CN105224151A - 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括一基材和一纳米银线导电电极层，该纳米银线导电电极层设置于所述基材上，包括基质，暗色导电介质和纳米银线。使用纳米银线作为导电材料时，为降低雾度，常使单位面积内纳米银线数量减少，这将产生不良导电率的问题，本发明提供了一种纳米银线导电层叠结构，使得导电率不受纳米银线数量减少的影响，本发明还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

Description

纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板

【技术领域】

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

【背景技术】

伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极以无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(SilverNanoWires，简称SNW)、金属网格(MetalMesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。

其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。

在使用纳米银线替代ITO做为导电电极材料时，雾度问题常常成为其应用的障碍，可以通过降低纳米银线的直径和减少单位面积内的银线数量，来改善雾度，但单位面积银线数量的降低可能导致导电薄膜中银线的搭接不良，影响导电性。因此，如何解决在降低单位面积内的银线数量时降低雾度，还能同时保证导电薄膜良好的透光性和导电性，成为亟待解决的问题。

【发明内容】

为克服降低雾度使单位面积内纳米银线数量减少导致的不良导电率问题，本发明提供一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

本发明解决上述技术问题的方案是提供一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板，该纳米银线导电层叠结构包括一基材和一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上，所述纳米银线导电电极层包括基质，嵌入所述基质中的暗色导电介质和多条纳米银线，所述纳米银线相互搭接形成一导电网络，所述暗色导电介质附着于所述导电网络并提高所述导电网络的导电率。

优选地，所述纳米银线和暗色导电介质的重量比为1∶0.1-1∶10。

优选地，所述暗色导电介质的漫射系数小于15。

优选地，所述暗色导电介质的材质为纳米银粒子，纳米金，纳米铜，碳纳米管，石墨烯之任意一种或其组合。

优选地，所述暗色导电介质形状为球状、圆柱形、管状、立方体、椎体、无定形、片状、正交晶、单斜晶、三斜晶之任意一种或其组合。

优选地，所述暗色导电介质为球状粒子，其粒径为1nm-100nm。

优选地，所述暗色导电介质为片状无规则形状，其厚度为0.1nm-10nm。

优选地，所述纳米银线的线至少部分嵌入基质中，所述纳米银线的线长为20μm-50μm，线径小于50nm，长宽比大于400，所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm，透光率大于90％，雾度小于1.5％，方阻小于100ohm/sq。

优选地，所述纳米银线导电层叠结构进一步包括一增粘层，一平整层，一光学匹配层，一四分之一波长延迟片，一粘着性保护层之任意一种或其组合，所述增粘层位于基材和纳米银线导电电极层之间，所述平整层位于纳米银线导电电极层上侧，光学匹配层位于基材上方任意位置，四分之一延迟波片和粘着性保护层位于纳米银线导电电极层上侧。

本发明解决上述技术问题提供的又一技术方案是：提供一种电容式触控面板，其包括一盖板，一粘合层，一触控电路控制器及一纳米银线导电层叠结构，所述粘合层粘合于盖板和纳米银线导电层叠结构的任一面，该纳米银线导电层叠结构包括一基材，一纳米银线导电电极层，该纳米银线导电电极层包括基质，纳米银线，暗色导电介质，所述纳米银线导电层叠结构电性连接于所述触控电路控制器。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构通过降低纳米银线的直径和减少单位面积内的银线数量，并向纳米银线导电电极层中添加暗色导电介质，不仅能够大大增加纳米银线之间的搭接面积，克服导电率不良的问题，还由于暗色导电介质的吸光性好，对于改善雾度也有极为重要的作用，并同时保证导电薄膜良好的透光性。纳米银线导电层叠结构的透光率在90％以上，甚至可达到94％以上。本发明电容式触控面板采用添加暗色导电介质的纳米银线导电层叠结构，使导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中对灵敏度的提升尤为明显，并且提高了电容式触控面板的光透过率。

【附图说明】

图1是纳米银线导电电极层分布在基材上的截面结构示意图。

图2是纳米银线导电电极层分布在基材上的平面示意图。

图3是本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图4是本发明第一实施例纳米银线导电电极层添加球状暗色导电介质效果示意图。

图5是本发明第二实施例纳米银线导电电极层添加片状无规则暗色导电介质效果示意图。

图6是本发明第三实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图7是本发明第四实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图8是本发明第五实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图9是本发明第六实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图10是本发明第七实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图11是本发明第八实施例电容式触控面板的剖切面爆炸面结构图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

银在一般状态下为银白色金属，且为不透明材料，导电性极佳。而为纳米银线时，纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的导电电极。

请参阅图1与图2，系纳米银线导电电极层1005分布于基材1007上的示意图，其包括基材1007和制作在基材1007上的纳米银线导电电极层1005，纳米银线导电电极层1005包括基质1003和嵌入在基质1003中的多根纳米银线1001，基材1007一般为透明绝缘材料。

基质1003是指纳米银线溶液在经过涂布等方法设置在基材1007上，经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后，留在基材1007上的非纳米银线物质。纳米银线1001散布或嵌入其中，形成导电网络，部分纳米银线1001从基质1003中突出。纳米银线1001依靠基质1003形成纳米银线导电电极层1005，基质1003可以保护纳米银线1001不易受腐蚀、磨损等外界环境的影响。

纳米银线溶液是指，纳米银线1001分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。该溶液里还含有其它添加剂，如分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂，但不以此为限。

此外，可通过选择适当的基质1003材料来调整纳米银线导电电极层1005的光学特性，特别是解决雾度问题。例如，可以将基质1003调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度，都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。

雾度是指由于纳米银线导电电极层1005中的纳米银线1001表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕。

纳米银线导电电极层1005的透光率或清晰度可由以下参数定量的限定：透光率和雾度。透光率是指通过介质传输的入射光的百分比，纳米银线导电电极层1005的透光率至少为90％，甚至可以高达91％-94％。雾度是光漫射的指数，雾度是指入射光中分离出来并在传输的过程中散射的光的数量百分比。透光率在很大程度上是透光介质的性质，与之不同的是，雾度经常和产品有关，且典型地是由表面粗糙度和介质中的嵌入粒子或组份的不均匀性导致的。

纳米银线1001的线长为10μm-300μm，优选20μm-100μm，最好其长度20μm-50μm，纳米银线1001的线径小于500nm，或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于100，优选大于400，更优选大于500。

纳米银线导电电极层1005的厚度约为10nm-5μm，优选为20nm-1μm，更优为10nm-200nm。在一些实施例中，纳米银线导电电极层1005的折射率为1.3-2.5，更优为1.35-1.8。

在本发明的实施例中纳米银线导电电极层1005的雾度不会超过5％，甚至不超过3％，甚至低于1.5％，透光率至少为90％，甚至高达91％-94％。

请参阅图3和图4，本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构10包括一基材1007和一纳米银线导电电极层1005，纳米银线导电电极层1005包括纳米银线1001、基质1003以及暗色导电介质1002，纳米银线1001至少部分嵌入基质1003中，暗色导电介质1002添加其中并附着与纳米银线1001表面及填补于纳米银线1001之间的空隙中，既有利于降低由纳米银线1001表面反射造成的雾度问题，还有利于提升纳米银线1001之间的良性接触，从而使方阻降低，导电率提高。

基材1007可为刚性基材，如玻璃，强化玻璃、蓝宝石玻璃、偏光片、滤光片、四分之一波长延迟片，也可以为具有可挠性的柔性基材，柔性基材包括但不限于PI(聚酰亚胺)，PC(聚碳酸酯)，聚醚砜(PES)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、压克力、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚酰亚胺、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)。

暗色导电介质1002是指在尺寸为纳米级条件下，介质表面向各个方向反射光线，从不同角度上观察，眼睛接受到的反射光的强度总是入射光强度的很小一部分，所以看上去远不如大尺寸时表面光亮的一种介质。所述暗色导电介质1002的光漫射系数小于15。

暗色导电介质1002的材质为金属、导电氧化物、导电聚合物、半导体之任意一种或其组合，包括但不限于：纳米银粒子，纳米金，纳米铜，碳纳米管及石墨烯之一或其任意组合。

暗色导电介质1002形状为球形球状、圆柱形、管状、立方体、椎体、无定形、片状、正交晶、单斜晶、三斜晶之任意一种或其组合。本实施例中，暗色导电介质1002超过99％为球状纳米银粒子，其粒径为1nm-100nm。

纳米银线导电电极层1005的厚度小于等于500nm，优选为10nm-200nm或者更薄，其方阻小于100ohm/sq。纳米银线1001的线径小于500nm，或小于200nm，100nm，优选为小于50nm；长宽比大于100，优选大于400，更优选大于500。纳米银线导电电极层1005中的纳米银线1001的线长均匀性为99％。该线长条件下的纳米银线1001可以使纳米银线1001之间的搭接良好，提高导电率，该线径下和该均匀性的纳米银线1001可以降低雾度。

纳米银线1001和暗色导电介质1002的重量比为1∶0.01-1∶10，优选为1∶0.1，1∶0.5，1∶1。

本实施例中超过99％的纳米银线1001直径为50nm、长宽比为400，超过99％的暗色导电介质1002为直径50nm的球状纳米银粒子，纳米银线1001和暗色导电介质1002球状纳米银粒子的重量比为1∶0.5。纳米银线导电电极层1005的透光率为93％，雾度为0.6％，方阻为56ohm/sq。

所述基质1003的材料为有机溶液和/或无机溶液蒸发后剩余的物质，进一步包括表面活性剂、分散剂、稳定剂、粘合剂或他们的任意组合。

在一个变形实施例中，与第一实施例不同的是纳米银线和暗色导电介质球状纳米银粒子的重量比为1∶1，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为90.5％，雾度为1.5％，方阻为70ohm/sq。

在另一变形实施例中，与第一实施例不同的是所添加的暗色导电介质为直径50nm的球状金纳米粒子，纳米银线和暗色导电介质球状金纳米粒子的重量比为1∶0.5，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为93.5％，雾度为1.2％，方阻为30ohm/sq。

在另一变形实施例中，与第一实施例不同的是所添加的暗色导电介质为直径50nm的球状铜纳米粒子，纳米银线1001和暗色导电介质球状金纳米粒子的重量比为1∶0.5，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为90％，雾度为1.3％，方阻为60ohm/sq。

本发明还提供了纳米银线导电层叠结构10的制造方法，该方法可以包括以下步骤：

S11：提供一基材1007；

S12：配置纳米银线溶液；及

S13：形成纳米银线导电电极层1005。

在步骤S11中，基材1007为透明绝缘材料，为整个纳米银线导电层叠结构10提供支撑。

在步骤S12中，配置纳米银线溶液时，将一定重量的纳米银线1001和暗色导电介质1002与一定溶剂混合形成均匀的悬浮溶液，纳米银线1001和暗色导电介质1002的重量比为1∶0.01-1∶10，优选为1∶0.1，1∶0.5，1∶1。所述暗色导电介质与悬浮溶液的重量百分比为0.1％-3％。

所述溶剂可以是水、水溶液、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。

所述纳米银线溶液进一步还含有其它添加剂，如分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。

在步骤S13中，纳米银线导电电极层1005以纳米银线溶液的形式涂覆。所述涂覆的方法包括：喷墨，撒播，凹版印刷，凸版印刷，柔印，纳米压印，丝网印刷，Meyer杆或刮刀涂布，夹缝式涂布，旋转涂布，针绘(stylusplotting)，条缝涂布，流涂，喷涂。

容易理解的是，可对基材1007进行表面处理，通过氧气等离子体处理、UV臭氧处理、电晕处理和化学处理等方法对基材表面进行表面处理，提高亲水性，可使纳米银线1001在基材1007表面分散的更加良好，如当通过脱模剂对基材1007表面进行预处理时，不会发生湿化问题(wettingproblem)，放置一定时间以挥发完溶剂，在一定温度下如25℃-150℃，加压烘烤一定时间，如60min，以形成导电性良好的纳米银线导电电极层1005。

在具体的实施工艺中，对PET柔性基材1007进行表面电晕处理；将重量比为1∶0.5的纳米银线1001和暗色导电介质1002内米银粒子与一定溶剂混合形成均匀的纳米银线溶液；其中，超过99％的纳米银线1001的直径为50nm、长宽比为400，超过99％的暗色导电介质1002为直径50nm的球状纳米银粒子；通过现有的涂布方法把含有暗色导电介质1002的纳米银线溶液涂布到已表面电晕处理的PET基材1007上，一个优选方式是通过喷涂，特别是通过超声波喷涂工艺：在超声波喷涂工艺中，纳米银线溶液在离开喷嘴时在原位经受超声波处理。当纳米银线1001撞击到基材1007的表面时溶剂大部分蒸发，防止再附聚(re-agglomeration)。通过此方式形成的涂层提供完全防附聚的纳米银线导电电极层1005；放置一定时间挥发完溶剂后，在150℃加压烘烤60min，从而得到纳米银线导电电极层1005。

请参阅图3和图5，本发明第二实施例纳米银线导电层叠结构与第一实施例的不同之处在于所述暗色导电介质2002为片状无规则导电介质。纳米银线导电电极层1005设置于基材1007上，采用片状无规则的暗色导电介质2002使得纳米银线1001之间的搭接更为良好，搭接面积更广，如原来只是点搭接的纳米银线1001，通过导电粒子后，可以实现部分面搭接，而采用片状的暗色导电介质2002后，使得多根原来不搭接的纳米银线1001之间形成搭接，可大部分实现面搭接，导电性得到极大提升。此外由于暗色导电介质2002为片状，可覆盖于纳米银线1001上，对纳米银线1001形成一定的遮蔽，而暗色导电介质2002较不反光，在一定程度上减少了纳米银线1001的反射率，间接的改善了雾度，且由于片状覆盖使得纳米银线导电电极层1005从上方看暗色导电介质1002分布均匀，又解决了纳米银线1001的可见问题。

所述片状无规则的暗色导电介质2002的厚度为0.1nm-10nm。

本实施例中，暗色导电介质2002为厚度1nm-2nm的石墨烯，纳米银线1001和暗色导电介质2002石墨烯的重量比为1∶0.5。纳米银线导电电极层1005的透光率为91.2％，雾度为0.8％，方阻为9.8ohm/sq。

在一个变形实施例中，纳米银线和暗色导电介质石墨烯的重量比为1∶0.3，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为92.2％，雾度为0.6％，方阻为16ohm/sq。

在另一变形实施例中，纳米银线和暗色导电介质石墨烯的重量比为1∶1，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为91％，雾度为1.4％，方阻为58ohm/sq。

在另一变形实施例中，纳米银线和暗色导电介质石墨烯的重量比为1∶10，该条件下得到的纳米银线导电电极层1005的透光率为90.2％，雾度为1.5％，方阻为65ohm/sq。

请参阅图6，本发明第三实施例纳米银线导电层叠结构30与第一实施例基本相同，纳米银线导电电极层1005设置于基材1007上，不同之处仅在于，纳米银线导电电极层1005上方设置一平整层304，纳米银线导电电极层1005中纳米银线1001突出基质1003的部分都收容于平整层304，较佳的，涂覆平整层304后，用辊筒碾压，使得平整层304与纳米银线导电电极层1005实现相互嵌入，提高纳米银线导电电极层1005平整度，进一步增加纳米银线1001之间的搭接面积，从而进一步降低方阻，提升导电率。

所述平整层304的材料可以选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧化物，类光阻，透明油墨等，包括但不限于：聚乙炔、聚苯胺、聚芳撑、聚噻吩、石墨烯、并五苯、聚(苯撑乙炔)(PPE)、聚(苯撑乙烯)(PPV)、聚(3，4-亚乙基二氧吩)(PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸)(PSS)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)(P3OT)、聚(芳醚砜)、聚(C-61-丁酸-甲酯)(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1，4-苯撑乙烯](MEH-PPV)、氮化硅、二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氮氧化硅、氮化铝、聚酰。

请参阅图7，本发明第四实施例纳米银线导电层叠结构40与第一实施例基本相同，不同之处在于：在基材1007和纳米银线导电电极层1005之间增加一层增粘层402，用于增强纳米银线导电电极层1005和基材1007之间的附着力。

所述增粘层402的材料可以选自高分子聚合物、绝缘材料、树脂、透明光学胶、氧化物，类光阻等，包括但不限于：聚乙炔、聚苯胺、聚芳撑、聚噻吩、石墨烯、并五苯、聚苯撑醚(PPE)、聚对苯撑乙炔(PPV)、聚3，4-亚乙基二氧吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-辛基噻吩(P3OT)、聚芳醚砜、聚C-61-丁酸-甲酯(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1，4-苯撑乙烯](MEH-PPV)、氮化硅、二氧化硅。

同时，当基材1007为可挠性基材时，所述增粘层402的热膨胀系数需小于可挠性基材的热膨胀系数。

增粘层402的涂覆面积为纳米银线导电电极层1005表面面积的100％，或80％-90％，最低不低于50％，此处涂覆面积以纳米银线导电电极层1005表面面积为基准，即当纳米银线导电电极层1005大于、小于或等于基材1007表面面积时，涂覆面积均为导电电极层1005表面面积的100％，或80％-90％，最低不低于50％。

请参阅图8，本发明第五实施例纳米银线导电层叠结构50与第一实施例基本相同，纳米银线导电电极层1005设置于基材1007上，不同之处在于在纳米银线导电电极层1005之上增加一光学匹配层505，所述光学匹配层505为一层低折射率的光学膜。

所述低折射率为折射率小于1.6，优选为1.1-1.6，优选的折射率为1.1，1.25，1.32，1.38，1.46，1.50，1.52。光学匹配层505的材料为有机物或无机物，或有机-无机混合涂层。例如硅氧化物，氯氟化物，氟化镁，二氧化硅，氟化锂，氟化钠，氧化镁，硅酸盐，聚氨酯，PMMA，PVA，PVP，有机硅，氟聚合物，丙烯酸树脂，丙烯酸树脂+矽石纳米颗粒。

所述光学匹配层505的光学膜厚度为1/4波长奇数倍。

通过添加光学匹配层505，在一定程度上缓解纳米银线1001由于反光率高带来的雾度问题。

在另外的变形结构中，光学匹配层505可以设置多层，位于基材1007上方任意位置。此外，光学匹配层505还可以是多层低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式形成。

请参阅图9，本发明第六实施例纳米银线导电层叠结构60与第一实施例基本相同，纳米银线导电电极层1005设置于基材1007上，不同之处在于在纳米银线导电电极层1005上增加一粘着性保护层606，所述粘着性保护层606的材质包括透明的粘着材料和透明的介电材料。所述粘着性保护层606用于保护纳米银线导电电极层1005，防止纳米银线1001表面被氧化而导电性降低。

相较于一般的保护层下方需要设置一层透明光学胶，所述粘着性保护层606具有粘性，无需设置透明光学胶，更有利于纳米银线导电层叠结构60厚度的降低。

请参阅图10，本发明第七实施例纳米银线导电层叠结构70与第一实施例基本相同，纳米银线导电电极层1005设置于基材1007上，不同之处在于在纳米银线导电电极层1005之上增加了一层四分之一波长延迟片707，可进一步降低雾度。

当纳米银线导电层叠结构70还有其他功能层时，如上述增粘层，平整层，光学匹配层，粘着性保护层时，需确保四分之一波长延迟片707相对于纳米银线导电电极层和光学匹配层靠近观察者一侧。

需要提出的是，上述增粘层，平整层，光学匹配层，粘着性保护层，四分之一波长延迟片可以任选一个添加，任选两个添加，任选三个添加，任选四个添加，也可以都添加。

请参阅图11，本发明第八实施例电容式触控面板80包括一盖板809，一纳米银线导电层叠结构803，一触控电路控制器(图未示)，一粘合层808，所述粘合层808粘合于盖板809和纳米银线导电层叠结构803的任一侧，所述纳米银线导电层叠结构803电性连接于所述触控电路控制器。本实施例中粘合层808粘合于盖板809和纳米银线导电层叠结构803中纳米银线导电电极层1005异于基材1007一侧，所述纳米银线导电层叠结构803与第一实施例所述纳米银线导电层叠结构类似，包括基材1007和纳米银线导电电极层1005，纳米银线导电电极层1005包括纳米银线1001、基质1003和暗色导电介质1002。

不容置疑地，所述纳米银线导电层叠结构803也可以是第二实施例至第七实施例及其变形结构中任一所述的纳米银线导电层叠结构。

上述电容式触控面板80为触控面板OGS(One-Glass-Solution)结构，不可质疑地，本发明电容式触控面板80还可以应用到GFF(Glass-Film-Glass)，GG(Glass-Glass)，G1F(Glass-Film)等结构中。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构通过降低纳米银线的直径和减少单位面积内的银线数量，并向纳米银线导电电极层中添加暗色导电介质，不仅能够大大增加纳米银线之间的搭接面积，克服导电率不良的问题，还由于暗色导电介质的吸光性好，对于改善雾度也有极为重要的作用，并同时保证导电薄膜良好的透光性。纳米银线导电层叠结构的透光率在90％以上，甚至可达到94％以上。本发明电容式触控面板采用添加暗色导电介质的纳米银线导电层叠结构，使导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中对灵敏度的提升尤为明显，并且提高了触控面板的光透过率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种纳米银线导电层叠结构，其特征在于，包括：

一基材，

一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上，

所述纳米银线导电电极层包括基质，嵌入所述基质中的暗色导电介质和多条纳米银线，所述纳米银线相互搭接形成一导电网络，所述暗色导电介质附着于所述导电网络并提高所述导电网络的导电率。

2.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线和暗色导电介质的重量比为1∶0.1-1∶10。

3.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述暗色导电介质的漫射系数小于15。

4.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述暗色导电介质的材质为纳米银粒子，纳米金，纳米铜，碳纳米管，石墨烯之任意一种或其组合。

5.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述暗色导电介质形状为球状、圆柱形、管状、立方体、椎体、无定形、片状、正交晶、单斜晶、三斜晶之任意一种或其组合。

6.如权利要求5所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述暗色导电介质为球状粒子，其粒径为1nm-100nm。

7.如权利要求5所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述暗色介质形状为片状无规则形状，其厚度为0.1nm-10nm。

8.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线的线至少部分嵌入基质中，所述纳米银线的线长为20μm-50μm，线径小于50nm，长宽比大于400，所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm，透光率大于90％，雾度小于1.5％，方阻小于100ohm/sq。

9.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：进一步包括一增粘层，一平整层，一光学匹配层，一四分之一波长延迟片，一粘着性保护层之任意一种或其组合，所述增粘层位于基材和纳米银线导电电极层之间，所述平整层位于纳米银线导电电极层上侧，光学匹配层位于基材上方任意位置，四分之一延迟波片和粘着性保护层位于纳米银线导电电极层上侧。

10.一种电容式触控面板，其特征在于，包括：

一盖板，

一触控电路控制器，

一粘合层，及

如权利要求1-9任一项所述的纳米银线导电层叠结构，

所述粘合层粘接所述盖板与所述纳米银线导电层叠结构，所述纳米银线导电层叠结构电性连接于所述触控电路控制器。