CN105185741B - 一种coms像素电路基板回收工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明属于COMS像素电路基板领域，具体涉及一种COMS像素电路基板回收工艺。本发明通过溶解、化学机械抛光、等离子清洗手段去除经过检验不合格的基板的底层电极、有机发光层、顶层电极、氧化铝阻隔层、PMMA阻隔层，完好的保留钝化层和电路连接点形貌特性、界面态特性和电学特性；进行了回收利用，避免了材料的浪费，减低了成本，符合节能环保的理念，具有极大的市场价值和应用前景。

Description

一种COMS像素电路基板回收工艺
技术领域
本发明属于COMS像素电路基板领域，具体涉及一种COMS像素电路基板回收工艺。
背景技术
COMS像素电路基板可以作为硅基液晶和硅基OLED微型显示器的像素电路基板，其采用CMOS技术在硅片上加工制作而成。
但现有技术中COMS像素电路基板一旦检验不合格，就只能丢弃浪费，不可再次利用，不环保，成本极高。因此提供一种既能够将制备失败的原材料回收利用，减低了成本，又能够完好的保留钝化层和电路连接点形貌特性、界面态特性和电学特性；符合节能环保的理念的一种COMS像素电路基板回收工艺是电路基板加工领域中刻不容缓的事情。
化学机械抛光(CMP)是一种半导体材料表面平整技术，它是将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼收了二者的优点，可以获得比较完美的晶片表面。可以使用碱性二氧化硅抛光液，碱在硅表面发生化学腐蚀反应，会生成可溶性的硅酸盐，再通过细小柔软、比表面积大、带有负电荷的SiO2胶粒的吸附作用及其与抛光垫和片子间的机械摩擦作用，及时除去反应产物，从而达到去除晶片表面损伤层与沾污杂质的抛光目的，这个化学和机械共同作用的过程就是硅片CMP抛光的过程。
硅基OLED微型显示器在电极和发光层制作工艺工程中，在像素基板电路板上进行金属电极层镀膜，再在金属电极层上热蒸镀有机发光层和透明电极层，最后进行阻隔层密封。整个过程中若出现工艺偏移必定造成像素基板电路报废，基板的回收再利用对降低原材料成本具有重要意义。
等离子清洗(plasmacleaner)，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。等离子体是物质的一种状态，也叫做物质的第四态。对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。等离子体的“活性”组分包括：离子、电子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等。等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现界面表面改性的目的。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中COMS像素电路基板一旦检验不合格，就只能丢弃浪费，不可再次利用，不环保，成本高的技术瓶颈，从而提出一种既能够将制备失败的原材料回收利用，减低了成本，又能够完好的保留钝化层和电路连接点形貌特性、界面态特性和电学特性；符合节能环保的理念的一种COMS像素电路基板回收工艺。
为解决上述技术问题，本发明公开了一种COMS像素电路基板回收工艺，其中，该工艺包含如下步骤：
用混有四氢呋喃、氢氧化钠、异丙醇、丙酮的去离子水混合溶液溶液浸泡；进行化学机械抛光后，用去离子水兆声冲洗。
优选的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述的去离子水混合溶液中四氢呋喃、氢氧化钠、异丙醇、丙酮、去离子的质量比为25∶5∶15∶3∶52。
优选的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述化学机械抛光顺序分为粗抛、细抛、精抛三步。
更为优选的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述粗抛所使用的抛光剂为Nalco2350，抛光垫为romenhassuba800，抛光的转速55rpm，使用的抛光液PH值为10-12，抛光压力2.2N/cm2。
进一步的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述细抛所使用的抛光剂为Nalco2330，抛光垫为romenhassuba600，转速为40rpm，抛光液PH值为10-12，抛光压力为1.5N/cm2，抛光时间为完全去除底层电极后30s。
更为进一步的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述精抛所使用的抛光剂为Nalco2330，抛光垫为Politex精垫，转速为35rpm，抛光液PH值为10-11，抛光压力为0.5N/cm2，抛光时间为60s。
优选的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述兆声频率850KHz，清洗时间2min。
优选的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述去离子水兆声冲洗后还需用高压氮气离子风枪吹干所述电路基板。
进一步的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述吹干所述电路基板后还需对所述电路基板进行等离子清洗。
更为进一步的，所述的COMS像素电路基板回收工艺，其中，所述等离子清洗清洗时间为150s，压力为25Pa，功率为350W。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：在微型OLED显示器制造过程中，会在COMS像素电路基板的钝化层上通过各种镀膜方式依次制作底层电极、有机发光层、顶层电极、氧化铝阻隔层、PMMA阻隔层。本发明通过溶解、化学机械抛光、等离子清洗手段去除经过检验不合格的基板的底层电极、有机发光层、顶层电极、氧化铝阻隔层、PMMA阻隔层，完好的保留钝化层和电路连接点形貌特性、界面态特性和电学特性；进行了回收利用，避免了材料的浪费，减低了成本，符合节能环保的理念，具有极大的市场价值和应用前景。
具体实施方式
实施例1本实施例公开了一种COMS像素电路基板回收工艺，具体步骤如下：
(1)浸泡溶解：配制以下重量份的溶液：25重量份四氢呋喃+5重量份氢氧化钠+15重量份异丙醇+3重量份丙酮+52重量份去离子水；将溶液倒入特氟龙清洗槽内，搅拌1min；把要回收的基板水平装入特氟龙提篮，水平放入清洗槽内，液面要能完全浸没基板，5min一次上下晃动提篮，浸泡25min；浸泡后取出基板，用去离子水加兆声冲洗，兆声频率850KHz，清洗时间2min；
用高压氮气离子风枪吹干；在显微镜下观察若存在没有去除杂质，进行重复浸泡清洗，重复浸泡时间相应缩短，清洗时间不变。
(2)化学机械磨抛：
粗抛：抛光剂Nalco2350，抛光垫romenhassuba800，转速55rpm，抛光液PH值控制在10到12之间，抛光压力2.2N/cm2，抛光量根据残留底层电极决定；
细抛：抛光剂Nalco2330，抛光垫romenhassuba600，转速40rpm，抛光液PH值控制在10到12之间，抛光压力1.5N/cm2，抛光时间控制在完全去除底层电极后30s；
精抛：抛光剂Nalco2330，抛光垫Politex精垫，转速35rpm，抛光液PH值控制在10到11之间，抛光压力0.5N/cm2，抛光时间60s；
抛光后，再用去离子水加兆声冲洗，兆声频率850KHz，清洗时间2min；然后用高压氮气离子风枪吹干；
在显微镜下放大10倍暗场下观察，底层电极完全去除，面变无明显划痕。
(3)等离子清洗：
清洗时间控制150s，基础压力25Pa，功率350W，氩气35ml/min，氮气150ml/min。然后真空烘箱200℃烘烤60min后，放入氮气箱存放。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，该工艺包含如下步骤：
用混有四氢呋喃、氢氧化钠、异丙醇、丙酮的去离子水混合溶液溶液浸泡；进行化学机械抛光后，用去离子水兆声冲洗。
2.如权利要求1所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述的去离子水混合溶液中四氢呋喃、氢氧化钠、异丙醇、丙酮、去离子的质量比为25：5：15：3：52。
3.如权利要求1所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述化学机械抛光顺序分为粗抛、细抛、精抛三步。
4.如权利要求3所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述粗抛所使用的抛光剂为Nalco2350，抛光垫为romenhas suba800，抛光的转速55rpm，使用的抛光液PH值为10-12，抛光压力2.2N/cm2。
5.如权利要求4所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述细抛所使用的抛光剂为Nalco2330，抛光垫为romenhas suba600，转速为40rpm，抛光液PH值为10-12，抛光压力为1.5N/cm2，抛光时间为完全去除底层电极后30s。
6.如权利要求5所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述精抛所使用的抛光剂为Nalco2330，抛光垫为Politex精垫，转速为35rpm，抛光液PH值为10-11，抛光压力为0.5N/cm2，抛光时间为60s。
7.如权利要求1-6任一所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述兆声频率850KHz，清洗时间2min。
8.如权利要求1-6任一所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述去离子水兆声冲洗后还需用高压氮气离子风枪吹干所述电路基板。
9.如权利要求8所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述吹干所述电路基板后还需对所述电路基板进行等离子清洗。
10.如权利要求9所述的一种COMS像素电路基板回收工艺，其特征在于，所述等离子清洗清洗时间为150s，压力为25Pa，功率为350W。
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