CN105027230B - 导电膜、制造该导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置 - Google Patents

导电膜、制造该导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置 Download PDF

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Abstract

可以提供一种导电膜，该导电膜包括：基膜；形成在该基膜上的底涂层，所述底涂层具有空隙；以及形成在所述底涂层上的导电层。该导电层可以包括导体，该导体包含形成网络结构的纳米材料。

Description

导电膜、制造该导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置
技术领域
实施方式可以涉及导电膜、制造导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置。更具体地，实施方式可以涉及一种具有改进的结构的导电膜、一种制造该导电膜的方法以及一种包括该导电膜的电子装置。
背景技术
包括透明导电薄膜的导电膜可以被不同地应用于诸如平板显示器和触摸面板的电子装置。可以通过在塑料基板上提供透明的并且具有低电阻的透明导电薄膜以及使该透明导电薄膜图案化来形成这样的导电膜。
可以通过真空沉积物质(诸如铟锡氧化物)来生产透明导电薄膜。然而，铟锡氧化物的原材料可能是昂贵的并且诸如真空沉积的方法可能具有低生产率。另外，铟锡氧化物不是柔性的并且因此可能不适合于在柔性电子装置中使用。另外，当使包括铟锡氧化物的透明导电薄膜图案化时，光学特性方面的差异可以存在于具有透明导电薄膜的一部分与不具有透明导电薄膜的一部分之间，并且透明导电薄膜的图案因此可以用用户的肉眼看见。
发明内容
技术问题
实施方式可以提供一种具有高生产率和优良特性的导电膜，以及一种制造该导电膜的方法。
实施方式可以提供一种包括具有优良特性的导电膜的电子装置。
实施方式可以提供一种包括基膜、形成在所述基膜上的底涂层(该底涂层具有空隙)和形成在所述底涂层上的导电层的导电膜。所述导电层可以包括包含形成网络结构的纳米材料的导体。
问题的解决方案
电子装置可以包括所述导电膜。
可以提供一种制造导电膜的方法。所述方法可以包括以下步骤：制备基膜；在所述基膜上形成包括可固化树脂和填料粒子的底涂层；在所述底涂层上形成包括包含形成网络结构的纳米材料的导体的导电层；以及使所述导电层图案化。所述导电层的图案化可以包括以下步骤：去除所述导电膜的所述填料粒子的至少一部分以在与非导电区域对应的区域中形成空隙。
附图说明
可以参照附图详细地描述布置和实施方式，在附图中相同的附图标记指代相同的元件，并且其中：
图1是根据示例实施方式的导电膜的截面图；
图2A至图2C是用于制造根据示例实施方式的导电膜的方法的截面图；
图3是示出了在导电膜中提供导体和填料粒子的导电区域的图像；
图4是示出了与其中提供导体和填料粒子的导电区域对应的区域以及与其中空隙形成在导电膜中的非导电区域对应的区域的图像；
图5是示出了与在导电膜中提供导体和填料粒子的导电区域对应的区域的图像；
图6是示出了与其中空隙形成在导电膜中的非导电区域对应的区域的图像；
图7是包括根据示例实施方式的导电膜的触摸面板的示意截面图；以及
图8是在包括导电膜的触摸面板中分别构成第一电极和第二电极的第一导电层和第二导电层的平面形状的平面图。
具体实施方式
现在可以详细地参照优选实施方式，其示例被例示在附图中。布置和实施方式不限于本文所讨论的实施方式并且可以被修改成各种形式。
在附图中，可能不例示与描述无关的部分以得到清楚且简要的描述，并且相同的附图标记可以在本说明书中自始至终用来指代相同或相当类似的部分。
在附图中，可以放大或缩小厚度或尺寸以得到更清楚的描述。另外，各个组成元件的尺寸或区域不限于附图所例示的尺寸或区域。
还应当理解，贯穿本说明书，当一个元件被称为“包括”另一元件时，除非上下文另外清楚地指示，否则术语“包括”指定另一元件的存在但是不排除其它附加元件的存在。另外，应当理解，当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称为“在”另一元件“上”时，该一个元件可以直接在另一元件上，并且还可能存在一个或更多个中间元件。相比之下，当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，一个或更多个中间元件不存在。
在下文中，可以参照附图更详细地描述导电膜和包括该导电膜的触摸面板。
图1是根据示例实施方式的导电膜的截面图。还可以提供其它实施方式和配置。
图1示出了导电膜10，该导电膜10包括基膜20、形成在基膜20上的底涂层30以及形成在底涂层30上(并且包括具有网络结构的导体)的导电层40。导电膜10可以包括形成在导电层40上的保护涂层50。底涂层30可以在导电层40的导电区域402和非导电区域404中具有不同的结构，从而改进导电膜10的各种特性。
基膜20可以由在维持导电膜10的机械强度的同时有透射率的材料组成。例如，基膜20可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸、聚对苯二甲酸丙二酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸脂、聚芳酯、丙酸纤维素、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、聚苯醚和/或聚苯乙烯中的至少一种。例如，基膜20可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，但是实施方式不限于此。除以上所描述的示例之外，可以将各种物质用作基膜20。
基膜20可以具有足够的厚度(例如50μm至300μm的厚度)以维持导电膜10的机械强度。当基膜20的厚度小于50μm时，机械强度可能不足并且当基膜20的厚度超过300μm时，材料的成本可能增加并且薄膜的形成可能是困难的。当进一步考虑薄膜的机械强度和形成时，基膜20的厚度可以是100μm至200μm，但是实施方式不限于此，并且可以改变基膜20的厚度。
可以通过溶液铸造工艺、膜挤出工艺和/或类似工艺来生产基膜20。可以在膜的玻璃转化温度下使所生产的基膜20退火达数秒钟至数分钟以根据温度使变形最小化。在退火之后，可以通过诸如使用氩、氧或二氧化碳的等离子体处理或UV臭氧处理或使用反应性气体的离子束处理的方法来对基膜20进行表面处理，以便改进涂布性能和粘合性。然而，实施方式不限于此，并且可以通过各种方式来生产基膜20。
底涂层30可以形成在基膜20的表面(即，在下文中上表面)上。底涂层30可以形成在基膜20上以便改进涂布性能和粘合性，并且可以在导电层40的导电区域402和非导电区域404中具有不同的结构。现在可以描述导电层40，并且然后可以更详细地描述底涂层30。
形成在底涂层30上的导电层40可以包括具有电导率的多个导体42。导体42可以包括金属，并且可以是构成(或形成)网络结构(一种网状结构)的纳米材料。例如，导体42(在导电层40中)可以是纳米线。可以通过各向异性生长以线的形式生产纳米线。术语导电层40可以指代具有均匀厚度的层以及在形成网络结构的导体42之间具有多个空隙的层。导电层40可以通过在极其少量的溶剂中施加纳米材料的混合物而形成，从而使空隙存在于导体42之间并且将导体42暴露在外部。
包括纳米线作为导体42的导电层40可以通过需要比沉积方法低的生产成本并且具有相当低的金属浓度(例如1％或更小)的湿式涂布而形成。因此，可以降低导电层40的形成所需要的成本并且可以改进生产率。
例如，银(Ag)纳米粒子的表面可以具有各种结晶平面，从而容易地引发各向异性生长并且使得能实现银纳米线的易生产。银纳米线可以具有小于铟锡氧化物(ITO)的大约200Ω/m2至400Ω/m2的电阻的大约10Ω/m2至120Ω/m2的电阻以及比铟锡氧化物好得多的电导率。另外，银纳米线可以具有比铟锡氧化物更好的透射率(例如92％或更大)。另外，银纳米线可以是柔性的并且因此可能适合于在柔性装置中使用并且其材料的供应是稳定的。
在实施方式中，可以降低原材料成本并且可以使用形成网络结构的银纳米线作为导电层40的导体42来改进各种特性。
如上所述，例如，银纳米线(具体地，银纳米线)可以具有10nm至60nm的半径和15μm至60μm的长轴长度。在这个范围内，银纳米线可以具有高纵横比(例如1:300～1:2000)，从而形成网络结构并且有效地屏蔽导电层40。然而，纳米线的半径、长轴和纵横比可以变化，并且实施方式不限于此。
导电层40可以具有50nm至200nm的厚度。当导电层40的厚度小于50nm时，电导率可能是不良的，以及当导电层40的厚度超过200nm时，原材料成本可能增加并且生产率因此可能劣化。当进一步考虑电导率和生产率时，例如，导电层40的厚度可以是110nm至135nm。导电层40的厚度可以是由形成网络结构的导体42确定的厚度。
可以将导电层40划分为导电区域402(包括导体42)和非导电区域404(不包括导体42)。也就是说，非导电区域404可以通过从导电层40的一部分去除导体42而形成。另外，除非导电区域404以外的区域可以构成导电区域402。(导电层40的)导电区域402可以被不同地用于线、电极和/或类似物。可以参照图7和图8描述包括具有预定形状的导电区域402的导电膜10应用于电子装置的示例。
可以描述布置在基膜20与导电层40之间的底涂层30。底涂层30可以包括形成在可固化树脂36中的填料粒子32和空隙34。
可以在没有特定限制的情况下将任何树脂用作可固化树脂36，只要它是在施加诸如热、UV辐射或电子辐射的能量时固化的树脂即可。例如，可固化树脂36可以是硅树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂和/或类似物；然而，实施方式不限于此。除可固化树脂36的示例之外，可以使用各种物质。
可以在与导电层40的导电区域402(其中提供了导体42的区域)对应的区域中提供填料粒子32，并且可以在与导电层40的非导电区域402(其中不提供导体42的区域)对应的区域中提供空隙34。此原因是当非导电区域404通过去除导电层40的一部分中的导体42而形成时填料粒子32被去除。也就是说，空隙34通过在图案化期间同时去除导体42和填料粒子32以形成导电区域402和非导电区域404而形成在与填料粒子32对应的区域中。
当空隙34形成在与非导电区域404对应的区域中时，光可能在布置在非导电区域404中的空隙34中漫反射(或散射反射)至与当光在布置在导电区域402中的导体32中漫反射时类似的水平。因此，与导电区域402对应的区域和与非导电区域404对应的区域可以具有类似的反射率。因此，可以使导电区域402与非导电区域404之间的反射率的差最小化并且可以使导电区域402的图案免于外部的影响。
当导体42具有由纳米线组成的网络结构时，可以获得以上所描述的优点；然而，可能生成漫反射(或散射反射)。因此，导致漫反射的空隙34可以形成在非导电区域404中以使导电区域402的漫反射率(或散射反射率)变得与非导电区域404的漫反射率类似。结果，可以使导电区域402与非导电区域404之间的反射率的差最小化，并且因此可以使导电区域402的图案免于外部的影响。
例如，在实施方式中，在导电区域402形成在其中的区域与非导电区域404之间的漫反射率的差可以是1.5％或更小(例如0.7％或更小)。
在实施方式中，可以增加其中提供了非导电区域404的区域的漫反射率并且可能不容易地看到导电区域402与非导电区域404之间的边界。结果，可以改进导电膜10的光学特性并且还可以改进使用导电膜10的电子装置的特性。
填料粒子32可以由当图案通过去除导体42而形成时连同导体42一起被去除的材料形成。例如，填料粒子32可以由碳酸钙或氧化物(例如氧化锆、氧化硅、氧化铁和/或类似物)组成。可以通过用于去除导体42的蚀刻溶液容易地去除碳酸钙或氧化物。可以在与用于制造导电膜的方法相关联的部分中更详细地描述这个。然而，实施方式不限于此，并且可以根据导体42的类型、蚀刻溶液的类型和/或类似物来改变填料粒子32的材料。
填料粒子32以及通过去除所述填料粒子32而形成的空隙34可以具有20nm至150nm的粒子直径。当填料粒子32和空隙34的直径小于20nm时，空隙34对漫反射的改进的作用可能低。当填料粒子32和空隙34的直径超过150nm时，可以增加导电膜10的浑浊并且当导电膜10被用于电子装置时可能发生问题。然而，实施方式不限于此并且填料粒子32和空隙34的直径可以变化。
填料粒子32和空隙34相对于底涂层30的总体积的体积比可以是从10％到30％。当体积比小于10％时，空隙34对漫反射率的改进的作用可能不足。当体积比超过30％时，可以增加导电膜10的浑浊并且当导电膜10被用于电子装置时可能发生问题。然而，实施方式不限于此，并且可以考虑到粒子32和空隙34等的直径来改变体积比。
例如，底涂层30可以具有50nm至200nm的厚度。可以确定底涂层30的厚度使得底涂层30完全地覆盖基膜20上的填料粒子32并且被均匀地施加，但是实施方式不限于此，并且底涂层30的厚度可以变化。
例如，底涂层30可以具有1.56至1.60的折射率。当底涂层30的折射率小于1.56时，导电区域402的图案可能是进一步可见的。当底涂层30的折射率超过1.60时，反射率可能增加并且透射率因此可能劣化，但是实施方式不限于此并且底涂层30的折射率可以变化。
可以对底涂层30进行表面处理以便改进粘合性。例如，可以通过使用辉光放电或电晕放电的放电表面处理、使用酸或碱的化学表面处理和/或类似处理来执行表面处理。
底涂层30和导电层40上的保护涂层50可以物理上保护导电膜10。另外，保护涂层50可以完全地覆盖导体42以防止导体42的氧化。可以在非导电区域404中去除导体42并且具有由导体组成的网络结构的空隙34可以因此形成在与非导电区域404对应、覆盖导体42的保护涂层50的一部分中。
保护涂层50可以由不包含填料粒子的树脂形成。例如，保护涂层50可以由丙烯酸树脂形成，但是实施方式不限于此。保护涂层50可以包括其它材料。例如，保护涂层50可以具有1.45至1.65的折射率。可以确定这个值以适合导电膜10，这可以通过空隙34使漫反射率变得均匀，但是实施方式不限于此并且保护涂层50的折射率可以改变。
保护涂层50可以具有50nm至190nm的厚度。当保护涂层50的厚度小于50nm时，导体42对氧化的防止的作用可能不足，以及当保护涂层50的厚度超过190nm时，到导电区域402的电连接可能在用于将导电区域402连接至外部组件的线或电极的形成期间不良，但是实施方式不限于此并且保护涂层50的厚度可以变化。
另一底涂层、硬涂布层、保护层和/或类似物可以进一步形成在导电膜10的另一表面(即，下表面)上。另一个底涂层可以作用来改进硬涂布层的粘合性，并且硬涂布层可以保护导电膜10免于可能在处理期间生成的损坏。另外，保护层可以作用来改进热电阻并且从而在导电膜10被热处理(例如，退火)时增强稳定性。
硬涂布层可以由用于防止损坏的各种材料形成。例如，硬涂布层可以包括例如聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚乙烯醇树脂、氯乙烯树脂、偏二氯乙烯树脂、聚芳酯树脂、聚砜树脂、酰胺树脂、亚氨树脂、聚醚砜树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚碳酸脂树脂、硅树脂、氟化物树脂、聚烯烃树脂、苯乙烯树脂、乙烯基吡咯烷酮树脂、纤维素树脂和丙烯腈树脂中的任何一种。实施方式不限于此。硬涂布层可以包括除以上所描述的物质之外的各种材料。保护层可以包括用来改进热电阻的各种物质。
基膜20、底涂层30、导电层40和保护涂层50的相邻层可以彼此接触，从而使总体结构的简化最大化。
用来改进基膜20与导电层40之间的接触的底涂层30可以包括填料粒子32和空隙34。结果，(导电层40)的导电区域402和非导电区域404可以在不用形成附加层的情况下具有类似的漫反射率。因此，可以防止在外部看到导电区域402的图案并且可见性因此劣化的问题。因此，可以改进导电膜10的特性并且还可以改进使用所述导电膜10的电子装置的特性。
另外，导电膜10可能由于(导电层40的)导体42的增加密度而具有比先前不利的导电膜低的电阻。例如，电阻可以是20ohm/平方至150ohm/平方，并且更具体地，50ohm/平方至80ohm/平方。也就是说，可以增加导体42的密度来降低电阻。在另一不利的方法中，可能由于导体42的漫反射而看到导电区域402的图案，可见性可能劣化并且因此存在导体42的改进的限制。另一方面，尽管漫反射是由于导体42的增加密度而生成的，但是可以使导电区域402与非导电区域404之间的漫反射率的差最小化，可以进一步增加导体42的密度并且电阻因此可能低。另外，因为使用铟锡氧化物的先前不利的导电膜大大地应该增加铟锡氧化物层的厚度以便降低电阻，所以增加了原材料成本，由于外部影响而生成了裂缝并且导电膜不是柔性的。另一方面，根据示例实施方式的导电膜10可以具有20ohm/平方至150ohm/平方的低电阻并且可能是柔性的。因此，可以将导电膜10应用于为柔性的并且具有大面积的电子装置。
可以参照图2A至图2C描述用于制造导电膜10的方法。可以省略先前描述的内容并且可以更详细地描述新的内容。
图2A至图2C是用于制造根据示例实施方式的导电膜的方法的截面图。还可以提供其它实施方式和配置。
如图2A所示，制备了基膜20并且底涂层30形成在其上。底涂层30可以通过使用诸如条涂布、凹印涂布和/或反向涂布的各种方法来涂布包括填料粒子32和可固化树脂30的膏剂而形成在基膜20上。
如图2B所示，导电层40和保护涂层50可以依次形成在底涂层30上。可以通过各种方法来执行这些层的形成，并且实施方式不限于此。
例如，可以通过包括涂布包含银纳米线和/或类似物的膏剂或油墨的湿式涂布来生产导电层40。结果，可以进一步简化制造工艺。在包含银纳米线和/或类似物的膏剂或油墨的湿式涂布之后，可以通过以预定压力压以改进导电层40的粘合性来使导电层40干燥并且将其列入表中。
保护涂层50可以通过涂布光敏树脂并且然后使该光敏树脂固化而形成。通过这个方法，可以进一步简化制造工艺。可以在氮净化环境下形成保护涂层50以便防止包含银纳米线的导电层40的氧化并且保证耐久性。
接下来，如图2C所示，可以通过使用蚀刻溶液的湿式蚀刻从与非导电区域404对应的区域去除导体42和填料粒子32。结果，可以去除存在于保护涂层50的与非导电区域404对应的一部分中的导体42以形成具有网络结构的空隙。另外，具有与填料粒子32相同的尺寸的空隙34可以形成在底涂层30的与非导电区域404对应的一部分中。
也就是说，当向期望的部分供应蚀刻溶液或膏剂时，该蚀刻溶液可以渗透到保护涂层50、导电层40和底涂层30中以去除导体42和填料粒子32。例如，构成保护涂层50、底涂层30等的树脂可以具有小于100％(例如90％或更小)的交联度，从而使得蚀刻溶液或膏剂的物质能够有效地渗透到保护涂层50和底涂层30中。
不蚀刻构成保护涂层50、导电层40和底涂层30的树脂并且可以选择性地蚀刻仅银纳米线、氧化物和/或类似物。可以将摄影工艺用作用于将蚀刻溶液或膏剂仅供应给期望的部分的方法。然而，实施方式不限于此并且可以应用各种方法。可以将硝酸、盐酸、硫酸、其混合物(例如王水)和/或类似物用作湿式溶液来选择性地蚀刻导体42和填料粒子32。可以在高于室温的温度(例如30℃至90℃)下执行蚀刻达一秒钟至24小时。
用于制造导电膜10的方法可能不包括形成附加层，从而简化总体制造工艺、改进非导电区域404的漫反射率并且降低导电区域402与非导电区域404之间的漫反射率的差。结果，可以改进生产率并且可以增强其它特性。
图3示出了在导电膜中提供导体和填料粒子的导电区域的图像。另外，图4示出了示出与其中布置有导体和填料粒子的导电区域420对应的区域以及与空隙形成在其中的非导电区域404对应的区域的图像。
参照图3和图4所示的导电区域402，在导电区域402中提供了由纳米线和填料粒子组成的导体。另一方面，参照图4所示的非导电区域404，空隙可以形成在与纳米线和填料粒子对应的区域中。也就是说，具有与纳米线对应的网络结构的空隙可以形成在保护涂层50中并且与填料粒子对应的空隙可以形成在底涂层30中。
另外，图5示出了示出与在导电膜中提供导体和填料粒子的导电区域对应的区域的另一图像。图6示出了示出与其中空隙形成在导电膜中的非导电区域对应的区域的另一图像。图5和图6是扫描电子显微镜(SEM)图像。形成来获得SEM图像的造型被布置在图5和图6的上部中。
参照图5，维持了导体和填料粒子在导电区域中的沉积。另一方面，参照图6，在非导电区域中，空隙可以形成在与导体和填料粒子对应的区域中。具体地，如可以从示出保护涂层的图6所看到的，当去除了包括纳米材料的导体时可以形成空隙(一种沟道)。为了参照，总体上取得的保护涂层的空隙可以具有网络结构。
可以参照图7和图8更详细地描述采用导电膜10的电子装置的示例。在本实施方式中，触摸面板是作为电子装置的示例而提出的，但是实施方式不限于此。因此，可以将导电膜应用于具有透明导电电极或线的各种电子装置。
图7是包括根据示例实施方式的导电膜的触摸面板的示意截面图。图8是在包括导电膜的触摸面板中的分别构成第一电极和第二电极的第一导电层和第二导电层的平面形状的平面图。为了例示的清楚和描述的简洁，在图7中，例示了仅基膜20、导电区域402a和导电区域402b并且省略了其它组件。还可以提供其它实施方式和配置。
参照图7，触摸面板100可以包括第一导电膜10a、第一透明粘合层110、第二导电膜10b、第二透明粘合层112和覆盖基板114。
(第一导电膜10a)的导电区域402a可以包括布置在一个方向上的第一电极，并且第二导电膜10b的导电区域402b可以包括布置在与第一电极交叉的方向上的第二电极。参照图8，导电区域402a(包括第一电极)包括用于感测诸如手指的输入工具的接触的多个第一传感器421a，以及用于连接第一传感器421a的至少一个第一连接器422a。第一连接器422a在一个方向上连接第一传感器421a。类似地，导电区域402b(包括第二电极)包括用于感测诸如手指的输入工具的接触的多个第二传感器421b，以及用于连接第二传感器421b的至少一个第二连接器422b。第二连接器422b在与第一电极交叉的方向上连接第二传感器421b。
第一传感器421a和第二传感器421b可以具有菱形形状，但是实施方式不限于此。因此，第一传感器421a和第二传感器421b可以具有诸如多边形(例如，三角形或正方形)或圆形或椭圆形的各种形状。
第一导电膜10a和第二导电膜10b可以通过第一透明粘合层110彼此固定(或附接)。另外，覆盖基板114可以通过第二透明粘合层120固定(或附接)在第二导电膜10b上，从而保护第一导电膜10a和第二导电膜10b免于外部影响。
当诸如手指的输入元件接触触摸面板100时，在接触输入元件的触摸面板的一部分中发生电容差并且能够检测到该部分作为接触位置。
触摸面板100可以采用导电膜10a和导电膜10b来防止漫反射，从而防止诸如导电区域402a和导电区域402b的图案的暴露的问题。结果，可以改进可见性并且因此可以改进特性。
用来改进基膜与导电层之间的接触的底涂层可以包括填料粒子和空隙。由于此原因，可以将导电层中的导电区域和非导电区域的漫反射率调整为类似的，而不用进一步形成附加层。因此，能够防止导电区域的图案从外部可见并且可见性因此劣化的问题。因此，可以改进导电膜的特性并且还可以改进使用该导电膜的电子装置的特性。
导电膜可以通过增加导体的密度而具有小于先前不利的导电膜的电阻。电阻可以是20ohm/平方至150ohm/平方，并且更具体地，50ohm/平方至80ohm/平方。根据该实施方式，导电膜可以是柔性的。因此，可以将导电膜应用于为柔性的并且具有大面积的电子装置。
另外，因为使用底涂层来控制漫反射率，所以形成附加层的工艺可能是不必要的并且因此可以简化总体制造工艺。因此，可以改进生产率并且可以增强导电膜的特性。
在本说明书中对“一个实施方式”、“实施方式”、“示例实施方式”等的任何参照意味着连同实施方式所描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施方式中。这样的短语在本说明书中的各种地方中的出现未必全部参照同一实施方式。此外，当连同任何实施方式描述特定特征、结构或特性时，认为它在本领域技术人员的视界内以连同实施方式中的其它实施方式实现这样的特征、结构或特性。
尽管已经参照实施方式的许多例示性实施方式描述了实施方式，但是应该理解，将落入本公开的原理的精神和范围内的许多其它修改和实施方式能够由本领域技术人员设计出。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组件部分和/或布置方面的各种变化和修改是可能的。除组件部分和/或布置方面的变化和修改之外，另选的用途对于本领域技术人员而言也将是显而易见的。

Claims (16)

1.一种导电膜，该导电膜包括：
基膜；
位于所述基膜上的底涂层，所述底涂层具有多个空隙和填料粒子；以及
位于所述底涂层上的导电层，所述导电层包括包含用于形成网络结构的纳米材料的导体，
其中，所述导电层包括：
导电区域，在该导电区域中提供了所述导体；以及
非导电区域，在该非导电区域中不提供所述导体，
其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的第一部分中提供了所述多个空隙，
所述导电膜还包括：
在所述导电层上用于覆盖所述导体的保护涂层，
其中，具有网络结构的空隙形成在所述保护涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的一部分中，
其中，所述填料粒子包括氧化物，
其中，所述氧化物包括从由氧化锆、氧化硅和氧化铁构成的组中选择的至少一种。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述导电区域对应的第二部分中提供了所述填料粒子。
3.根据权利要求2所述的导电膜，其中，所述填料粒子具有20nm至150nm的粒子直径。
4.根据权利要求2所述的导电膜，其中，在所述底涂层的所述第二部分中的所述填料粒子的体积比是10％至30％。
5.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述底涂层的所述第一部分中的所述空隙的体积比是10％至30％。
6.根据权利要求1所述的导电膜，其中，在所述导电区域与所述非导电区域之间的漫反射率的差是1.5％或更小。
7.根据权利要求6所述的导电膜，其中，在所述导电区域与所述非导电区域之间的漫反射率的所述差是0.7％或更小。
8.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述空隙具有20nm至150nm的粒子直径。
9.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层具有50nm至200nm的厚度。
10.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层包括可固化树脂。
11.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述底涂层具有1.56至1.6的折射率。
12.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述导体包括银纳米线。
13.一种电子装置，该电子装置包括根据权利要求1所述的导电膜。
14.一种提供导电膜的方法，该方法包括以下步骤：
提供基膜；
在所述基膜上提供底涂层，所述底涂层包括填料粒子；
在所述底涂层上提供导电层，所述导电层包括包含用于形成网络结构的纳米材料的导体；
通过去除所述导体的至少一部分来使所述导电层图案化；以及
通过去除所述填料粒子的至少一部分来在所述底涂层的与所述导电层的非导电区域对应的区域中形成多个空隙，
在所述导电层上形成用于覆盖所述导体的保护涂层，
其中，所述导电层包括：
导电区域，在该导电区域中提供了所述导体；以及
非导电区域，在该非导电区域中不提供所述导体，
其中，在所述底涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的第一部分中提供了所述多个空隙，
其中，具有网络结构的空隙形成在所述保护涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的一部分中，
其中，所述填料粒子包括氧化物，
其中，所述氧化物包括从由氧化锆、氧化硅和氧化铁构成的组中选择的至少一种。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述导电层的图案化是通过使用蚀刻溶液的湿式蚀刻来执行的。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述导电层的图案化期间，不蚀刻所述底涂层中的可固化树脂，并且在与所述非导电区域对应的区域中蚀刻所述填料粒子。
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