CN105229802A - 用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件 - Google Patents

Abstract

在不同的实施例中提供一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法。在此，提供器件复合件(10)，所述器件复合件具有发射电磁辐射的器件(12)，所述器件在器件复合件(10)中在物理上彼此耦联。对于器件(12)分别确定至少一个器件单独的特性。根据器件(12)的所确定的特性，构成用于覆盖器件复合件(10)中的器件(12)的结构掩模(22)，其中结构掩模(22)与器件(12)相对应地具有结构掩模凹部(24)，所述结构掩模凹部根据相应的器件(12)的特性器件单独地构成。结构掩模凹部(24)将在结构掩模凹部(24)中露出的发光材料区域(26)预设在器件(12)上。将第一发光材料层(28)构成到器件(12)的发光材料区域(26)上。将结构掩模(22)从器件复合件(10)移除。从器件复合件(10)中分割器件(12)，其中由分割的器件(12)中的至少一个和由至少一个在其上构成的第一发光材料层(28)构成组件。

Description

用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件

技术领域

本发明涉及一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法和一种发射电磁辐射的组件。

背景技术

在传统的发射电磁辐射的组件，在下文中称为组件中能够经由相加的色彩混合产生白光。对此，例如能够将具有发光材料的材料施加到发射电磁辐射的器件，在下文中称作器件，例如LED上。也能够称作为用于转换的材料或转换材料的、具有发光材料的材料将由器件产生的电磁辐射在其波长方面进行转换。例如，借助于器件能够产生蓝光，所述蓝光能够借助于转换材料转换成黄光。随后，由转换的、例如黄光和未转换的、例如蓝光构成的混合显示为白色。

首先在具有多个器件的器件复合件中制造组件。器件复合件例如能够是晶片。晶片中的各个器件、例如LED的特性彼此不同。所述特性例如是物理特性，例如所产生的光的波长、正向电压和/或所产生的光的亮度。因此，在其他方面相同的边界条件下，晶片的一个器件能够产生具有与同一晶片的另一器件不同亮度的光。因此，器件的特性是单独的进而在下文中也称作器件单独的特性。

在从器件复合件中分割器件之后，能够将具有发光材料的材料，例如以发光材料层的方式、例如以发光材料小板的方式施加到器件上。组件中的一个由具有至少一个发光材料层的至少一个器件形成。当然，发光材料层能够不精确相同地施加到所有器件上。由此，对于白色转换所需的磷光体量能够在器件之间是不同的。

如果器件的特性彼此不同，那么在相应的组件中能够从中得出对于所产生的光的不同的色度坐标，即使发光材料量和/或例如发光材料层的厚度在相应的组件中是相同的也如此。如果发光材料量彼此之间也仅稍微不同，那么在相应的组件中同样能够得出对于所产生的光的不同的色度坐标，即使器件的特征是相同的也如此。

已知的是，尽管如此为了得到能实现相同的或至少非常相似的色度坐标的组件，将器件根据其器件单独的特性来分拣，例如分拣到所谓的储藏箱中。转换材料的施用例如经由丝网印刷或模制法进行，其中制造用于相应的器件几何结构的转换小板，并且同样根据其特性分拣到储藏箱中。例如，测量发光材料小板的转换度作为特性。于是确定：哪个发光材料小板匹配于哪个器件，由此尽可能多的组件产生具有期望颜色和/或期望色度坐标的光。接着，将匹配的发光材料小板粘结到正确的器件上。

此外已知的是，在器件的发光材料区域上产生发光材料层的仅一个子覆盖部，然而所述子覆盖部在几何方面总是相同的并且不匹配于器件的特性。

发明内容

在不同的实施例中提供用于制造发射电磁辐射的组件的方法。在方法中提供具有发射电磁辐射的器件的器件复合件。器件在器件复合件中物理上彼此耦联。对于器件分别确定至少一个器件单独的特性。根据器件的所确定的特性，构成用于覆盖器件复合件中的器件的结构掩模。结构掩模与器件相对应地具有结构掩模凹部，所述结构掩模凹部根据相应的器件的特性来器件单独地构成。结构掩模凹部将在结构掩模凹部中暴露的发光材料区域预设在器件上。在器件的发光材料区域上构成发光材料层。将结构掩模从器件复合件移除。从器件复合件中分割器件。由分割的器件中的至少一个和由至少一个在其上构成的第一发光材料层构成组件。

器件单独的结构掩模凹部的壁部形成器件复合件单独的结构掩模。换言之，对于每个器件复合件，例如对于每个晶片构成单独的结构掩模，更确切地说根据相应的器件复合件的器件的器件单独的特性构成。器件单独的结构掩模凹部引起，对于器件复合件中的每个器件能够单独地设定发光材料层进而也单独地设定发光材料量。例如，能够单独地在器件之间变化结构掩模凹部的直径、数量、大小、形状和/或侧长，由此能够改变暴露在结构凹部中的发光材料区域的面积大小进而能够改变在发光材料层的厚度相同情况下在结构凹部中构成的发光材料层的体积大小进而能够改变每个器件的发光材料量。借助于单独地构成发光材料层，发光材料层能够以匹配于相应的器件的方式构成，使得借助于同一器件复合件的不同的器件能够实现相同的或至少近似相同的色度坐标，即使器件的特性彼此不同也如此。能够弃用发光材料小板的测定和发光材料小板与和其匹配的器件的指派。

为了确定器件单独的结构凹部进而器件复合件单独的结构掩模，能够存储并且随后进一步处理对应于器件的特性的数据。根据数据，能够借助于适合的软件程序确定对于各个器件所需的发光材料量和/或发光材料层。然后，根据所需要的发光材料量或发光材料层，能够确定结构掩模凹部的形状和大小进而也确定结构掩模本身。

提供器件复合件例如能够意味着构成器件复合件。器件复合件例如由具有多个层和接触面的晶片构成。器件在器件复合件中物理上彼此耦联例如能够意味着其至少部分地一件式地构成。例如，器件的基板和/或器件的各个层能够在整个器件复合件上延伸。要确定的特性是器件单独的例如能够意味着：至少一个特性在器件之间是不同的。特性例如能够是正向电压、所产生的亮度和/或所产生的波长。例如，能够借助于器件复合件的两个器件在其他方面相同的测试条件下产生不同波长的和/或具有不同亮度的光。构成结构掩模例如能够意味着首先构成结构掩模并且然后将其设置在器件复合件上或结构掩模直接构成在器件复合件上。发光材料层也能够称作第一发光材料层。

结构掩模凹部延伸至器件的表面并且限定器件的发光材料区域。换言之，借助于结构掩模凹部预设，发光材料区域如何构成并且在何处将发光材料层施加到器件上以及在何处不施加发光材料层。

例如能够以刻蚀法将结构掩模从器件复合件移除。器件例如能够借助于切割或锯割，例如借助于激光从器件复合件中分割。能够由一个、两个或更多分割的器件和由分别在其上构成的至少一个发光材料层构成组件。

在不同的实施方式中，将结构掩模直接构成在器件复合结构上。这能够有助于：精确地、简单地和/或成本适宜地构成结构掩模。对此替选地，首先能够构成结构掩模并且接着设置在器件复合件上。

在不同的实施方式中，结构掩模具有能光刻结构化的材料，所述材料首先面状地施加到器件复合件上。根据所确定的特性，将面状地施加的材料曝光。例如能够借助于激光直接曝光器根据代表特性的数据来进行曝光。接着(根据能光刻结构化的材料的种类)将结构掩模的曝光的区域或未曝光的区域移除，尤其使得产生结构掩模凹部。这能够有助于精确、简单和/或成本适宜地构成结构掩模。能光刻结构化的材料例如能够是漆和/或以膜的形式施加到器件复合件上。例如能够以预设的厚度施加能光刻结构化的材料。厚度能够处于例如10μm至200μm、例如40μm至60μm的范围中、例如大约为50μm。

在不同的实施方式中，借助于印刷法结构化地将结构掩模施加到器件复合件上。这能够有助于精确、简单和/或成本适宜地构成结构掩模。将结构掩模结构化地施加例如能够意味着结构掩模的结构直接在将结构掩模的材料施加到器件复合件上时构成。这与将材料首先面状地施加并且接着将材料结构化相反。

在不同的实施方式中，借助于刮涂施加发光材料层。在随后移除结构掩模时，也能够将在结构掩模上的具有发光材料的材料移除。对此替选地，能够将在结构掩模上的具有发光材料的材料首先剥离并且随后能够将露出的结构掩模移除。作为用于发光材料层的材料例如能够使用发光材料-硅树脂混合物。例如，将具有一种或多种发光材料的材料施加到结构掩模上和器件的发光材料区域上。

在不同的实施方式中，借助于喷射，例如喷涂覆层施加发光材料层。例如，具有一种或多种发光材料的材料喷射到结构掩模上和器件的发光材料区域上。此外，在随后将结构掩模移除时，也将在结构掩模上的具有发光材料的材料移除。对此替选地，能够将在结构掩模上的具有发光材料的材料首先剥离并且随后能够移除露出的结构掩模。作为用于发光材料层的材料例如能够使用具有一种或多种发光材料、聚合物和溶剂的转换混合物。

在不同的实施方式中，在移除结构掩模之前，使发光材料层干燥和/或硬化。干燥或硬化例如能够在50摄氏度和150摄氏度之间的、例如在70摄氏度和130摄氏度之间的、例如在90摄氏度和110摄氏度之间的温度下进行。硬化或干燥能够有助于使发光材料层在移除结构掩模时保持完好或至少近似完好。

在不同的实施方式中，在施加发光材料层之后和/或在干燥和/或硬化发光材料层之后，至少部分地剥离发光材料层和/或结构掩模。如果发光材料层也覆盖结构掩模，发光材料层的剥离能够有助于露出结构掩模，使得随后能够将其简单地移除。此外，在相应的发光材料区域之上的发光材料层的剥离能够有助于精确地设定相应的发光材料层的厚度。于是，发光材料层在横向尺寸不同时、即平行于器件的表面的横向尺寸不同时具有垂直于器件的表面的相同的层厚度。这能够有助于随后能够借助于相应的器件精确地实现期望的色度坐标。发光材料层的材料能够从一开始选择为，使得这种再加工是简单可行的。

在不同的实施方式中，器件复合件中的至少一个器件构成两个或更多彼此隔开的结构掩模凹部。换言之，在两个或更多结构掩模凹部中相应地露出器件的两个或更多发光材料区域。因此，相应的器件具有两个或更多发光材料区域。这能够有助于，能够特别精确地调节色度坐标。

在不同的实施方式中，例如借助于用于相应的器件的相应两个或更多结构掩模凹部，对器件复合件中的至少一个器件构成两个或更多彼此隔开的发光材料层。这能够有助于，能够特别精确地设定色度坐标。

在不同的实施方式中，在器件复合件中的至少一个器件中，在相应的器件的发光材料层之间构成至少一个另外的发光材料层，例如第二发光材料层。另外的发光材料层例如能够具有与第一发光材料层不同的发光材料或以与第一发光材料层不同的浓度具有相同的发光材料。此外，另外的发光材料层能够具有其他的载体材料，发光材料嵌入在所述载体材料中。这能够有助于，能够实现不同的色度坐标和/或能够特别精确地设定相应的色度坐标。第二发光材料层能够构成为，使得第二发光材料层的形状能够由第一发光材料层之间形成的腔的形状预设。如果腔是似圆的，例如圆形的或椭圆的，那么第二发光材料层能够与之相应地似圆地或圆形地或椭圆形地构成。如果腔是多边形的，例如矩形、例如正方形的，那么第二发光材料层能够与之相应地多边形地，矩形地或正方形地构成。

在不同的实施方式中，发光材料层在至少一个器件上条带状地构成。

在不同的实施方式中，发光材料层在至少一个器件上栅格状地构成。发光材料层的栅格形状能够具有行和列。在行和列之间构成腔。栅格形状能够构成为，使得腔是似圆的，例如圆形或椭圆形的，或者是多边形的，例如矩形或正方形的。

在不同的实施方式中，提供发射电磁辐射的组件，所述组件借助于根据上述权利要求中任一项的方法制造。

在不同的实施方式中，提供发射电磁辐射的组件，例如在上文中阐述的电磁组件。发射电磁辐射的组件具有发射电磁辐射的器件，其具有至少一个器件单独的特性。形状和大小根据器件单独的特性构成的至少一个发光材料层在器件上构成。

附图说明

在图中示出并且在下文中阐述本发明的实施例。

附图示出：

图1示出在用于制造发射电磁辐射的组件的方法中的、器件复合件在第一状态中的一个实施例的俯视图；

图2示出根据图1的器件复合件沿着线II.-II.的剖面图；

图3示出在用于制造发射电磁辐射的组件的方法中在第二状态中的根据图2的器件复合件；

图4示出在用于制造发射电磁辐射的组件的方法中在第三状态中的根据图2的器件复合件；

图5示出在用于制造发射电磁辐射的组件的方法中在第三状态中的根据图2的器件复合件；

图6示出器件复合件的一个实施例的剖面图；

图7示出器件复合件的一个实施例的剖面图。

具体实施方式

在下文中详细的描述中参考形成描述的部分且其中为了说明而示出能够实施本发明的具体的实施例的附图。鉴于此，参考所描述的附图的定向来使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围不通过附上的权利要求来限定。

在所述描述的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。

发射电磁辐射的组件能够在不同的实施例中具有发射电磁辐射的器件和在发射辐射的器件上的至少一个发光材料层。发射电磁辐射的器件能够在不同的实施例中是发射电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射电磁辐射的二极管，构成为发射电磁辐射的有机二极管，构成为发射电磁辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是可见的范围中的光，UV光和/或红外光。在本文中，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(lightemittingdiode，LED)构成为有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)，构成为发光晶体管或构成为有机发光晶体管。发光器件能够在不同的实施例中是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安装在共同的壳体中。在下文中，发射电磁辐射的器件称作器件。发射电磁辐射的组件称作为组件。

图1示出在用于制造发射电磁辐射的组件的方法中的器件复合件10在第一状态中的一个实施例的俯视图。器件复合件10具有多个器件12。器件复合件10能够具有比在图1中示出更多或更少的器件12。器件复合件10在俯视图中似圆地、尤其圆形地构成。器件12在俯视图中多边形地、尤其矩形地、尤其正方形地构成。对此替选地，器件复合件10和器件12在俯视图中能够不同地构成。例如，器件复合件10能够多边形地，例如矩形地或正方形地成形和/或器件12能够似圆地，例如椭圆地或圆形地构成。器件复合件10例如能够是晶片和/或基本上具有半导体材料和/或由其形成。

器件适合于发射电磁辐射，例如发射蓝光。此外，器件适合于容纳发光材料层，其中至少一个器件和至少一个在其上构成的发光材料层形成发射电磁辐射的组件。

图2示出根据图1的器件复合件10的沿着在图1中示出的线II-II的剖面图。器件复合件10具有基板14、下电极层16、光学有源层17和上电极层18。此外，每个器件12在上电极层18中具有接触区域20。上电极层18适合于容纳发光材料层(在图2中未示出)。上电极层18的施加有发光材料层的区域也能够称作发光材料区域(在图2中未示出)。接触区域20适合于相应的器件12的电接触。

在将电压施加到下和上电极层16、18上时，在光学有源层17中产生电磁辐射，所述电磁辐射沿远离基板14的方向，在图2中例如向上，发射。借助于组件中的一个的电磁辐射能够实现的色度坐标从相应的器件12的特性中得出，所述特性为相应的发光材料区域的形状和/或大小、相应的发光材料层的厚度和在发光材料层中的发光材料的浓度。

发光材料层中的一个的发光材料借助于由相应的器件12产生的电磁辐射以能量的方式激励，所述电磁辐射在本文中也能够称作激励辐射。激励辐射例如能够具有蓝光。在随后的能量方式的去激励时，发光材料发射一种或多种预设的颜色的光。由此，进行激励辐射的转换，由此产生转换辐射。在转换时，激励辐射的波长朝更短或更长的波长移动。颜色能够使单色或混合色并且对应于特定的色度坐标。单色例如能够具有绿光、红光或黄光和/或混合色例如能够由绿光、红光和/或黄光混合和/或例如具有白光。附加地，能够提供蓝光，例如通过发光材料层构成为使得至少部分不转换的激励辐射作为可用的照明光离开组件。单色或混合色能够借助于发光材料层和相应的器件12示出。例如，绿色、红色和黄色能够借助于蓝色的激励光示出。在将UV光用作激励光时，发光材料也能够选为，使得其示出红色、绿色、蓝色和黄色。

各个器件12在器件复合件10完成加工之后沿着分隔线20分割。对此替选地，也能够不将多个器件12彼此分开并且形成组件的不同的元件。

在分割之前已经能够在器件复合件10中接触、运行和/或测量器件12。尤其，各个器件12的器件单独的特性尤其能够已经在器件复合件10中测定。例如，在其他方面预设的边界条件，例如相同的边界参数的情况下，对于每个器件12测定相应的正向电压、所产生的波长和/或所产生的亮度作为器件单独的特性。换言之，器件12在器件复合件10中能够在相同的条件下运行，然而显示出已经能够在器件复合件10中检测的、单独彼此不同的特性。

代表器件单独的特性的数据能够存储在未示出的电子存储元件上。根据所存储的数据，例如能够借助于软件程序对每个器件12单独地确定需要用于借此能够借助于相应的发光材料层和相应的器件12实现期望的色度坐标的发光材料量。于是，跟所确定的发光材料量并且对于发光材料层的预设的厚度，能够为每个器件12确定在相应的器件12上的单独的发光材料区域，所述发光材料区域必须用具有预设厚度的发光材料覆层，由此具有相应的发光材料层的相应的器件12能够实现预设的色度坐标。

图3示出在用于制造组件的方法中的在第二状态中的根据图2的器件复合件10，其中结构掩模22构成在第二电极层18上。结构掩模22根据所确定的发光材料量或所确定的发光材料区域构成。尤其，结构掩模22的结构掩模凹部24能够构成为，使得发光材料区域26在器件复合件10的器件12上没有结构掩模22的材料。换言之，各个器件12的发光材料区域26在结构凹部24中露出，其中结构凹部24与发光材料区域26相对应。

从图3中得知，发光材料区域26能够不同地，例如不同大小、长度和/或宽度地构成。为了更好地说明，在图3中相对大地示出发光材料区域26的不同之处。然而，实际上，发光材料区域26的大小和/或形状也能够是明显更小的。发光材料区域26的不同之处从各个器件12的特性的不同之处进而从各个器件12的器件单独的特性中得出。

例如能够首先制造结构掩模22，并且然后将其设置在器件复合件10上。对此替选地，结构掩模22能够直接在器件复合件10上构成。结构掩模22例如能够具有光刻结构化的材料。例如能够将光刻结构化的材料以漆的形式和/或以薄膜的形式施加到器件复合件10上，然后根据代表器件12的特性的数据曝光、例如激光曝光，并且随后能够以剥离法(Lift-off)移除结构膜22的曝光的或未曝光的区域，这与使用哪种类型的能光刻结构化的材料相关。对此替选地，结构膜22能够以印刷法、例如以喷墨印刷法施加到器件复合件10上。

图4示出在用于制造组件的方法中的在第三状态中的根据图2的器件复合件10。在发光材料区域26之上和在结构凹部24中构成发光材料层，例如第一发光材料层28。第一发光材料层28例如能够借助于刮涂引入结构凹部24中。对此替选地，能够将第一发光材料层28的材料首先面状地施加到发光材料区域26和结构掩模22上、硬化和/或干燥，并且随后部分地剥离。各个第一发光材料层28的转换度与其厚度，其平行于发光材料区域26的面积并且与在相应的第一发光材料层28中的发光材料浓度相关。因此，在第一发光材料层28的厚度相同且发光材料的浓度相同时，转换度由平行于发光材料区域26的面积的大小进而由结构凹部24的大小确定。

常规的发光材料例如是铝、硅、镁、钙、钡、锶、锌、镉、锰、铟、钨和其他过渡金属的或稀土金属如钇、钆或镧的卤化物、和石榴石或氮化物，硅酸盐、氮化物、氧化物、磷酸盐、硼酸盐、氮氧化物、硫化物、硒化物、铝酸盐、钨酸盐，其掺杂有活化剂，例如铜、银、铝、锰、锌、锡、铅、铈、铽、钛、锑或铕。在不同的实施方式中，发光材料是氧化或氮(氧)化的发光材料，如石榴石、正硅酸盐、氮(铝)硅酸盐、氮化物或氮正硅酸盐，或卤化物或卤磷酸盐。适合的发光材料的具体的示例是锶氯化磷灰石：Eu((Sr,Ca)5(PO4)3Cl:Eu；SCAP)、钇铝石榴石：Cer(YAG:Ce)或CaAlSiN3:Eu。此外，在发光材料或发光材料混合物中例如能够包含具有散射光特性的颗粒和/或辅助材料。辅助材料的示例包含表面活性剂和有机溶剂。用于散射光的颗粒的示例是金、银和金属氧化物颗粒。

图5示出在用于制造组件的方法中的在第四状态中的根据图2的器件复合件10，其中结构掩模22被移除。结构掩模22例如能够借助于剥离工艺，例如借助于刻蚀工艺来移除。器件12与相应的第一发光材料层28一起形成多个组件并且共同形成组件复合件。随后，例如能够沿着分隔线20分割各个组件。对此替选地，能够将多个组件组合成一个共同的组件。每个组件具有带有器件单独的特性的器件12和相应的第一发光材料层28的单独的组合，其中借助于每个组件能够实现相同的色度坐标。

图6示出器件复合件10的一个实施例的剖面图，所述器件复合件例如能够借助于在上文中所阐述的方法构成。

例如，在图6中示出的最左侧的组件具有两个发光材料层28。第一发光材料层28例如能够条带状地构成到绘图平面中。此外，附加地能够在第一发光材料层28之间存在未示出的横向连接，借助于所述横向连接在俯视图中形成多边形的，例如矩形的、例如正方形的，或者似圆的，例如椭圆形或圆形的第一发光材料层28。

与此不同的是，在图6中示出的左起第二组件例如具有四个第一发光材料层28，其能够与最左侧的组件的第一发光材料层28相对应地条带状地，多边形地或似圆地构成。

在图6中示出的右起第二组件例如不具有第一发光材料层28。在测定相应的器件12时例如能够确定，借助于所述器件12与能施加的第一发光材料层28无关地不能实现期望的色度坐标。例如，相应的器件完全不能工作或在预设的参数范围之内不能工作。在前一种情况下，能够清除相应的组件，而不对其使用发光材料。在后一种情况下，能够输送不具有第一发光材料层28或具有另外的未示出的例如呈小板形式的发光材料层的、其他应用的相应的器件12。

在图6中最右侧示出的组件除了接触区域20以外几乎完全用第一发光材料层28覆盖。

图7示出贯穿器件复合件10的实施例的剖面图，其中在第一发光材料层28之间构成另外的发光材料层30，尤其第二发光材料层30。第一发光材料层28例如能够具有与第二发光材料层30不同的材料。例如，第一发光材料层28能够具有与第二发光材料层30不同的发光材料。替选地或附加地，第一发光材料层28能够具有与第二发光材料层30不同浓度的发光材料。这能够有助于实现其他的期望的色度坐标或能够更精确地设定期望的色度坐标。

第一发光材料层28能够在施加第二发光材料层30时用作用于第二发光材料层30的材料的掩模。替选地或附加地，第一发光材料层28能够用作用于第二发光材料层30的框架。第一发光材料层28例如能够包围在俯视图中似圆的，例如圆形的或椭圆形的或多边形的，例如矩形的或正方形的凹部，尤其腔，然后能够将第二发光材料层30的材料填入到所述腔中。因此，第二发光材料层30的形状由腔的形状预设，使得第二发光材料层30与其相应地是似圆的，例如圆形或椭圆形的或多边形的，例如矩形或正方形的。

例如能够以与第一发光材料层28相同的厚度施加第二发光材料层30的材料，或者能够施加第二发光材料层30的材料，使得第二发光材料层30从第一发光材料层28中凸形地向外伸出，如在图7中示出的左起第二组件那样，或凹形地向内伸出，如在图7中示出的右起第二组件那样。

本发明不受所示出的实施例限制。例如能够构成更多或更少发光材料层28、30。此外，发光材料层28、30能够以不同的厚度构成。此外，对应于常规的LED，器件12能够具有比所示出的层多得多的层。此外，器件12能够具有未示出的嵌入的电子器件如电容器、晶体管等。此外，为了施加结构掩模22和/或发光材料层28、30能够使用与所提到方法不同的适合的方法。

Claims (15)

1.一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法，其中

-提供器件复合件(10)，所述器件复合件具有发射电磁辐射的器件(12)，所述器件在所述器件复合件(10)中在物理上彼此耦联，

-对所述器件(12)分别确定至少一个器件单独的特性，

-根据所述器件(12)的所确定的所述特性，构成用于覆盖在所述器件复合件(10)中的所述器件(12)的结构掩模(22)，

其中所述结构掩模(22)与所述器件(12)相对应地具有结构掩模凹部(24)，所述结构掩模凹部根据相应的所述器件(12)的所确定的特性而器件单独地构成，并且其中所述结构掩模凹部(24)将在所述结构掩模凹部(24)中露出的发光材料区域(26)预设在所述器件(12)上，

-将发光材料层(28)构成到所述器件(12)的所述发光材料区域(26)上，

-将所述结构掩模(22)从所述器件复合件(10)移除，并且

-从所述器件复合件(10)中分割所述器件(12)，其中由分割的器件(12)中的至少一个和由至少一个在其上构成的发光材料层(28)形成组件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构掩模(22)直接构成在所述器件复合件(10)上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述结构掩模(22)具有能光刻结构化的材料，将所述材料首先面状地施加到所述器件复合件(10)上，然后根据确定的所述特性进行曝光，并且紧接着，根据能光刻结构化的所述材料，将所述结构掩模(22)的曝光的区域或未曝光的区域移除，由此形成所述结构掩模凹部(24)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中将所述结构掩模(22)借助于印刷法结构化地施加到所述器件复合件(10)上。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述发光材料层(28)借助于刮涂来施加。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中借助于喷射施加所述发光材料层(28)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在移除所述结构掩模(22)之前将所述发光材料层(28)干燥和/或硬化。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在施加所述发光材料层(28)之后和/或在干燥和/或硬化所述发光材料层(28)之后将所述发光材料层(28)和/或所述结构掩模(22)部分地剥离。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中对所述器件复合件(10)中的至少一个器件(12)构成两个或更多彼此隔开的结构掩模凹部(24)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述器件复合件(10)中的至少一个器件(12)构成两个或更多彼此隔开的发光材料层(28)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述器件复合件(10)中的至少一个器件(12)中，在相应的所述器件(12)的所述发光材料层(28)之间构成至少一个另外的发光材料层(30)。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述发光材料层(28)在至少一个器件(12)上条带状地构成。

13.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述发光材料层(28)在至少一个器件(12)上栅格状地构成。

14.一种发射电磁辐射的组件，所述组件借助于根据上述权利要求中任一项所述的方法制造。

15.一种发射电磁辐射的组件，具有发射电磁辐射的、具有至少一个器件单独的特性的器件(12)，并且具有至少一个发光材料层(28)，所述发光材料层构成在所述器件(12)上并且所述发光材料层的形状和大小根据器件单独的所述特性来构成。