CN105281699A

CN105281699A - 弹性波装置

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Publication number: CN105281699A
Application number: CN201510329030.1A
Authority: CN
Inventors: 新保昭; 西宏之; 渡边一嗣
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-06-20
Filing date: 2015-06-15
Publication date: 2016-01-27
Anticipated expiration: 2035-06-15
Also published as: US9799819B2; JP6020519B2; CN105281699B; US20150372659A1; JP2016009874A

Abstract

本发明提供一种能抑制加入温度变化时的热变形且频率温度特性卓越的弹性波装置。弹性波装置(10)在封装基板(17)上搭载了具有压电基板的第1声表面波芯片(11)，该第1声表面波芯片(11)的中心和封装基板(17)的中心在俯视观察的情况下发生偏离，第1声表面波芯片(11)的压电基板的结晶Z轴的朝向随着从压电基板的下表面向上表面而从封装基板(17)的中央部向外侧发生倾斜。

Description

弹性波装置

技术领域

本发明涉及在封装基板搭载了具有压电基板的声表面波芯片的弹性波装置。

背景技术

以往，提出各种在封装基板搭载声表面波芯片而成的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1中，通过倒装片接合，在封装基板搭载了频率特性不同的两个声表面波芯片。声表面波芯片包含从具有X、Y、Z结晶轴的单晶切出的压电基板。声表面波芯片的长边设为具有与封装件的线膨胀系数接近的线膨胀系数的方向。两个声表面波芯片的长边彼此对置地配置。

在下述的专利文献2中，在封装基板搭载了由声表面波滤波器芯片构成的发送滤波器芯片和接收滤波器芯片。发送滤波器芯片的声表面波传播方向和接收滤波器芯片的声表面波传播方向设为同一方向。发送滤波器芯片的长边和接收滤波器芯片的长边相邻。

专利文献

专利文献1：JP特开2006-101550号公报

专利文献2：JP特开2012-205215号公报

以往，如专利文献1、专利文献2所记载的那样，考虑声表面波传播方向而在封装基板搭载了声表面波芯片。弹性波装置的温度受到配置于近旁的PA(功率放大器)的工作时的发热等的影响而发生变化。在使用设置于LiTaO₃、LiNbO₃等具有各向异性的压电基板的IDT电极的弹性波装置中，有在压电基板中与热变形的大小成比例地出现频率变动的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供能抑制加入温度变化时的热变形、且频率温度特性卓越的弹性波装置。

本发明所涉及的弹性波装置具备：第1声表面波芯片，其具有第1压电基板和设置在所述第1压电基板上的第1IDT电极，该第1压电基板由Y轴旋转角不是0°且不是90°的整数倍的压电单晶构成并具有相互对置的上表面和下表面；封装基板，其与所述第1压电基板的所述下表面对置，且具有搭载所述第1声表面波芯片的芯片搭载面；和接合件，其将所述第1声表面波芯片接合在所述芯片搭载面，在俯视观察所述芯片搭载面的情况下，所述第1声表面波芯片的安装位置从所述芯片搭载面的中央部偏向外侧来配置，随着从所述第1压电基板的所述下表面向所述上表面而所述第1压电基板的结晶Z轴的朝向从所述芯片搭载面的所述中央部向所述外侧发生倾斜。

在本发明所涉及的弹性波装置的某特定的局面中，在所述封装基板的所述芯片搭载面搭载了多个声表面波芯片，该多个声表面波芯片当中的至少一个声表面波芯片是所述第1声表面波芯片。

在本发明所涉及的弹性波装置的另外的特定的局面中，所述多个声表面波芯片全部是所述第1声表面波芯片。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他的特定的局面中，所述芯片搭载面为矩形，沿着所述芯片搭载面的一边而配置多个所述第1声表面波芯片。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他的特定的局面中，在所述芯片搭载面上搭载了多个声表面波芯片，该多个声表面波芯片具有所述第1声表面波芯片和第2声表面波芯片，所述第2声表面波芯片具有：第2压电基板，其由Y轴旋转角不是0°且不是90°的整数倍的压电单晶构成，并具有相互对置的上表面和下表面；和第2IDT电极，其设置在所述第2压电基板上，随着从所述第2压电基板的所述下表面向所述上表面而所述第2压电基板的结晶Z轴的朝向从所述芯片搭载面的外侧向中央部发生倾斜。

在本发明所涉及的弹性波装置的其他的特定的局面中，在俯视观察所述芯片搭载面的情况下，所述多个声表面波芯片的弹性波传播方向相互平行。

发明效果

根据本发明，即使发生了温度变化，也能抑制压电基板的热变形。因此，能使弹性波装置的频率温度特性稳定。

附图说明

图1是表示压电基板的结晶X轴、Y轴以及Z轴和切割角的关系的示意图。

图2是用于说明第1参考例的声表面波芯片中的声表面波传播方向A、和结晶Z轴的朝向的示意立体图。

图3是用于说明第2参考例的声表面波芯片中的声表面波传播方向A、和结晶Z轴的朝向的示意立体图。

图4(a)、(b)以及(c)是在本发明的一实施方式所涉及的弹性波装置中所用的声表面波芯片的示意俯视图、表示声表面波谐振器的电极结构的简要俯视图、以及弹性波装置的简要主视图。

图5是表示第1参考例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图6是表示第2参考例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图7是表示第1实施方式的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图8是表示第1比较例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图9是表示第2实施方式的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图10是表示第3实施方式的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图11是表示第4实施方式的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图12是表示第2比较例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图13是表示第5实施方式的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

图14是表示第3比较例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

符号说明

1压电基板

2声表面波芯片

10弹性波装置

11第1声表面波芯片

11a角部

12压电基板

12a下表面

12b上表面

13a1IDT电极

13a2反射器

13a～13d声表面波谐振器

14a～14d声表面波谐振器

15纵耦合谐振器型声表面波滤波器

16a～16j凸块

17封装基板

18弹性波装置

21弹性波装置

22第1声表面波芯片

22a角部

23弹性波装置

24第2声表面波芯片

24a角部

25弹性波装置

26、27第1声表面波芯片

26a、27a角部

28第2声表面波芯片

31弹性波装置

32～35第1声表面波芯片

33a角部

41弹性波装置

101弹性波装置

102封装基板

103声表面波芯片

103a角部

104弹性波装置

105声表面波芯片

105a角部

111弹性波装置

112声表面波芯片

112a角部

121弹性波装置

122、123第2声表面波芯片

123a角部

131弹性波装置

132～135第2声表面波芯片

133a角部

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的具体实施方式，由此使本发明变得明了。

(结晶Z轴的朝向)

本申请发明者们在现有的弹性波装置中对加入温度变化时的热变形所引起的破坏现象进行了研讨。其结果，发现在使用LiTaO₃、LiNbO₃等具有各向异性的压电基板的声表面波芯片中，结晶Z轴的朝向存在两种，若考虑该朝向，则可缓和热变形，以至于完成本发明。

参照图1～图3，首先说明该结晶Z轴的朝向。

图1是表示压电单晶的X轴、Y轴以及Z轴、和压电基板的切割角的关系的示意图。图1所示的压电基板1从具有X轴、Y轴以及Z轴的压电单晶切出，使得Y轴旋转角成为α、即切割角成为α。现在，X轴方向成为声表面波传播方向。X轴方向是将图1的纸表面和纸背面连结的方向。

在压电基板1中，为使声表面波激振而在压电基板1的主面形成了IDT电极。因此，声表面波传播方向是与IDT电极的电极指正交的方向。由此，声表面波传播方向成为与压电基板1的主面平行的方向。

图2是用于说明第1参考例的声表面波芯片中的声表面波传播方向A和结晶Z轴的朝向Z1的关系的立体图。在第1参考例的声表面波芯片2中，在图示的压电基板上形成了IDT电极。另外，在图2以及图3中省略了IDT电极等的图示。以下，用箭头A来表示声表面波传播方向。声表面波传播方向A是与IDT电极的电极指正交的方向。

另一方面，在由切出为成为Y轴旋转角α、即切割角α的压电单晶构成的压电基板中，在Z轴方向的朝向上存在图2所示的第1参考例的朝向Z1、和图3所示的第2参考例的朝向Z2。结晶Z轴的朝向具有方向性。因此，在切割角α为0°、90°的整数倍的情况下，结晶Z轴的朝向仅存在一种，但在切割角α不是0°且不是90°的整数倍的情况下，结晶Z轴的朝向存在两种。

另一方面，LiTaO₃、LiNbO₃的线膨胀系数在X轴方向及Y轴方向、和Z轴上不同。因此，若对将具有压电基板的声表面波芯片与封装基板接合的结构加入温度变化，则根据上述Z轴的朝向而产生的位移量不同。以下，将考虑结晶Z轴的朝向Z1、Z2而构成的实施方式和比较例一起进行说明。

(第1实施方式)

图4(a)是第1实施方式中准备的第1声表面波芯片的示意俯视图，图4(b)是表示设置于该声表面波芯片的声表面波谐振器的电极结构的简要俯视图。第1声表面波芯片11具有作为第1压电基板的压电基板12。压电基板12由LiTaO₃、LiNbO₃这样具有各向异性的压电单晶构成。压电基板12从压电单晶切出为Y轴旋转角成为α。在此，α不是0°，也不是90°的整数倍。

在上述压电基板12的主面上形成了声表面波谐振器13a～13d。由声表面波谐振器13a～13d构成第1带通型滤波器。

另一方面，在构成第1带通型滤波器的区域的侧方，构成了声表面波谐振器14a、14b、14c、14d、和纵耦合谐振器型声表面波滤波器15。由纵耦合谐振器型声表面波滤波器15、和声表面波谐振器14a～14d构成第2带通型滤波器。

在图4中示意性示出各声表面波谐振器、纵耦合谐振器型声表面波滤波器15的电极结构。具体地，如图4(b)所示，例如声表面波谐振器13a具有：作为第1IDT电极的IDT电极13a1、和配置在IDT电极13a1的声表面波传播方向两侧的反射器13a2、13a3。在图4(a)中，声表面波传播方向A成为上述压电基板12的长边延伸的方向。

图4(b)所示的IDT电极13a1中的电极指延伸的方向成为与上述声表面波传播方向A正交的方向。

另外，全部声表面波谐振器13a～13d、声表面波谐振器14a～14d以及纵耦合谐振器型声表面波滤波器15中的声表面波传播方向均设为相同。

在上述第1声表面波芯片11中，在压电基板12的周围设置了作为接合件的凸块16a～16j。能将Au或Au合金、焊料等用作凸块的材料。压电基板12具有矩形的形状，该矩形具有：相互对置的第1以及第3边、和与第1以及第3边连接且相互对置的第2以及第4边。在压电基板12的第1和第2边、第2和第3边、第3和第4边、第4和第1边各自的角部，依次配置凸块16a、凸块16c、凸块16f、凸块16h。在第1、第2、第3、第4边各自的中间部，配置了凸块16i、16j、凸块16b、凸块16d、16e、凸块16g。

这些凸块16a～16j通过未图示的布线而与声表面波谐振器13a～13d、声表面波谐振器14a～14d、或纵耦合谐振器型声表面波滤波器15电连接。然后，利用凸块16a～16j，如图4(c)所示那样使第1声表面波芯片11的下表面面向封装基板17的芯片搭载面，通过倒装片接合而将第1声表面波芯片11接合到芯片搭载面。由此，得到声表面波芯片11与封装基板17接合的弹性波装置18。

在第1实施方式的弹性波装置18中，在上述第1声表面波芯片11当中，压电基板12的结晶Z轴的朝向Z1设为随着从与芯片搭载面对置的压电基板12的下表面向上表面而从压电基板12的中央部朝向外侧发生倾斜的方向。在此，压电基板12的下表面12a与封装基板17对置。压电基板12的下表面12a以及上表面12b中的上下，以在封装基板17的上方搭载了第1声表面波芯片11的状态的上下方向为基准。因此，在图4(a)中图示了与封装基板17的芯片搭载面对置的压电基板12的下表面12a侧。另外，IDT电极能设置在压电基板12的上表面以及下表面当中的一面或两面。优选设置在压电基板12的下表面12a。

如上述那样，由于压电基板12的结晶Z轴的朝向设为上述特定的方向，因此如以下叙述那样，能抑制以PA的工作或IDT的激振为主要原因的发热等的影响所引起的弹性波装置的频率温度特性(TCF)的变动。设置有IDT电极的压电基板的位移使得产生以IDT电极的电极指间的间距变化为主要原因的波长的变化、以相互插入的一对梳齿电极的对置距离变化为主要原因的静电电容的变化。因而，弹性波装置的频率发生变动。因此，若能减小压电基板的位移量，则能抑制频率温度特性(TCF)的变动，因而优选。进而，若能减小压电基板的角部所产生的位移量，则能抑制比较容易损伤的压电基板的角部所设置的凸块接合部中的压电基板的损伤，因而优选。参照图5～图8来进行说明。

图5以及图6是表示第1以及第2参考例的弹性波装置的声表面波传播方向、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。

上述位移量的分布是通过基于有限元法的热应力解析求取对弹性波装置101以常温25℃为基准加入+100℃的温度变化的情况下的位移量(位移的大小：单位μm)的结果。

在第1参考例所涉及的弹性波装置101中，在矩形的封装基板102的芯片搭载面上搭载了声表面波芯片103。在此，在俯视观察芯片搭载面的情况下，封装基板102的中心和声表面波芯片103的中心一致。在此所谓中心是指俯视观察的情况下的中心。即，声表面波芯片103的安装位置不会偏至封装基板102的外侧而被安装在中央部。声表面波传播方向A与矩形的声表面波芯片103的长度方向设为平行。结晶Z轴的朝向Z1随着从压电基板12的下表面向上表面而在从封装基板102的芯片搭载面的中央部向外侧的方向上发生倾斜。

另一方面，在图6所示的第2参考例的弹性波装置104中，在封装基板102上搭载了声表面波芯片105。在该声表面波芯片105中，结晶Z轴的朝向Z2是与第1参考例的朝向Z1不同的方向。但是，可知在第1参考例的弹性波装置101以及第2参考例的弹性波装置104中，几乎不存在Z轴的朝向Z1、Z2所引起的位移量的差。例如，角部103a中的位移量的大小以及角部105a中的位移量的大小几乎相同。认为这是因为，声表面波芯片103、105的中心和封装基板102的中心一致，因此由于对称性而不会产生结晶Z轴的朝向Z1、Z2所引起的位移量的差。

图7以后的各图中的位移量的分布也同样求取。图7是表示第1实施方式的弹性波装置10的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z1、和位移量的分布的关系的图。如图7所示，在弹性波装置10中，在俯视观察芯片搭载面的情况下，封装基板17的中心和第1声表面波芯片11的中心发生偏离。更具体地，第1声表面波芯片11在封装基板17的长方形的上表面靠一个短边侧来搭载。

另一方面，图8是表示第1比较例的弹性波装置111中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z2、和位移量的分布的关系的图。

在第1比较例的弹性波装置111中，在封装基板17上搭载了声表面波芯片112。除了声表面波芯片112的结晶Z轴的朝向是朝向Z2以外，其他均与弹性波装置10同样地构成。在此情况下，朝向Z2随着结晶Z轴的朝向从压电基板的下表面向上表面而从封装基板17的芯片搭载面的中央部向外侧地发生倾斜。

在图7和图8中将位移量进行对比。可知，压电基板的位移量成为最小的位移量0.4μm以上且小于0.6μm的区域是图7比图8在压电基板的中央部分布得更广。IDT电极一般采用设置于压电基板的中央部的设计。若能减低压电基板的中央部的热变形，则对于弹性波装置的频率温度特性的稳定是有效的。在图8所示的声表面波芯片112的角部112a，热变形所引起的位移量是1.6μm以上且小于1.8μm的区域。与此相对，图7所示的声表面波芯片11的角部11a的位移量与图8相比小，是1.4μm以上且小于1.6μm的区域。可知位移量的最大值是图7小于图8。这是因为，如图7所示那样构成为：在弹性波装置10中，结晶Z轴的朝向Z1随着从压电基板的下表面向上表面而从封装基板17的芯片搭载面的中央部向外侧地发生倾斜。作为详细的构成，在偏向具有长方形的芯片安装面的封装基板17的一个短边侧的位置上所安装的第1声表面波芯片11中，结晶Z轴的朝向Z1与封装基板17的长边延伸的方向平行地从中央部朝向一个短边侧。此外，将结晶Z轴投影到压电基板下表面的朝向和由IDT电极激振的弹性波的弹性波传播的朝向正交。

如从图7以及图8所明确的那样，可知根据结晶Z轴的朝向是朝向Z1还是朝向Z2，在声表面波芯片11、112的角部所产生的位移量的大小将不同。即，如第1实施方式那样，结晶Z轴的朝向随着从压电基板的下表面向上表面而从压电基板12的中央向外侧地发生倾斜的情况下，能有效果地减少位移量。

如上述那样，在俯视观察芯片搭载面的情况下，当第1声表面波芯片11的中心和封装基板17的中心发生偏离时，如从第1比较例的结果所明确的那样，根据Z轴的朝向Z1、Z2而产生位移量的差。与此相对，在第1实施方式中，可知在将第1声表面波芯片从芯片搭载面的中央部靠向外侧来配置的构成中，由于具备结晶Z轴的朝向随着从压电基板的下表面向上表面而从压电基板的中央部向外侧地发生倾斜的构成，因此能减少压电基板的角部中的位移量。

(第2实施方式)

图9是表示第2实施方式所涉及的弹性波装置21的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z1、和位移量的分布的图。

在第2实施方式的弹性波装置21中，在封装基板17上除了搭载第1声表面波芯片11以外，还搭载另一个第1声表面波芯片22。除了搭载第1声表面波芯片22以外，弹性波装置21与弹性波装置10同样地构成。第1声表面波芯片22的中心也从封装基板17的中心偏离。

因此，在第1声表面波芯片22中，也根据结晶Z轴的朝向而加入温度变化时的位移量不同。在本实施方式中，在第1声表面波芯片22中，结晶Z轴的朝向也设为朝向Z1。即，随着从压电基板的下表面向上表面而从封装基板17的中央部向外侧地发生倾斜。因此，在第1声表面波芯片22中，在角部22a也能够缓和热变形所引起的位移量。通过减小凸块被接合的角部的位移量，从而能抑制因回流焊等急剧温度变化所产生的凸块接合部的破损。

由图9可知，第1声表面波芯片11和另一个第1声表面波芯片22的位移量为0.4μm以上且小于0.8μm的区域，在两个压电基板的中央部分布得较广。

(第3实施方式)

图10是表示第3实施方式所涉及的弹性波装置23的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向、和位移量的分布的关系的图。在第3实施方式的弹性波装置23中，在封装基板17上搭载了第1声表面波芯片11和第2声表面波芯片24。除了搭载第2声表面波芯片24以外，弹性波装置23与弹性波装置10相同。在此，第2声表面波芯片24的结晶Z轴的朝向为朝向Z2。关于其他点，弹性波装置23与弹性波装置21相同。

在弹性波装置23中，由于在第2声表面波芯片24中结晶Z轴的朝向为Z2，因此也就是说结晶Z轴的朝向随着从压电基板的下表面向上表面而从封装基板的外侧向中央部地发生倾斜。

因而，在第2声表面波芯片24的角部24a产生1.8μm以上且小于2.0μm的位移量。因此，在弹性波装置23中，根据温度变化而在第2声表面波芯片24侧会产生大的位移量。可是，在第1声表面波芯片11侧能有效果地减少位移量的大小。由图10可知，第1声表面波芯片11的位移量为0.4μm以上且小于0.8μm的区域，在压电基板的中央部分布得较广。

因此，与第2实施方式的弹性波装置21相比虽然在机械强度上较差，但在第3实施方式的弹性波装置23中，也能在一个第1声表面波芯片11中减少热变形所引起的位移量，可以提高机械强度。

(第4实施方式)

图11是表示第4实施方式所涉及的弹性波装置的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z1、和位移量的分布的关系的图。图12是表示第2比较例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z2、和位移量的分布的图。

在第4实施方式的弹性波装置25中，在封装基板17上搭载了两个第1声表面波芯片26、27、和第2声表面波芯片28。即，在封装基板17的一个短边侧的区域，在短边方向上搭载了第1声表面波芯片26、27。并且，在封装基板17的另一个短边侧搭载了第2声表面波芯片28。在俯视观察封装基板17的情况下，在长边方向上进行二分割后的一个区域，搭载了第1声表面波芯片26、27。在另一个区域，搭载了第2声表面波芯片28。因此，第1、第2声表面波芯片26～28的中心与封装基板17的中心发生偏离。

第1声表面波芯片26、27的声表面波传播方向A是与封装基板17的短边平行的方向。另一方面，第2声表面波芯片28的声表面波传播方向A设为与封装基板17的长边平行的方向。如此，第2声表面波芯片28的声表面波传播方向也可以是与其他第1声表面波芯片26、27的声表面波传播方向不同的方向。

在本实施方式中，第1声表面波芯片26、27的结晶Z轴为朝向Z1。即，是从压电基板的下表面向上表面的方向，从封装基板17的中央部向外侧地发生倾斜。因而，虽然第1声表面波芯片26、27的角部26a、27a的位移量为1.8μm以上且小于2.0μm，但其位移量大的区域却非常狭窄。另一方面，在第2声表面波芯片28中，在沿着封装基板17的短边的一侧会产生大的位移量。

图12是表示第2比较例的弹性波装置中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z2、和位移量的分布的图。在第2比较例的弹性波装置121中，在封装基板17上搭载了第2声表面波芯片122、123。此外，搭载了第2声表面波芯片28。弹性波装置121除了取代第1声表面波芯片26、27而搭载了第2声表面波芯片122、123以外，其他均与弹性波装置25相同。

在第2声表面波芯片122、123中，结晶Z轴的朝向为Z2，关于其他点，均与第1声表面波芯片26、27相同。

在图11中，位移量为0.4μm以上且小于1.2μm的区域将两个第1声表面波芯片26、27和第2声表面波芯片28的中央部包括在内分布得较广。

在图12中，位移量为0.6μm以上且小于1.6μm的区域将两个第2声表面波芯片122、123和第2声表面波芯片28的中央部包括在内分布得较广。

可知在图12的角部123a，位移量为1.8μm以上且小于2.0μm的区域与图11的角部27a相比非常大。即，可知在结晶Z轴的朝向为Z2的声表面波芯片123中，与图11所示的第1声表面波芯片27的情况相比，在较广范围内产生位移量大的区域。因此可知，在将3个声表面波芯片26、27、28搭载于封装基板17上的第4实施方式的弹性波装置25中，也能缓和加入温度变化时的由凸块接合的压电基板的角部的位移量。

(第5实施方式以及第3比较例)

图13是表示第5实施方式所涉及的弹性波装置31中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z1、和位移量的分布的关系的图。图14是表示第3比较例所涉及的弹性波装置131中的声表面波传播方向A、结晶Z轴的朝向Z1、Z2、和位移量的分布的关系的图。

在弹性波装置31中，在封装基板17上搭载了第1声表面波芯片32～35。即，在矩形的封装基板17的一个短边侧的区域，搭载了第1声表面波芯片32、33。在另一个短边侧的区域，搭载了第1声表面波芯片34、35。在本实施方式中，第1声表面波芯片32～35的声表面波传播方向A均是与封装基板17的短边方向平行的方向。第1声表面波芯片32～35的结晶Z轴的朝向均是朝向Z1方向。因此，能有效果地缓和第1声表面波芯片32～35的角部中的位移量。例如，若以第1声表面波芯片33的角部33a为例，则1.8μm以上且小于2.0μm的位移量大的区域非常狭窄。

在第3比较例的弹性波装置131中，在封装基板17上搭载了第2声表面波芯片132～135。第2声表面波芯片132～135的结晶Z轴的朝向均是朝向Z2，除此以外与第1声表面波芯片32～35同样地构成。

在第3比较例的弹性波装置131中，由于第2声表面波芯片132～135的结晶Z轴的朝向均为朝向Z2，因此与第5实施方式所涉及的弹性波装置31比较，第2声表面波芯片132～135的中央部的位移量更大，另外在第2声表面波芯片132～135的角部中位移量大的区域更广。例如，若以第2声表面波芯片133的角部133a为例，则可知1.8μm以上且小于2.0μm的位移量大的区域远宽于图13所示的角部33a。

因此可知，与第3比较例的弹性波装置131相比，根据第5实施方式的弹性波装置31，能有效果地提高机械强度。

另外，在本发明中，搭载于封装基板上的声表面波芯片的数量是任意。至少一个声表面波芯片的压电基板的中心从封装基板的中心偏离来配置，在该声表面波芯片中结晶Z轴的朝向为Z2即可。

此外，形成于各声表面波芯片的电极结构并没有特别限定，并不限定于上述第1实施方式的电极结构。

Claims

1.一种弹性波装置，其中，具备：

第1声表面波芯片，其具有第1压电基板和设置在所述第1压电基板上的第1IDT电极，该第1压电基板由Y轴旋转角不是0°且不是90°的整数倍的压电单晶构成并具有相互对置的上表面和下表面；

封装基板，其与所述第1压电基板的所述下表面对置，且具有搭载所述第1声表面波芯片的芯片搭载面；和

接合件，其将所述第1声表面波芯片接合在所述芯片搭载面，

在俯视观察所述芯片搭载面的情况下，所述第1声表面波芯片的安装位置从所述芯片搭载面的中央部偏向外侧来配置，

随着从所述第1压电基板的所述下表面向所述上表面而所述第1压电基板的结晶Z轴的朝向从所述芯片搭载面的所述中央部向所述外侧发生倾斜。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在所述封装基板的所述芯片搭载面搭载了多个声表面波芯片，

该多个声表面波芯片当中的至少一个声表面波芯片是所述第1声表面波芯片。

3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，

所述多个声表面波芯片全部是所述第1声表面波芯片。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述芯片搭载面为矩形，

沿着所述芯片搭载面的一边而配置多个所述第1声表面波芯片。

5.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在所述芯片搭载面上搭载了多个声表面波芯片，该多个声表面波芯片具有所述第1声表面波芯片和第2声表面波芯片，

所述第2声表面波芯片具有：第2压电基板，其由Y轴旋转角不是0°且不是90°的整数倍的压电单晶构成，并具有相互对置的上表面和下表面；和第2IDT电极，其设置在所述第2压电基板上，

随着从所述第2压电基板的所述下表面向所述上表面而所述第2压电基板的结晶Z轴的朝向从所述芯片搭载面的外侧向中央部发生倾斜。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的弹性波装置，其中，

在俯视观察所述芯片搭载面的情况下，所述多个声表面波芯片的弹性波传播方向相互平行。