CN105206495A - 干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置，本发明还公开了一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法。
Description
技术领域
本发明涉及蚀刻制造技术领域，尤其涉及一种干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法。
背景技术
在目前的液晶显示面板阵列基板制造过程中，对各层的薄膜刻蚀有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，对于一般的a-si、SiNx、SiOx以及一些金属膜的刻蚀，多采用干法刻蚀。但是，在干法刻蚀机刻蚀过程中，基板表面静电累积过多时，会发生异常放电，造成静电击伤基板；而且干法刻蚀机下部电极上的吸附，是利用静电进行吸附基板，若刻蚀完成后，静电卸载不完全时，顶针在上升过程易造成基板破裂。
发明内容
本发明涉及一种干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法，可降低阵列基板薄膜在蚀刻时受静电的损坏。
本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。
其中，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板。
其中，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。
其中，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。
其中，所述导电体为金属针体。
其中，所述绝缘挡板为陶瓷材料制成。
一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法，所述方法包括，提供一干式蚀刻装置，其包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置；
使所述两个导接体伸入所述反应腔体内；
通过运送机构将一基板放入所述反应腔体内，所述两个导接体抵接并承载所述基板；
所述基板在所述反应腔体内进行蚀刻后，向反应腔体内注入等离子体，以去除基板上的静电；
使两个导接体伸出所述绝缘套将所述基板重新顶起，并且所述导电体接地导通。其中，所述导电体为金属针体。
其中，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向反应腔体的表面设有数个保护板。
其中，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板；所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。
本发明的干式蚀刻装置在反应腔体内设置导电功能的导电体放入绝缘套内，与绝缘套同时支撑基板，而在装入与卸载基板时，所述导电体均对基板上的静电进行移除，进而使基板在蚀刻后共进行了三次静电移除，可以有效的干净的去除基板的静电，有效防止基板收到损坏或异常的发生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。
图1是本发明较佳实施方式中的干式蚀刻装置示意图。
图2本发明的阵列基板干式蚀刻去除静电方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
请参阅图1，本发明的较佳实施例提供了一种干式蚀刻装置10，用于阵列基板19的蚀刻。所述干式蚀刻装置10包括机体、设于机体内的反应腔体12、第一电极13、第二电极14及两个导电体15，所述反应腔体12包括顶壁121及与顶壁121相对设置的底壁122，所述第一电极13设于顶壁121上，所述第二电极14设于底壁122上，所述两个导接体15间隔设置且贯穿所述底壁122及第二电极14，所述导接体15可相对所述反应腔体12伸缩，所述导接体15包括绝缘套151及位于绝缘套151内的导电体152，所述导电体152接地设置。
本实施例中，所述反应腔体12为矩形空腔，其还包括两个相对的侧壁123。所述两个侧壁123连接所述顶壁121与所述底壁122。所述第一电极13设于顶壁121上中部位置。所述第二电极14设于底壁122上中部位置。
所述两个导接体15为柱状体，分别穿过所述底壁12及所述第二电极14露出反应腔体12内并可相对反应腔体12伸缩，用于支撑阵列基板19。所述绝缘套151为橡胶或塑胶材质制成。所述导电体152为金属针体，具体为顶针，所述导电体152与接地点20连接，用于将与去接触的阵列基板19的静电导出。在其它实施方式中，可以通过改变导电体152的形状使导电体152相对所述绝缘套151伸缩。
所述底壁122上位于所述所述第二电极14的两侧位置设有绝缘挡板16。所述绝缘挡板16为陶瓷材料制成。所述绝缘挡板16用于防止腔体内放电击伤第二电极14。
所述底壁122上与所述绝缘挡板16相邻位置设有抽气孔17。所述抽气孔17用于控制反应清涕内的压力并在完成制程后反应腔体内的残余废气。
所述反应腔体12所述侧壁123上朝向腔体的表面设有数个保护板18。所述保护板18保护所述侧壁123防止在蚀刻时被损坏。
请参阅图2，本发明还提供一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法，所述方法包括：
步骤S1，提供以上所述的干式蚀刻装置。
步骤S2，使所述导接体15伸入所述反应腔体12内。
步骤S3，通过运送机构将一基板19放入所述反应腔体12内，所述两个导接体15分别与基板19抵接并承载所述基板19。在此步骤中，所述两个导接体15的导电体152与所述基板抵接的过程中，两个导电体152将所述基板19上所带的静电移除，避免在蚀刻过程中基板的静电过多而造成基板释放静电而损坏基板，此次的移除静电为第一次静电移除。
步骤S4，所述基板在所述反应腔体12内进行蚀刻后，向反应腔体12内注入等离子体，以去除基板19上的静电。此次去除静电为第二次静电移除，主要是向反应腔体内注入氧离子通电后中和所述基板上残留的静电。
步骤S5，使两个导接体15伸如反应腔体将所述基板19重新顶起，并且所述导电体152接地导通。此步骤主要是卸载蚀刻后的基板，在此过程中进行第三次静电移除，通过导电体152将蚀刻后的基板顶起，并且将导电体152进行接地，进而将蚀刻后的第二次静电移除后基板上残留的静电移除，进而保证基板上的静电去除干净，防止基板的破坏或异常发生。
本发明的干式蚀刻装置在反应腔体内设置导电功能的导电体放入绝缘套内，与绝缘套同时支撑基板，而在装入与卸载基板时，所述导电体均对基板上的静电进行移除，进而使基板在蚀刻后共进行了三次静电移除，可以有效的干净的去除基板的静电，有效防止基板收到损坏或异常的发生。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，其特征在于，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。
2.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板。
3.如权利要求2所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。
4.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。
5.如权利要求1所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述导电体为金属针体并伸出所述绝缘套露于所述反应腔体内。
6.如权利要求2所述的干式蚀刻装置，其特征在于，所述绝缘挡板为陶瓷材料制成。
7.一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法，所述方法包括，提供一干式蚀刻装置，其包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体；其中，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置；
使所述两个导接体伸入所述反应腔体内；
通过运送机构将一基板放入所述反应腔体内，所述两个导接体抵接并承载所述基板；
所述基板在所述反应腔体内进行蚀刻后，向反应腔体内注入等离子体，以去除基板上的静电；
使两个导接体伸出所述绝缘套将所述基板重新顶起，并且所述导电体接地导通。
8.如权利要求7所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述导电体为金属针体。
9.如权利要求8所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述反应腔体还包括两个相对的侧壁，所述两个侧壁连接所述顶壁与所述底壁，所述侧壁上朝向腔体的表面设有数个保护板。
10.如权利要求9所述的阵列基板干式蚀刻去除静电方法，其特征在于，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板；所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设有抽气孔。
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