CN105023988A - 发光半导体封装及相关方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供发光半导体封装及相关方法。所述发光半导体封装包含中央势垒、多个引线、发光元件、第一囊封体、封装主体及第二囊封体。所述发光元件位于由所述中央势垒所界定的内部空间中，且电连接到围绕所述中央势垒的所述引线。所述发光元件包含上发光面及下发光面。所述第一囊封体及所述第二囊封体分别覆盖所述上发光面及所述下发光面。所述封装主体囊封所述中央势垒的部分、每一所述引线的部分及所述第一囊封体。所述发光半导体封装可从其上侧及下侧发光。

Description

发光半导体封装及相关方法

技术领域

本发明的实施例涉及发光半导体封装及相关方法。

背景技术

发光二极管(LED)用于照明装置中且提供高发光效率、小尺寸且省电。然而，常规LED封装通常仅可从一侧发射光。因此，常规LED封装的应用受到限制。

发明内容

本发明的实施例中的一者包括一种发光半导体封装。所述发光半导体封装包括界定内部空间的中央势垒及围绕所述中央势垒且彼此电隔离的多个引线。发光元件位于所述内部空间中，且具有上发光面及下发光面。所述发光元件电连接到所述中央势垒及/或所述引线。第一囊封体覆盖所述发光元件的所述上发光面。封装主体囊封所述中央势垒的部分、每一所述引线的部分及所述第一囊封体。第二囊封体覆盖所述发光元件的所述下发光面。所述第一囊封体及所述第二囊封体位于所述内部空间内且在侧向由所述中央势垒所限制。

本发明的实施例中的另一者包括一种发光半导体封装。所述发光半导体封装包括界定内部空间的中央势垒及围绕所述中央势垒且彼此电隔离的多个引线。发光元件位于所述内部空间中，且具有上发光面及下发光面。所述发光元件电连接到所述中央势垒及/或所述引线。第一磷光材料覆盖所述发光元件的所述上发光面。封装主体囊封所述中央势垒的部分、每一所述引线的部分及所述第一磷光材料。第二磷光材料覆盖所述发光元件的所述下发光面。

本发明的实施例中的另一者包括一种制造发光半导体封装的方法。所述方法包括分别在导电芯(Electrically Conductive Core)的上表面及下表面上形成上金属层及下金属层。所述上金属层具有上部图案以露出所述芯的所述上表面的部分，且所述下金属层具有下部图案以露出所述芯的所述下表面的部分。所述方法进一步包括对所述芯的所述上表面的未形成所述上金属层的地方进行半蚀刻工艺，以形成中央突起及多个外围突起。所述中央突起界定空腔，且所述外围突起位于所述中央突起周围。所述方法进一步包括将发光元件附接到所述空腔的底部。所述发光元件具有上发光面及下发光面。所述方法进一步包括将所述发光元件电连接到所述中央突起及/或所述外围突起。所述方法进一步包括在所述空腔中形成第一囊封体以覆盖所述发光元件的所述上发光面。所述方法进一步包括在所述芯上形成封装主体，以覆盖所述第一囊封体、所述中央突起及所述外围突起。所述方法进一步包括蚀刻所述芯的所述下表面的未形成所述下部金属的地方，以形成中央势垒及多个引线。所述中央势垒界定内部空间，且所述引线围绕所述中央势垒且彼此电隔离。所述方法进一步包括在所述内部空间中形成第二囊封体以覆盖所述发光元件的所述下发光面。

附图说明

图1是根据本发明的实施例中的一者的发光半导体封装的剖面侧视图；

图2是沿着图1中的线2-2截取的图1的封装的剖面俯视图；

图3是图2的封装的另一方面；

图4到13说明根据本发明的实施例中的一者的制造发光半导体封装的方法中的步骤；

图14是根据本发明的实施例中的另一者的发光半导体封装的剖面侧视图；

图15是根据本发明的实施例中的一者的发光模块的剖面侧视图；

图16是图15的衬底的俯视图；

图17是根据本发明的实施例中的另一者的发光模块的衬底的俯视图；以及

图18是根据本发明的实施例中的另一者的发光模块的剖面侧视图。

具体实施方式

参看图1，说明根据本发明的实施例中的一者的发光半导体封装的剖面侧视图。发光半导体封装1包括中央势垒(Central Barrier)20、多个引线(Lead)22、上金属层13、下金属层15、发光元件30、多个接线34、第一囊封体(Encapsulant)36、封装主体38及第二囊封体40。

中央势垒20包含导电芯(Conductive Core)10(还可称作板10，图6)及表面处理层(Finishing Layer)16、18。芯10可为铜或铜合金，且包含上表面201、上部倾斜部分202、下部倾斜部分203、在上部倾斜部分202与下部倾斜部分203的接面处(Junction)的顶峰(Peak)204及下表面205。上部倾斜部分202邻设于(disposed adjacent)上表面201，且可为直线性或弯曲的。上部倾斜部分202通常不垂直于上表面201。下部倾斜部分203邻设于下表面205，且可为直线性的或弯曲的。下部倾斜部分203通常不垂直于下表面205。上部倾斜部分202与下部倾斜部分203在顶峰204处会合。

引线22围绕中央势垒20，且彼此电隔离。在本发明的实施例中，每一引线22包括芯10及表面处理层17、19。引线22包含上表面221、上部倾斜部分222、下部倾斜部分223、在上部倾斜部分222与下部倾斜部分223的接面处的顶峰224及下表面225。上部倾斜部分222邻设于上表面221，且可为直线性的或弯曲的。上部倾斜部分222通常不垂直于上表面221。下部倾斜部分223邻设于下表面225，且可为直线性的或弯曲的。下部倾斜部分223通常不垂直于下表面225。上部倾斜部分222与下部倾斜部分223在顶峰224处会合。在本发明的实施例中，中央势垒20的上表面201的宽度等于每一引线22的上表面221的宽度。然而，在其它实施例中，中央势垒20的上表面201的宽度可大于或小于每一引线22的上表面221的宽度。

上金属层13位于中央势垒20的上表面201及每一引线22的上表面221上。下金属层15位于中央势垒20的下表面205及每一引线22的下表面225上。在本发明的实施例中，上金属层13具有第一上部金属部分16及多个第二上部金属部分17。第一上部金属部分16位于中央势垒20的上表面201，且所述第二上部金属部分17位于每一引线22的上表面221上。下金属层15具有第一下部金属部分18及多个第二下部金属部分19。第一下部金属部分18位于中央势垒20的下表面205上，且所述第二下部金属部分19位于每一引线22的下表面225。可使用例如电解电镀、无电极电镀或任何其它技术等技术涂覆上金属层13及下金属层15。虽未在图1中展示，但在某些实施例中，上金属层13及下金属层15可包含与表面201、205、221、225接触的镍层，及覆盖镍层的金或钯层。或者，上金属层13及下金属层15可包含镍的合金层以及金及钯中的任一者或两者的层。上金属层13及下金属层15需要良好地粘附，且实现与接线34的有效的导线接合。

发光元件30大致上位于中央势垒20的中央区域中，且具有面向上的上发光面301及面向下的下发光面302。发光元件30可电连接到中央势垒20或引线22或两者。在本发明的实施例中，发光元件30的上发光面301经由接线34电连接到第二上部金属部分17及引线22。发光元件30可为例如发光二极管(LED)，且发光半导体封装1可为LED封装。

第一囊封体36位于由中央势垒20围绕且在侧向上限制的内部空间103中。第一囊封体36大致上位于发光元件30上方且包围发光元件30。第一囊封体36囊封发光元件30的上发光面301(即，顶表面)及每一接线34的第一部分。在本发明的实施例中，第一囊封体36的下表面36L在与发光元件30的下发光面302不同的高度处。如下所描述，由于在制造工艺中移除了粘着层32(图11)，下发光面302从下表面36L露出且凹进于(recessed beneath)下表面36L。因此，第二囊封体40接触发光元件30的下发光面302。因此，来自发光元件30的下发光面302的光直接进入第二囊封体40，而不受到粘着层32的阻挡或滤波，藉此增加了光发射效率。

第一囊封体36可为基于聚硅氧(Silicone-based)的树脂或环氧(Epoxy)树脂，且包含光转换物质(例如，磷光体)的粒子。从发光元件30发出的光(例如，蓝光)可被光转换物质转换成不同色彩的光(例如，绿色、黄色或红色)，且不同颜色的光经混合以产生白光。将磷光体在第一囊封体36中的体积百分比定义为第一体积百分比，如下进一步论述。

封装主体38囊封每一接线34的第二部分、中央势垒20的上部部分、每一引线22的上部部分及第一囊封体36。封装主体38的材料可为任何透明囊封体材料，例如，基于聚硅氧的树脂或环氧树脂。如果发光元件30为例如高功率LED芯片，则基于聚硅氧的模制材料(Molding Material)因其对变黄的抵抗性(Resistance to yellowing)而为首选。如果发光元件30为一般LED芯片，则基于环氧树脂的模制材料较硬且提供较好粘着力。在本发明的实施例中，中央势垒20的上部倾斜部分202(在与内部空间103相对的侧上)及引线22的上部倾斜部分222嵌入于封装主体38中，且中央势垒20的下部倾斜部分203及引线22的下部倾斜部分223从封装主体38突出。

第二囊封体40位于内部空间103中，大致上在发光元件30之下，且在侧向上由中央势垒20所限制。第二囊封体40覆盖发光元件30的下发光面302。在本发明的实施例中，第二囊封体40填充由中央势垒20的下部倾斜部分203、第一囊封体36及发光元件30划界的空间，使得第二囊封体40接触第一囊封体36及发光元件30的下发光面302(即，底表面)。第二囊封体40可为基于聚硅氧的树脂或环氧树脂(包含磷光体)，以便产生所要的光色。将磷光体在第二囊封体40中的体积百分比定义为第二体积百分比，如下进一步论述。第二囊封体40的组成可类似于或不同于第一囊封体36的组成。

为了实现从囊封体36、40的实质上均匀的白色发光，其中的磷光体的体积百分比可基于囊封体36、40的厚度、来自发光表面301、302的光的强度及磷光体的亮度(如果使用不同磷光体)来调整。举例来说，当第二囊封体40中的磷光体与第一囊封体36中的磷光体相同且来自发光表面301、302的光的强度相同时，则第一囊封体36中的磷光体的第一体积百分比可小于第二囊封体40中的磷光体的第二体积百分比，因为第一囊封体36显著地比第二囊封体40厚。

参看图2，中央势垒20为连续环，其提供机械强度且含有两个囊封体36、40。更具体来说，中央势垒20为矩形(正方形)环。或者，中央势垒20可为圆环(图3)以符合具体光学设计考虑。无论如何，中央势垒20完全围绕内部空间103。然而，在替代实施例中，第一上部金属部分16与中央势垒20可为不连续的，且可仅部分地围绕内部空间103。在本发明的实施例(图2)中，每一第二上部金属部分17及在其下方的引线22为U形。引线22及第二上部金属部分17中的一者可用于接电源，且引线22及第二上部金属部分17中的另一者可用于接地。此外，可将上金属层13的第一上部金属部分16及第二上部金属部分17定义为上部图案。另外，可将下金属层15的第一下部金属部分18及第二下部金属部分19定义为下部图案。在本发明的实施例中，上金属层13的上部图案与下金属层15的下部图案相同。有利的是，发光半导体封装1可从两个相对侧发射光，使得其发光角度显著地比常规封装大。

参看图4到13，说明根据本发明的实施例中的一者的制造发光半导体封装的方法中的步骤。参看图4，将第一光致抗蚀剂层12涂覆于芯10的上表面101上，且将第二光致抗蚀剂层14涂覆于芯10的下表面102上。芯10的材料可为铜、铜合金或任何其它导电材料。可通过涂布、电镀或任何其它合适技术形成光致抗蚀剂层12、14。接着，图案化光致抗蚀剂层12、14，使得第一光致抗蚀剂层12具有多个第一开口121、122以露出芯10的上表面101的部分，且第二光致抗蚀剂层14具有多个第二开口141、142以露出芯10的下表面102的部分。图案化可包括(例如)光刻或任何其它合适技术。

图4A是图4的俯视图。在本发明的实施例中，使第一开口121成形为连续环。然而，在其它实施例中，第一开口121可不连续。具体来说，使第一开口121成形为矩形(正方形)环。或者，可使第一开口121成形为圆环。在本发明的实施例中，每一第一开口122为U形，且所述第一开口122不彼此连接。

参看图5，在第一开口121、122中形成上金属层13，且在第二开口141、142中形成下金属层15。参看图6及6A，其中图6A是图6的俯视图，剥除第一光致抗蚀剂层12及第二光致抗蚀剂层14。因此，上金属层13具有上部图案以露出芯10的上表面101的部分，且下金属层15具有下部图案以露出芯10的下表面102的部分。在本发明的实施例中，上金属层13的上部图案包含先前位于第一开口121(图4及4A)中的第一上部金属部分16，及先前位于第一开口122(图4及4A)中的多个第二上部金属部分17。下金属层15的下部图案包含先前位于第二开口141中的第一下部金属部分18，及先前位于第二开口142中的多个第二下部金属部分19。即，上部图案对应于第一开口121、122，且下部图案对应于第二开口141、142。第一上部金属部分16及第一下部金属部分18皆成形为连续环。第二上部金属部分17不彼此连接，且第二下部金属部分19不彼此连接。在本发明的实施例中，上金属层13的上部图案与下金属层15的下部图案相同。

参看图7，对芯10的上表面101进行将上金属层13用作掩模的半蚀刻工艺，以便形成中央突起21及多个外围突起23。即，所述半蚀刻工艺是在芯10的上表面101上未形成上金属层13的区域中进行。中央突起21从芯10向上延伸，以便界定空腔104。每一外围突起23从芯10向上延伸，且位于中央突起21周围。第一上部金属部分16保留于中央突起21上，且第二上部金属部分17保留于外围突起23上。

参看图8，通过粘着层32将发光元件30附着至空腔104的底部。粘着层32可为导电性或非导电性粘着材料。举例来说，粘着层32可为银浆料或非导电性环氧树脂。发光元件30具有面向上的上发光面301及面向下的下发光面302。在本发明的实施例中，发光元件30为发光二极管(LED)。

参看图9，发光元件30的上发光面301由接线34电连接至外围突起23。虽未图示，但发光元件30的上发光面301还可由接线34电连接至中央突起21。参看图10，在空腔104中形成第一囊封体36以覆盖发光元件30的上发光面301(即，顶表面)及接线34的第一部分。

参看图11，在芯10上形成封装主体38以便覆盖接线34的部分、第一囊封体36、中央突起21及外围突起23。参看图12，将下金属层15用作掩模来蚀刻芯10的下表面102，以便形成中央势垒20及多个引线22。即，蚀刻芯10的下表面102上未被下金属层15覆盖的区域。第一囊封体36及粘着材料32优选地由耐蚀刻材料(例如，硅基材料)制成，使得这些部分在蚀刻步骤期间保护发光元件30。接着，在蚀刻后，通过合适的试剂移除粘着材料32，以露出发光元件30的下发光面302。因此，第一囊封体36的下表面从下发光面302凹进。在蚀刻工艺后，芯10在空腔104下方的部分经移除，使得空腔104变为内部空间103。类似地，芯10在引线22的任一侧上的部分经移除，使得引线22彼此电隔离且与中央势垒20电隔离。中央势垒20对应于第一上部金属部分16及第一下部金属部分18，且引线22对应于第二上部金属部分17及第二下部金属部分19。

中央势垒20包含上表面201、上部倾斜部分202、下部倾斜部分203、顶峰204及下表面205。引线22围绕中央势垒20，且彼此电隔离。在本发明的实施例中，每一引线22包含上表面221、上部倾斜部分222、下部倾斜部分223、顶峰224及下表面225。在本发明的实施例中，中央势垒20的上部倾斜部分202及引线22的上部倾斜部分222嵌入于封装主体38中，且中央势垒20的下部倾斜部分203及引线22的下部倾斜部分223从封装主体38突出。

参看图13，在内部空间103中形成第二囊封体40，以覆盖发光元件30的下发光面302。在本发明的实施例中，第二囊封体40填充由中央势垒20的下部倾斜部分203、第一囊封体36及发光元件30划界的空间，使得第二囊封体40接触第一囊封体36及发光元件30的下发光面302。最后，进行例如锯切等单切工艺以获得图1中所示的发光半导体封装1。

参看图14，说明根据本发明的实施例中的另一者的发光半导体封装的剖面图。此实施例的发光半导体封装1a实质上类似于图1至3的发光半导体封装1，且相同元件赋予相同标号。然而，在图14的发光半导体封装1a中，封装主体38具有弯曲顶表面37，而图1的发光半导体封装1的封装主体38的顶表面39为平的。在本发明的实施例中，顶表面37为凸形。然而，在替代实施例中，顶表面37可为凹的。

参看图15，展示根据本发明的实施例中的一者的发光模块4，其包含安装于衬底41上的多个图1的发光半导体封装1。参看图16，展示衬底41的俯视图。衬底41具有至少一个第一电极41a、至少一个第二电极41b及至少一个通孔41c。在本发明的实施例中，衬底41为不透明的印刷电路板，因此通孔41c是必要的以使从下发光面302发射的光能够为可见的。然而，在其它实施例中，衬底41可为透明的玻璃板，因此，可省略通孔41c。

引线22电连接到衬底41的至少一个第一电极41a及至少一个第二电极41b。在本发明的实施例中，第二下部金属部分19分别连接到第一电极41a及第二电极41b。第一电极41a及第二电极41b中的一者为接地电极，且另一者为电源电极。第二囊封体40对应于通孔41c，使得来自发光元件30的下发光面302的光可穿过通孔41c。

参看图17，展示根据本发明的实施例中的另一者的适合于在发光模块中使用的衬底的俯视图。此实施例的衬底42类似于图16的衬底41，且相同元件被赋予相同标号。此实施例的衬底42与图16的衬底41之间的差异在电极的结构中。在图17中，衬底42具有第一电极42a及第二电极42b。每一第一电极42a及第二电极42b成形为直线。第二下部金属部分19分别连接到第一电极42a及第二电极42b。第一电极42a及第二电极42b中的一者为接地电极，且另一者为电源电极。在衬底42上的发光半导体封装1的定向可与在衬底41上的发光半导体封装1的定向不同。具体来说，如与衬底42上的发光半导体封装1相比，衬底41上的发光半导体封装1可旋转90°。

参看图18，说明根据本发明的实施例中的另一者的发光模块的横截面图。此实施例的发光模块4a实质上类似于图15的发光模块4，其不同处为衬底43为柔性的，使得其可安装于弯曲表面(未图示)上。

虽然本发明已参照其具体实施例描述及说明，但这些描述及说明不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由随附权利要求书界定的本发明的真实精神及范围的情况下，可进行各种改变且可取代等效物。例图可能未必按比例绘制。归因于制造工艺及容差，在本发明中的技艺再现与实际装置之间可存在截然不同之处。可存在未具体说明的本发明的其它实施例。应将说明书及图式视为说明性的而非限制性的。可进行修改以使特定情形、材料、物质组成、方法或工艺适应于本发明的目标、精神及范围。所有这些修改皆意欲在随附权利要求书的范围内。虽然本文中揭示的方法已参照按特定次序进行的特定操作描述，但应理解，在不脱离本发明的教示的情况下，这些操作可经组合、再分或重新排序以形成等效方法。因此，除非在本文中具体指示，否则操作的次序及分组并非对本发明的限制。

Claims (25)

1.一种发光半导体封装，其包括：

中央势垒，其界定内部空间；

多个引线，其围绕所述中央势垒，且彼此电隔离；

发光元件，其位于所述内部空间中且具有上发光面及下发光面，所述发光元件电连接到所述引线；

第一囊封体，其覆盖所述发光元件的所述上发光面；

封装主体，其囊封所述中央势垒的部分、每一所述引线的部分及所述第一囊封体；

以及

第二囊封体，其覆盖所述发光元件的所述下发光面；

其中所述第一囊封体及所述第二囊封体位于所述内部空间内且在侧向上由所述中央势垒所限制。

2.根据权利要求1所述的发光半导体封装，其中所述第一囊封体及所述第二囊封体各自含有光转换物质的粒子。

3.根据权利要求2所述的发光半导体封装，其中所述光转换物质在所述第一囊封体中的体积百分比小于所述光转换物质在所述第二囊封体中的体积百分比。

4.根据权利要求1所述的发光半导体封装，其中所述中央势垒及所述引线的侧部分各自包含上部倾斜部分、下部倾斜部分及顶峰，所述顶峰位于所述上部倾斜部分与所述下部倾斜部分的接面处。

5.根据权利要求4所述的发光半导体封装，其中所述上部倾斜部分及所述下部倾斜部分为凹的，所述上部倾斜部分容纳所述第一囊封体，且所述下部倾斜部分容纳所述第二囊封体。

6.根据权利要求4所述的发光半导体封装，其中所述第一囊封体在所述顶峰附近接触所述第二囊封体。

7.根据权利要求1所述所述的发光半导体封装，其中所述发光元件的所述下发光面凹进于所述第一囊封体的下表面。

8.根据权利要求1所述的发光半导体封装，其中复数条接线将所述发光元件电连接到所述引线，且所述接线部分地被所述第一囊封体囊封且部分地被所述封装主体囊封。

9.一种发光半导体封装，其包括：

中央势垒，其界定内部空间；

多个引线，其围绕所述中央势垒，且彼此电隔离；

发光元件，其位于所述内部空间中且具有上发光面及下发光面，所述发光元件电连接到所述引线；

第一磷光材料，其覆盖所述发光元件的所述上发光面；

封装主体，其囊封所述中央势垒的部分、每一所述引线的部分及所述第一磷光材料；以及

第二磷光材料，其覆盖所述发光元件的所述下发光面。

10.根据权利要求9所述的发光半导体封装，其中磷光粒子在所述第一磷光材料中的体积百分比小于磷光粒子在所述第二磷光材料中的体积百分比。

11.根据权利要求9所述的发光半导体封装，其中所述中央势垒及所述引线的侧部分各自包含上部倾斜部分、下部倾斜部分及顶峰，所述顶峰位于所述上部倾斜部分与所述下部倾斜部分的接面处。

12.根据权利要求11所述的发光半导体封装，其中所述上部倾斜部分及所述下部倾斜部分为凹的，所述上部倾斜部分容纳所述第一磷光材料，且所述下部倾斜部分容纳所述第二磷光材料。

13.根据权利要求11所述的发光半导体封装，其中所述第一磷光材料在所述顶峰附近接触所述第二磷光材料。

14.根据权利要求9所述的发光半导体封装，其中所述发光元件的所述下发光面凹进于所述第一磷光材料的下表面。

15.根据权利要求9所述的发光半导体封装，其中复数条接线将所述发光元件电连接到所述引线，且所述接线部分地被所述第一磷光材料囊封且部分地被所述封装主体囊封。

16.一种发光半导体封装的制造方法，所述方法包含：

(a)分别在导电芯的上表面及下表面上形成上金属层及下金属层，其中所述上金属层具有上部图案以露出所述芯的所述上表面的部分，且所述下金属层具有下部图案以露出所述芯的所述下表面的部分；

(b)对所述芯的所述上表面的未形成所述上金属层的地方进行半蚀刻工艺，以形成中央突起及多个外围突起，其中所述中央突起界定空腔，且所述外围突起位于所述中央突起周围；

(c)附接发光元件到所述空腔的底部，其中所述发光元件具有上发光面及下发光面；

(d)电性连接所述发光元件到所述中央突起及/或所述外围突起；

(e)在所述空腔中形成第一囊封体以覆盖所述发光元件的所述上发光面；

(f)在所述芯上形成封装主体，以覆盖所述第一囊封体、所述中央突起及所述外围突起；

(g)蚀刻所述芯的所述下表面的未形成所述下部金属的地方，以形成中央势垒及多个引线，其中所述中央势垒界定内部空间，且所述引线围绕所述中央势垒且彼此电隔离；以及

(h)在所述内部空间中形成第二囊封体，以覆盖所述发光元件的所述下发光面。

17.根据权利要求16所述的方法，其中步骤(a)包含：

(a1)提供芯，所述芯具有上表面及下表面；

(a2)涂覆第一光致抗蚀剂层于芯的上表面上及第二光致抗蚀剂层于芯的下表面上，其中所述第一光致抗蚀剂层具有多个第一开口以露出芯的上表面的部分，且第二光致抗蚀剂层具有多个第二开口以露出芯的下表面的部分，其中所述第一开口对应于所述上部图案，且所述第二开口对应于所述下部图案；

(a3)在所述第一开口中形成所述上金属层，且在所述第二开口中形成所述下金属层；以及

(a4)剥除所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中在步骤(a)中，所述上金属层具有第一上部金属部分及多个第二上部金属部分以形成所述上部图案，所述下金属层具有第一下部金属部分及多个第二下部金属部分以形成所述下部图案，其中所述第一上部金属部分及所述第一下部金属部分对应所述中央势垒，且所述第二上部金属部分及所述第二下部金属部分对应所述引线。

19.根据权利要求16所述的方法，其中在步骤(c)中，通过粘着层将所述发光元件粘附到所述空腔，且在步骤(d)中，利用接线电性连接所述发光元件到所述中央突起及/或所述外围突起。

20.根据权利要求16所述的方法，其中在步骤(g)中，蚀刻所述芯的下部部分，以露出所述发光元件的下发光面及所述第一囊封体的下表面。

21.一种发光半导体封装，其包括：

多个引线；

发光元件，其具有上发光面及下发光面，所述发光元件电连接到所述引线；

第一囊封体，其覆盖所述发光元件的所述上发光面；

封装主体；以及

第二囊封体，其覆盖所述发光元件的所述下发光面。

22.根据权利要求21所述的发光半导体封装，其中所述第一囊封体及所述第二囊封体各自含有光转换物质的粒子。

23.根据权利要求21所述的发光半导体封装，其进一步包括界定内部空间的中央势垒，且所述发光元件位于所述内部空间中。

24.根据权利要求23所述的发光半导体封装，其中所述中央势垒及所述引线的侧部分各自包含上部倾斜部分、下部倾斜部分及顶峰，所述顶峰位于所述上部倾斜部分与所述下部倾斜部分的接面处。

25.根据权利要求24所述的发光半导体封装，其中所述上部倾斜部分及所述下部倾斜部分为凹的，所述上部倾斜部分容纳所述第一囊封体，且所述下部倾斜部分容纳所述第二囊封体。