CN105281701B - 滤波器和双工器 - Google Patents

滤波器和双工器 Download PDF

Info

Publication number
CN105281701B
CN105281701B CN201510440980.1A CN201510440980A CN105281701B CN 105281701 B CN105281701 B CN 105281701B CN 201510440980 A CN201510440980 A CN 201510440980A CN 105281701 B CN105281701 B CN 105281701B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
resonator
piezoelectric
wave filter
resonance zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510440980.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105281701A (zh
Inventor
西原时弘
横山刚
坂下武
谷口真司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Publication of CN105281701A publication Critical patent/CN105281701A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105281701B publication Critical patent/CN105281701B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
    • H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种滤波器和一种双工器。该滤波器包括：多个压电薄膜共振器，每个所述压电薄膜共振器包括：基板；压电膜，该压电膜位于基板上；下电极和上电极，该下电极和上电极在所述压电膜的至少一部分的两侧彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入压电膜中，位于共振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于共振区域的中心区域中，该共振区域是这样的区域，在该区域中下电极和上电极在所述压电膜的两侧彼此面对，其中，压电薄膜共振器中的至少两个压电薄膜共振器具有的共振区域内的插入膜的宽度不同。

Description

滤波器和双工器
技术领域
本发明的特定方面涉及滤波器和双工器。
背景技术
采用压电薄膜共振器的声波器件用作诸如移动电话等的无线设备的滤波器和双工器。压电薄膜共振器具有被设计为具有在压电膜的两侧彼此面对的下电极和上电极的结构。下电极和上电极在压电膜的两侧彼此面对所在的区域是共振区域。
移动电话的快速普及导致许多频带的使用。这要求滤波器和双工器具有锐边特性。例如，要求具有窄保护带(该窄保护带是发送带与接收带之间的频带)的双工器中所采用的滤波器具有锐化的滤波器特性。
日本专利申请公开说明书第2013-123184号(专利文献1)公开了在压电薄膜共振器的共振区域的外周中设置具有厚的多层膜的厚膜部并且使厚膜部从共振区域的边缘的宽度在滤波器中的至少两个压电薄膜共振器之间彼此不同，以实现锐边特性。
使共振器的厚膜部的宽度彼此不同能够使有效机电耦合系数彼此不同。这使得能够实现锐边特性。然而，在专利文献1所公开的结构中，厚膜部的电容器不具有高Q 值，由此边缘特性未充分锐化。
发明内容
根据本发明的方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括：多个压电薄膜共振器，每个所述压电薄膜共振器包括：基板；压电膜，该压电膜位于所述基板上；下电极和上电极，所述下电极和所述上电极在所述压电膜的至少一部分的两侧彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入所述压电膜中，位于共振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述共振区域的中心区域中，所述共振区域是这样的区域，在该区域中所述下电极和所述上电极在所述压电膜的两侧彼此面对，其中，所述压电薄膜共振器中的至少两个压电薄膜共振器具有的所述共振区域内的所述插入膜的宽度不同。
根据本发明的另一个方面，提供了一种双工器，该双工器包括：发送滤波器；以及接收滤波器，其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一个是上述滤波器。
附图说明
图1是根据第一实施方式的滤波器的电路图；
图2的(A)是第一实施方式中所采用的压电薄膜共振器的平面图，图2的(B) 是插入膜的平面图，并且图2的(C)和图2的(D)是沿着图2的(A)中的线A-A 截取的剖面图；
图3(A)至图3(C)是示出了第一实施方式的串联共振器的制造方法的剖面图；
图4(A)是插入膜的杨氏模量相对于反共振频率处的Q值的曲线图，并且图4 (B)是插入膜的杨氏模量相对于有效机电耦合系数k2eff的曲线图；
图5是宽度W相对于有效机电耦合系数k2eff的曲线图；
图6是示出了包括插入膜的压电薄膜共振器的等效电路的图；
图7是模拟双工器的电路图；
图8是列出了双工器DUP0的共振器的特性的图；
图9是列出了双工器DUP1的共振器的特性的图；
图10是列出了双工器DUP2的共振器的特性的图；
图11是列出了双工器DUP3的共振器的特性的图；
图12是列出了双工器DUP4的共振器的特性的图；
图13(A)至图13(D)是示出了双工器DUP0至DUP4的跃迁宽度和回波损耗的图；
图14是模拟双工器的电路图；
图15是示出了双工器DUP5和DUP6的发送滤波器的通过特性的图；
图16的(A)是根据第一实施方式的第一变形例的压电薄膜共振器的平面图，图16的(B)是插入膜的平面图，并且图16的(C)和图16的(D)是沿着图16(A) 中的线A-A截取的剖面图；
图17的(A)是根据第一实施方式的第二变形例的压电薄膜共振器的平面图，图17的(B)是插入膜的平面图，并且图17的(C)是沿着图17的(A)中的线A-A 截取的剖面图；
图18的(A)是根据第一实施方式的第三变形例的压电薄膜共振器的平面图，图18的(B)是插入膜的平面图，并且图18的(C)是沿着图18的(A)中的线A-A 截取的剖面图；以及
图19(A)是根据第一实施方式的第四变形例的压电薄膜共振器的剖面图，并且图19(B)是根据第一实施方式的第五变形例的压电薄膜共振器的剖面图。
具体实施方式
现在将参照附图给出本发明的实施方式的描述。
第一实施方式
第一实施方式是示例性梯形滤波器。图1是根据第一实施方式的滤波器的电路图。如图1所示，第一实施方式的滤波器40包括一个或多个串联共振器S1至S4和一个或多个并联共振器P1至P3。串联共振器S1至S4串联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。并联共振器P1至P3并联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。可以自由选择串联共振器和并联共振器的连接和个数。
图2的(A)是第一实施方式中所采用的压电薄膜共振器的平面图，图2的(B) 是插入膜的平面图，并且图2的(C)和图2的(D)是沿着图2的(A)中的线A-A 截取的剖面图。图2的(C)是滤波器40的串联共振器S1至S4的剖面图，并且图2 的(D)是滤波器40的并联共振器P1至P3的剖面图。
参照图2的(A)和图2的(C)，将说明串联共振器S的结构。下电极12形成在基板10上，基板10为硅(Si)基板。具有圆顶形凸起的气隙30形成在基板10的平坦主面与下电极12之间。圆顶形凸起具有这样的形状：气隙30的高度在气隙30 的周边低，并且气隙30的高度在更靠近气隙30中心的位置处增加。下电极12包括下层12a和上层12b。下层12a是例如铬(Cr)膜，并且上层12b是例如钌(Ru)膜。
在下电极12上形成主要由具有沿(002)方向的主轴的氮化铝(AlN)组成的压电膜14。插入膜28形成在压电膜14中。上电极16形成在压电膜14上，以便具有区域(共振区域50)，上电极16在压电膜14的另一侧面向下电极12。共振区域50 是具有椭圆形状的区域，厚度伸缩模式的声波在该区域中共振。上电极16包括下层 16a和上层16b。下层16a是例如Ru膜，并且上层16b是例如Cr膜。
作为频率调整膜24的氧化硅膜形成在上电极16上。共振区域50内的多层膜18 包括下电极12、压电膜14、插入膜28、上电极16以及频率调整膜24。频率调整膜 24可以充当钝化膜。
如图2的(A)所示，导入路径33形成在下电极12中，以蚀刻牺牲层。牺牲层是用于形成气隙30的层。导入路径33的末端未用压电膜14覆盖，并且下电极12 在导入路径33的末端处具有孔部35。
参照图2的(A)和图2的(D)，将描述并联共振器P的结构。与串联共振器S 相比，并联共振器P在上电极16的下层16a与上层16b之间包括由钛(Ti)层形成的质量负荷膜20。由此，多层膜18除了串联共振器S的多层膜之外还包括跨越共振区域50内的整个表面形成的质量负荷膜20。其他结构与图2的(C)的串联共振器 S的结构相同，由此省略描述。
经由质量负荷膜20的膜厚度来调整串联共振器S与并联共振器P之间的共振频率差。通过调整频率调整膜24的膜厚度来调整串联共振器S和并联共振器P的共振频率。
当压电薄膜共振器具有2GHz的共振频率时，下电极12的由Cr膜制成的下层 12a具有的膜厚度为100nm，并且由Ru膜制成的上层12b具有的膜厚度为250nm。由AlN膜制成的压电膜14具有的膜厚度为1100nm。由铝(Al)膜制成的插入膜28 具有的膜厚度为150nm。上电极16的由Ru膜制成的下层16a具有的膜厚度为250 nm，并且由Cr膜制成的上层16b具有的膜厚度为50nm。由氧化硅膜制成的频率调整膜24具有的膜厚度为50nm。由Ti膜制成的质量负荷膜20具有的膜厚度为120nm。可以适当设置各层的膜厚度，以获得期望的共振特性。
如图2的(B)所示，插入膜28位于共振区域50内的外周区域52中，但不位于中心区域54中。外周区域52是共振区域50内的区域，并且是包括共振区域50 的外周且沿着该外周的区域。外周区域52是例如带状或环状。中心区域54是共振区域50内的区域，并且是包括共振区域50的中心的区域。中心可以不是几何中心。插入膜28从外周区域52连续定位到共振区域50的外部。对应于孔部35的孔部34形成在插入膜28中。
代替Si基板，基板10可以是石英基板、玻璃基板、陶瓷基板或GaAs基板。下电极12和上电极16可以由Al、Ti、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)、铑(Rh)或铱(Ir)而不是Ru和Cr的单层膜或多层膜制成。当上电极16由多层膜制成时，插入膜28可以位于多层膜的界面上。例如，上电极16的下层16a可以由 Ru制成，并且上层16b可以由Mo制成。
压电膜14可以由氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)或钛酸铅(PbTiO3)而不是氮化铝制成。另外，压电膜14可以主要由氮化铝组成，并且可以包括其他元素，以提高共振特性或提高压电性。例如，钪(Sc)、二价和四价元素中的两种元素或二价和五价元素中的两种元素用作添加元素提高压电膜14的压电性。这改善了压电薄膜共振器的有效机电耦合系数。二价元素是例如钙(Ca)、镁(Mg)、锶(Sr)或锌(Zn)。四价元素是例如Ti、锆(Zr)或铪(Hf)。五价元素是例如Ta、铌(Nb)或钒(V)。
频率调整膜24可以由氮化硅膜或氮化铝而不是氧化硅膜制成。质量负荷膜20 可以由Ru、Cr、Al、Cu、Mo、W、Ta、Pt、Rh或Ir而不是Ti的单层膜制成。另外，可以使用由诸如氮化硅等的金属氮化物或诸如氧化硅等的金属氧化物制成的绝缘膜。质量负荷膜20可以形成在下电极12之下、下电极12的层之间、上电极16上、下电极12与压电膜14之间或压电膜14与上电极16之间，而不是在上电极16的层(下层16a与上层16b)之间。只要质量负荷膜20被形成为包括共振区域50，质量负荷膜20就可以大于共振区域50。
图3(A)至图3(C)是示出了第一实施方式的串联共振器的制造方法的剖面图。如图3(A)所示，在具有平坦主面的基板10上形成用于形成气隙的牺牲层38。牺牲层38具有例如10至100nm的膜厚度，并且由从诸如氧化镁(MgO)、ZnO、锗(Ge) 以及氧化硅(SiO2)等在蚀刻液或蚀刻气中容易溶解的材料中选择的材料制成。然后，经由光刻和蚀刻将牺牲层38构图为期望的形状。牺牲层38具有对应于气隙30的平面形状的形状，并且包括例如要作为共振区域50的区域。然后，在牺牲层38和基板 10上形成下层12a和上层12b作为下电极12。经由例如溅射、真空蒸发或化学气相沉积(CVD)形成牺牲层38和下电极12。然后，经由光刻和蚀刻将下电极12构图为期望的形状。可以经由剥离形成下电极12。
如图3(B)所示，由例如溅射、真空蒸发或CVD在下电极12和基板10上形成压电膜14(A)和插入膜28。经由光刻和蚀刻将插入膜28构图为期望的形状。可以经由剥离形成插入膜28。
如图3(C)所示，由例如溅射、真空蒸发或CVD形成压电膜14(B)以及上电极16的下层16a和上层16b。压电膜14(A)和14(B)形成压电膜14。经由光刻和蚀刻将上电极16构图为期望的形状。可以经由剥离形成上电极16。
在图2的(D)所示的并联共振器中，在形成下层16a之后经由例如溅射、真空蒸发或CVD形成质量负荷膜20。经由光刻和蚀刻将质量负荷膜20构图为期望的形状。然后形成上层16b。
经由例如溅射或CVD形成频率调整膜24。经由光刻和蚀刻将调整膜24构图为期望的形状。
然后，通过孔部35和导入路径33(参见图2的(A))将蚀刻牺牲层38的蚀刻液导入到下电极12之下的牺牲层38。该过程去除牺牲层38。用于蚀刻牺牲层38的物质优选地是不蚀刻除了牺牲层38之外的共振器的材料的物质。特别地，蚀刻物质优选地是不蚀刻与蚀刻物质接触的下电极12的物质。多层膜18(参见图2的(C) 和图2的(D))上的应力被设置为压缩应力。这在去除牺牲层38时允许多层膜18 向基板10的相对侧凸出，以便与基板10分离。在下电极12与基板10之间形成具有圆顶形凸起的气隙30。上述过程完成图2的(A)和图2的(C)所示的串联共振器 S以及图2的(A)和图2的(D)所示的并联共振器P。
通过改变在第一实施方式中采用的压电薄膜共振器中的插入膜28的材料，用有限元法来模拟反共振频率处的Q值。由对于图2的(C)所示的剖面的二维分析来执行有限元法。假定多层膜18的各层的膜厚度和材料与图2的(A)至图2的(D)所示的具有2GHz的共振频率的示例性压电薄膜共振器的对应层的膜厚度和材料相同。即，假定压电膜14由AlN制成。假定插入膜28具有的膜厚度为150nm，并且假定插入膜28与共振区域50交叠的宽度W为2μm。假定在压电膜14的膜厚度方向上的中间位置中形成插入膜28。
图4(A)是插入膜28的杨氏模量相对于反共振频率处的Q值的曲线图，并且图4(B)是插入膜28的杨氏模量相对于有效机电耦合系数k2eff的曲线图。第一比较例对应于无插入膜28的共振器。对作为插入膜28的材料的Al、SiO2、Ti、Cr、 AlN、Ru以及W执行计算。
如图4(A)所示，具有低杨氏模量的材料用于插入膜28使反共振频率处的Q 值高。当杨氏模量小于AlN的杨氏模量时，Q值大于第一比较例的Q值。这是因为防止了产生不必要的横向模式的兰姆波，并且降低了声波能量到共振区域50外部的泄漏。插入膜28优选地具有小于压电膜14的杨氏模量。插入膜28具有的杨氏模量优选地90％或更小，并且更优选地是80％或更小。
如图4(B)所示，有效机电耦合系数k2eff在插入膜28由金属制成时高。推测这是因为共振区域50中声波的电场分布在插入膜28由金属制成时变得一致。
通过改变共振区域50内插入膜28的宽度W(参见图2的(B))来模拟第一实施方式中所采用的压电薄膜共振器的有效机电耦合系数k2eff。假定压电膜14由AlN 制成，并且假定插入膜28由Al制成。其他模拟条件与图4(A)和图4(B)中模拟的条件相同，由此省略描述。
图5是宽度W相对于有效机电耦合系数k2eff的曲线图。如图5所示，随着宽度 W增大，有效机电耦合系数k2eff单调地减小。
接着将给出有效机电耦合系数取决于宽度W的原因的描述。图6是示出了包括插入膜的压电薄膜共振器的等效电路的图。如图6所示，共振器42包括压电薄膜共振器部44和电容器部46。压电薄膜共振器部44是等效形成在未形成插入膜28的中心区域54中的压电薄膜共振器。在压电薄膜共振器部44中，电阻器Rs、电感器L1、电容器C1以及电阻器R1串联连接在端子T1与T2之间。电容器C0和电阻器R0并联连接到电感器L1、电容器C1以及电阻器R1。电容器部46对应于等效形成在形成有插入膜28的外周区域52中的电容器Ca。因为形成有插入膜28的区域限制共振振动，由此等效于电容器Ca。电容器部46在端子T1与T2之间并联连接到压电薄膜共振器部44。随着插入膜28的宽度W增大，电容器Ca的电容增大。这降低反共振频率。由此，有效机电耦合系数k2eff减小。如上所述，随着宽度W减小，有效机电耦合系数k2eff减小。
如专利文献1中所公开的，可以通过使有效机电耦合系数在滤波器的共振器之间彼此不同来使滤波器的边缘特性锐化。为了实现锐化的边缘特性，共振器优选地具有高Q值。然而，在专利文献1中，厚膜部的电容器Ca仅具有大约为20至40的Q值。另一方面，第一实施方式允许电容器Ca具有70或更大的Q值。这提高了滤波器40 的边缘特性的锐度。
另外，第一实施方式使用插入膜28的宽度W来控制各个共振器的有效机电耦合系数，由此更少地影响制造工序。
接着将给出使用第一实施方式的双工器的模拟的示例的描述。图7是模拟双工器的电路图。双工器是用于带25(发送带：1850至1915MHz，接收带：1930至1995MHz) 的双工器。如图7所示，双工器60包括发送滤波器62和接收滤波器64。发送滤波器62连接在共用端子Ant与发送端子Tx之间。接收滤波器64连接在共用端子Ant 与接收端子Rx之间。共用端子Ant耦合到天线61。电感器LA1连接在共用端子Ant 与地之间。
发送滤波器62将从发送端子Tx供给的信号中的处于发送带中的信号作为发送信号传送至共用端子Ant，并且抑制具有其他频率的信号。接收滤波器64将从共用端子Ant供给的信号中处于接收带中的信号作为接收信号传送至接收端子Rx，并且抑制具有其他频率的信号。电感器LA1匹配阻抗，使得通过发送滤波器62发送的发送信号从共用端子Ant输出，而没有向接收滤波器64泄漏。
在发送滤波器62中，串联共振器ST1至ST5串联连接在共用端子Ant与发送端子Tx之间。并联共振器PT1至PT4并联连接在共用端子Ant与发送端子Tx之间。电感器LT1连接在并联共振器PT1与地之间，电感器LT2连接在并联共振器PT2和 PT3与地之间，并且电感器LT3连接在并联共振器PT4与地之间。
在接收滤波器64中，串联共振器SR1至SR4串联连接在共用端子Ant与接收端子Rx之间。并联共振器PR1至PR4并联连接在共用端子Ant与接收端子Rx之间。电感器LR1连接在并联共振器PR1和PR2与地面之间，电感器LR2连接在并联共振器PR3与地之间，并且电感器LR3连接在并联共振器PR4与地之间。
对双工器DUP0至DUP4执行模拟。图8至图12分别是列出了双工器DUP0至 DUP4的共振器的特性的图。
表1列出了双工器DUP0至DUP4的宽度W和有效机电耦合系数k2eff。
表1
在表1中，MgHf代表添加到压电膜14的氮化铝的Mg和铪(Hf)的原子浓度 (at％)。WST代表共振器ST1至ST5中宽度W的最大值和最小值，WPT代表共振器PT1至PT4中宽度W的最大值和最小值，WSR代表共振器SR1至SR4中宽度W 的最大值和最小值，并且WPR代表共振器PR1至PR4中宽度W的最大值和最小值。KST代表共振器ST1至ST5中有效机电耦合系数k2eff的最大值和最小值，KPT代表共振器PT1至PT4中有效机电耦合系数k2eff的最大值和最小值，KSR代表共振器 SR1至SR4中有效机电耦合系数k2eff的最大值和最小值，并且KPR代表共振器PR1 至PR4中有效机电耦合系数k2eff的最大值和最小值。
在图8至图12以及表1中，DUP0是比较例。在DUP0中，各个共振器具有相同宽度W：3μm。Mg和Hf未添加到压电膜14。优化各个共振器的静电电容。因为静电电容彼此略有不同，所以有效机电耦合系数k2eff在共振器之间彼此不同，但大约为7％。
共振器的宽度W在DUP1至DUP4中不同。宽度W的最大值以DUP1、DUP2、 DUP3以及DUP4的顺序增大。随着宽度W增大，有效机电耦合系数k2eff减小。Mg 和Hf的添加量以DUP1、DUP2、DUP3以及DUP4的顺序增加。在具有相同静电电容和相同宽度W的共振器中，添加量更大的共振器具有更高的有效机电耦合系数 k2eff。这里，DUP1至DUP4被构造为具有的有效机电耦合系数k2eff的平均值为大约 7％。因此，有效机电耦合系数k2eff的最大值与最小值之间的差以DUP1、DUP2、 DUP3以及DUP4的顺序增大。
图13(A)至图13(D)是示出了双工器DUP0至DUP4的跃迁宽度和回波损耗的图。图13(A)展示了在发送滤波器62的高频侧处的衰减量在从2.5dB至45dB 时的跃迁宽度。图13(B)展示了发送滤波器62的回波损耗。图13(C)展示了在接收滤波器64的低频侧处的衰减量在从3.0dB至50dB时的跃迁宽度。图13(D)展示了接收滤波器64的回波损耗。
如图13(A)和图13(C)所示，跃迁宽度以DUP0、DUP1、DUP2、DUP3 以及DUP4的顺序减小。即，边缘特性以DUP0、DUP1、DUP2、DUP3以及DUP4 的顺序变得锐化。如图13(B)和图13(D)所示，回波损耗以DUP0、DUP1、 DUP2、DUP3以及DUP4的顺序降低。即，以DUP0、DUP1、DUP2、DUP3以及 DUP4的顺序提高匹配特性。
如上所述，通过使串联共振器中或并联共振器中有效机电耦合系数的最大值高并且使最大值与最小值之间的差大，来提高边缘特性的锐度并提高匹配特性。
接着将给出采用第一实施方式的双工器的模拟的另一个示例的描述。图14是模拟双工器的电路图。双工器是用于带7(发送带：2500至2570MHz，接收带：2620 至2690MHz)的双工器。如图14所示，在发送滤波器62中，串联共振器ST1至ST5 串联连接在共用端子Ant与发送端子Tx之间。并联共振器PT1至PT3并联连接在共用端子Ant与发送端子Tx之间。并联共振器PT1至PT3通过电感器LT1共同接地。接收滤波器64是用于带7的接收滤波器。其他构造与图7所示的构造相同，由此省略描述。
对双工器DUP5和DUP6执行模拟。表2列出了双工器DUP5和DUP6的共振器的静电电容、宽度W以及有效机电耦合系数k2eff。
表2
如表2所列出的，在双工器DUP5中，共振器具有相同的宽度W。在双工器DUP6 中，假定共振器ST1和ST5具有的宽度W分别为6μm和11μm。其他共振器具有的宽度W为3μm。当宽度W从DUP5的宽度增大到DUP6的宽度时，有效机电耦合系数k2eff在共振器ST1中从6.7％减小到6.3％，并且在共振器ST5中从6.6％减小到5.7％。
图15是示出了双工器DUP5和DUP6的发送滤波器的通过特性的图。如图15 所示，与双工器DUP5中相比，在双工器DUP6中改善高频侧处的边缘特性。衰减量从2.0dB至30dB的跃迁宽度在双工器DUP5中是22.1MHz，而在双工器DUP6中是20.5MHz。
第一实施方式提供了具有插入膜28的压电薄膜共振器，该插入膜28插入压电膜14中，并且位于共振区域50内的外周区域52的至少一部分中，但不位于共振区域 50的中心区域54中。这防止产生不必要的横向模式的兰姆波，也降低声波能量向共振区域50外部的泄漏。由此，改善Q值。滤波器40中压电薄膜共振器中的至少两个压电薄膜共振器具有的共振区域50内的插入膜28的宽度W不同。这能够使至少两个压电薄膜共振器的有效机电耦合系数彼此不同。由此，提高滤波器40的边缘特性的锐度。另外，第一实施方式改变插入膜28的宽度W，以改变有效机电耦合系数，由此防止制造步骤数目的增加。
另外，如双工器DUP1至DUP4所展示的，串联共振器中的至少两个共振器具有的共振区域50内的插入膜28的宽度W不同，并且并联共振器中的至少两个共振器具有的宽度W不同。这提高了边缘特性。
如双工器DUP6所展示的，串联共振器中的至少两个共振器具有的共振区域50 内的插入膜28的宽度W不同，但并联共振器可以具有相同的宽度W。通带的高频侧处的特性主要取决于串联共振器的特性。由此，在发送滤波器中(发送滤波器的保护带位于通带的高频侧处)，优选的是使串联共振器具有不同的宽度W，以提高高频侧处的边缘特性。
并联共振器中的至少两个共振器具有的共振区域50内的插入膜28的宽度W不同，但串联共振器可以具有相同的宽度W。通带的低频侧处的特性主要取决于并联共振器的特性。由此，在接收滤波器中(接收滤波器的保护带位于低频侧处)，优选的是使并联共振器具有不同的宽度W，以提高低频侧处的边缘特性。
如表1中的DUP1至DUP4所展示的，串联共振器的有效机电耦合系数的最大值与最小值之间的差优选地是1％或更大，更优选地是2％或更大，并且仍然更优选地是5％或更大，或/和并联共振器的有效机电耦合系数的最大值与最小值之间的差优选地是1％或更大，更优选地是2％或更大，并且仍然更优选地是5％或更大。
如图9至图12所示，串联共振器中的共振器优选地具有不同的共振频率，或/ 和并联共振器中的共振器优选地具有不同的共振频率。
如DUP1至DUP4所展示的，串联共振器中插入膜28的宽度W最小的共振器是串联共振器中最靠近输入端子或输出端子的共振器。此外，串联共振器中插入膜28 的宽度W第二小的共振器是串联共振器中最靠近输入端子或输出端子的共振器。这使滤波器的边缘特性锐化。
并联共振器中插入膜28的宽度W最小的共振器是并联共振器中位于最靠近输入端子或输出端子的共振器。这使得能够使滤波器的边缘特性锐化。
另外，串联共振器中插入膜28的宽度W最大的共振器不是串联共振器中最靠近输入端子或输出端子的共振器。并联共振器中插入膜28的宽度W最大的共振器不是并联共振器中最靠近输入端子或输出端子的共振器。
如DUP6所展示的，串联共振器中插入膜28的宽度W最大的共振器是串联共振器中最靠近输入端子或输出端子的共振器。此外，串联共振器中插入膜28的宽度W 第二大的共振器是串联共振器中位于最靠近输入端子或输出端子的共振器。可以同样地构造并联共振器。这使得能够使滤波器的边缘特性锐化。
如图4(A)所示，为了改善压电薄膜共振器的Q值，插入膜28优选地具有比压电膜14的杨氏模量更小的杨氏模量。
当压电膜14主要由氮化铝组成时，插入膜优选地主要由Al、Au、Cu、Ti、Pt、 Ta、Cr以及氧化硅中的至少一种组成。
当压电膜14主要由氮化铝组成时，压电膜14优选地包括增大压电膜14的压电常数的元素。
如图2的(A)至图2的(D)所示，插入膜28位于从外周区域52的至少一部分至共振区域50的外部。这使得能够防止在共振区域50的外周中的压电膜14破裂。
第一实施方式是示例性梯形滤波器，但滤波器40可以是除了梯形滤波器之外的滤波器。在除了梯形滤波器之外的滤波器中，可以通过使压电薄膜共振器的插入膜 28的宽度W彼此不同，容易地使有效机电耦合系数彼此不同。这使得能够提高例如滤波器的边缘特性的锐度。
在双工器60中，要求发送滤波器62和接收滤波器64中的至少一个是第一实施方式的滤波器40。发送滤波器62和接收滤波器64中的一个可以是多模式型滤波器。
将给出结构与第一实施方式的结构不同的压电薄膜共振器的描述。图16的(A) 是第一实施方式的第一变形例的压电薄膜共振器的平面图，图16的(B)是插入膜的平面图，并且图16的(C)和图16的(D)是沿着图16的(A)中的线A-A截取的剖面图。图16的(C)是串联共振器的剖面图，并且图16的(D)是并联共振器的剖面图。如图16的(A)至图16的(D)所示，插入膜28形成在共振区域50中，但不形成在共振区域50的外部。其他结构与第一实施方式的结构相同，由此省略描述。
图17的(A)是第一实施方式的第二变形例的压电薄膜共振器的平面图，图17 的(B)是插入膜的平面图，并且图17的(C)是沿着图17的(A)中的线A-A截取的剖面图。图17的(C)是串联共振器的剖面图。如图17的(A)至图17的(C) 所示，插入膜28形成在围绕共振区域50的区域56中以及外周区域52中。其他结构与第一实施方式的第一变形例的结构相同，由此省略描述。
如第一实施方式中所描述的，插入膜28可以形成在共振区域50外部的整个表面中。如第一变形例中所描述的，插入膜28可以不形成在共振区域50的外部。如第二变形例中所描述的，插入膜28可以形成在围绕共振区域50的区域56中，并且可以不形成在区域56的外部。在上述情况中的任一情况下，可以改善压电薄膜共振器的 Q值。因此，可以使边缘特性锐化。
图18的 ( A) 是第一实施方式的第三变形例的压电薄膜共振器的平面图，图18的(B) 是插入膜的平面图，并且图18的(C)是沿着图18的(A)中的线A-A截取的剖面图。图18的(C)是串联共振器的剖面图。如图18的(A)至图18的(C)所示，插入膜28形成在外周区域52的一部分中，但插入膜28不形成在外周区域52的一部分55中。其他结构与第一实施方式的第二变形例的结构相同，由此省略描述。
如第一实施方式的第三变形例中所描述的，要求插入膜28位于外周区域52的一部分中。即使当插入膜28位于外周区域52的一部分中时，也降低声波向共振区域 50外部的泄漏。插入膜28优选地位于共振区域50的50％或更多的外周中，更优选地75％或更多，并且仍然更优选地90％或更多。
在第一实施方式或第一实施方式的第一变形例和第二变形例的压电薄膜共振器中，插入膜28可以不位于外周区域52的一部分55中。
第一实施方式的第四变形例和第五变形例改变气隙的结构。图19(A)是第一实施方式的第四变形例的压电薄膜共振器的剖面图，并且图19(B)是第一实施方式的第五变形例的压电薄膜共振器的剖面图。如图19(A)所示，凹部形成在基板10的上表面中。下电极12平坦地形成在基板10上。因此，气隙30形成在基板10的凹部中。气隙30被形成为包括共振区域50。其他结构与第一实施方式的结构相同，由此省略描述。气隙30可以被形成为穿透基板10。绝缘膜可以被形成为与下电极12的下表面接触。即，气隙30可以形成在基板10和与下电极12接触的绝缘膜之间。绝缘膜可以由例如氮化铝膜制成。
如图19(B)所示，声反射镜31形成在共振区域50的下电极12之下。通过交替地堆叠具有低声阻抗的膜30a和具有高声阻抗的膜30b，形成声反射镜31。膜30a 和30b具有的膜厚度为λ/4(λ为声波的波长)。自由选择膜30a和30b的堆叠数目。其他结构与第一实施方式的结构相同，由此省略描述。
在第一实施方式的第四变形例和第五变形例中，插入膜28可以如第一实施方式的第一变形例中所述仅形成在共振区域50中。插入膜28如第一实施方式的第二变形例中所述形成在围绕共振区域50的区域56中，并且可以不形成在区域56的外部。插入膜28可以如第一实施方式的第三变形例中所述仅形成在外周区域52的一部分中。
如第一实施方式和第一变形例至第四变形例中所述，压电薄膜共振器可以是共振区域50中具有形成在基板10与下电极12之间的气隙30的薄膜体声波共振器 (FBAR)。而且，如第一实施方式的第五变形例中所述，压电薄膜共振器可以是在共振区域50中在下电极12之下包括声反射镜31的固态装配型共振器(SMR)，所述声反射镜31反射穿过压电膜14传播的声波。
在第一实施方式及其变形例中，共振区域50具有的形状为椭圆形，但是可以具有其他形状。例如，共振区域50可以具有诸如四边形或五边形等的多边形形状。
虽然已经详细描述了本发明的实施方式，但要理解的是在不偏离本发明的精神和范围的情况下可以对其进行各种改变、替换以及变更。

Claims (7)

1.一种滤波器，该滤波器包括：
多个压电薄膜共振器，每个所述压电薄膜共振器包括：基板；压电膜，该压电膜位于所述基板上；下电极和上电极，该下电极和上电极在所述压电膜的至少一部分的两侧彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入所述压电膜中，具有比所述压电膜的杨氏模量小的杨氏模量，位于共振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述共振区域的中心区域中，所述共振区域是这样的区域，在该区域中所述下电极和所述上电极在所述压电膜的两侧彼此面对，
其中，所述压电薄膜共振器包括至少一个串联共振器和至少一个并联共振器，所述至少一个串联共振器串联连接在输入端子与输出端子之间，所述至少一个并联共振器并联连接在所述输入端子与所述输出端子之间；
其中，所述至少一个串联共振器中的至少两个串联共振器具有的所述共振区域内的所述插入膜的宽度不同，和/或所述至少一个并联共振器中的至少两个并联共振器具有的所述共振区域内的所述插入膜的宽度不同。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
在所述至少一个串联共振器中的所述至少两个串联共振器中，有效机电耦合系数的最大值与最小值之间的差为1％或更大，或/和在所述至少一个并联共振器中的所述至少两个并联共振器中，有效机电耦合系数的最大值与最小值之间的差为1％或更大。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，
所述至少一个串联共振器中的所述至少两个串联共振器具有不同的共振频率，或/和所述至少一个并联共振器中的所述至少两个并联共振器具有不同的共振频率。
4.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，
所述压电膜主要由氮化铝组成，
所述插入膜主要由Al、Au、Ti、Pt、Ta、Cr以及氧化硅中的至少一种组成，
气隙形成在所述基板和与所述下电极或所述共振区域中的所述下电极接触的绝缘膜之间，或者反射穿过所述压电膜传播的声波的声反射镜形成在所述共振区域中的所述下电极之下。
5.根据权利要求4所述的滤波器，其中，
所述压电膜包括增大所述压电膜的压电常数的元素。
6.根据权利要求4所述的滤波器，其中，
所述插入膜主要由Al、Au、Ti、Pt、Ta以及Cr中的至少一种组成。
7.一种双工器，该双工器包括：
发送滤波器；以及
接收滤波器，其中，
所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一个是根据权利要求1或2所述的滤波器。
CN201510440980.1A 2014-07-25 2015-07-24 滤波器和双工器 Active CN105281701B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-151633 2014-07-25
JP2014151633A JP6400970B2 (ja) 2014-07-25 2014-07-25 フィルタおよびデュプレクサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105281701A CN105281701A (zh) 2016-01-27
CN105281701B true CN105281701B (zh) 2018-04-03

Family

ID=55150150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510440980.1A Active CN105281701B (zh) 2014-07-25 2015-07-24 滤波器和双工器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9595941B2 (zh)
JP (1) JP6400970B2 (zh)
CN (1) CN105281701B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109155615B (zh) * 2016-06-01 2022-08-26 株式会社村田制作所 谐振子以及谐振装置
JP6717520B2 (ja) * 2016-07-05 2020-07-01 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 コンデンサの製造方法
JP6773128B2 (ja) * 2016-11-25 2020-10-21 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP7033846B2 (ja) * 2016-12-06 2022-03-11 ローム株式会社 圧電素子
US11228299B2 (en) * 2017-02-02 2022-01-18 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator with insertion film, filter, and multiplexer
JP7017364B2 (ja) 2017-10-18 2022-02-08 太陽誘電株式会社 ラダー型フィルタ、圧電薄膜共振器およびその製造方法
KR20200030478A (ko) 2018-09-12 2020-03-20 스카이워크스 글로벌 피티이. 엘티디. 벌크 음향파 공진기를 위한 리세스 프레임 구조체
JP2020096226A (ja) * 2018-12-10 2020-06-18 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
CN109639255B (zh) * 2018-12-25 2022-07-12 天津大学 一种双工器
CN111384911A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 天津大学 基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法
JP7302981B2 (ja) * 2019-02-07 2023-07-04 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
SG10202004451PA (en) 2019-05-23 2020-12-30 Skyworks Global Pte Ltd Film bulk acoustic resonator including recessed frame with scattering sides
US11601112B2 (en) * 2019-05-24 2023-03-07 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave/film bulk acoustic wave resonator and filter for wide bandwidth applications
US11601113B2 (en) 2019-05-24 2023-03-07 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave/film bulk acoustic wave resonator and filter for wide bandwidth applications
CN110601673B (zh) * 2019-08-12 2021-08-13 清华大学 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件
JP7352855B2 (ja) 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
CN110798169A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN110798168A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN110798166A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN110768641A (zh) * 2019-10-11 2020-02-07 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN111917393B (zh) * 2020-06-22 2021-06-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备
CN112187210B (zh) * 2020-09-30 2021-12-28 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器封装结构、多工器和通信设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645699A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 富士通株式会社 压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632909A (en) * 1995-06-19 1997-05-27 Motorola, Inc. Filter
US6936837B2 (en) * 2001-05-11 2005-08-30 Ube Industries, Ltd. Film bulk acoustic resonator
JP2005117641A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
CN101185241B (zh) * 2005-05-27 2010-10-06 Nxp股份有限公司 体声波共振器器件、包含该器件的滤波器以及电子设备
US9048812B2 (en) * 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
JP2013038471A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波フィルタ
JP5877043B2 (ja) * 2011-11-22 2016-03-02 太陽誘電株式会社 デュプレクサ
JP5918522B2 (ja) * 2011-12-12 2016-05-18 太陽誘電株式会社 フィルタおよびデュプレクサ
US8941286B2 (en) * 2012-02-14 2015-01-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
JP5904591B2 (ja) * 2012-03-15 2016-04-13 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP6336712B2 (ja) 2013-01-28 2018-06-06 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ
JP6325799B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-16 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645699A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 富士通株式会社 压电薄膜谐振器、使用压电薄膜谐振器的滤波器和复用器

Also Published As

Publication number Publication date
CN105281701A (zh) 2016-01-27
US9595941B2 (en) 2017-03-14
JP6400970B2 (ja) 2018-10-03
JP2016029766A (ja) 2016-03-03
US20160028371A1 (en) 2016-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105281701B (zh) 滤波器和双工器
US11228299B2 (en) Piezoelectric thin film resonator with insertion film, filter, and multiplexer
US9344059B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer including a film inserted into the piezoelectric film
US10790799B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer
US9356573B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer including a film inserted in the piezoelectric film
CN104811157B (zh) 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器
US10469049B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
US10432166B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer
US10404230B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
JP6371518B2 (ja) 圧電薄膜共振器およびその製造方法、フィルタ並びにデュプレクサ
US9748925B2 (en) Piezoelectric thin film resonator including an insertion film, filter, and duplexer
JP7017364B2 (ja) ラダー型フィルタ、圧電薄膜共振器およびその製造方法
US10250218B2 (en) Piezoelectric thin film resonator and filter
JP7269719B2 (ja) 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ
CN104660211A (zh) 声波滤波器和双工器
US9787282B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer
US10205432B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
US10680576B2 (en) Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
JP6831256B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP7383404B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant