CN105044803A - 一种高透过率防干涉纹光学薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，基膜上覆盖有防干涉硬化层，其制备方法为：在极性溶剂中添加接枝改性的丙烯酸预聚物，高速搅拌，再低速搅拌同时缓慢添加接枝改性的纳米氧化物，持续搅拌后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，低速搅拌消泡，从而得到涂布液；将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经紫外线固化成形成防干涉硬涂层。本发明利用改性的纳米氧化物与改性的丙烯酸预聚物反应形成均相的纳米分散体系涂布液，涂布于基膜表面形成防干涉硬涂层，该防干涉硬涂层能够防止由于折射率和涂层厚度造成的光程差导致的薄膜干涉纹，能够有效降低表面光反射作用。
Description
技术领域
本发明涉及光学薄膜及光学薄膜的制备方法。
背景技术
聚酯薄膜等塑料材料在机械性能、光学性能、可加工性等诸多方面具有优良性质，因此在电子行业的显示材料方面应用广泛。但是因聚酯薄膜本身的表面硬度低，在与其他材质接触、划擦时表面容易磨损、划伤影响可视性，限制了材料的应用。为了解决这种问题，行业内采用在聚酯薄膜表面涂覆耐磨性能优良和抗划伤的硬化涂层，然而硬化涂层的折射率与聚酯薄膜或者底涂的折射率不同，各层的厚度不能绝对的一致，一般会存在几十纳米到几百纳米的偏差，这样在层与层之间的传播的光会产生光程差，从而造成光线的干涉，也就是说从某个角度看会产生耀眼的光或者彩虹状的反射。
为了解决该问题目前广泛采用漫反射原理进行减反，也就是在硬化涂层中添加无机粒子，利用粒子散射减少硬化涂层表面反射光，从而减轻光线干涉的目的。但是添加的无机粒子在分散体系中稳定性不好，过少的添加量极易造成团聚，出现大颗粒，造成涂布弊病，添加量过多，造成膜的雾度上升，透过率降低，可视性下降。
发明内容
为了克服现有光学薄膜的上述不足，本发明提供一种能够减少干涉同时保留高透过率的高透过率防干涉纹光学薄膜，并提供这种光学薄膜的制备方法。
本发明解决其技术问题的技术方案是：一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，其特征在于所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
接枝改性的丙烯酸预聚物20~40份；
接枝改性的纳米氧化物10~30份；
光引发剂0.5~10份；
流平剂0.02~5份。
优选的，所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。
优选的，所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
优选的，所述的接枝改性的丙烯酸预聚物为醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯；
所述的接枝改性的纳米氧化物为表面羧基化改性的二氧化硅微球；
所述的光引发剂为光引发剂184或光引发剂TPO；
所述的流平剂为BYK-3700流平剂或东莞市摩能化工有限公司提供的型号为1074的流平剂。
制备上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂中添加接枝改性的丙烯酸预聚物，高速搅拌，再低速搅拌同时缓慢添加接枝改性的纳米氧化物，持续搅拌后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，低速搅拌消泡，从而得到涂布液；将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
本发明的有益效果在于：利用改性的纳米氧化物与改性的丙烯酸预聚物反应形成均相的纳米分散体系涂布液，涂布于基膜表面形成防干涉硬涂层，该防干涉硬涂层能够防止由于折射率和涂层厚度造成的光程差导致的薄膜干涉纹，能够有效降低表面光反射作用，且透光度在90%以上，具有高透超细的质感。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
实施例一
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯30份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球20份；
光引发剂1845份；
BYK-3700流平剂2份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为80℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例二
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯20份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球12份；
光引发剂1848份；
BYK-3700流平剂0.1份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为60℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例三
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯40份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球22份；
光引发剂1840.5份；
BYK-3700流平剂0.05份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为90℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例四
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯38份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球10份；
光引发剂1841份；
BYK-3700流平剂0.5份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为50℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例五
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯22份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球30份；
光引发剂1846.5份；
BYK-3700流平剂0.02份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为55℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例六
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯35份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球15份；
光引发剂1842份；
BYK-3700流平剂5份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为70℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例七
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯37份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球28份；
光引发剂18410份；
BYK-3700流平剂1份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为75℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
实施例八
一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯25份；
表面羧基化改性的二氧化硅微球25份；
光引发剂1843份；
BYK-3700流平剂3份。
本实施例中所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
上述高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，在极性溶剂丁酮中添加醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯，采用搅拌棒以800转/分的转速高速搅拌20分钟，再采用搅拌棒以200转/分的转速低速搅拌同时缓慢添加表面羧基化改性的二氧化硅微球，持续搅拌3小时后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，再采用搅拌棒以20转/分的转速低速搅拌消泡1小时，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入温度为85℃烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经200mJ/cm2光量的紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
Claims (5)
1.一种高透过率防干涉纹光学薄膜，包括基膜，所述的基膜上覆盖有防干涉硬化层，其特征在于所述的防干涉硬化层由下列组分按照质量份数组成：
接枝改性的丙烯酸预聚物20~40份；
接枝改性的纳米氧化物10~30份；
光引发剂0.5~10份；
流平剂0.02~5份。
2.如权利要求1所述的高透过率防干涉纹光学薄膜，其特征在于：所述基膜的一面覆盖有所述的防干涉硬化层，所述防干涉硬化层的厚度为1~2μm。
3.如权利要求1所述的高透过率防干涉纹光学薄膜，其特征在于：所述的基膜为聚酯薄膜，该聚酯薄膜的厚度为50~150μm。
4.如权利要求1~3之一所述的高透过率防干涉纹光学薄膜，其特征在于：所述的接枝改性的丙烯酸预聚物为醇酸酯化后带有端羟基的丙烯酸酯；
所述的接枝改性的纳米氧化物为表面羧基化改性的二氧化硅微球；
所述的光引发剂为光引发剂184或光引发剂TPO；
所述的流平剂为BYK-3700流平剂或东莞市摩能化工有限公司提供的型号为1074的流平剂。
5.制备如权利要求1所述的高透过率防干涉纹光学薄膜的方法，其特征在于：
在极性溶剂中添加接枝改性的丙烯酸预聚物，高速搅拌，再低速搅拌同时缓慢添加接枝改性的纳米氧化物，持续搅拌后，依次添加光引发剂、流平剂，搅拌使各组分混合均匀后，低速搅拌消泡，从而得到涂布液；
将上述涂布液涂布在基膜表面，然后将其置入烘箱中，直至极性溶剂全部挥发，再经紫外线固化成形成防干涉硬涂层。
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