KR20150136512A - 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법 및 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리 - Google Patents
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Abstract
상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법이 제시된다. 이 경우, 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트(12)들을 포함하는 컴포넌트 복합물(10)이 제공되어 있는데, 상기 컴포넌트들은 상기 컴포넌트 복합물(10) 내에서 물리적으로(physically) 서로 결합되어 있다. 상기 컴포넌트(12)들 각각에는 적어도 하나의 컴포넌트-개별적인 특성(component-individual property)이 결정된다. 컴포넌트(12)들의 결정된 특성들에 따라 컴포넌트 복합물(10) 내 상기 컴포넌트(12)들을 커버하기 위한 구조 마스크(22)가 형성되고, 이때 상기 구조 마스크(22)는 상기 컴포넌트(12)들에 대응하는 구조 마스크 리세스(24)들을 포함하며, 상기 구조 마스크 리세스들은 상응하는 컴포넌트(12)들의 결정된 특성들에 따라 컴포넌트-개별적으로 형성되어 있다. 상기 구조 마스크 리세스(24)들은 상기 컴포넌트(12)들 상에 발광 물질 영역(26)들을 사전 설정하는데, 상기 발광 물질 영역(26)들은 상기 구조 마스크 리세스(24)들 내에서 노출되어 있다. 상기 컴포넌트(12)들의 발광 물질 영역(26)들 상에 제1 발광 물질 층(28)들이 형성된다. 상기 구조 마스크(22)는 상기 컴포넌트 복합물(10)로부터 제거된다. 상기 컴포넌트(12)들은 상기 컴포넌트 복합물(10)로부터 개별화되고, 이때 일 어셈블리는 상기 개별화된 컴포넌트(12)들 중 적어도 하나의 컴포넌트 및 그 위에 형성된 적어도 하나의 제1 발광 물질 층(28)에 의해 형성된다.
Description
본 발명은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법 및 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리에 관한 것이다.
종래의 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리(후속해서 어셈블리로 언급됨)의 경우, 가색법(additive color mixing method)을 통해 백색 광이 발생할 수 있다. 상기 목적을 위해, 예를 들어 발광 물질을 포함하는 재료가 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트(후속해서 컴포넌트로 언급됨), 예컨대 LED 상에 제공될 수 있다. 변환하는 재료 또는 변환 재료로도 표기될 수 있는 상기 발광 물질을 포함하는 재료는 상기 컴포넌트에 의해 발생한 전자기 방사선을 자체 파장과 관련하여 변환한다. 예를 들어 상기 컴포넌트에 의해 청색 광이 발생할 수 있고, 상기 청색 광은 변환 재료에 의해 황색 광으로 변환될 수 있다. 그런 다음 변환된, 예컨대 황색 광과 변환되지 않은, 예컨대 청색 광으로 이루어진 혼색 광은 백색으로 나타난다.
어셈블리들은 우선, 다수의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 복합물 내에 제조된다. 상기 컴포넌트 복합물은 예를 들어 웨이퍼(wafer)일 수 있다. 웨이퍼 내의 개별 컴포넌트들, 예컨대 LED들의 특성들은 서로 상이하다. 상기 특성들은, 예를 들어 순방향 바이어스(forward bias), 발생한 광의 파장 및/또는 발생한 광의 명도(brightness)와 같은 예컨대 물리적 특성들이다. 이와 같은 방식으로 그 밖의 동일한 경계 조건에서 웨이퍼의 일 컴포넌트는 동일한 웨이퍼의 다른 일 컴포넌트와 비교하여 다른 명도를 갖는 광을 발생할 수 있다. 따라서, 일 컴포넌트의 특성들은 개별적이고, 그에 따라 후속해서 컴포넌트-개별적인 특성(component-individual property)들로도 표기된다.
컴포넌트 복합물로부터 컴포넌트들을 개별화한 이후에, 상기 발광 물질을 포함하는 재료는 예를 들어 발광 물질 층의 형태로, 예컨대 발광 물질 소형판의 형태로 상기 컴포넌트들 상에 제공될 수 있다. 일 어셈블리는 적어도 하나의 발광 물질 층을 갖는 하나 이상의 컴포넌트로 형성되어 있다. 그러나 발광 물질 층들은 모든 컴포넌트들 상에 정확하게 동일하게 제공되지 않을 수 있다. 그럼으로써 백색 변환에 필요한 인광 물질량은 컴포넌트에 따라 변경될 수 있다.
컴포넌트들의 특성들이 서로 다른 경우, 그로 인해 상응하는 어셈블리들에서 발광 물질량 및/또는 예컨대 발광 물질 층들의 두께가 동일해도 상응하는 어셈블리에서 발생한 광을 위해 다른 색 장소들이 주어질 수 있다. 발광 물질량이 단지 약간만 서로 다른 경우에도, 컴포넌트들의 특성들이 동일해도 상응하는 어셈블리들에서 발생한 광을 위해 마찬가지로 상이한 색 장소들이 주어질 수 있다.
그럼에도 불구하고, 동일한 또는 적어도 매우 유사한 색 장소들을 달성할 수 있는 어셈블리들을 얻기 위해 컴포넌트들을 자체 컴포넌트-개별적인 특성들에 따라, 예컨대 소위 용기 안에 분류하는 것이 공지되어 있다. 변환 재료의 적용은 예를 들어 스크린 인쇄법 또는 몰드법을 통해 이루어지는데, 상기 방법들에서는 각각의 컴포넌트-구조들을 위한 변환 소형판들이 제조되고 마찬가지로 자체 특성들에 따라 용기 안에 분류된다. 예를 들어 특성으로서 발광 물질 소형판들의 변환율이 측정된다. 그런 다음 최대한 많은 어셈블리가 의도한 색 및/또는 의도한 색 장소를 갖는 광을 발생하도록, 어떤 발광 물질 소형판이 어떤 컴포넌트에 매칭되는지 결정된다. 후속하여 상응하는 발광 물질 소형판이 적합한 컴포넌트 상에 접착된다.
또한, 일 컴포넌트의 발광 물질 영역 상에 발광 물질 층의 단지 부분 커버만을 생성하는 것이 공지되어 있지만, 이와 같은 부분 커버들은 구조적으로 항상 동일하고 컴포넌트의 특성들에 매칭되어 있지 않다.
상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법이 제시된다. 상기 방법에서는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트들을 포함하는 컴포넌트 복합물이 제공된다. 상기 컴포넌트들은 컴포넌트 복합물 내에서 물리적으로 서로 결합되어 있다. 상기 컴포넌트들 각각에는 적어도 하나의 컴포넌트-개별적인 특성이 결정된다. 컴포넌트들의 결정된 특성들에 따라 컴포넌트 복합물 내 상기 컴포넌트들을 커버하기 위한 구조 마스크가 형성된다. 상기 구조 마스크는 상기 컴포넌트들에 대응하는 구조 마스크 리세스들을 포함하고, 상기 구조 마스크 리세스들은 상응하는 컴포넌트들의 특성들에 따라 컴포넌트-개별적으로 형성되어 있다. 상기 구조 마스크 리세스들은 상기 컴포넌트들 상에 발광 물질 영역들을 사전 설정하는데, 상기 발광 물질 영역들은 상기 구조 마스크 리세스들 내에서 노출되어 있다. 상기 컴포넌트들의 발광 물질 영역들 상에 발광 물질 층들이 형성된다. 상기 구조 마스크는 상기 컴포넌트 복합물로부터 제거된다. 상기 컴포넌트들은 상기 컴포넌트 복합물로부터 개별화된다. 일 어셈블리는 상기 개별화된 컴포넌트들 중 적어도 하나의 컴포넌트 및 그 위에 형성된 적어도 하나의 발광 물질 층에 의해 형성된다.
상기 컴포넌트-개별적인 구조 마스크 리세스들의 벽부는 컴포넌트 복합물-개별적인 구조 마스크를 형성한다. 다른 말로 하면, 각각의 컴포넌트 복합물을 위하여, 예컨대 각각의 웨이퍼를 위하여 개별적인 구조 마스크가 형성되는데, 말하자면 상응하는 컴포넌트 복합물의 컴포넌트들의 컴포넌트-개별적인 특성들에 따라 개별적인 구조 마스크가 형성된다. 컴포넌트-개별적인 구조 마스크 리세스들은, 컴포넌트 복합물 내 각각의 컴포넌트에 대해 발광 물질 층 및 그에 따라 발광 물질량도 개별적으로 설정될 수 있도록 한다. 예를 들어 구조 마스크 리세스들의 지름, 개수, 크기, 형태 및/또는 측면 길이가 컴포넌트에 따라 개별적으로 변경될 수 있음으로써, 그 결과 상기 구조 리세스들 내에 노출되어 있는 발광 물질 영역들의 표면 치수(surface dimension) 및 그에 따라 발광 물질 층들의 두께가 동일한 경우 상기 구조 리세스들 내에 형성되는 발광 물질 층들의 용적 및 그에 따라 발광 물질량이 컴포넌트당 변경된다. 발광 물질 층들의 개별적인 형성에 의해 상기 발광 물질 층들이 상응하는 컴포넌트들에 적합하게 형성될 수 있음으로써, 컴포넌트의 특성들이 서로 달라도 동일한 컴포넌트 복합물의 상이한 컴포넌트들에 의해 동일한 또는 적어도 거의 동일한 색 장소가 달성될 수 있다. 발광 물질 소형판을 측정하는 공정 및 상응하는 컴포넌트들에 발광 물질 소형판을 할당하는 공정은 생략될 수 있다.
컴포넌트-개별적인 구조 리세스들 및 그에 따라 컴포넌트 복합물-개별적인 구조 마스크를 결정하기 위해 컴포넌트들의 특성들에 상응하는 데이터들이 저장되고, 그런 다음 추가 처리될 수 있다. 상기 데이터에 따라 적합한 소프트웨어-프로그램에 의해 개별 컴포넌트들을 위해 필요한 발광 물질량 및/또는 발광 물질 층들이 결정될 수 있다. 그런 다음 상기 필요한 발광 물질량 및/또는 발광 물질 층들에 따라 구조 마스크 리세스들의 형태 및 크기 그리고 그에 따라 구조 마스크 자체 또한 결정될 수 있다.
컴포넌트 복합물이 제공된다는 사실은, 예를 들어 컴포넌트 복합물이 형성된다는 것을 의미한다. 컴포넌트 복합물은 예컨대 다수의 층 및 접촉 면을 갖는 웨이퍼에 의해 형성되어 있다. 컴포넌트들이 컴포넌트 복합물 내에서 물리적으로 서로 결합되어 있다는 사실은, 예를 들어 상기 컴포넌트들이 적어도 부분적으로 일체형으로 형성되어 있다는 것을 의미한다. 예를 들어 컴포넌트들의 일 기판 및/또는 컴포넌트들의 개별 층들이 전체 컴포넌트 복합물에 걸쳐서 연장될 수 있다. 결정될 특성들이 컴포넌트-개별적이라는 사실은, 예를 들어 적어도 하나의 특성이 컴포넌트에 따라 상이하다는 것을 의미한다. 특성들은 예컨대 순방향 바이어스, 발생한 명도 및/또는 발생한 파장일 수 있다. 예를 들어 일 컴포넌트 복합물의 2개의 컴포넌트에 의해서는 그 밖에 동일한 검사 조건하에 다른 파장 및/또는 다른 명도를 갖는 광이 발생할 수 있다. 구조 마스크가 형성된다는 사실은, 예를 들어 구조 마스크가 우선 형성되고, 그런 다음 컴포넌트 복합물 상에 배치되거나, 혹은 구조 마스크가 컴포넌트 복합물 상에 직접 형성된다는 것을 의미한다. 발광 물질 층들은 제1 발광 물질 층들로 표기될 수 있다.
구조 마스크 리세스들은 컴포넌트들의 표면까지 연장되고 상기 컴포넌트들의 발광 물질 영역들을 규정한다. 다른 말로 하면, 구조 마스크 리세스들에 의해 발광 물질 영역들이 어떻게 형성되어 있고 컴포넌트 상 어디에 발광 물질 층이 제공되고 어디에 제공되지 않는지 사전 설정된다.
구조 마스크는 예를 들어 에칭 공정에서 컴포넌트 복합물로부터 제거될 수 있다. 예를 들어 컴포넌트들은 예컨대 레이저에 의한 절단 공정 또는 소잉 공정에 의해 컴포넌트 복합물로부터 개별화될 수 있다. 일 어셈블리는 하나, 2개 또는 그 이상의 개별화된 컴포넌트에 의해, 그리고 각각 그 위에 형성된 적어도 하나의 발광 물질 층에 의해 형성될 수 있다.
상이한 실시예들에서 구조 마스크는 컴포넌트 복합물 상에 직접 형성된다. 이와 같은 사실은 구조 마스크를 정확하고, 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성하는 데 기여한다. 이에 대안적으로 구조 마스크는 우선 형성되고, 후속하여 컴포넌트 복합물 상에 배치될 수 있다.
상이한 실시예들에서 구조 마스크는 포토리소그래피(photolithography)에 의해 구조화 가능한 재료를 포함하고, 상기 재료는 우선 컴포넌트 복합물 상에 평평하게 제공된다. 평평하게 제공된 상기 재료는 결정된 특성들에 따라 조사된다. 이러한 노광 공정은 예를 들어 레이저-직접-노광기(laser direct exposure device)에 의해 상기 특성들을 나타내는 데이터에 따라 이루어질 수 있다. 후속해서 ―포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료의 유형에 따라―, 특히 구조 마스크 리세스들이 생성되도록 구조 마스크의 조사된 영역들 또는 조사되지 않은 영역들이 제거된다. 이와 같은 사실은 상기 구조 마스크를 정확하게, 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성하는 데 기여한다. 상기 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료는 예컨대 니스(varnish)일 수 있고/있거나 박막 형태로 컴포넌트 복합물 상에 제공될 수 있다. 상기 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료는 예컨대 사전 설정된 두께로 제공될 수 있다. 상기 두께는 예를 들어 10㎛ 내지 200㎛, 예컨대 40㎛ 내지 60㎛의 범위 내에, 예를 들어 대략 50㎛에 놓일 수 있다.
상이한 실시예들에서 구조 마스크는 인쇄 공정에 의해 구조화되어 컴포넌트 복합물 상에 제공된다. 이와 같은 사실은 구조 마스크를 정확하게, 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성하는 데 기여한다. 구조 마스크가 구조화되어 제공된다는 사실은, 예를 들어 구조 마스크의 재료가 컴포넌트 복합물 상에 제공되는 공정에서 구조 마스크의 구조가 직접 형성된다는 것을 의미할 수 있다. 이는 우선 평평하게 제공되고 후속하여 구조화되는 재료와 대조적이다.
상이한 실시예들에서 발광 물질 층들은 닥터 블레이드(doctor blade)에 의해 제공된다. 후속하는 구조 마스크의 제거 공정에서는 상기 구조 마스크 상의 발광 물질을 포함하는 재료도 제거될 수 있다. 이에 대안적으로 구조 마스크 상의 발광 물질을 포함하는 재료가 우선 제거되고, 후속하여 노출된 구조 마스크가 제거될 수 있다. 발광 물질 층들을 위한 재료로는, 예를 들어 발광 물질-실리콘-혼합물이 사용될 수 있다. 예를 들어 발광 물질(들)을 포함하는 재료가 구조 마스크 상에 그리고 컴포넌트들의 발광 물질 영역 상에 제공된다.
상이한 실시예들에서 발광 물질 층들은 분무법(spraying), 예컨대 스프레이-코팅에 의해 제공된다. 예를 들어 발광 물질(들)을 포함하는 재료는 구조 마스크 상에 그리고 컴포넌트들의 발광 물질 영역 상에 분사된다. 그런 다음 후속하는 구조 마스크의 제거 공정에서 상기 구조 마스크 상의 발광 물질을 포함하는 재료도 제거된다. 이에 대안적으로 구조 마스크 상의 발광 물질을 포함하는 재료가 우선 제거되고, 후속하여 노출된 구조 마스크가 제거될 수 있다. 발광 물질 층들을 위한 재료로는, 예를 들어 발광 물질(들), 중합체 및 용매를 포함하는 변환제 혼합물이 사용될 수 있다.
상이한 실시예들에서 구조 마스크의 제거 공정 이전에 발광 물질 층들이 건조 및/또는 경화된다. 이러한 건조 공정 또는 경화 공정은 예를 들어 섭씨 50도 내지 150도, 예컨대 섭씨 70도 내지 130도, 예컨대 섭씨 90도 내지 110도의 온도에서 이루어질 수 있다. 상기 건조 공정 또는 경화 공정은, 구조 마스크의 제거 공정에서 발광 물질 층들을 손상되지 않은 상태 또는 적어도 거의 손상되지 않은 상태로 유지하는 데 기여한다.
상이한 실시예들에서 발광 물질 층들의 제공 공정 이후에 그리고/또는 발광 물질 층들의 건조 공정 및/또는 경화 공정 이후에 상기 발광 물질 층들 및/또는 구조 마스크가 적어도 부분적으로 제거된다. 발광 물질 층들이 구조 마스크 또한 커버하고 있는 경우에 상기 발광 물질 층들의 제거 공정은 상기 구조 마스크를 노출하는 데 기여할 수 있음으로써, 결과적으로 상기 구조 마스크는 후속하여 간단하게 제거될 수 있다. 또한, 상응하는 발광 물질 영역들 위에 있는 발광 물질 층들의 제거 공정은, 상응하는 발광 물질 층들의 두께를 정확하게 설정하는 데 기여한다. 이때 상기 발광 물질 층들은 가로 치수가 상이한 경우, 즉 컴포넌트의 표면에 대해 평행한 가로 치수가 상이한 경우 상기 컴포넌트의 표면에 대해 수직으로 동일한 층 두께를 갖는다. 이와 같은 사실은, 후속하여 상응하는 컴포넌트들에 의해 의도한 색 장소가 정확하게 달성될 수 있도록 기여한다. 발광 물질 층들의 재료는 처음부터 상기 방식의 후처리가 간단하게 이루어지도록 선택될 수 있다.
상이한 실시예들에서 컴포넌트 복합물 내 적어도 하나의 컴포넌트에 서로 간격을 두고 배치된 2개 이상의 구조 마스크 리세스가 형성된다. 다른 말로 하면, 상기 2개 이상의 구조 마스크 리세스 내에 컴포넌트의 상응하게 2개 이상의 발광 물질 영역이 노출되어 있다. 이때 상응하는 컴포넌트는 2개 이상의 발광 물질 영역을 포함한다. 이와 같은 사실은 색 장소를 특히 정확하게 설정하는 데 기여한다.
상이한 실시예들에서 컴포넌트 복합물 내 적어도 하나의 컴포넌트에 서로 간격을 두고 배치된 2개 이상의 발광 물질 층이 형성되는데, 예를 들어 상응하는 컴포넌트를 위한 상응하게 2개 이상의 구조 마스크 리세스에 의해서 형성된다. 이와 같은 사실은 색 장소를 특히 정확하게 설정하는 데 기여한다.
상이한 실시예들에서 컴포넌트 복합물 내 적어도 하나의 컴포넌트에서 상응하는 컴포넌트의 발광 물질 층들 사이에 적어도 하나의 추가 발광 물질 층, 예컨대 제2 발광 물질 층이 형성된다. 상기 추가의 발광 물질 층은 제1 발광 물질 층들과 비교하여 예컨대 다른 발광 물질들을 포함할 수 있거나 동일한 발광 물질들을 다른 농도로 포함할 수 있다. 또한, 상기 추가의 발광 물질 층은 발광 물질들이 매립되어 있는 다른 캐리어 재료를 포함할 수 있다. 이와 같은 사실은 상이한 색 장소들을 달성하는데 그리고/또는 상응하는 색 장소들을 특히 정확하게 설정하는 데 기여한다. 상기 제2 발광 물질 층은 이러한 제2 발광 물질 층의 형태가 제1 발광 물질 층들 사이에 형성된 공동(cavity)들의 형태에 의해 사전 설정될 수 있도록 형성될 수 있다. 상기 공동들이 둥글게, 예컨대 원형 또는 타원형으로 형성된 경우에 상기 제2 발광 물질 층들은 상응하게 둥글게 혹은 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 상기 공동들이 다각형으로, 예를 들어 직사각형으로, 예컨대 정사각형으로 형성된 경우에 상기 제2 발광 물질 층들은 상응하게 다각형, 직사각형 또는 정사각형으로 형성될 수 있다.
상이한 실시예들에서 발광 물질 층들은 적어도 하나의 컴포넌트 상에 스트립형(strip-like)으로 형성된다.
상이한 실시예들에서 발광 물질 층들은 적어도 하나의 컴포넌트 상에 그리드형(grid-like)으로 형성된다. 발광 물질 층들의 이러한 그리드 형태는 행(row) 및 간극을 포함할 수 있다. 상기 행과 간극 사이에는 공동들이 형성되어 있다. 상기 그리드 형태는 공동들이 둥글게, 예컨대 원형 또는 타원형으로 형성되도록, 혹은 다각형, 예컨대 직사각형 또는 정사각형이도록 형성될 수 있다.
상이한 실시예들에서 전술한 청구항들 중 어느 한 청구항에 따른 제조 방법을 이용하여 제조된 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리가 제공된다.
상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리가 제공되는데, 예를 들어 앞서 설명된 전자기 어셈블리가 제공된다. 상기 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트를 포함하고, 상기 컴포넌트는 적어도 하나의 컴포넌트-개별적인 특성을 갖는다. 그 형태 및 크기가 컴포넌트-개별적인 특성에 따라 형성되는 적어도 하나의 발광 물질 층이 상기 컴포넌트 상에 형성되어 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에 나타나 있고 다음에서 더 상세하게 설명된다.
도 1은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제1 상태에 있는 컴포넌트 복합물의 실시예에 대한 평면도이고;
도 2는 도 1에 따른 컴포넌트 복합물을 선 Ⅱ.-Ⅱ.을 따라 절단한 단면도이며;
도 3은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제2 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이고;
도 4는 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제3 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이며;
도 5는 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제3 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이고;
도 6은 컴포넌트 복합물의 일 실시예에 대한 단면도이며;
도 7은 컴포넌트 복합물의 일 실시예에 대한 단면도이다.
도 1은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제1 상태에 있는 컴포넌트 복합물의 실시예에 대한 평면도이고;
도 2는 도 1에 따른 컴포넌트 복합물을 선 Ⅱ.-Ⅱ.을 따라 절단한 단면도이며;
도 3은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제2 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이고;
도 4는 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제3 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이며;
도 5는 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제3 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물의 단면도이고;
도 6은 컴포넌트 복합물의 일 실시예에 대한 단면도이며;
도 7은 컴포넌트 복합물의 일 실시예에 대한 단면도이다.
다음에서 서술되는 설명 내용은 첨부된 도면들에 관한 것이며, 상기 설명 내용은 본 출원서의 부분을 형성하고, 본 발명을 실시할 수 있는 구체적인 실시예들을 도해한다. 이와 같은 관점에서 예컨대 "위", "아래", "앞", "뒤", "전방", "후방", 등과 같은 방향과 관련된 용어들은 기술된 도면(들)의 방위와 관련하여 이용된다. 실시예들의 구성 소자들이 몇몇 개의 상이한 방위로 위치 설정될 수 있기 때문에, 상기 방향과 관련된 용어들이 도해를 위하여 사용되고 어떠한 방식으로도 제한되지 않는다. 본 발명의 보호 범주에서 벗어나지 않으면서 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적인 또는 합리적인 변형들이 실시될 수 있다고 간주한다. 본 설명 내용에 기술되는 상이한 실시예들의 특징들은 구체적으로 다르게 지시되지 않은 경우, 서로 조합될 수 있다고 간주한다. 따라서, 다음에서 서술되는 설명 내용은 제한된 것으로 이해되지 않고, 본 발명의 보호 범주는 첨부된 청구항들에 의해 규정된다.
본 출원서의 범주에서 "연결하다" 및 "결합하다"의 개념은 직접 및 간접적인 연결 그리고 직접 및 간접적인 결합을 설명하기 위해 사용된다. 도면들 내에서 동일한 또는 유사한 소자들에는 바람직한 경우에 한해서 동일한 도면 부호가 제공된다.
상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트 및 상기 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트 상의 적어도 하나의 발광 물질 층을 포함할 수 있다. 상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 전자기 방사선을 방출하는 반도체-컴포넌트일 수 있고/있거나 전자기 방사선을 방출하는 다이오드로서, 유기 전자기 방사선을 방출하는 다이오드로서, 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터로서 또는 유기 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터로서 형성될 수 있다. 방사선은 예를 들어 가시광선, 자외선 및/또는 적외선일 수 있다. 이와 같은 맥락에서 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 예를 들어 발광 다이오드(light emitting diode, LED)로서, 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 발광 트랜지스터로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 형성될 수 있다. 상이한 실시예들에서 발광 컴포넌트는 통합 회로의 부분일 수 있다. 또한, 다수의 광을 방출하는 컴포넌트들이 예컨대 공동 하우징 내에 수용된 상태로 제공될 수 있다. 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 후속해서 컴포넌트로 표기된다. 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리는 후속해서 어셈블리로 표기된다.
도 1은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 공정 중에 제1 상태에 있는 컴포넌트 복합물(10)의 일 실시예에 대한 평면도이다. 상기 컴포넌트 복합물(10)은 다수의 컴포넌트(12)를 포함한다. 상기 컴포넌트 복합물(10)은 도 1에 도시된 컴포넌트(12)들보다 많거나 더 적은 컴포넌트를 포함할 수 있다. 상기 컴포넌트 복합물(10)은 평면도에서 둥글게, 특히 원형으로 형성되어 있다. 상기 컴포넌트(12)들은 평면도에서 다각형으로, 특히 직사각형으로, 특히 정사각형으로 형성되어 있다. 이에 대안적으로 컴포넌트 복합물(10) 및 컴포넌트(12)들은 평면도에서 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 컴포넌트 복합물(10)은 다각형으로, 예를 들어 직사각형 또는 정사각형으로 형성될 수 있고/있거나 상기 컴포넌트(12)들은 둥글게, 예를 들어 타원형 또는 원형으로 형성될 수 있다. 상기 컴포넌트 복합물(10)은 예컨대 웨이퍼일 수 있고/있거나 실질적으로 반도체 물질을 포함하고/포함하거나 상기 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 컴포넌트들은 전자기 방사선을 방출하기에, 예컨대 청색 광을 방출하기에 적합하다. 그 밖에 상기 컴포넌트들은 발광 물질 층들을 수용하기에 적합하고, 이때 적어도 하나의 컴포넌트 및 그 위에 형성된 적어도 하나의 발광 물질 층은 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리를 형성한다.
도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅱ.-Ⅱ.을 따라 절단한 도 1에 따른 컴포넌트 복합물(10)의 단면도이다. 상기 컴포넌트 복합물(10)은 기판(14), 하부 전극 층(16), 광학 활성 층(17) 및 상부 전극 층(18)을 포함한다. 또한, 각각의 컴포넌트(12)는 상기 상부 전극 층(18) 내에 접촉 영역(20)을 포함한다. 상기 상부 전극 층(18)은 발광 물질 층(도 2에는 도시되지 않음)을 수용하기에 적합하다. 발광 물질 층이 제공되는 상기 상부 전극 층(18)의 영역은 발광 물질 영역(도 2에는 도시되지 않음)으로도 표기될 수 있다. 상기 접촉 영역(20)은 상응하는 컴포넌트(12)의 전기적 접촉에 적합하다.
하부 전극 층(16) 및 상부 전극 층(18)에 전압을 인가하는 경우, 광학 활성 층(17) 내에서 전자기 방사선이 발생하고, 상기 전자기 방사선은 기판(14)으로부터 멀어지는 방향으로, 예를 들어 도 2에서는 위쪽으로 방출된다. 어셈블리들 중 일 어셈블리의 전자기 방사선에 의해 달성될 수 있는 색 장소는 상응하는 컴포넌트(12)의 특성들, 상응하는 발광 물질 영역의 형태 및/또는 크기, 상응하는 발광 물질 층의 두께 및 발광 물질 층에서 발광 물질의 농도로부터 주어진다.
발광 물질 층들 중 일 발광 물질 층의 발광 물질들은 상응하는 컴포넌트(12)로부터 발생한 전자기 방사선에 의해 활성적으로 여기되고, 이와 같은 맥락에서 상기 전자기 방사선은 여기 방사선(excitation radiation)으로도 표기될 수 있다. 상기 여기 방사선은 예컨대 청색 광을 포함할 수 있다. 후속하는 활성적인 여기 공정에서 발광 물질들은 사전 설정된 하나 이상의 색상의 광을 방출한다. 그에 따라 여기 방사선의 변환이 이루어짐으로써 변환 방사선(conversion radiation)이 발생한다. 이러한 변환 공정에서 여기 방사선의 파장은 더 짧거나 더 긴 파장으로 변위된다. 상기 색상들은 개별 색상 또는 혼합 색상일 수 있고 특정한 색 장소에 상응할 수 있다. 상기 개별 색상들은 예컨대 녹색, 적색 또는 황색 광을 포함할 수 있고/있거나 상기 혼합 색상들은 예컨대 녹색, 적색 및/또는 황색 광으로부터 혼합될 수 있고/있거나 예를 들어 백색 광을 포함할 수 있다. 추가로, 예를 들어 적어도 부분적으로 변환되지 않은 여기 방사선이 이용 가능한 조명 광으로서 어셈블리를 벗어나도록 발광 물질 층이 형성된 경우 청색 광이 제공될 수 있다. 상기 개별 색상 또는 혼합 색상은 발광 물질 층 및 상응하는 컴포넌트(12)에 의해 나타날 수 있다. 예를 들어 녹색, 적색 및 황색은 청색의 여기 광에 의해 나타날 수 있다. 여기 광으로서 자외선을 사용하는 경우 발광 물질은 적색, 녹색, 청색 및 황색을 나타내도록 선택될 수도 있다.
컴포넌트 복합물(10)이 완성 처리된 이후에 개별 컴포넌트(12)들은 분리 선(20)들을 따라서 개별화될 수 있다. 이에 대안적으로 다수의 컴포넌트(12)가 서로 분리되지 않고 어셈블리의 상이한 소자들을 형성할 수도 있다.
컴포넌트(12)들은 개별화 공정 이전에 이미 컴포넌트 복합물(10) 내에서 접촉, 작동 및/또는 측정될 수 있다. 특히 개별 컴포넌트(12)들의 컴포넌트-개별적인 특성들은 이미 컴포넌트 복합물(10) 내에서 결정될 수 있다. 예를 들어 그 밖의 사전 설정된 경계 조건에서, 예컨대 동일한 경계 파라미터에서 각각의 컴포넌트(12)에는 컴포넌트-개별적인 특성으로서 상응하는 순방향 바이어스, 발생한 파장 및/또는 발생한 명도가 결정될 수 있다. 다른 말로 하면, 컴포넌트 복합물(10) 내의 컴포넌트(12)들은 동일한 조건하에 작동될 수 있지만, 이 경우 개별적으로 서로 상이한 특성들을 나타내며, 이러한 특성들은 이미 컴포넌트 복합물(10) 내에서 검출될 수 있다.
컴포넌트-개별적인 특성들을 나타내는 데이터는 도시되지 않은 전자 저장기 소자에 저장될 수 있다. 저장된 데이터에 따라, 예를 들어 소프트웨어 프로그램에 의해 각각의 컴포넌트(12)에는 개별적으로 발광 물질량이 결정될 수 있으며, 상기 발광 물질량은 상응하는 발광 물질 층 및 상응하는 컴포넌트(12)에 의해 의도한 색 장소를 달성하기 위해 필요하다. 그런 다음 결정된 발광 물질량에 따라, 그리고 발광 물질 층의 사전 설정된 두께에 대하여 각각의 컴포넌트(12)에는 상응하는 컴포넌트(12) 상의 개별적인 발광 물질 영역이 결정될 수 있고, 상응하는 컴포넌트(12)가 상응하는 발광 물질 층에 의해 사전 설정된 색 장소를 달성할 수 있기 위해 상기 개별적인 발광 물질 영역은 사전 설정된 두께를 갖는 발광 물질 재료로 코팅되어야 한다.
도 3은 어셈블리의 제조 공정의 제2 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물(10)를 도시하며, 이 경우 구조 마스크(22)가 제2 전극 층(18) 상에 형성되어 있다. 상기 구조 마스크(22)는 결정된 발광 물질량 또는 결정된 발광 물질 영역들에 따라 형성된다. 특히 구조 마스크(22)의 구조 마스크 리세스(24)들은, 컴포넌트 복합물(10)의 컴포넌트(12)들 상의 발광 물질 영역(26)들에 구조 마스크(22)의 재료가 없도록 형성될 수 있다. 다른 말로 하면, 개별 컴포넌트(12)들의 발광 물질 영역(26)들은 구조 리세스(24)들 내에서 노출되어 있으며, 이 경우 상기 구조 리세스(24)들은 발광 물질 영역(26)들에 대응한다.
도 3에서는 발광 물질 영역(26)들이 상이하게, 예컨대 상이한 크기, 길이 및/또는 폭으로 형성될 수 있다는 사실을 다룬다. 더 우수한 도해를 위해, 도 3의 발광 물질 영역(26)들의 차이가 상대적으로 크게 나타나 있다. 그러나 상기 발광 물질 영역(26)들의 크기 및/또는 형태는 실제로 훨씬 더 작을 수도 있다. 상기 발광 물질 영역(26)들의 차이는 특성들의 차이로부터 그리고 그에 따라 개별 컴포넌트(12)들의 컴포넌트-개별적인 특성들로부터 주어진다.
구조 마스크(22)는 예를 들어 우선 제조되고, 그런 다음 컴포넌트 복합물(10) 상에 배치될 수 있다. 이에 대안적으로 구조 마스크(22)는 컴포넌트 복합물(10) 상에 직접 형성될 수 있다. 구조 마스크(22)는 예를 들어 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료를 포함할 수 있다. 상기 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료는 예컨대 니스의 형태로 그리고/또는 박막 형태로 컴포넌트 복합물(10) 상에 제공될 수 있고, 그리고 나서 컴포넌트(12)들의 특성들을 나타내는 데이터에 따라 조사될 수 있는데, 예를 들어 레이저 조사될 수 있고, 후속하여 리프트-오프 공정(lift-off process)에서 상기 구조 마스크(22)의 조사된 또는 조사되지 않은 영역들은 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료 중 어떠한 종류의 재료가 사용되는지에 따라 제거될 수 있다. 이에 대안적으로 구조 마스크(22)는 인쇄 공정에서, 예컨대 잉크-젯-인쇄 공정(inkjet print process)에서 컴포넌트 복합물(10) 상에 제공될 수 있다.
도 4는 어셈블리의 제조 공정 중에 제3 상태에 있는 도 2에 따른 컴포넌트 복합물(10)를 도시한다. 발광 물질 영역(26)들 위에 그리고 구조 리세스(24)들 내에는 발광 물질 층들, 예컨대 제1 발광 물질 층(28)들이 형성되어 있다. 상기 제1 발광 물질 층(28)들은 예를 들어 닥터 블레이드에 의해 상기 구조 리세스(24)들 내에 삽입될 수 있다. 이에 대안적으로 제1 발광 물질 층(28)들의 재료가 우선 평평하게 발광 물질 영역(26)들 및 구조 마스크(22) 상에 제공되고, 경화 및/또는 건조되어 후속하여 부분적으로 제거될 수 있다. 개별적인 제1 발광 물질 층(28)들의 변환율은 상기 제1 발광 물질 층들의 두께, 발광 물질 영역(16)들에 대해 평행한 상기 제1 발광 물질 층들의 표면 및 상응하는 제1 발광 물질 층(28)에서 발광 물질들의 농도에 의존한다. 따라서, 제1 발광 물질 층(18)들의 두께 및 발광 물질들의 농도가 동일한 경우, 상기 변환율은 발광 물질 영역(26)들에 대해 평행한 표면의 크기에 따라 그리고 그에 따라 구조 리세스(24)들의 크기에 따라 결정된다.
통상의 발광 물질들은 예를 들어 가넷, 질화 규산염, 질화물, 산화물, 인산염, 붕산염, 산화질화물, 황화물, 셀렌화물, 알루민산염, 텅스텐산염, 그리고 알루미늄, 실리콘, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 아연, 카드뮴, 망간, 인듐, 볼프람 및 다른 전이 금속들의 할로겐화물, 혹은 예컨대 구리, 은, 알루미늄, 망간, 아연, 주석, 납, 세륨, 테르븀, 티탄, 안티몬 또는 유로퓸과 같은 활성제에 의해 도핑된 이트륨, 가돌리늄 또는 란탄과 같은 희토류 금속이다. 상이한 실시예들에서 발광 물질은 가넷, 오소실리케이트, 니트리도(알루모)실리케이트, 질화물 또는 니트리도오소실리케이트와 같은 산화 또는 (산)질화 발광 물질이거나, 할로겐화물 또는 할로포스페이트이다. 적합한 발광 물질들을 위한 구체적인 예시들은 스트론튬클로로아파티트:Eu ((Sr, Ca)5(PO4)3Cl:Eu; SCAP), 이트륨-알루미늄-가넷:Cer (YAG:Ce) 또는 CaAlSiN3:Eu이다. 또한, 발광 물질 또는 발광 물질 혼합물 내에 예컨대 광을 분산시키는 특성들을 갖는 입자 및/또는 보조 물질들이 함유될 수 있다. 보조 물질들의 예시로 계면 활성제 및 유기 용매가 포함된다. 광을 분산시키는 입자의 예시로 금 입자, 은 입자 및 금속 산화물 입자가 있다.
도 5는 어셈블리의 제조 공정 중에 제4 상태에 있는 컴포넌트 복합물(10)을 도시하며, 이 경우 구조 마스크(22)는 제거되어 있다. 상기 구조 마스크(22)는 예를 들어 리프트-오프 공정에 의해, 예컨대 에칭 공정에 의해 제거될 수 있다. 컴포넌트(12)들은 상응하는 제1 발광 물질 층(28)들과 함께 다수의 어셈블리를 형성하고 공동으로 어셈블리 복합물을 형성한다. 후속하여 개별 어셈블리들은 예를 들어 분리 선(20)들을 따라서 개별화될 수 있다. 이에 대안적으로 다수의 어셈블리는 공동 어셈블리로 통합될 수 있다. 각각의 어셈블리는 컴포넌트-개별적인 특성들을 갖는 컴포넌트(12)와 상응하는 제1 발광 물질 층(28)의 개별적인 조합을 포함하고, 이 경우 각각의 어셈블리에 의해 동일한 색 장소가 달성될 수 있다.
도 6은, 예를 들어 앞서 설명된 제조 방법에 의해 형성될 수 있는 컴포넌트 복합물(10)의 일 실시예의 단면도이다.
예를 들어 도 6의 맨 왼편에 도시된 어셈블리는 2개의 발광 물질 층(28)을 포함한다. 상기 제1 발광 물질 층(28)들은 예컨대 투영면 내부로 스트립형으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 발광 물질 층(28)들 사이에는 추가로 도면에는 도시되지 않은 횡방향 연결부들이 존재할 수 있으며, 상기 횡방향 연결부들에 의해 평면도에서 다각형의, 예를 들어 직사각형의, 예컨대 정사각형의 혹은 둥근, 예를 들어 타원형 또는 원형의 제1 발광 물질 층(28)들이 형성된다.
이와 달리 도 6에 도시된 왼편의 제2 어셈블리는 예를 들어 4개의 제1 발광 물질 층(28)을 포함하고, 상기 제1 발광 물질 층들은 맨 왼편 어셈블리의 제1 발광 물질 층(28)들에 상응하게 스트립형, 다각형 또는 원형으로 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 오른편의 제2 어셈블리는 예를 들어 제1 발광 물질 층(28)을 전혀 포함하지 않는다. 예를 들어 상응하는 컴포넌트(12)의 측정시 제공 가능한 제1 발광 물질 층(28)과 무관하게 이와 같은 컴포넌트(12)에 의해 의도한 색 장소가 달성될 수 없다는 사실이 확인되었을 수 있다. 예를 들어 상응하는 컴포넌트는 전혀 작동할 수 없거나, 또는 사전 설정된 파라미터 범위 내에서 작동할 수 없다. 전자의 경우에 상응하는 어셈블리는 제거될 수 있고, 이를 위해 발광 물질 재료를 낭비할 필요가 없다. 후자의 경우에 상응하는 컴포넌트(12)는 제1 발광 물질 층(28)이 없는, 또는 예컨대 소형판 형태의 도시되지 않은 다른 발광 물질 층을 갖는 다른 사용예에 적용될 수 있다.
도 6에서 맨 오른편에 도시된 어셈블리는 접촉 영역(20)을 제외하고 제1 발광 물질 층(28)에 의해 거의 완전히 커버되어 있다.
도 7은 제1 발광 물질 층(28)들 사이에 추가의 발광 물질 층(30)들, 특히 제2 발광 물질 층(30)들이 형성된 컴포넌트 복합물(10)의 일 실시예의 단면도이다. 상기 제1 발광 물질 층(28)들은 예를 들어 상기 제2 발광 물질 층(30)들과 비교하여 다른 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 제1 발광 물질 층(28)들은 제2 발광 물질 층(30)들과 비교하여 다른 발광 물질들을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가로 제1 발광 물질 층(28)들은 제2 발광 물질 층(30)들과 비교하여 다른 농도의 발광 물질들을 포함할 수 있다. 이와 같은 사실은 의도한 다른 색 장소를 달성하는데 또는 의도한 색 장소를 더 정확하게 설정하는 데 기여한다.
제2 발광 물질 층(30)들의 제공 공정에서 제1 발광 물질 층(28)들은 상기 제2 발광 물질 층(30)들의 재료를 위한 마스크로서 이용될 수 있다. 대안적으로 또는 추가로 제1 발광 물질 층(28)들은 제2 발광 물질 층(30)들을 위한 프레임으로서 이용될 수 있다. 예를 들어 제1 발광 물질 층(28)들은 평면도에서 둥근, 예컨대 원형 또는 타원형의, 혹은 다각형의, 예컨대 직사각형 또는 정사각형의 리세스들, 특히 공동들을 둘러쌀 수 있으며, 이 경우 상기 공동들 내부로 제2 발광 물질 층(30)들의 재료가 충전될 수 있다. 이때 제2 발광 물질 층(30)들의 형태는 공동들의 형태에 의해 사전 설정됨으로써, 결과적으로 상기 제2 발광 물질 층(30)들은 상응하게 둥글게, 예컨대 원형 또는 타원형으로, 혹은 다각형으로, 예컨대 직사각형 또는 정사각형으로 형성된다.
제2 발광 물질 층(30)들의 재료는 예를 들어 제1 발광 물질 층(28)들의 재료와 동일한 두께로 제공될 수 있거나, 혹은 제2 발광 물질 층(30)들의 재료는 도 7에 도시된 왼편의 제2 어셈블리에서와 같이, 이러한 제2 발광 물질 층(30)들이 제1 발광 물질 층(28)들로부터 볼록하게 외부로 돌출하도록 또는 도 7에 도시된 오른편의 제2 어셈블리에서와 같이, 오목하게 내부로 돌출하도록 제공될 수 있다.
본 발명은 도시된 실시예들에만 제한되지 않는다. 예를 들어 더 많거나 더 적은 발광 물질 층(28, 30)이 형성될 수 있다. 또한, 발광 물질 층(28, 30)들은 상이한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 컴포넌트(12)들은 종래의 LED에 상응하게 도시된 층들보다 훨씬 더 많은 층을 포함할 수 있다. 그 밖에 컴포넌트(12)들은 커패시터, 트랜지스터 등과 같은 도시되지 않은 매립형 전자 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 또한, 구조 마스크(22) 및/또는 발광 물질 층(28, 30)들을 제공하기 위해 언급된 방법과는 다른 적합한 방법들이 사용될 수 있다.
Claims (15)
- 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법으로서,
전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트(12)들을 포함하는 컴포넌트 복합물(10)을 제공하고, 상기 컴포넌트들은 상기 컴포넌트 복합물(10) 내에서 물리적으로(physically) 서로 결합되어 있으며,
상기 컴포넌트(12)들 각각에 적어도 하나의 컴포넌트-개별적인 특성(component-individual property)을 결정하고,
컴포넌트(12)들의 결정된 특성들에 따라 컴포넌트 복합물(10) 내 상기 컴포넌트(12)들을 커버하기 위한 구조 마스크(22)를 형성하며, 이때 상기 구조 마스크(22)는 상기 컴포넌트(12)들에 대응하는 구조 마스크 리세스(24)들을 포함하고, 상기 구조 마스크 리세스들은 상응하는 컴포넌트(12)들의 결정된 특성들에 따라 컴포넌트-개별적으로 형성되어 있으며, 그리고 이때 상기 구조 마스크 리세스(24)들은 상기 컴포넌트(12)들 상에 발광 물질 영역(26)들을 사전 설정하고, 상기 발광 물질 영역(26)들은 상기 구조 마스크 리세스(24)들 내에서 노출되어 있으며,
상기 컴포넌트(12)들의 발광 물질 영역(26)들 상에 발광 물질 층(28)들을 형성하고,
상기 구조 마스크(22)를 상기 컴포넌트 복합물(10)로부터 제거하며, 그리고
상기 컴포넌트(12)들을 상기 컴포넌트 복합물(10)로부터 개별화하고, 이때 일 어셈블리는 상기 개별화된 컴포넌트(12)들 중 적어도 하나의 컴포넌트 및 그 위에 형성된 적어도 하나의 발광 물질 층(28)에 의해 형성되는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 구조 마스크(22)를 상기 컴포넌트 복합물(10) 상에 직접 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 구조 마스크(22)는 포토리소그래피(photolithography)에 의해 구조화 가능한 재료를 포함하고, 상기 재료를 우선 상기 컴포넌트 복합물(10) 상에 평평하게 제공하며, 그리고 나서 상기 결정된 특성들에 따라 조사하고, 후속하여 상기 포토리소그래피에 의해 구조화 가능한 재료에 따라 구조 마스크(22)의 조사된 영역들 또는 조사되지 않은 영역들을 제거함으로써, 상기 구조 마스크 리세스(24)들을 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 구조 마스크(22)를 인쇄 공정에 의해 구조화하여 상기 컴포넌트 복합물(10) 상에 제공하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 물질 층(28)들을 닥터 블레이드(doctor blade)에 의해 제공하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 물질 층(28)들을 분무법(spraying)에 의해 제공하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구조 마스크(22)의 제거 공정 이전에 상기 발광 물질 층(28)들을 건조 및/또는 경화시키는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 물질 층(28)들의 제공 공정 이후에 그리고/또는 상기 발광 물질 층(28)들의 건조 공정 및/또는 경화 공정 이후에 상기 발광 물질 층(28)들 및/또는 상기 구조 마스크(22)를 적어도 부분적으로 제거하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컴포넌트 복합물(10) 내 적어도 하나의 컴포넌트(12)에 서로 간격을 두고 배치된 2개 이상의 구조 마스크 리세스(24)를 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제9 항에 있어서,
상기 컴포넌트 복합물(10) 내 적어도 하나의 컴포넌트(12)에 서로 간격을 두고 배치된 2개 이상의 발광 물질 층(28)을 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제10 항에 있어서,
상기 컴포넌트 복합물(10) 내 적어도 하나의 컴포넌트(12)에서 상응하는 컴포넌트(12)의 발광 물질 층(28)들 사이에 적어도 하나의 추가 발광 물질 층(30)을 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 물질 층(28)들을 적어도 하나의 컴포넌트(12) 상에 스트립형(strip-like)으로 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 물질 층(28)들을 적어도 하나의 컴포넌트(12) 상에 그리드형(grid-like)으로 형성하는,
전자기 방사선을 방출하는 어셈블리의 제조 방법. - 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법을 이용하여 제조된 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리.
- 적어도 하나의 컴포넌트-개별적인 특성을 갖는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트(12) 및 상기 컴포넌트(12) 상에 형성되어 있고 그 형태 및 크기가 상기 컴포넌트-개별적인 특성에 따라 형성되어 있는 적어도 하나의 발광 물질 층(28)을 포함하는 전자기 방사선을 방출하는 어셈블리.
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