积％的1-丁烯、0.31面积％的(E)-2-丁烯、0.29面积％的(Z)-2-丁烯、87.82面积％的1-氟代丁烷、3.53面积％的异丙醚以及4.58面积％的高沸点成分的混合物。
[实施例1]
将598g重复制造例1及2而得的粗1-氟代丁烷加入蒸馏釜中，使用KS型精馏塔(东科精机公司制造，柱长60cm，填充剂ヘリパックNo.1)，进行蒸馏。在冷凝器中循环-10℃的冷却介质，进行约1小时全回流。考虑塔顶部的温度以及釜内部的剩余量的同时，在45～70℃加热蒸馏釜。全回流后，以回流比45:1进行馏分的馏出。其结果，得到508g99.93面积(体积)％的1-氟代丁烷。该物质中，作为杂质包含1-丁烯、(E)-2-丁烯及(Z)-2-丁烯，其各自为612面积(体积)ppm、33面积(体积)ppm及55面积(体积)ppm。
以下示出1-氟代丁烷的波谱数据。
1H-NMR(CDCl3，TMS)δ(ppm)：0.95(t,3H)、1.43(m,2H),1.70(m,2H),4.45(m,2H)
19F-NMR(CDCl3、CFCl3)δ(ppm):-219(m,F)。
[实施例2]
向体积1.2L的SUS316制容器(内面：电解研磨处理)中加入100g分子筛3A(和光纯药工业公司制造)，向其中加入463g实施例1中蒸馏纯化而得的1-氟代丁烷，于室温(25℃)浸渍22小时来进行水分除去。
然后，在体积1L的SUS316制釜的上部安装短柱、冷凝器及接受器，组装简单蒸馏装置，在冷凝器中循环-10℃的冷却水。向釜中加入419g进行了水分除去的1-氟代丁烷，并将釜加热到60℃。
这时用气相色谱测定1-氟代丁烷中的氮及氧浓度，结果分别为634体积ppm及150体积ppm。
相对于所加入的1-氟代丁烷，将约30质量％馏出到接受器中后，停止简单蒸馏，将釜冷却直到室温。将290g釜内的1-氟代丁烷填充到带隔膜式阀的体积1L的锰钢制罐(内面粗糙度：1S)中。1-氟代丁烷的纯度为99.9体积％以上，1-氟代丁烷中的1-丁烯、(E)-2-丁烯及(Z)-2-丁烯的含量分别为541面积(体积)ppm、30面积(体积)ppm及48面积(体积)ppm，氮、氧及水分的含量分别为58体积ppm、12体积ppm及22体积ppm。
[实施例3]
将389g重复制造例1的反应而得的粗1-氟代丁烷加入蒸馏釜中，使用KS型精馏塔(东科精机公司制造，柱长60cm，填充剂ヘリパックNo.1)，进行蒸馏。在冷凝器中循环-10℃的冷却介质，进行约1小时全回流。考虑塔顶部的温度以及釜内部的剩余量的同时，将蒸馏釜加热直到45～70℃。全回流后，在回流比30:1时进行馏分的馏出。其结果，得到329g99.91面积(体积)％的1-氟代丁烷，作为杂质包含1-丁烯、(E)-2-丁烯及(Z)-2-丁烯，其各自为788面积(体积)ppm、56面积(体积)ppm及72面积(体积)ppm。
[实施例4]
向体积1.2L的不锈钢制容器内加入60g氧化铝(日挥触媒化成公司制N612N)，向其中加入329g实施例3中所得的1-氟代丁烷，于室温(25℃)浸渍20小时。
接着，将不锈钢容器和体积1L的锰钢制罐用不锈钢管连接，通过孔径0.2μm的金属制过滤器，在减压下将1-氟代丁烷填充到罐内。将罐用冰水冷却，通过压力控制器，在5～10kPa压力下，用真空泵减压的同时，将约30g的1-氟代丁烷抽出。将不锈钢容器内恢复到室温(25℃)，暂时静置。1-氟代丁烷的纯度为99.9体积％以上，1-氟代丁烷中的1-丁烯、(E)-2-丁烯及(Z)-2-丁烯的含量分别为716面积(体积)ppm、51面积(体积)ppm及65面积(体积)ppm，氮、氧及水分的含量分别为45体积ppm、14体积ppm及40体积ppm。
[参考例1]
将604g重复制造例1及2的反应而得的粗1-氟代丁烷加入蒸馏釜中，使用KS型精馏塔(东科精机公司制造，柱长60cm，填充剂ヘリパックNo.1)，进行蒸馏。在冷凝器中循环-10℃的冷却介质，进行约1小时全回流。考虑塔顶部的温度以及釜内部的剩余量的同时，在45～70℃对蒸馏釜加热。全回流后，以回流比10:1进行馏分的馏出。其结果，得到282g99.85面积％的1-氟代丁烷，作为杂质包含1-丁烯、(E)-2-丁烯及(Z)-2-丁烯，其各自为1281面积(体积)ppm、107面积(体积)ppm及112面积(体积)ppm。然后，进行与实施例4同样的操作，将232g1-氟代丁烷填充到罐中。测定了1-氟代丁烷中氮、氧及水分的含量，结果分别为43体积ppm、10体积ppm及29体积ppm。
(干蚀刻评价)
使用在表面形成有硅氮化物膜的晶片和在表面形成有硅氧化物膜的晶片，将实施例2、4及参考例1中制备的1-氟代丁烷用作蚀刻气体，进行各自晶片的干蚀刻。
对此时硅氮化物膜及硅氧化物膜各自的蚀刻速度进行测定，基于这些测定结果，自硅氮化物膜相对于硅氧化物膜的蚀刻速度比求出选择比(SiN膜/SiO2膜)。
具体地，如下进行了干蚀刻。
在平行平板型等离子体蚀刻装置的蚀刻室内，分别设置在表面形成了硅氮化物膜的晶片和在表面形成了硅氧化物膜的晶片，使系统内成真空，然后，用实施例2、4及参考例1中制备的1-氟代丁烷，在下述的蚀刻条件下实施蚀刻。将结果示于表1中。
蚀刻条件
混合气体的压力：6.7Pa
上部电极的高频电源功率：200W
上部电极的高频电源功率：100W
上部电极与下部电极的间隔：50mm
电极温度：20℃
气体流量
O2气体：60sccm
1-氟代丁烷：40sccm
蚀刻时间：180秒
[表1]
Claims (5)
1.1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下。
2.权利要求1所述的1-氟代丁烷，其中，氮含量为100体积ppm以下以及氧含量为50体积ppm以下。
3.权利要求1或2所述的1-氟代丁烷，其中，水分含量为50体积ppm以下。
4.权利要求1～3的任一项中所述的1-氟代丁烷作为干蚀刻气体的用途。
5.干蚀刻方法，其特征在于，将权利要求1～3的任一项中所述的1-氟代丁烷用作蚀刻气体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-126240 | 2013-06-17 | ||
| JP2013126240 | 2013-06-17 | ||
| PCT/JP2014/065847 WO2014203842A1 (ja) | 2013-06-17 | 2014-06-16 | 高純度１－フルオロブタン及びプラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105324356A true CN105324356A (zh) | 2016-02-10 |
Family
ID=52104576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480034675.6A Pending CN105324356A (zh) | 2013-06-17 | 2014-06-16 | 高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160372335A1 (zh) |
| EP (1) | EP3012241B1 (zh) |
| JP (1) | JP6311710B2 (zh) |
| KR (1) | KR20160019911A (zh) |
| CN (1) | CN105324356A (zh) |
| TW (1) | TWI653213B (zh) |
| WO (1) | WO2014203842A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6447507B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2019-01-09 | 日本ゼオン株式会社 | 高純度フッ素化炭化水素をプラズマエッチングガスとして用いるプラズマエッチング方法 |
| JPWO2017188209A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-02-14 | 富士フイルム株式会社 | 精製装置、精製方法、製造装置、薬液の製造方法、容器、及び薬液収容体 |
| WO2022080272A1 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-04-21 | 昭和電工株式会社 | エッチングガス及びその製造方法、並びに、エッチング方法、半導体素子の製造方法 |
| JP7181486B1 (ja) * | 2021-06-23 | 2022-12-01 | ダイキン工業株式会社 | モノフルオロアルカンの製造方法 |
| CN116621674B (zh) * | 2023-05-09 | 2024-05-14 | 岳阳隆兴实业有限公司 | 一种粗氯丁烷的提纯方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101983417A (zh) * | 2008-03-31 | 2011-03-02 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| JP2013006786A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Nippon Zeon Co Ltd | フッ素化アルカンの製造方法 |
| JP2014024785A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Nippon Zeon Co Ltd | フッ素化炭化水素化合物の精製方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5500692B2 (ja) | 2011-02-10 | 2014-05-21 | サミー株式会社 | スロットマシン |
| US8765613B2 (en) * | 2011-10-26 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | High selectivity nitride etch process |
-
2014
- 2014-06-16 KR KR1020157036986A patent/KR20160019911A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-16 EP EP14813057.8A patent/EP3012241B1/en not_active Not-in-force
- 2014-06-16 JP JP2015522903A patent/JP6311710B2/ja active Active
- 2014-06-16 CN CN201480034675.6A patent/CN105324356A/zh active Pending
- 2014-06-16 US US14/898,778 patent/US20160372335A1/en not_active Abandoned
- 2014-06-16 WO PCT/JP2014/065847 patent/WO2014203842A1/ja active Application Filing
- 2014-06-17 TW TW103120791A patent/TWI653213B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101983417A (zh) * | 2008-03-31 | 2011-03-02 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| JP2013006786A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Nippon Zeon Co Ltd | フッ素化アルカンの製造方法 |
| JP2014024785A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Nippon Zeon Co Ltd | フッ素化炭化水素化合物の精製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160372335A1 (en) | 2016-12-22 |
| TW201500331A (zh) | 2015-01-01 |
| JP6311710B2 (ja) | 2018-04-18 |
| EP3012241A1 (en) | 2016-04-27 |
| WO2014203842A1 (ja) | 2014-12-24 |
| EP3012241B1 (en) | 2018-10-31 |
| TWI653213B (zh) | 2019-03-11 |
| JPWO2014203842A1 (ja) | 2017-02-23 |
| KR20160019911A (ko) | 2016-02-22 |
| EP3012241A4 (en) | 2016-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI616428B (zh) | High purity 2-fluorobutane and method of use thereof | |
| CN105324356A (zh) | 高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法 | |
| TWI438841B (zh) | 電漿蝕刻方法 | |
| CN107533969B (zh) | 干法蚀刻气体以及干法蚀刻方法 | |
| JP5131436B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR101962191B1 (ko) | 플라즈마 에칭 가스 및 플라즈마 에칭 방법 | |
| JP2014185111A (ja) | 高純度２，２−ジフルオロブタン | |
| TWI655173B (zh) | Plasma etching method | |
| JP2018093233A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| EP1186585A1 (en) | Gas for plasma reaction and method for production thereof | |
| KR100810954B1 (ko) | 플라즈마 반응용 가스, 그 제조방법 및 이용 | |
| JP3960095B2 (ja) | プラズマ反応用ガス及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160210 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |