CN105304517A - 一种有机发光二极管显示基板、检测电路及其隔离电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种隔离电路,连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路、大板点亮检测电路和单片显示板点亮电路之间,隔离电路包括多个薄膜晶体管;每个薄膜晶体管包括第一端口、第二端口和第三端口;第一端口为栅极,各个第一端口共同连接作为控制信号端;各个第二端口共同连接作为关断电位信号端;每个第三端口分别作为开关信号端,用于连接阵列测试电路的DE-MUX开关信号。本发明还提供了一种有机发光二极管显示基板的检测电路和一种有机发光二极管显示基板。本发明使得阵列测试过程与大板点亮测试过程互不影响,提升电路板空间利用率和稳定性,减少信号发生器的数量,降低成本,满足高分辨率的发展趋势,实用价值高。
Description
技术领域
本发明涉及有机显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示基板、检测电路及其隔离电路。
背景技术
AMOLED(Active-MatrixOrganicLightEmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管)通常由有源阵列底板和OLED(OrganicLightEmittingDisplay,有机发光二极管或有机发光显示器)两部分组成。OLED被誉为“梦幻显示器”。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。其中,AMOLED所有的显示驱动电路和走线都包含在TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)阵列部分中,OLED主要蒸镀有机显示材料。
在AMOLED的制造过程中,通常为了剔除前一工序的不良品,保证下一工序的产品不会因上一工序而产生浪费,在各工序之间都会有检测操作。而TFT阵列部分和OLED蒸镀部分为两个相对比较独立的部分,由此两者之间存在一个较为全面的阵列测试,用于剔除TFT阵列中的不良品,以免不良品流入OLED蒸镀工序,导致有机材料的浪费和时间成本的浪费;当TFT阵列检测通过后,产品将进入到OLED工序中进行蒸镀;蒸镀和封装完成后,再对产品进行大板(MotherSubstrate)点亮检测。目前,大板点亮是指针对切割前的大板玻璃或有机发光二极管显示基板进行点亮,内部包含多个单片显示板,如4.5代线为730*920的单片显示面板;单片显示板是指切割后的显示面板,如手机显示屏为单片AMOLED显示屏。大板点亮检测的主要目的是对蒸镀均匀性和MASK(掩膜板)情况进行分析,用于调整前面的工艺。同时也可以快速检查存在严重问题的小片屏(Panel)。
TFT阵列测试和大板点亮测试对于AMOLED显示屏的制造都非常重要,但是,如果两种测试方式都需要进行的话,由于两个电路的部分信号在AMOLED显示屏内部是相连的,因此存在当一个电路打开时,另一个电路应当关闭,以避免发生漏电流或电路被打开的情况发生。
为了将两者的工作状态分离,使两个阶段的工作不会相互影响,传统的解决办法是:将阵列测试中的DE-MUX(分路器)开关信号通过引线引出到有机发光二极管(AMOLED)显示基板外围,与大板点亮测试采用相同的手段进行处理。当进行阵列测试时关闭大板点亮测试信号;当进行大板点亮测试时将阵列测试过程中的开关信号关闭,从而使大板点亮和阵列测试分离,实现两者工作状态之间的隔离。
该方法将引出大量引线,而且该部分引线随着显示器分辨率的不断提高其数量也会随之增加。为了尽量提高有机发光二极管显示基板利用率,通常希望小片屏Panel之间的空间越小越好,而有机发光二极管显示基板点亮测试需要各个小片屏之间的空间中设置多条测试导线,且由于点亮测试时整个大板同时点亮,导线的电流会很大而且负载较大,因此希望测试导线越宽越好,因此这部分空间非常关键。因此,若将阵列测试过程中的多条引线同样引出到有机发光二极管显示基板外围将降低显示板的空间利用率,限制显示屏点亮测试所需导线的线宽,即提高了引线的电阻,且增加了信号发生器的数量。
因此,现有的解决方案所引出的多条开关信号线需要占用小片屏之间的空间,既会减少整个有机发光二极管显示基板利用率又会使有机发光二极管显示基板点亮走线的线宽变小,同时还需要增加信号发生器的数量来提供开关信号。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种连接在有机发光二极管(AMOLED)显示基板的阵列测试电路与大板点亮检测电路之间的隔离电路,提高AMOLED显示基板利用率,减小AMOLED显示基板点亮走线电阻,减少信号发生器的数量、提高了稳定性,满足高分辨率的发展趋势。
为解决以上技术问题,一方面,本发明实施例提供一种隔离电路,连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路与大板点亮检测电路之间,所述隔离电路包括多个薄膜晶体管;每个所述薄膜晶体管包括第一端口、第二端口和第三端口;每个所述薄膜晶体管的第一端口为栅极,并且各个所述第一端口共同连接作为控制信号端;各个所述薄膜晶体管的第二端口共同连接,作为关断电位信号端;每个所述薄膜晶体管的第三端口分别作为所述隔离电路的各个开关信号端;所述各个开关信号端用于连接所述有机发光二极管显示基板的阵列测试电路的DE-MUX开关信号。
在一种可实现的方式中,各个所述薄膜晶体管均为P型TFT晶体管;所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入高电平信号。
在另一种可实现的方式中,各个所述薄膜晶体管均为N型TFT晶体管;所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入低电平信号。
进一步地,所述第二端口为薄膜晶体管的源极,所述第三端口为薄膜晶体管的漏极;或者,所述第二端口为薄膜晶体管的漏极,所述第三端口为薄膜晶体管的源极。
另一方面,本发明实施例还提供了一种有机发光二极管(AMOLED)显示基板的检测电路,包括:阵列测试电路、大板点亮检测电路,以及,如上文任一项所述的隔离电路;所述隔离电路连接在所述阵列测试电路与所述大板点亮检测电路之间;所述大板点亮检测电路与基板上所有单片显示板的有效显示区域连接,用于检测有机发光二极管显示基板各区域的所有单片显示板(小片屏)颜色显示是否均匀,检测单片显示板颜色显示的均匀性,以判断OLED蒸镀的均匀性,测试所述有效显示区域是否正常工作;所述阵列测试电路用于检测有机发光二极管显示基板的薄膜晶体管阵列底板是否正常。
此外,本发明实施例还提供了一种有机发光二极管显示基板,包括至少一个显示片屏;所述显示片屏上设有如上文所述的有机发光二极管显示基板的检测电路,以及,有效显示区域;所述检测电路中的隔离电路包括第一隔离电路和第二隔离电路;所述检测电路中的大板点亮检测电路与所述有效显示区域连接,用于测试所述有效显示区域是否正常工作;所述第一隔离电路和所述第二隔离电路分别连接在阵列测试电路两侧,并且所述第一隔离电路与所第二隔离电路结构相同,并分别通过各自的多个开关信号端与所述阵列测试电路的DE-MUX开关信号连接;
所述第一隔离电路的控制信号端和所述第二隔离电路的控制信号端共同连接,用于通过接入外部控制信号,同步控制隔离电路中的各个薄膜晶体管的工作状态,从而连接或隔离所述阵列测试电路;
所述第一隔离电路的关断电位信号端和所述第二隔离电路的关断电位信号端共同连接,用于接入低电平信号或高电平信号,以控制第一隔离电路和第二隔离电路的工作状态。
进一步地,所述的有机发光二极管显示基板,包括多个所述显示片屏,形成行阵列的显示片屏;各个所述显示片屏中的两个隔离电路的控制信号端均共同连接;各个所述显示片屏中的两个隔离电路的关断电位信号端均共同连接。
进一步地,所述的有机发光二极管显示基板,包括多组的行阵列的显示片屏。
本发明实施例提供的技术方案,通过连接在有机发光二极管(AMOLED)显示基板的阵列测试电路与大板点亮检测电路之间的隔离电路,通过在将每个所述薄膜晶体管的栅极共同连接后引出整个电路的控制线,并在关断电位信号端通过不同的开关电压同步控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的开关状态,从而实现在进行阵列测试时,可以通过控制信号端的输入信号控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的处于截止状态而不工作;当进行AMOLED显示基板点亮测试时,通过控制信号端的输入信号控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的处于导通状态而处于工作状态,各个薄膜晶体管的源漏极导通,从而将阵列测试电路与大板点亮测试电路隔离,因此,本发明提供的技术方案可以使得TFT阵列测试过程与大板点亮测试过程互不影响,而且,随着AMOLED显示基板的分辨率的提高,可以通过增加隔离电路中的薄膜晶体管的数量,并将所有薄膜晶体管的相应端口共同连接即可,并不会增加走线的数量和宽度,因而可以有效提升有机发光二极管显示基板的空间利用率,降低大板点亮测试走线电阻,减少信号发生器(PG)的使用数量,提高稳定性,满足高分辨率的发展趋势。
附图说明
图1是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的一个实施例的结构示意图。
图2是本发明图1实施例提供的显示片屏的内部结构示意图。
图3是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的又一个实施例的结构示意图。
图4是本发明提供的隔离电路的一个实施例的电路原理图。
图5是本发明提供的隔离电路的又一个实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明实施例提供的一种有机发光二极管显示基板包括至少一个显示片屏(又称为单片显示板或小片屏)。
参见图1,是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的一个实施例的结构示意图。参见图2,是本发明图1实施例提供的显示片屏的内部结构示意图。
在本实施例中,所述有机发光二极管显示基板包括至少一个显示片屏(panel)。其中,以其中一个显示片屏10为例。显示片屏10上设有有机发光二极管显示基板的检测电路101,以及,有效显示区域102和TFT阵列底板103。
所述检测电路101中的大板点亮检测电路1011与所述有效显示区域102连接,用于测试所述有效显示区域102是否正常工作;检测电路101中包括多个隔离电路。具体地,所述检测电路101中的隔离电路包括第一隔离电路11和第二隔离电路12。所述隔离电路连接在阵列测试电路与大板点亮检测电路1011之间;大板点亮检测电路1011与基板上所有单片显示板连接,用于检测单片显示板上的有效显示区域是否正常工作,通过同时点亮基板上所有单片显示板,检测单片显示板颜色显示的均匀性,以判断OLED蒸镀的均匀性。
如图2所示,所述第一隔离电路11和所述第二隔离电路12分别连接在检测电路101中的阵列测试电路1012两侧,并且所述第一隔离电路11与所第二隔离电路12结构相同,并分别通过各自的多个开关信号端与所述阵列测试电路1012连接;所述第一隔离电路11的控制信号端Ctrl1和所述第二隔离电路12的控制信号端Ctrl2共同连接,用于通过接入外部控制信号,同步控制隔离电路中的各个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)的工作状态,从而连接或隔离所述阵列测试电路1012;所述第一隔离电路11的关断电位信号端VG1和所述第二隔离电路2的关断电位信号端VG2共同连接,用于接入低电平信号VGL或高电平信号VGH,以控制第一隔离电路11和第二隔离电路12的工作状态。
具体实施时,如图2所示,第一隔离电路11的控制信号端Ctrl1和第二隔离电路12的控制信号端Ctrl2共同连接至控制信号(Control)线上,通过Control线接入控制信号;而第一隔离电路11的关断电位信号端VG1和第二隔离电路12的关断电位信号端VG2共同连接至关断电位线上,通过该关断电位线接入低电平信号VGL或高电平信号VGH,从而通过结合Control线与关断电位线两者接入的信号共同控制两个隔离电路的工作状态,以决策是否隔离所述TFT阵列测试电路1012。
参看图3,是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的又一个实施例的结构示意图。
在本实施例中,有机发光二极管显示基板B1包括多个如图2所示的显示片屏,形成行阵列的显示片屏;各个所述显示片屏中的两个隔离电路的控制信号端均共同连接;各个所述显示片屏中的两个隔离电路的关断电位信号端均共同连接。如图3所示,显示片屏10、显示片屏20、显示片屏30、显示片屏40形成一组行阵列的显示屏,并且,它们的控制信号端共同连接至Control线1上,它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线1上,接受两条信号线的共同控制;同理,显示片屏50、显示片屏60、显示片屏70、显示片屏80形成又一组行阵列的显示屏,并且,它们的控制信号端共同连接至Control线2上,它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线2上,接受两条信号线的共同控制;显示片屏90、显示片屏100、显示片屏110、显示片屏120形成又一组行阵列的显示屏,并且,它们的控制信号端共同连接至Control线3上,它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线3上,接受两条信号线的共同控制。具体地,所述的有机发光二极管显示基板包括多组的行阵列的显示片屏。需要说明的是,本领域技术人员可以根据实际应用场合的需要调整(增加或减少)有机发光二极管显示基板行阵列的显示片屏的数量。图3示出了各个显示片屏在大板有机发光二极管显示基板上的布局,其中Control信号线和关断电位信号(高电平或低电平)线与有机发光二极管显示基板的点亮走线布局在同一位置,且外部信号输入点也可以设置在同一位置,共用外部信号发生器。
具体实施时,阵列测试电路1012、大板点亮检测电路1011,以及,隔离电路(第一隔离电路11和第二隔离电路12)可以组成有机发光二极管显示基板的检测电路的一个实施例。其中,所述隔离电路连接在所述阵列测试电路1012与所述大板点亮检测电路1011之间;所述大板点亮检测电路1011用于测试所述有效显示区域是否正常工作;所述阵列测试电路1012用于检测有机发光二极管显示基板的薄膜晶体管(TFT)阵列底板是否正常。
阵列测试电路1012的主要用于执行TFT阵列测试(ArrayTest),即在整个TFT阵列制作完成后,在显示片屏(panel)上加入电源和信号,使整个电路板上的电路工作,然后通过一些电学和光学测试方法检测显示片屏(panel)内的电路是否运作正常。而大板点亮检测电路1011主要执行大板点亮测试,即在大板封装后,针对整个有机发光二极管显示基板从外围加入电源和信号使其整版点亮,通过点亮情况判断前期的蒸镀的均匀性和混色情况,从而逆向解析前期工艺的问题,及时指导工艺调整。
参看图4,是本发明提供的隔离电路的一个实施例的电路原理图。
优选地,本实施例提供的隔离电路,连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路1012与大板点亮检测电路1011之间。具体地,所述隔离电路包括多个薄膜晶体管(T1~T_N,N≥1);每个所述薄膜晶体管包括第一端口port1、第二端口port2和第三端口port3。
具体实施时,每个所述薄膜晶体管TFT的第一端口port1为栅极,并且各个所述第一端口port1共同连接作为控制信号端;各个所述薄膜晶体管TFT的第二端口port2共同连接,作为关断电位信号端;每个所述薄膜晶体管TFT的第三端口port3分别作为所述隔离电路的各个开关信号端(SW1~SW_N,N≥1);所述各个开关信号端(SW1~SW_N)用于连接所述有机发光二极管显示基板的阵列测试电路的DE-MUX开关信号端。其中,开关信号端(SW1~SW_N)分别连接到阵列测试(ArrayTest)电路1012内引出的DE-MUX开关信号SW,薄膜晶体管TFT的数量N根据阵列测试电路1012的开关信号SW数量确定。具体地,随着显示屏分辨率的提高,阵列测试电路1012的开关信号SW数量也会相应增加,薄膜晶体管TFT的数量N可以根据实际应用场合进行选取。
在一种可实现的方式中,如图4所示,各个所述薄膜晶体管均为P型TFT晶体管(PTFT);所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入高电平信号。
参见图5,是本发明提供的隔离电路的又一个实施例的电路原理图。
在又一种可实现的方式中,如图5所示,各个所述薄膜晶体管均为N型TFT晶体管(NTFT);所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入低电平信号。由于PTFT和NTFT的开关电压不同,因此需要不同的电压来控制其源漏极的导通状态。
在实际应用过程中,所述第二端口port2为薄膜晶体管的源极,所述第三端口port3为薄膜晶体管的漏极;或者,所述第二端口port2为薄膜晶体管的漏极,所述第三端口port3为薄膜晶体管的源极。TFT根据输入电压区分源极和漏极。
当阵列测试电路1012工作时,大板点亮检测电路1011与阵列测试电路1012之间互不影响。而当大板点亮检测电路1011工作时,由于阵列测试电路1012中有DE-MUX驱动数据(data)线的电路存在,如果不关断阵列测试电路1012或者阵列测试电路1012中存在漏电流,则都可能导致data线短路,无法满足预期的显示效果。因此需要在大板点亮检测电路1011工作时关断阵列测试电路1012。
具体实施时,图4实施例和图5实施例均可实现隔离电路的功能,其共同的基本工作原理为:
当阵列测试电路1012工作时,该隔离电路中的TFT关断,所有阵列测试电路1012的开关信号(SW1~SW_N)独立运行,实现阵列测试电路1012的各项要求;
当大板点亮检测电路1011工作时,要求arraytest电路关断,此时由信号发生器在有机发光二极管显示基板外部输入控制信号至隔离电路的各个薄膜晶体管的栅极port1,将本隔离电路所有TFT打开;此时由于所有的TFT的第二端口port2和第三端口port3导通,阵列测试电路1012的开关信号都连接于隔离电路的关断电位信号端,接入高电平VGH或低电平VGL,从而将阵列测试电路1012隔离开来。图4和图5实施例提供的隔离电路作为将大板点亮检测电路1011与阵列测试电路1012分离的电路,其通过巧妙的电路设计,在大板点亮检测和TFT阵列测试同时存在的情况下,将阵列测试所需的引出到大板外围的多条开关信号线减少至一根,即可实现两者之间的分离功能,且当有机发光二极管显示基板分辨率提高后阵列测试电路1012的开关信号线增多的情况下,仍然可由一条导线对隔离电路中的所有TFT进行控制。
本发明实施例提供的技术方案,通过连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路与大板点亮检测电路之间的隔离电路,通过在将每个所述薄膜晶体管的栅极共同连接后引出整个电路的控制线,并在关断电位信号端通过不同的开关电压同步控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的开关状态,从而实现在进行阵列测试时,可以通过控制信号端的输入信号控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的处于截止状态而不工作;当进行有机发光二极管显示基板点亮测试时,通过控制信号端的输入信号控制隔离电路上的所有薄膜晶体管的处于导通状态而处于工作状态,各个薄膜晶体管的源漏极导通,从而将阵列测试电路隔离,因此,本发明提供的技术方案可以使得TFT阵列测试过程与大板点亮测试过程互不影响,而且,随着有机发光二极管显示基板的分辨率的提高,可以通过增加隔离电路中的薄膜晶体管的数量,并将所有薄膜晶体管的相应端口共同连接即可,并不会增加走线的数量和宽度,因而可以有效提升有机发光二极管显示基板的空间利用率,减小有机发光二极管显示基板点亮走线电阻,提高稳定性,大量减少外部信号发生器的使用数量,从而降低成本,满足高分辨率的发展趋势,具有较好的实用价值。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种隔离电路,其特征在于,连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路与大板点亮检测电路之间,所述隔离电路包括多个薄膜晶体管;每个所述薄膜晶体管包括第一端口、第二端口和第三端口;
每个所述薄膜晶体管的第一端口为栅极,并且各个所述第一端口共同连接作为控制信号端;各个所述薄膜晶体管的第二端口共同连接,作为关断电位信号端;每个所述薄膜晶体管的第三端口分别作为所述隔离电路的各个开关信号端;所述各个开关信号端用于连接所述有机发光二极管显示基板的阵列测试电路的DE-MUX开关信号。
2.如权利要求1所述的隔离电路,其特征在于,各个所述薄膜晶体管均为P型TFT晶体管;所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入高电平信号。
3.如权利要求1所述的隔离电路,其特征在于,各个所述薄膜晶体管均为N型TFT晶体管;所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入低电平信号。
4.如权利要求1~3任一项所述的隔离电路,其特征在于,所述第二端口为薄膜晶体管的源极,所述第三端口为薄膜晶体管的漏极;或者,所述第二端口为薄膜晶体管的漏极,所述第三端口为薄膜晶体管的源极。
5.一种有机发光二极管显示基板的检测电路,其特征在于,包括:阵列测试电路、大板点亮检测电路,以及,如权利要求1~4任一项所述的隔离电路;
所述隔离电路连接在所述阵列测试电路与所述大板点亮检测电路之间;所述大板点亮检测电路与基板上所有单片显示板连接,用于检测单片显示板上的有效显示区域是否正常工作,通过同时点亮基板上所有单片显示板,检测单片显示板颜色显示的均匀性,以判断OLED蒸镀的均匀性;所述阵列测试电路用于检测有机发光二极管显示基板的薄膜晶体管阵列底板是否正常。
6.一种有机发光二极管显示基板,其特征在于,包括至少一个显示片屏;所述显示片屏上设有如权利要求5所述的有机发光二极管显示基板的检测电路,以及,有效显示区域;所述检测电路中的隔离电路包括第一隔离电路和第二隔离电路;
所述检测电路中的大板点亮检测电路与所述有效显示区域连接,用于测试所述有效显示区域是否正常工作;
所述第一隔离电路和所述第二隔离电路分别连接在阵列测试电路两侧,并且所述第一隔离电路与所第二隔离电路结构相同,并分别通过各自的多个开关信号端与所述阵列测试电路的DE-MUX开关信号连接;
所述第一隔离电路的控制信号端和所述第二隔离电路的控制信号端共同连接,用于通过接入外部控制信号,同步控制隔离电路中的各个薄膜晶体管的工作状态,从而连接或隔离所述阵列测试电路;
所述第一隔离电路的关断电位信号端和所述第二隔离电路的关断电位信号端共同连接,用于接入低电平信号或高电平信号,以控制第一隔离电路和第二隔离电路的工作状态。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,包括多个所述显示片屏,形成行阵列的显示片屏;
各个所述显示片屏中的两个隔离电路的控制信号端均共同连接;各个所述显示片屏中的两个隔离电路的关断电位信号端均共同连接。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示基板,其特征在于,包括多组的行阵列的显示片屏。
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