CN105206304B - 一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的影响等考虑在内，根据失效存储位单元的功能验证及其相邻存储位单元的电流信息前后比对，确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，还是与其共享字线的同行同列存储位单元和其所在的字线、位线以及IO接口电路等周围环境缺陷引起的失效，并给出其具体失效模式，整个分析过程可自动完成，无需专业人员在场，能节约人力资源与测试机时及提高失效分析效率和结论准确性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统。
背景技术
随着闪存器件(Flash Memory)的存储单元不断地朝着高集成度和大容量化的方向发展，存储器制造工艺越来越繁琐，存储器在制造过程中出现缺陷的可能性也随之提升。电性失效分析(Electrical failure analysis，EFA)是提高闪存器件产品良率的一个重要手段，其原理通常为在制造出的闪存器件芯片出现故障时，通过电性失效性分析，以定位出失效单元的物理地址，以便于工程师借助更先进的工具，比如扫描电子显微镜(Scanningelectron microscope，SEM)、聚焦离子束(Focused ion beam，FIB)和透射电镜(Transmission electron microscope，TEM)，进行更深入的物理分析，以找到导致故障的根源，进而在后续的制备过程中进行改进，提高良率。
现在的闪存器件的电性失效分析(EFA)手法一般是：测试工程师(Testingengineer)根据测试需求编写测试程序；然后通过测试机加载和编译该测试程序，对失效芯片执行测试程序中的各测试项，输出芯片的失效存储位单元(failed bits)拼图，如图1所示；接着，然后测试工程师(Testing engineer)和工艺整合工程师(Integrationengineer)一起合作，通过观察failed bits图形，对fail bit做一步步的失效验证操作，最终找出fail bit失效的机理。
可见，现有的这种闪存器件EFA方法，需要测试工程师在场实时调整程序以及工艺整合工程师在场实时分析测试结果，由此造成人力资源与测试机时的大量耗费，失效分析效率比较低。
此外，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合，分栅式闪存相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，具有高的编程效率，其字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。请参考图2，一种共享字线的分栅式闪存，其两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线(Word Line，WL)、两个控制栅(control gate，CG)以及源线(Source Line，SL)和位线(Bit Line,BL)施加不同的工作电压实现对各个存储位单元的读取(read)、编程(写，program)和擦除(erase)。而现有技术中利用存储器测试设备对这种共享字线的分栅式闪存自动进行EFA的方法，对fail bit的判断往往只关注fail bit本身，其中忽略了该bit周围环境的影响，由此影响了EFA的效率和结论准确性。例如，忽略了与fail bit共享一个选择栅(字线)的另一个bit的影响，即忽略了fail bit的失效是由与fail bit共享字线的bit引起的。请参考图2和下表，按照下表电压对存储位单元FG1进行失效验证，
| 对FG1操作 | VBL1 | VBL2 | VCG1 | VCG2 | VWL(SG) |
| 擦除 | 0V | 0V | -7V | -7V | 8V |
| 写入 | 5V | 0.5V | 8V | 4V | 1.5V |
| 读取 | 0V | 1V | 0V | 4V | 4V |
其中，在对FG1进行写入或者读取操作的时候，所加的VCG2电压可以使得FG2下面的通道完全打开，从而减少存储位单元FG1通道电流受存储位单元FG2状态的影响。尽管如此，FG1和FG2之间还是会相互影响，尤其是cell电流的读取。比如读取存储位单元FG1电流时，存储位单元FG2处于写入(Program)还是擦除(Erase)状态得到的电流值均会有约40％左右的差别。
再例如，fail bit周围的位线(Bitline，与外围IO电路相连)、控制栅极(ControlGate)、字线(Wordline)等的fail会导致行/列失效(row/column fail)，而不是单个bitfail，此时，往往会出现由于row/column是弱失效(weak fail)而造成仅能将其中的某个性能特别差的bit查出来的情况，由此引入fail bit的判断不准确。
因此，需要一种共享字线的分栅式闪存的电性失效分析方法及系统，无需专业人员在场，即可自动完成测试过程，节约人力资源与测试机时，并失效分析的效率和结论准确性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统，无需专业人员在场，即可自动完成测试过程，节约人力资源与测试机时，并提高失效分析效率和结论准确性。
为解决上述问题，本发明提出一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，包括以下步骤：
自动收集所述共享字线的分栅式闪存中的一个失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元，以及与失效存储位单元物理地址所在的字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元；
自动遍历各种功能失效模式来对失效存储位单元进行功能失效验证，以分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式；
在每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是某种周围环境引入的失效而引起。
进一步的，所述周围环境引入的失效包括：同行同列存储位单元引入的失效以及失效存储位单元的物理地址所在的字线失效、位线失效、控制栅极线失效或IO失效引入的失效；
所述功能失效模式包括失效存储位单元自身的读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效。
进一步的，所述最近邻的两个IO接口电路上各自的所述相邻存储位单元为同列，且该列在其所在的所述最近邻的IO接口电路中的相对位置与所述失效存储位单元所在列在其IO接口电路中的相对位置相同。
进一步的，对失效存储位单元进行功能失效模式验证分析，包括：
对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否读功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否写功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否擦除功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否抗干扰功能失效。
进一步的，所述共享字线的分栅式闪存中的失效存储位单元通过以下步骤确定：
向所述分栅式闪存中写入数据；
从所述分栅式闪存中读取数据，并将读取的数据与写入的数据比较，读取和写入的数据不一致的存储位单元为失效存储位单元。
本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，包括：
功能失效验证模块，设置有多种功能失效模式，用于自动遍历各种功能失效模式来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式；
初始信息收集模块，用于在对所述失效存储位单元进行功能失效模式验证分析之前，收集所述失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元，以及与失效存储位单元物理地址所在的字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元；
相邻失效验证模块，用于在功能失效验证模块的每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是周围环境引入的失效而引起。
进一步的，所述周围环境引入的失效包括：同行同列存储位单元引入的失效以及失效存储位单元的物理地址所在的字线失效、位线失效、控制栅极线失效或IO失效引入的失效；
所述功能失效模式包括失效存储位单元自身的读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效。
进一步的，所述功能失效验证模块包括读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及抗干扰验证单元，其中，
所述读验证单元对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否读功能失效；
所述写验证单元对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否写功能失效；
所述擦除验证单元对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否擦除功能失效；
所述抗干扰验证单元对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否抗干扰功能失效。
进一步的，所述相邻失效验证模块包括信息再收集单元以及周围失效分析单元；所述信息再收集单元连接所述读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及抗干扰验证单元，用于在读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及抗干扰验证单元各个单元的验证操作完成后，再次收集所述相邻存储位单元的电流信息；周围失效分析单元连接信息再收集单元和初始信息收集模块，用于信息再收集单元收集的电流信息和初始信息收集模块收集的初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是某种周围环境引入的失效。
与现有技术相比，本发明提供的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的失效影响以及失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的失效影响等考虑在内，先自动收集失效存储位单元周围的相邻存储位单元的初始电流信息，再自动遍历设定的多种功能失效模式，来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，同时在每种功能失效模式验证操作完成后，再次收集的相邻存储位单元的电流信息并与之前收集的初始电流信息比对，确定出失效存储位单元的失效是自身缺陷引起的本事的功能失效，还是其所在字线、源线、位线以及IO接口电路等周围环境缺陷引起的失效，并最终确定出具体是哪种失效。整个失效分析过程可自动完成，无需专业人员在场，大大节约了人力资源与测试机时，并提高了失效分析效率和结论准确性。
附图说明
图1是现有技术中输出的失效存储位单元拼图；
图2是现有技术中的一种共享字线的分栅式闪存的剖面结构示意图；
图3是本发明具体实施例的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法流程图；
图4是图3所示的失效分析方法中的失效存储单元及其周围环境的结构示意图；
图5是本发明具体实施例的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统框图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。
请参考图3，本发明提出一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，包括以下步骤：
S1，自动收集所述共享字线的分栅式闪存中的一个失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元，以及与失效存储位单元物理地址所在的字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元；
S2，自动遍历各种功能失效模式来对失效存储位单元进行功能失效验证，以分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式；
S3，在每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是周围环境引入的失效而引起。
请参考图4，在本实施例的步骤S1中，为失效存储位单元40选取的相邻存储位单元包括三个虚线框内共19个存储位单元，包括与失效存储位单元40共享字线的同行同列存储位单元，以及失效存储位单元的物理地址(该地址包含了其所在的字线WLn、位线BLn/BLn+1以及IO接口电路IOn的信息)所在的字线WL最近邻的两条字线WLn-1\WLn+1和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路IOn最近邻的两个IO接口电路IOn-1、IOn+1所围区域中的18个存储位单元，即失效存储位单元40所在的IO接口电路IOn、所在字线WLn及其相邻字线WLn-1、WLn+1所围区域内的共10个最近邻的存储位单元(即图4中间的虚线框中的存储位单元)，以及IO接口电路IOn-1、IOn+1和字线WLn-1、WLn+1所围区域内且所在列在IOn-1、IOn+1中的相对位置与失效存储位单元40所在列在IOn中的相对位置相同的左、右两列共8个存储位单元(即图4左、右虚线框中的8个存储位单元)，即存储位单元各自所在的位线BLn-63(BLn-64)/BLn+64(BLn+65)在接口电路IOn-1/IOn+1中的相对位置与失效存储位单元所在的位线BLn/BLn+1在接口电路IOn中的相对位置相同。
本实施例中，通过步骤S1和步骤S3(S31、S32、S33和S34)可以将周围环境引入的失效考虑在内，用于精确判断出失效存储位单元的失效是由自身缺陷引起的本身的功能失效，还是由周围环境缺陷引起的失效(即周围环境引入的失效)。其中，周围环境引入的失效包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元引入的失效，以及失效存储位单元的物理地址所在的字线失效、位线失效、控制栅极线失效或IO失效等失效情况而引入的失效；所述功能失效模式包括失效存储位单元自身的读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效。
本实施例在步骤S2中，设置了4种功能失效模式验证，在步骤S2中自动遍历这4种功能失效模式来对失效存储位单元进行功能失效验证，包括：
S21，对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否读功能失效；
S22，对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否写功能失效；
S23，对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否擦除功能失效；
S24，对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否抗干扰功能失效，所述干扰操作可以包括栅极干扰(Gate Disturbance，GD)、漏极干扰(Drain Disturbance，DD)以及读干扰(Read Disturbance，RD)。GD是指对一个存储位单元进行写操作的时候，引起同一字线上的另一个存储位单元的误写或者是误擦；DD是指对一个存储位单元进行写操作的时候，引起同一位线上的另一个存储位单元的误写或者是误擦；RD是指对一个存储位单元的读操作引起该存储位单元的误写操作。
上述的S21至S24的顺序不限定于上述方式，S21至S24可以任意两两交换。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，设置的功能失效模式也可以大于或小于上述的4种，且遍历设置的所有功能失效模式时，各种功能失效模式的验证顺序也可以任意设置。
由于失效存储位单元的失效有可能是自身缺陷引起的功能失效，也有可能是周围环境的缺陷而引起的失效，因此需要在每步的功能失效验证操作后，添加一步周围环境引入的失效验证过程，即S31、S32、S33和S34。具体地，在每步的功能失效验证操作后，均需再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，将从每个相邻存储位单元再次收集来的电流信息与之前步骤S1中收集的所述初始电流信息对比，能够确定出失效存储位单元的周围环境是否存在缺陷，从而引起失效存储位单元失效，例如对比与失效存储位单元40同行的9个相邻存储位单元的初始电流信息与再次收集的电流信息，可以确定失效存储位单元40所在的字线WLn是否存在缺陷而失效，从而导致失效存储位单元40所在的地址行失效(row fail)；对比与失效存储位单元40同控制栅极线(CG2n+1)上的4个相邻存储位单元的初始电流信息与再次收集的电流信息，可以确定失效存储位单元40所在的控制栅极线CG2n+1是否存在缺陷而失效；对比与失效存储位单元40同列的3个相邻存储位单元的初始电流信息与再次收集的电流信息，可以确定失效存储位单元40所在的位线BLn/BLn+1是否存在缺陷而失效；对比失效存储位单元40所有的19个相邻存储位单元的初始电流信息与再次收集的电流信息，可以确定失效存储位单元40所在的接口电路IOn是否存在缺陷而失效；对比CG2n+1和CG2n上的相邻存储位单元的初始电流信息与再次收集的电流信息，可以确定与失效存储位单元40同行同列的存储位单元的状态是否正常，是否为失效存储位单元40引入失效。因此经过S3的进一步验证，能够自动给出比较准确的失效存储位单元的失效模式，特别是能够将失效存储位单元所在的位线(Bitline，与外围IO电路相连)、控制栅极线(Control Gate)、字线(Wordline)弱失效(weak fail)情况分析出来。
此外，本实施例中，所述共享字线的分栅式闪存中的失效存储位单元可以通过以下步骤确定：
向所述分栅式闪存中写入数据；
从所述分栅式闪存中读取数据，并将读取的数据与写入的数据比较，读取和写入的数据不一致的存储位单元为失效存储位单元。
综上所述，本发明提供的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的失效影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)的失效影响以及与失效存储位单元所在字线、位线以及IO接口电路最近邻的字线、位线以及IO接口电路的失效影响等考虑在内，先自动收集失效存储位单元周围的相邻存储位单元的初始电流信息，再自动遍历设定的多种功能失效模式，来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，同时在每种功能失效模式验证操作完成后，再次收集的相邻存储位单元的电流信息并与之前收集的初始电流信息比对，确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，还是周围字线、位线以及IO接口电路等缺陷引起的失效，并最终确定出具体是哪种失效。整个失效分析过程可自动完成，无需专业人员在场，大大节约了人力资源与测试机时，并提高了失效分析效率和结论准确性。
请参考图5，本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，包括初始信息收集模块50、功能失效验证模块51以及相邻失效验证模块53。
初始信息收集模块50用于在对所述共享字线的分栅式闪存的一失效存储位单元进行功能失效模式验证分析之前，收集所述失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元以及失效存储位单元的物理地址周围最近邻的字线、位线、源线以及IO接口电路所围区域中的同行异列存储位单元和异行同列存储位单元。
功能失效验证模块51中设置有读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效等多种功能失效模式的验证程序，用于自动遍历各种功能失效模式来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式，包括读验证单元511、写验证单元512、擦除验证单元513以及抗干扰验证单元514，其中，
所述读验证单元511对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元是否读功能失效；
所述写验证单元512对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元是否写功能失效；
所述擦除验证单元513对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元是否擦除功能失效；
所述抗干扰验证单元514对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元是否抗干扰功能失效。
相邻失效验证模块52用于在功能失效验证模块51的每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是否是由周围环境引入的失效而引起。
进一步的，所述失效分析系统还包括失效比特收集模块53，用于找出所述共享字线的分栅式闪存中的失效存储位单元，所述失效比特收集模块包括数据写入单元、数据读取单元以及判定单元，所述数据写入单元向所述分栅式闪存中写入数据；所述数据读取单元从所述分栅式闪存中读取数据，所述判定单元将读取的数据与写入的数据比较，并将读取和写入的数据不一致的存储位单元判定为失效存储位单元。
综上所述，本发明提供的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，能够通过初始信息收集模块自动收集失效存储位单元周围的相邻存储位单元的初始电流信息，通过功能失效验证模块自动遍历设定的多种功能失效模式，来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，以及通过相邻失效验证模块在每种功能失效模式验证操作完成后，再次收集的相邻存储位单元的电流信息并与之前收集的初始电流信息比对，确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，还是周围字线、位线以及IO接口电路等缺陷引起的失效，并最终确定出具体是哪种失效。因此应用本发明的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统可自动完成共享字线的分栅式闪存的失效分析，无需专业人员在场，大大节约了人力资源与测试机时；同时，实现的失效分析过程，不仅关注失效存储位单元本身，还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的失效影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的失效影响以及与失效存储位单元所在字线、位线以及IO接口电路最近邻的字线、位线以及IO接口电路的失效影响等考虑在内，大大提高了失效分析效率和结论准确性。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，其特征在于，包括：
自动收集所述共享字线的分栅式闪存中的一个失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元，以及与失效存储位单元物理地址所在的字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元；
自动遍历各种功能失效模式来对失效存储位单元进行功能失效验证，以分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式；
在每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是某种周围环境引入的失效。
2.如权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，其特征在于，所述周围环境引入的失效包括：所述同行同列存储位单元引入的失效以及失效存储位单元的物理地址所在的字线失效、位线失效、控制栅极线失效或IO失效而引入的失效；
所述功能失效模式包括失效存储位单元本身的读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效。
3.如权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，其特征在于，所述最近邻的两个IO接口电路上各自的所述相邻存储位单元为同列，且该列在其所在的所述最近邻的IO接口电路中的相对位置与所述失效存储位单元所在列在其IO接口电路中的相对位置相同。
4.如权利要求2所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，其特征在于，对失效存储位单元进行功能失效模式验证分析，包括：
对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否读功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否写功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否擦除功能失效；
对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否抗干扰功能失效。
5.如权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析方法，其特征在于，所述共享字线的分栅式闪存中的失效存储位单元通过以下步骤确定：
向所述分栅式闪存中写入数据；
从所述分栅式闪存中读取数据，并将读取的数据与写入的数据比较，读取和写入的数据不一致的存储位单元为失效存储位单元。
6.一种共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，其特征在于，包括：
功能失效验证模块，设置有多种功能失效模式，用于自动遍历各种功能失效模式来对共享字线的分栅式闪存的失效存储位单元进行功能失效验证，分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式；
初始信息收集模块，用于在对所述失效存储位单元进行功能失效模式验证分析之前，收集所述失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息，所述相邻存储位单元包括：与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元，以及与失效存储位单元所在字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元；
相邻失效验证模块，用于在功能失效验证模块的每种功能失效模式验证操作完成之后，均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息，来与所述初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是某种周围环境引入的失效。
7.如权利要求6所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，其特征在于，所述周围环境引入的失效包括：所述同行同列存储位单元引入的失效以及失效存储位单元的物理地址所在的字线失效、位线失效、控制栅极线失效或IO失效而引入的失效；
所述功能失效模式包括失效存储位单元自身的读功能失效、写功能失效、擦除功能失效以及抗干扰功能失效。
8.如权利要求6所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，其特征在于，所述最近邻的两个IO接口电路上各自的所述相邻存储位单元为同列，且该列在其所在的所述最近邻的IO接口电路中的相对位置与所述失效存储位单元所在列在其IO接口电路中的相对位置相同。
9.如权利要求7所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，其特征在于，所述功能失效验证模块包括读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及抗干扰验证单元，其中，
所述读验证单元对失效存储位单元进行不同电压的读操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否读功能失效；
所述写验证单元对失效存储位单元进行不同电压的写操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否写功能失效；
所述擦除验证单元对失效存储位单元进行不同电压的擦除操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否擦除功能失效；
所述抗干扰验证单元对失效存储位单元进行不同电压的干扰操作，确认失效存储位单元的功能失效模式是否抗干扰功能失效。
10.如权利要求9所述的共享字线的分栅式闪存的失效分析系统，其特征在于，所述相邻失效验证模块 包括信息再收集单元以及周围失效分析单元；所述信息再收集单元连接所述读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及干扰验证单元，用于在读验证单元、写验证单元、擦除验证单元以及抗干扰验证单元各个单元的验证操作完成后，再次收集所述相邻存储位单元的电流信息；周围失效分析单元连接信息再收集单元和初始信息收集模块，用于信息再收集单元收集的电流信息和初始信息收集模块收集的初始电流信息对比，以确定失效存储位单元的失效是本身的功能失效或是某种周围环境引入的失效。
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