CN105118872B - 一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 - Google Patents
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105118872B CN105118872B CN201510430524.9A CN201510430524A CN105118872B CN 105118872 B CN105118872 B CN 105118872B CN 201510430524 A CN201510430524 A CN 201510430524A CN 105118872 B CN105118872 B CN 105118872B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- film solar
- cigs thin
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池。
Description
技术领域
本发明涉及铜铟镓硒薄膜太阳电池制备技术领域，特别是涉及一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法。
背景技术
21世纪人类面临的最大课题是不仅有能源问题，还有环境问题，利用太阳能来解决全球性的能源和环境问题越来越受到人们的重视，各种太阳电池应运而生。在能源日益短缺与过度使用矿石燃料而造成全球暖化的危机中，太阳能光伏发电已成为各国优先考虑发展的洁净能源。铜铟镓硒(铜铟镓硒)化合物太阳电池因转换效率高、弱光发电性能好、稳定性好、无衰减等优点而成为最有希望的光伏器件之一。
柔性衬底铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池由于具有质量比功率高、可折叠、便于携带等诸多优点，现以成为国内外科研工作者持续关注的热点之一。铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法也日趋成熟，其中最为被广泛采用的就是共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜吸收层，辅之以其它上下电极制备工艺，完成铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备。关于共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池的专利有很多，如申请号为201210495682.9的专利申请材料就较为详细的描述了一种基于共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法；申请号为201210535592.8的专利申请材料中所描述的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法要求的制备铜铟镓硒薄膜的衬底温度在550-650℃；申请号为201310162449.3的专利申请材料所要求的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备工艺中衬底温度也超过450℃。
需要特别注意的是，上述专利中，制备铜铟镓硒薄膜吸收层工艺，所需的衬底温度都在450℃左右，较高的衬底温度会对柔性衬底材料(聚酰亚胺、钛箔等)造成损伤，使衬底衬底失效变性，从而影响太阳电池的性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，该方法的目的是在尽可能小的对柔性衬底材料造成损伤的基础上，制备得到高质量的铜铟镓硒吸收层薄膜，从而制备得到铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池。。
本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：包括如下步骤：
步骤一、在柔性衬底上制作背电极；具体为：
通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，接近衬底的一层为高阻Mo层，上述高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在上述高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；
步骤二、在上述背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜；具体为：
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；
步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；具体为：
采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，其中，上述三步法中的第一步衬底温度在250℃-300℃范围，第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内；
步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池；具体为：
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
进一步：所述柔性衬底为聚酰亚胺衬底、钛箔衬底、不锈钢衬底中的一种。
进一步：所述高阻Mo层的厚度为100nm，所述低阻Mo层厚度为400nm。
进一步：所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为400nm。
进一步：所述高阻Mo层的厚度为100nm，所述低阻Mo层厚度为550nm。
进一步：所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为550nm。
进一步：所述第一步衬底温度为250℃，所述第二步和第三步衬底温度为350℃。
进一步：所述第一步衬底温度为250℃，所述第二步和第三步衬底温度为380℃。
进一步：所述第一步衬底温度为300℃，所述第二步和第三步衬底温度为380℃。
进一步：所述第一步衬底温度为300℃，所述第二步和第三步衬底温度为350℃。
本发明具有的优点和积极效果是：
本专利特别提出一种衬底温度400℃以下制备柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法，在不损伤衬底材料的同时，制备得到高质量的铜铟镓硒吸收层，从而制备得到柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池。本发明通过在以柔性材料为衬底的双层Mo背电极上利用电子束蒸发方法制备12nm厚的锑薄膜(元素符号为Sb)，由于锑原子在铜铟镓硒膜生长过程中会扩宽晶格，使得铜、铟、镓和硒四种原子可以在更低的温度下进行反应，长成具有良好结晶质量的晶体材料。在蒸发好的锑膜基础上，在380℃的衬底温度下，采用传统的共蒸发法工艺制备1.5-2.5μm厚铜铟镓硒薄膜，辅助以缓冲层、窗口层及上电极的制备，从而制备得到铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，详细说明如下：
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：包括如下步骤：
步骤一、在柔性衬底上制作背电极；具体为：
通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，接近衬底的一层为高阻Mo层，上述高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在上述高阻Mo(钼)层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；
步骤二、在上述背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜；具体为：
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；
步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；具体为：
采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，其中，上述三步法中的第一步衬底温度在250℃-300℃范围，第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内；
步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池；具体为：
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
在上述优选实施例中：所述柔性衬底为聚酰亚胺衬底、钛箔衬底、不锈钢衬底中的一种。各种衬底的具体实施例如下：
实施例一、
步骤101.在聚酰亚胺衬底上制作背电极
通过直流磁控溅射沉积系统在聚酰亚胺衬底上沉积厚度范围为500nm-700nm的Mo作为背电极，Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度范围为100nm-150nm，在高阻Mo层上再沉积400nm-550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；在本优选实施例中，Mo的厚度取500nm或700nm，高阻Mo层的厚度取100nm或150nm，低阻Mo层的厚度取400nm或550nm；
步骤2.在背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜。
步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层
采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250℃-300℃范围，而第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250℃或300℃，第二步和第三步衬底温度取350℃或380℃；
步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓硒薄膜太阳电池
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
实施例2：
步骤1.在钛箔衬底(100微米)上制作背电极
通过直流磁控溅射沉积系统在钛箔衬底上沉积厚度为500nm-700nm的Mo作为背电极，Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度在100nm-150nm，在高阻Mo层上再沉积400nm-550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；在本优选实施例中，Mo的厚度取500nm或700nm，高阻Mo层的厚度取100nm或150nm，低阻Mo层的厚度取400nm或550nm；
步骤2.在背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜。
步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层
采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250℃-300℃范围，而第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250℃或300℃，第二步和第三步衬底温度取350℃或380℃；
步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓硒薄膜太阳电池
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
实施例3：
步骤1.在不锈钢衬底(100微米)上制作背电极
通过直流磁控溅射沉积系统在不锈钢衬底上沉积厚度为500nm-700nm的Mo作为背电极，Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度在100nm-150nm，在高阻Mo层上再沉积400nm-550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；在本优选实施例中，Mo的厚度取500nm或700nm，高阻Mo层的厚度取100nm或150nm，低阻Mo层的厚度取400nm或550nm；
步骤2.在背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜。
步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层
采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250℃-300℃范围，而第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250℃或300℃，第二步和第三步衬底温度取350℃或380℃；
步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓硒薄膜太阳电池
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、在柔性衬底上制作背电极；具体为：
通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，接近衬底的一层为高阻Mo层，上述高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在上述高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；
步骤二、在上述背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜；具体为：
利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；
步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；具体为：
采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，其中，上述三步法中的第一步衬底温度在250℃-300℃范围，第二步和第三步衬底温度在350℃-380℃范围内；
步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池；具体为：
在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
2.根据权利要求1所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述柔性衬底为聚酰亚胺衬底、钛箔衬底、不锈钢衬底中的一种。
3.根据权利要求2所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述高阻Mo层的厚度为100nm，所述低阻Mo层厚度为400nm。
4.根据权利要求2所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为400nm。
5.根据权利要求2所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述高阻Mo层的厚度为100nm，所述低阻Mo层厚度为550nm。
6.根据权利要求2所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为550nm。
7.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述第一步衬底温度为250℃，所述第二步和第三步衬底温度为350℃。
8.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述第一步衬底温度为250℃，所述第二步和第三步衬底温度为380℃。
9.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述第一步衬底温度为300℃，所述第二步和第三步衬底温度为380℃。
10.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：所述第一步衬底温度为300℃，所述第二步和第三步衬底温度为350℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510430524.9A CN105118872B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510430524.9A CN105118872B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105118872A CN105118872A (zh) | 2015-12-02 |
| CN105118872B true CN105118872B (zh) | 2017-02-01 |
Family
ID=54666818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510430524.9A Active CN105118872B (zh) | 2015-07-21 | 2015-07-21 | 一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105118872B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105047730A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-11-11 | 柳州蚊敌香业有限公司 | 一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极 |
| CN116397200B (zh) * | 2023-06-08 | 2023-08-08 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103296092A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-09-11 | 天津理工大学 | 一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法 |
| CN104425650A (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 三步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101557020B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2015-10-02 | 한국에너지기술연구원 | 금속산란막을 갖는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 |
-
2015
- 2015-07-21 CN CN201510430524.9A patent/CN105118872B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103296092A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-09-11 | 天津理工大学 | 一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法 |
| CN104425650A (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 三步法吸收层前掺钠柔性太阳电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105118872A (zh) | 2015-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102893370B (zh) | 整合连接层的光电活性的、基于硫属元素的薄膜结构 | |
| JP5956397B2 (ja) | 銅・インジウム・ガリウム・セレニウム（ｃｉｇｓ）または銅・亜鉛・錫・硫黄（ｃｚｔｓ）系薄膜型太陽電池及びその製造方法 | |
| KR101094326B1 (ko) | 태양전지용 Ｃｕ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ－（Ｓｅ，Ｓ）계 박막 및 이의 제조방법 | |
| Luo et al. | Manipulating Ga growth profile enables all-flexible high-performance single-junction CIGS and 4 T perovskite/CIGS tandem solar cells | |
| CN105789371A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池掺钾元素的方法 | |
| CN103296130A (zh) | 一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层的Na掺杂方法 | |
| CN105118872B (zh) | 一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法 | |
| Chirilă et al. | Influence of high growth rates on evaporated Cu (In, Ga) Se2 layers and solar cells | |
| CN102214737B (zh) | 太阳能电池用化合物薄膜的制备方法 | |
| CN105742402B (zh) | 一种叠层太阳能电池的制备方法及其结构 | |
| CN105470113A (zh) | 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法 | |
| WO2014125900A1 (ja) | Ｃｉｇｓ膜の製法およびそれを用いるｃｉｇｓ太陽電池の製法 | |
| CN102956722B (zh) | 一种薄膜太阳能电池 | |
| WO2013035732A1 (ja) | Ｃｉｇｓ膜の製法およびそれを用いるｃｉｇｓ太陽電池の製法 | |
| CN103548153B (zh) | 具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法 | |
| WO2004008547A1 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| Brémaud | Investigation and development of CIGS solar cells on flexible substrates and with alternative electrical back contacts | |
| CN106298989A (zh) | 一种提高薄膜太阳能电池背电极和吸收层附着力的方法 | |
| CN106409934A (zh) | 一种cigs太阳电池吸收层的制备方法 | |
| KR101504343B1 (ko) | 화합물 반도체 태양전지의 제조방법 | |
| US9966485B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| CN114203842A (zh) | 宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法、太阳能电池 | |
| CN106684210B (zh) | 一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、该方法制备的薄膜及包含该薄膜的太阳电池 | |
| WO2019180892A1 (ja) | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
| CN111435686A (zh) | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |