CN105097635A - 静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法 - Google Patents

静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法，本发明在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极，通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度，并将探测结果发送给控制部件，控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布，从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布，使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀，减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，避免晶圆发生跳片问题，提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命。

Description

静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种可设定静电吸力分布的静电吸盘以及对晶圆进行吸附的方法。
背景技术
在半导体制造领域，静电吸盘通过异性电荷的吸力用来承载工艺过程中的晶圆，被广泛应用于光刻、离子注入、刻蚀、薄膜等工艺过程中。
图1为静电吸盘的示意图，如图所示：在静电吸盘的绝缘材料中镶嵌着一组直流电极，用以接通到直流电源，分别使正负电极的电压大小相等，极性相反(例如输入500V电压，正电极电压为+250V，负电极电压为-250V)，绝缘质的表面会产生极化电荷，表面极化电荷会产生电场，这一电场会进一步在置于吸盘之上的晶圆底面产生极化电荷，分布在晶片背面的电荷与分布在吸盘上面的电荷极性相反，从而吸住晶圆。根据Johnsen–Rahbek效应公式可以得出静电吸力为：Ftotal＝CV2/D，其中：F为静电吸力，C为晶圆与吸盘之间的电容，V为正负电极间的电压，D为晶圆与吸盘间的间距。
目前静电吸盘对于晶圆的吸力无法针对不同的晶圆进行吸力的分布的设定。随着晶圆尺寸的增大，晶圆本身的弯曲度越来越严重，不匹配的吸力分布会影响到静电吸盘承载晶圆的能力。
如图2所示：对于向下弯曲的晶圆，中间部分间距大，边缘部分间距小，在相同的电压下，晶圆整体所受的静电吸力为中间部分吸力小，边缘部分吸力大。中间部分吸力不够，无法维持用于热交换的背压，甚至造成跳片；边缘部分与静电吸盘的绝缘材料接触不均匀，造成晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，损害晶圆产品质量和静电吸盘的寿命。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种可设定静电吸力分布的静电吸盘，利用探测部件来探测晶圆的形貌，并利用控制部件根据探测部件所探测的结果来控制静电吸盘具有合适的静电吸力分布。
为了达到上述目的，本发明提供了一种可设定静电吸力分布的静电吸盘，静电吸盘顶部具有绝缘材料，其包括：
在绝缘材料中镶嵌有两个及以上成对的正电极和负电极，所有所述正电极位于静电吸盘中心线的一侧，所有所述负电极位于静电吸盘中心线的另一侧，且每一对所述正电极和所述负电极的分布均以所述静电吸盘中心线为对称轴；
探测部件，用于探测位于所述静电吸盘上表面的晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；并且向控制部件发送所述探测数据；
控制部件，用于接收所述探测部件发送的所述探测数据，并且根据所述探测数据控制施加于所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。
优选地，所述静电吸盘在所述正电极和所述负电极所在平面的投影面被所述正电极和所述负电极布满。
优选地，所述正电极和所述负电极的分布以所述静电吸盘的中心线为中心轴构成同心圈；每一个圈上具有两对及以上的所述正电极和所述负电极。
优选地，所述控制部件控制施加于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。
优选地，所述晶圆的弯曲位置呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面上与所述静电吸盘距离最大的位置向所述弧面上与所述静电吸盘距离最小的位置递减。
优选地，当所述晶圆的中心区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的边缘区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面中心到所述弧面边缘递减。
优选地，当所述晶圆的边缘区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的中心区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面的边缘到所述弧面的中心递减。
优选地，当所述晶圆不具有弯曲位置时，所述控制部件控制施加于整个所述晶圆区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压相等。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种根据上述的静电吸盘对晶圆进行吸附的方法，其包括：
步骤01：将所述晶圆置于所述静电吸盘上；
步骤02：所述探测部件探测所述晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；
步骤03：所述探测部件将所述探测数据发送给所述控制部件；
步骤04：所述控制部件控制施加所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布，以使所述晶圆与所述绝缘材料均匀接触；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。
优选地，所述控制部件控制施加所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。
本发明的可设定静电吸力分布的静电吸盘以及对晶圆进行吸附的方法，在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极，通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度，并将探测结果发送给控制部件，控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布，从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布，使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀，减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，避免晶圆发生跳片问题，提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命等。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘的各个部件的连接关系图
图2为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘中的成对的正电极和负电极的分布示意图
图3a为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附中心弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图3b为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附边缘弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图3c为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附平坦晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图4a为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附中心弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图4b为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附边缘弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图4c为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附平坦晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图
图5为本发明的一个较佳实施例的对晶圆进行吸附的方法的流程示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
以下结合附图1-4c和具体实施例对本发明的可设定静电吸力分布的静电吸盘作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图1，本实施例中，静电吸盘的顶部具有绝缘材料，在绝缘材料中镶嵌有两个及以上成对的正电极和负电极103，静电吸盘还具有探测部件101和控制部件102；所有正电极位于静电吸盘中心线的一侧，所有负电极位于静电吸盘中心线的另一侧，且每一对正电极和负电极的分布均以静电吸盘中心线为对称轴；探测部件101，用于探测位于静电吸盘上表面的晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；并且向控制部件102发送探测数据；控制部件102，用于接收探测部件101发送的探测数据，并且根据探测数据控制施加于弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的正电极和负电极之间的电压，从而使正电极和负电极产生与晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布；其中，弯曲位置与静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，弯曲度越大的弯曲位置所施加的静电吸力越大。
本实施例中的探测部件101可以为传感器，其可以位于静电吸盘一侧，也可以位于静电吸盘圆周上，从而使得探测到的晶圆的弯曲位置和弯曲度更加准确精细。探测数据可以是晶圆表面的高低度分别图，或者晶圆的形貌图等。当然，控制部件102应当具有对这些探测数据进行分析的部件，从而来设计正电极和负电极的电压分布。较佳的，探测部件101可以位于绝缘材料顶部，通过感应晶圆对探测部件101的压力来形成压力形貌数据，压力形貌数据反映了晶圆底部的弯曲位置和弯曲程度。需要说明的是，为了避免探测部件、正电极、负电极工作时的相互影响，探测部件不能是一直开启的；例如，当放置晶圆之前，将探测部件电源开启，当探测部件探测到晶圆置于静电吸盘上时，开始进行探测，此时的控制部件没有施加电压于成对的正电极和负电极之间；当探测部件将探测数据发送给控制部件后，探测部件电源立刻关闭，控制部件接收到探测数据，经对探测数据的转换分析之后，在成对的正电极和负电极之间施加电压；由于控制部件对数据的转换分析是需要一个过程的，因此，在施加电压之前，探测部件电源已经关闭。
本实施例中的正电极和负电极是成对存在的，每一对正电极和负电极分别对称分布于静电吸盘中心线两侧；例如，静电吸盘在正电极和负电极所在平面的投影面被正电极和负电极布满，从而能够对晶圆上每个位置进行静电吸力调整；较佳的，正电极和负电极的分布构成同心圈；每一个圈上具有两对及以上的正电极和负电极，例如，如图2所示，正电极201和负电极202的分布构成同心圈(虚线所示)，每一个圈上具有两对及以上的正电极201和负电极202。当然，正电极和负电极只要是成对且以静电吸盘中心线对称分布即可，不限于图2中所示，在每一圈上的成对的正电极和负电极的对数可以不相同，因此，根据此进行的变换也涵盖在本发明的范围之内，这里不再赘述。
本实施例中的控制部件控制施加于晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且控制部件控制施加于晶圆的弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压大于晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压，从而使得晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于晶圆非弯曲位置受到的静电吸力；这里，控制部件以对平坦晶圆底部吸附力为基准，来调控弯曲位置区域所对应的成对的正电极和负电极之间的电压，从而对晶圆产生相匹配的静电吸力分布。请参阅图3a-3c，其中，图3a为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附中心弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图；图3b为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附边缘弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图；图3c为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附平坦晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图；图3a中的左侧，以截面结构来描述，晶圆中心区域向上弯曲，控制装置控制位于靠近晶圆中心线的一对正电极1和负电极1之间的电压高于位于晶圆边缘区域的下方的一对正电极2和负电极2之间的电压，在图3a中右侧为晶圆受到的相应的静电吸力，晶圆中心区域受到的静电吸力大于边缘区域受到的静电吸力，因而整个晶圆可以均匀的吸附在静电吸盘上。图3b中的左侧，以截面结构来描述，晶圆的边缘区域向上弯曲，控制装置控制位于靠近晶圆中心线的一对正电极1和负电极1之间的电压低于位于晶圆边缘区域的下方的一对正电极2和负电极2之间的电压，在图3b中右侧为晶圆受到的相应的静电吸力，晶圆中心区域受到的静电吸力小于边缘区域受到的静电吸力，因而整个晶圆可以均匀的吸附在静电吸盘上；图3c中的左侧，以截面结构来描述，整个晶圆具有平坦底部，控制装置控制一对正电极1和负电极1之间的电压与一对正电极2和负电极2之间的电压相等，在图3c中右侧为晶圆受到的相应的静电吸力，晶圆各个位置受到的静电吸力相等，因而整个晶圆可以均匀的吸附在静电吸盘上。
较佳的，晶圆的弯曲位置呈弧面时，控制部件控制施加于弧面所对应的成对的正电极和负电极之间的电压沿弧面上与静电吸盘距离最大的位置向弧面上与静电吸盘距离最小的位置递减。请参阅图4a-4c，其中，图4a为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附中心弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图；图4b为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附边缘弯曲的晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图；图4c为本发明的一个较佳实施例的静电吸盘吸附平坦晶圆的截面结构以及相对应的晶圆受到的静电吸力分布示意图。
当晶圆的中心区域向上弯曲呈弧面时，控制部件控制施加晶圆的边缘区域所对应的成对的正电极和负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且控制部件控制施加于弧面所对应的成对的正电极和负电极之间的电压沿弧面中心到弧面边缘递减；如图4a所示，图4a中的左侧，以截面结构来描述，晶圆中心区域向上弯曲，形成弧面A，控制装置控制弧面A所对应的正电极1和负电极1之间的电压以及正电极2和负电极2之间的电压沿弧面A中心到弧面A边缘递减，图4a中右侧为晶圆受到的相应的静电吸力，晶圆上受到的静电吸力从晶圆中心向晶圆边缘递减。
当晶圆的边缘区域向上弯曲呈弧面时，控制部件控制施加于晶圆的中心区域所对应的成对的正电极和负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且控制部件控制施加于弧面所对应的成对的正电极和负电极之间的电压沿弧面的边缘到弧面的中心递减；如图4b所示，图4b中的左侧，以截面结构来描述，晶圆边缘区域向上弯曲，形成弧面B，控制装置控制位于弧面B所对应的正电极1和负电极1之间的电压以及正电极2和负电极2之间的电压沿弧面B边缘到弧面B的中心递减，图4b中右侧为晶圆受到的相应的静电吸力，晶圆上受到的静电吸力从晶圆边缘向晶圆中心递减。
需要说明的是，弧面A中，一种情况是，弧面A为轴对称图形；另一种情况是，弧面A不是轴对称图形，例如，若弧面A分为两个弧度不同的子弧面A1和A2，则根据弧度较大的子弧面A1或A2来设计正电极1和负电极1之间的电压以及正电极2和负电极2之间的电压分布。对于弧面B，也具有和弧面A相同的设计，这里不再赘述。
当晶圆不具有弯曲位置时，控制部件控制施加于整个晶圆区域所对应的成对的正电极和负电极之间的电压相等。也就是说，对于具有平坦底部的晶圆，控制部件控制所有成对的正电极和负电极之间的电压相同，从而使晶圆受到相同的静电吸力。
此外，请参阅图5，在本发明的一个较佳实施例中，还提供了一种采用上述的静电吸盘对晶圆进行吸附的方法，包括：
步骤01：将晶圆置于静电吸盘上；具体的，可以采用机械手夹持晶圆并置于静电吸盘上；
步骤02：探测部件探测晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；具体的，探测部件可以为传感器，所得到的探测数据可以是晶圆表面的高低度形貌图、压力形貌图、或者晶圆的形貌图等。需要说明的是，为了避免探测部件、正电极、负电极工作时的相互影响，探测部件不能是一直开启的；例如，当放置晶圆之前，将探测部件电源开启，当探测部件探测到晶圆置于静电吸盘上时，开始进行探测，此时的控制部件没有施加电压于成对的正电极和负电极之间；当探测部件将探测数据发送给控制部件后，探测部件电源立刻关闭，控制部件接收到探测数据，经对探测数据的转换分析之后，在成对的正电极和负电极之间施加电压；由于控制部件对数据的转换分析是需要一个过程的，因此，在施加电压之前，探测部件电源已经关闭。
步骤03：探测部件将探测数据发送给控制部件；具体的，探测部件可以通过无线网络将探测数据发送给控制部件；
步骤04：控制部件控制施加弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的正电极和负电极之间的电压，从而使正电极和负电极产生与晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布，以使晶圆与所述绝缘材料均匀接触；具体的，弯曲位置与静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，弯曲度越大的弯曲位置所施加的静电吸力越大。较佳的，控制部件控制施加晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且控制部件控制施加于晶圆的弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压大于晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和负电极之间的电压，从而使得晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。
需要说明的是，由于本实施例的对晶圆进行吸附的方法采用上述的静电吸盘，因而，上述静电吸盘的各个部件特点的描述均适用于该方法中，本实施例对此不再赘述。
综上所述，本发明的可设定静电吸力分布的静电吸盘以及对晶圆进行吸附的方法，在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极，通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度，并将探测结果发送给控制部件，控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布，从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布，使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀，减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命等。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (10)

1.一种可设定静电吸力分布的静电吸盘，静电吸盘顶部具有绝缘材料，其特征在于，包括：
在绝缘材料中镶嵌有两个及以上成对的正电极和负电极，所有所述正电极位于静电吸盘中心线的一侧，所有所述负电极位于静电吸盘中心线的另一侧，且每一对所述正电极和所述负电极的分布均以所述静电吸盘中心线为对称轴；
探测部件，用于探测位于所述静电吸盘上表面的晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；并且向控制部件发送所述探测数据；
控制部件，用于接收所述探测部件发送的所述探测数据，并且根据所述探测数据控制施加于所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘在所述正电极和所述负电极所在平面的投影面被所述正电极和所述负电极布满。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述正电极和所述负电极的分布以所述静电吸盘的中心线为中心轴构成同心圈；每一个圈上具有两对及以上的所述正电极和所述负电极。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述控制部件控制施加于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其特征在于，所述晶圆的弯曲位置呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面上与所述静电吸盘距离最大的位置向所述弧面上与所述静电吸盘距离最小的位置递减。
6.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆的中心区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的边缘区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面中心到所述弧面边缘递减。
7.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆的边缘区域向上弯曲呈弧面时，所述控制部件控制施加于所述晶圆的中心区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述弧面所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压沿所述弧面的边缘到所述弧面的中心递减。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，当所述晶圆不具有弯曲位置时，所述控制部件控制施加于整个所述晶圆区域所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压相等。
9.一种根据权利要求1所述的静电吸盘对晶圆进行吸附的方法，其特征在于，包括：
步骤01：将所述晶圆置于所述静电吸盘上；
步骤02：所述探测部件探测所述晶圆的弯曲位置和弯曲度，以得到探测数据；
步骤03：所述探测部件将所述探测数据发送给所述控制部件；
步骤04：所述控制部件控制施加所述弯曲位置区域和非弯曲位置区域分别对应的所述正电极和所述负电极之间的电压，从而使所述正电极和所述负电极产生与所述晶圆的弯曲位置和弯曲度相匹配的静电吸力分布，以使所述晶圆与所述绝缘材料均匀接触；其中，所述弯曲位置与所述静电吸盘的距离越大的区域所施加的静电吸力越大，所述弯曲度越大的所述弯曲位置所施加的静电吸力越大。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制部件控制施加所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压为能够吸附平坦晶圆底部的电压，并且所述控制部件控制施加于所述晶圆的弯曲位置所对应的成对的所述正电极和所述负电极之间的电压大于所述晶圆的非弯曲位置所对应的成对的正电极和所述负电极之间的电压，从而使得所述晶圆的弯曲位置受到的静电吸力大于所述晶圆非弯曲位置受到的静电吸力。
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