CN104851524A - 透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜。该透明导电薄膜的制造方法包括：在基板上形成透明导电膜层；对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。本发明提供的透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜的技术方案中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜。
背景技术
透明导电薄膜被广泛的应用于显示器、触控面板、太阳能电池及其他光电子器件中。目前，用于制造透明导电薄膜的材料主要是氧化铟锡(ITO)。然而，采用基于ITO的透明导体制造透明导电薄膜具有许多限制。例如，由于ITO的涂覆过程需要使用昂贵的真空溅射设备，因此采用基于ITO的透明导体制造透明导电薄膜的成本是非常高的；ITO中的铟是稀有金属，因此原料成本逐年增加；采用ITO制成的透明导电薄膜机械性能较差，弯曲时很容易发生断裂，不适合柔性应用。
近年来，各个生产厂家付诸了很大的努力来开发替代基于ITO薄膜的低成本替代物。目前，较有前途的ITO替代物包括导电聚合物、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯等，为了满足应用的需求，还会使用这上述几种材料的复合材料。在实际应用中，无论何种应用方向，都需要涉及到对材料进行图形化的问题。
对于金属纳米线、碳纳米管、导电聚合物及其复合材料来说，目前的图形化工艺主要存在如下问题：图形化的方式可采用传统的光刻胶掩膜和干法或湿法刻蚀工艺，或者还可以采用激光刻蚀工艺。目前，这两种刻蚀方式在刻蚀后，都会出现图形肉眼可见的现象，从而会对器件光学特性造成影响，特别是在触控面板的应用上尤为明显；对于复合材料来说，由于其中每种成分的刻蚀剂和刻蚀方式不同，通常会采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，但是激光刻蚀方式存在效率低和会产生灰尘等问题。
发明内容
本发明提供一种透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜，用于提高器件的光学特性以及避免激光刻蚀方式存在效率低和产生灰尘的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种透明导电薄膜的制造方法，包括：
在基板上形成透明导电膜层；
对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
可选地，所述在基板上形成透明导电膜层包括：
在基板上涂覆或者印刷透明导电材料层；
对所述透明导电材料层进行固化处理，形成所述透明导电膜层。
可选地，所述对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述透明导电膜层上形成掩膜图形；
通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
可选地，所述掩膜图形的材料为树脂材料；
所述通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述掩膜图形的掩膜作用下通过刻蚀剂对所述透明导电膜层进行刻蚀处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述导电图形对应于所述掩膜图形；
去除所述掩膜图形。
可选地，所述掩膜图形的材料为树脂材料；
所述通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述掩膜图形的掩膜作用下对所述透明导电膜层进行脱掺杂处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述导电图形对应于所述掩膜图形；
去除所述掩膜图形。
可选地，所述对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述透明导电膜层上形成刻蚀图形，所述刻蚀图形的材料为刻蚀剂；
通过所述刻蚀图形对所述透明导电膜层进行刻蚀处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述非导电图形对应于所述刻蚀图形；
去除所述刻蚀图形。
可选地，所述透明导电膜层的材料为复合材料，所述复合材料包括网状结构和设置于所述网状结构之间的导电聚合物；
所述对透明导电膜层进行去除导电性处理包括：
对所述导电聚合物进行去除导电性处理以实现对所述透明导电膜层去除导电性。
可选地，所述导电聚合物的材料包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。
为实现上述目的，本发明提供了一种透明导电薄膜，包括：基板和位于所述基板之上的透明导电膜层，所述透明导电膜层包括导电图形和非导电图形。
可选地，所述透明导电膜层的材料为复合材料，所述复合材料包括网状结构和设置于所述网状结构之间的导电聚合物，所述导电聚合物的材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜的技术方案中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种透明导电薄膜的制造方法的流程图；
图2a为实施例二中形成透明导电材料层的示意图；
图2b为实施例二中形成透明导电膜层的示意图；
图2c为实施例二中形成掩膜图形的示意图；
图2d为实施例二中形成导电图形的示意图；
图2e为实施例二中形成透明导电薄膜的示意图；
图3a为实施例三中形成掩膜图形的示意图；
图3b为实施例三中形成导电图形的示意图；
图3c为实施例三中形成透明导电薄膜的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的透明导电薄膜的制造方法和透明导电薄膜进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种透明导电薄膜的制造方法的流程图，如图1所示，该方法包括：
步骤101、在基板上形成透明导电膜层。
具体地，该步骤可包括：
步骤1011、在基板上涂覆或者印刷透明导电材料层。
步骤1012、对所述透明导电材料层进行固化处理，形成所述透明导电膜层。
步骤102、对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
本实施例提供的透明导电薄膜的制造方法中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。
本发明实施例二提供了一种透明导电薄膜的制造方法的流程图，该方法包括：
步骤201、在基板上形成透明导电膜层。
具体地，该步骤可包括：
步骤2011、在基板上涂覆或者印刷透明导电材料层。
图2a为实施例二中形成透明导电材料层的示意图，如图2a所示，在基板11上通过涂覆工艺或者印刷工艺形成透明导电材料层12。优选地，基板11的材料可以为玻璃或者塑料。
本实施例中，透明导电材料层可以是溶液的形式，例如：墨水。该透明导电材料层可以包括网状结构溶液和导电聚合物溶液的混合溶液，其中，网状结构溶液可包括金属纳米线溶液、碳纳米管溶液或其混合溶液。
步骤2012、对透明导电材料层进行固化处理，形成透明导电膜层。
图2b为实施例二中形成透明导电膜层的示意图，如图2b所示，对透明导电材料层12进行固化处理形成透明导电膜层13。具体地，可对透明导电材料层12进行热固化处理或者光固化处理形成透明导电膜层13，其中，光固化处理可以为UV固化处理。本实施例中，透明导电膜层13的材料为复合材料，复合材料包括网状结构和设置于网状结构之间的导电聚合物。优选地，网状结构可包括金属纳米线、碳纳米管或其混合物，在实际应用中，金属纳米线、碳纳米管或其组合之间通过搭接的方式形成随机的网状结构；优选地，导电聚合物的材料包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。导电聚合物填充于网状结构中，并且包覆于网状结构的表面以及网状结构之间搭接的部分。
步骤202、在透明导电膜层上形成掩膜图形。
图2c为实施例二中形成掩膜图形的示意图，如图2c所示，在透明导电膜层13上形成掩膜图形14。本实施例中，掩膜图形的材料为树脂材料，则本步骤具体可包括：在透明导电膜层13上沉积树脂材料，对树脂材料进行曝光和显影工艺形成掩膜图形14。
步骤203、通过掩膜图形对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
本实施例中，可通过去除透明导电膜层的导电高分子的导电性，以实现对透明导电膜层进行去除导电性处理。
具体地，本步骤可包括：
步骤2031、在掩膜图形的掩膜作用下通过刻蚀剂对透明导电膜层进行刻蚀处理，形成导电图形和非导电图形，导电图形对应于掩膜图形。
图2d为实施例二中形成导电图形的示意图，如图2d所示，在掩膜图形14的掩膜作用下通过刻蚀剂对透明导电膜层进行刻蚀处理，形成导电图形15和非导电图形16，导电图形15对应于掩膜图形14。透明导电膜层13上的与掩膜图形14对应的部分在刻蚀处理中被保留，因此未被刻蚀剂进行去除导电性处理，从而形成导电图形15；透明导电膜层13上的未与掩膜图形14对应的部分在刻蚀处理中被刻蚀，该部分被刻蚀剂进行去除导电性处理，从而形成非导电图形16。本实施例中，对透明导电膜层进行去除导电性处理可包括：对导电聚合物进行去除导电性处理以实现对透明导电膜层去除导电性。而本步骤中由于导电聚合物包裹于网状结构之外，因此对透明导电膜层进行刻蚀处理的过程实质上是对其中的导电聚合物进行刻蚀处理以去除其导电性的过程，通过去除部分导电聚合物的导电性达到形成非导电图形的目的。在刻蚀处理过程中，被刻蚀后的部分导电聚合物所包裹的网状结构及其搭接部分均无法导电，从而形成非导电图形。而该非导电图形不会被去除，从而达到透明导电薄膜图形化的效果。
本实施例中，刻蚀剂可采用Heraeus公司的CleviosTM Etch，其中含有卤族元素。
步骤2032、去除掩膜图形。
图2e为实施例二中形成透明导电薄膜的示意图，如图2e所示，将掩膜图形14从导电图形15之上去除，从而形成透明导电薄膜，该透明导电薄膜包括基板11和位于基板11之上的透明导电膜层，透明导电膜层包括导电图形15和非导电图形16。
本实施例提供的透明导电薄膜的制造方法中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。同时，采用本实施例的方法还解决了复合材料难以刻蚀的问题。
本发明实施例三提供了一种透明导电薄膜的制造方法的流程图，该方法包括：
步骤301、在基板上形成透明导电膜层。
对步骤301的具体描述可参见上述实施例二中步骤201的描述。
步骤302、在透明导电膜层上形成刻蚀图形，刻蚀图形的材料为刻蚀剂。
图3a为实施例三中形成刻蚀图形的示意图，如图3a所示，通过印刷工艺在透明导电膜层13上印刷出刻蚀图形17，刻蚀图形17的材料为刻蚀剂。
步骤303、通过刻蚀图形对透明导电膜层进行刻蚀处理，形成导电图形和非导电图形，非导电图形对应于刻蚀图形。
本实施例中，可通过去除透明导电膜层的导电高分子的导电性，以实现对透明导电膜层进行去除导电性处理。
图3b为实施例三中形成导电图形的示意图，如图3b所示，通过刻蚀图形17对透明导电膜层进行刻蚀处理，形成导电图形15和非导电图形16，非导电图形16对应于刻蚀图形17。本实施例中，由于刻蚀图形17的材料为刻蚀剂，因此刻蚀图形17可直接对其在透明导电膜层之上对应的部分进行刻蚀处理以去除导电性，形成非导电图形16；而在透明导电膜层之上未与刻蚀图形17对应的部分未被刻蚀，保留了导电性，从而形成导电图形15。本实施例中，对透明导电膜层进行去除导电性处理可包括：对导电聚合物进行去除导电性处理以实现对透明导电膜层去除导电性。而本步骤中由于导电聚合物包裹于网状结构之外，因此对透明导电膜层进行刻蚀处理的过程实质上是对其中的导电聚合物进行刻蚀处理以去除其导电性的过程，通过去除部分导电聚合物的导电性达到形成非导电图形的目的。在刻蚀处理过程中，被刻蚀后的部分导电聚合物所包裹的网状结构及其搭接部分均无法导电，从而形成非导电图形。而该非导电图形不会被去除，从而达到透明导电薄膜图形化的效果。
本实施例中，刻蚀图形的材料可采用Heraeus公司的CleviosTMEtch，其中含有卤族元素。
步骤304、去除刻蚀图形。
图3c为实施例三中形成透明导电薄膜的示意图，如图3c所示，将刻蚀图形17从非导电图形16之上去除，从而形成透明导电薄膜，该透明导电薄膜包括基板11和位于基板11之上的透明导电膜层，透明导电膜层包括导电图形15和非导电图形16。
本实施例提供的透明导电薄膜的制造方法中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。同时，采用本实施例的方法还解决了复合材料难以刻蚀的问题。
本发明实施例四提供了一种透明导电薄膜的制造方法的流程图，该方法包括：
步骤401、在基板上形成透明导电膜层。
对步骤401的具体描述可参见上述实施例二中步骤201的描述。
步骤402、在透明导电膜层上形成掩膜图形。
对步骤401的具体描述可参见上述实施例二中步骤202的描述。
步骤403、通过掩膜图形对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
本实施例中，可通过去除透明导电膜层的导电高分子的导电性，以实现对透明导电膜层进行去除导电性处理。
具体地，本步骤可包括：
步骤4031、在掩膜图形的掩膜作用下对透明导电膜层进行脱掺杂处理，形成导电图形和非导电图形，导电图形对应于掩膜图形。
透明导电膜层上的与掩膜图形对应的部分在脱掺杂处理中被保留，因此未被脱掺杂进行去除导电性处理，从而形成导电图形；透明导电膜层上的未与掩膜图形对应的部分在脱掺杂处理中被去除导电性，从而形成非导电图形。本实施例中，对透明导电膜层进行去除导电性处理可包括：对导电聚合物进行去除导电性处理以实现对透明导电膜层去除导电性。而本步骤中由于导电聚合物包裹于网状结构之外，因此对透明导电膜层进行脱掺杂处理的过程实质上是对其中的导电聚合物进行脱掺杂处理以去除其导电性的过程，通过去除部分导电聚合物的导电性达到形成非导电图形的目的。在脱掺杂处理过程中，被脱掺杂后的部分导电聚合物所包裹的网状结构及其搭接部分均无法导电，从而形成非导电图形。而该非导电图形不会被去除，从而达到透明导电薄膜图形化的效果。
步骤4032、去除掩膜图形。
本实施例提供的透明导电薄膜的制造方法中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。同时，采用本实施例的方法还解决了复合材料难以刻蚀的问题。本发明实施例五提供了一种透明导电薄膜，该透明导电薄膜包括：基板和位于基板之上的透明导电膜层，透明导电膜层包括导电图形和非导电图形。
本实施例中，透明导电膜层的材料为复合材料，复合材料包括网状结构和设置于网状结构之间的导电聚合物，导电聚合物的材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。
本实施例提供的透明导电薄膜的具体结构可参见图2e和图3c所示。
本实施例提供的透明导电薄膜可采用上述实施例一、实施例二、实施例三或者实施例四提供的透明导电薄膜的制造方法制造，对透明导电薄膜的具体描述可参见上述实施例一、实施例二、实施例三或者实施例四，此处不再赘述。
本实施例提供的透明导电薄膜的制造方法中，在基板上形成透明导电膜层，对透明导电膜层进行去除导电性处理形成导电图形和非导电图形，形成非导电图形的过程仅是透明导电膜层电性的改变，无需去除掉非导电图形，避免了图形肉眼可见的现象，从而避免了对器件光学特性的影响，提高了器件的光学特性；无需采用激光刻蚀的方式去除非导电图形，从而避免了激光刻蚀方式存在的效率低和产生灰尘的问题。同时，采用本实施例的方法还解决了复合材料难以刻蚀的问题。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成透明导电膜层；
对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成透明导电膜层包括：
在基板上涂覆或者印刷透明导电材料层；
对所述透明导电材料层进行固化处理，形成所述透明导电膜层。
3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述透明导电膜层上形成掩膜图形；
通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形。
4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述掩膜图形的材料为树脂材料；
所述通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述掩膜图形的掩膜作用下通过刻蚀剂对所述透明导电膜层进行刻蚀处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述导电图形对应于所述掩膜图形；
去除所述掩膜图形。
5.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述掩膜图形的材料为树脂材料；
所述通过所述掩膜图形对所述透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述掩膜图形的掩膜作用下对所述透明导电膜层进行脱掺杂处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述导电图形对应于所述掩膜图形；
去除所述掩膜图形。
6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述对透明导电膜层进行去除导电性处理，形成导电图形和非导电图形包括：
在所述透明导电膜层上形成刻蚀图形，所述刻蚀图形的材料为刻蚀剂；
通过所述刻蚀图形对所述透明导电膜层进行刻蚀处理，形成所述导电图形和非导电图形，所述非导电图形对应于所述刻蚀图形；
去除所述刻蚀图形。
7.根据权利要求1至6任一所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电膜层的材料为复合材料，所述复合材料包括网状结构和设置于所述网状结构之间的导电聚合物；
所述对透明导电膜层进行去除导电性处理包括：
对所述导电聚合物进行去除导电性处理以实现对所述透明导电膜层去除导电性。
8.根据权利要求7所述的透明导电薄膜的制造方法，其特征在于，所述导电聚合物的材料包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。
9.一种透明导电薄膜，其特征在于，包括：基板和位于所述基板之上的透明导电膜层，所述透明导电膜层包括导电图形和非导电图形。
10.根据权利要求9所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电膜层的材料为复合材料，所述复合材料包括网状结构和设置于所述网状结构之间的导电聚合物，所述导电聚合物的材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯或者聚苯胺。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108847311A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | 导线及导线制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040026121A1 (en) * | 2000-09-22 | 2004-02-12 | Adolf Bernds | Electrode and/or conductor track for organic components and production method thereof |
| JP2010140859A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Nissha Printing Co Ltd | 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法 |
| CN103627255A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-03-12 | 苏州冷石纳米材料科技有限公司 | 一种纳米银导电墨水及采用该墨水制备的导电薄膜 |
| CN103996457A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置 |
| WO2014137147A1 (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-12 | Lg Electronics Inc. | Conductive film, method for manufacturing the same, and electronic device including the same |
| CN104205250A (zh) * | 2012-03-30 | 2014-12-10 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 导电图案形成基板的制造方法 |
| CN104412334A (zh) * | 2012-07-10 | 2015-03-11 | 东丽株式会社 | 导电层合体、图案化导电层合体、其制造方法、以及使用它们而形成的触摸面板 |
-
2015
- 2015-05-28 CN CN201510283994.7A patent/CN104851524A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040026121A1 (en) * | 2000-09-22 | 2004-02-12 | Adolf Bernds | Electrode and/or conductor track for organic components and production method thereof |
| JP2010140859A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Nissha Printing Co Ltd | 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法 |
| CN104205250A (zh) * | 2012-03-30 | 2014-12-10 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 导电图案形成基板的制造方法 |
| CN104412334A (zh) * | 2012-07-10 | 2015-03-11 | 东丽株式会社 | 导电层合体、图案化导电层合体、其制造方法、以及使用它们而形成的触摸面板 |
| WO2014137147A1 (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-12 | Lg Electronics Inc. | Conductive film, method for manufacturing the same, and electronic device including the same |
| CN103627255A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-03-12 | 苏州冷石纳米材料科技有限公司 | 一种纳米银导电墨水及采用该墨水制备的导电薄膜 |
| CN103996457A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108847311A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | 导线及导线制备方法 |
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