CN105131480B - 锡酸锑纳米线复合电子封装材料 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

Description

锡酸锑纳米线复合电子封装材料

技术领域

本发明属于结构材料技术领域，具体涉及一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料。

背景技术

电子封装材料为电子设备提供保护、支撑、组装、绝缘、散热等功能，在电子设备等领域具有重要的应用。无机非金属、金属及高分子材料可以作为电子封装材料。国家发明专利“一种碳包覆制备单分散晶体二氧化硅球形颗粒的方法”(国家发明专利申请号：201110360535.6)公开了一种碳包覆制备分散二氧化硅颗粒的方法，此种方法首先通过气溶胶法或水热法包覆厚度均匀的碳层得到核壳结构二氧化硅/碳颗粒，然后于250-400℃、1-20大气压的空气或纯氧气中氧化去除覆盖的碳层得到单分散的球形二氧化硅颗粒，此种单分散二氧化硅颗粒可以作为电子封装材料。

国家发明专利“一种Cu-TiNi复合材料的制备方法”(国家发明专利号：ZL200710192401.1)以铜板、钛镍合金为材料，通过在氢气气氛中于750-850℃、保温40-50min经过热轧复合，750-840℃固溶处理2-4h，160-360MPa、400-500℃压应力时效处理10-20h制备出了Cu-TiNi复合电子封装材料。国家发明专利“一种复合杂化有机硅LED封装材料及其制备方法和应用”(国家发明专利申请号：20120484569.01)公开了以二氧化硅苯基有机硅复合杂化物、乙烯基聚硅氧烷、含氢聚硅氧烷作为主要原料，在80-110℃的真空条件下反应1-8h得到了一种复合杂化有机硅封装材料。

传统的无机非金属、金属封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点，但是难于加工、制备温度高；高分子封装材料的热膨胀系数大、耐老化性能差。因此，单一的传统材料难以满足电子封装材料的性能要求。

发明内容

本发明的目的是为了解决以上问题，提供锡酸锑纳米线作为主要原料，引入聚乙烯醇、聚苯乙烯、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物、异丙醇铝、聚偏氟乙烯和水，以期得到具有热膨胀系数低、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、绝缘性好、易加工及制备温度低的锡酸锑纳米线复合电子封装材料。

本发明所提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

锡酸锑纳米线65-80％、聚乙烯醇3-5％、聚苯乙烯3-5％、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物0.05-0.5％、异丙醇铝3-6％、聚偏氟乙烯7-14％、水3-5％。

本发明所述锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20-30μm。

本发明所提供的锡酸锑纳米线的具体制备方法如下：

以锡酸钠、氯化锑作为原料，水为溶剂，其中锡酸钠与氯化锑的摩尔比为1:1，将锡酸钠、氯化锑与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度120-180℃、保温12-36h，其中锡酸钠与氯化锑的重量不大于水重量的50％。

本发明所提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料的具体制备方法如下：

按照质量比例称取锡酸锑纳米线、聚乙烯醇、聚苯乙烯、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物、异丙醇铝、聚偏氟乙烯和水，然后通过机械搅拌将原料混合均匀，并置于磨具中冲压成型，在80-120℃、保温24-72h，自然冷却后得到了锡酸锑纳米线复合电子封装材料。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

1、本发明以锡酸锑纳米线、聚乙烯醇、聚苯乙烯、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐共聚物、异丙醇铝、聚偏氟乙烯和水作为原料，可以制备出无机非金属纳米材料与高分子复合形成的电子封装材料，这种复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点。

2、本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的制备温度为80-120℃，低于无机非金属和金属封装材料的制备温度，制备过程简单，降低了能耗和制备成本。

附图说明

图1为实施例1制备的锡酸锑纳米线复合电子封装材料的SEM图像；

从图可以看出锡酸锑纳米线复合电子封装材料由纳米线和无规则颗粒构成，纳米线的直径为50nm、长度为20-30μm。

具体实施方式

以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。

实施例1

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例2

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例3

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例4

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例5

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例6

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例7

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例8

确定锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

本发明实施例1到实施例8所得锡酸锑纳米线复合电子封装材料的特征参数如表1所示：

表1

Claims (2)

1.一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，其特征在于：以质量百分比计，该电子封装材料的配方如下：

所述锡酸锑纳米线是通过以下方法予以制备的：

以锡酸钠、氯化锑作为原料，水为溶剂，其中锡酸钠与氯化锑的摩尔比为1:1，将锡酸钠、氯化锑与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度120-180℃、保温12-36h，其中锡酸钠与氯化锑的重量不大于水重量的50％。

2.如权利要求1所述一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，其特征在于：所述锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20-30μm。