TWI591859B - 發光半導體封裝及相關方法 - Google Patents

Description

發光半導體封裝及相關方法

本實施例係關於發光半導體封裝及相關方法。

發光二極體(LED)用於照明裝置中且提供高發光效率、小尺寸及省電。然而，習知LED封裝通常僅可自一側發射光。因此，習知LED封裝之應用受到限制。

本實施例中之一者包含一種發光半導體封裝。該發光半導體封裝包含定義一內部空間之一中央障壁及圍繞該中央障壁且彼此電隔離之複數個引腳。一發光元件位於該內部空間中，且具有一上發光面及一下發光面。該發光元件電連接至該中央障壁及/或該等引腳。一第一封膠體覆蓋該發光元件之該上發光面。一封裝主體包封該中央障壁之部分、每一該等引腳之部分及該第一封膠體。一第二封膠體覆蓋該發光元件之該下發光面。該第一封膠體及該第二封膠體位於該內部空間內且在側向由該中央障壁所限制。

本實施例中之另一者包含一種發光半導體封裝。該發光半導體封裝包含定義一內部空間之一中央障壁及圍繞該中央障壁且彼此電隔離之複數個引腳。一發光元件位於該內部空間中，且具有一上發光面及一下發光面。該發光元件電連接至該中央障壁及/或該等引腳。一 第一磷光材料覆蓋該發光元件之該上發光面。一封裝主體包封該中央障壁之部分、每一該等引腳之部分及該第一磷光材料。一第二磷光材料覆蓋該發光元件之該下發光面。

本實施例中之另一者包含一種製造一發光半導體封裝之方法。該方法包含分別在一導電芯(Electrically Conductive Core)之一上表面及一下表面上形成一上金屬層及一下金屬層。該上金屬層具有一上部圖案以曝露該芯之該上表面之部分，且該下金屬層具有一下部圖案以曝露該芯之該下表面之部分。該方法進一步包含對該芯之該上表面未形成該上金屬層的地方進行一半蝕刻製程，以形成一中央突起及複數個周邊突起。該中央突起界定一空腔，且該等周邊突起位於該中央突起周圍。該方法進一步包含將一發光元件附接至該空腔之一底部。該發光元件具有一上發光面及一下發光面。該方法進一步包含將該發光元件電連接至該中央突起及/或該等周邊突起。該方法進一步包含在該空腔中形成一第一封膠體以覆蓋該發光元件之該上發光面。該方法進一步包含在該芯上形成一封裝主體，以覆蓋該第一封膠體、該中央突起及該等周邊突起。該方法進一步包含蝕刻該芯之該下表面未形成該下部金屬的地方，以形成一中央障壁及複數個引腳。該中央障壁定義一內部空間，且該等引腳圍繞該中央障壁且彼此電隔離。該方法進一步包含在該內部空間中形成一第二封膠體以覆蓋該發光元件之該下發光面。

1‧‧‧發光半導體封裝

1a‧‧‧發光半導體封裝

4‧‧‧發光模組

4a‧‧‧發光模組

10‧‧‧導電芯

12‧‧‧第一光阻層

13‧‧‧上金屬層

14‧‧‧第二光阻層

15‧‧‧下金屬層

16‧‧‧第一上部金屬部分

17‧‧‧第二上部金屬部分

18‧‧‧第一下部金屬部分

19‧‧‧第二下部金屬部分

20‧‧‧中央障壁

21‧‧‧中央突起

22‧‧‧引腳

23‧‧‧周邊突起

30‧‧‧發光元件

32‧‧‧黏著層

34‧‧‧接線

36‧‧‧第一封膠體

36L‧‧‧下表面

37‧‧‧彎曲頂表面/頂表面

38‧‧‧封裝主體

39‧‧‧頂表面

40‧‧‧第二封膠體

41‧‧‧基板

41a‧‧‧第一電極

41b‧‧‧第二電極

41c‧‧‧通孔

42‧‧‧基板

42a‧‧‧第一電極

42b‧‧‧第二電極

43‧‧‧基板

101‧‧‧芯之上表面

102‧‧‧芯之下表面

103‧‧‧內部空間

104‧‧‧空腔

121‧‧‧第一開口

122‧‧‧第一開口

141‧‧‧第二開口

142‧‧‧第二開口

201‧‧‧上表面

202‧‧‧上部傾斜部分

203‧‧‧下部傾斜部分

204‧‧‧頂峰

205‧‧‧下表面

221‧‧‧上表面

222‧‧‧上部傾斜部分

223‧‧‧下部傾斜部分

224‧‧‧頂峰

225‧‧‧下表面

301‧‧‧上發光面

302‧‧‧下發光面

圖1為根據本實施例中之一者的發光半導體封裝之剖面側視圖；圖2為沿著圖1中之線2-2截取的圖1之封裝之剖面俯視圖；圖3為圖2之封裝的另一態樣；圖4至圖13說明根據本實施例中之一者的製造發光半導體封裝之方法中之步驟； 圖14為根據本實施例中之另一者的發光半導體封裝之剖面側視圖；圖15為根據本實施例中之一者的發光模組之剖面側視圖；圖16為圖15之基板之俯視圖；圖17為根據本實施例中之另一者的發光模組之基板之俯視圖；及圖18為根據本實施例中之另一者的發光模組之剖面側視圖。

參看圖1，說明根據本實施例中之一者的發光半導體封裝之剖面側視圖。發光半導體封裝1包含一中央障壁(Central Barrier)20、複數個引腳(Lead)22、一上金屬層13、一下金屬層15、一發光元件30、複數個接線34、一第一封膠體(Encapsulant)36、一封裝主體(Package Body)38及一第二封膠體40。

中央障壁20包括一導電芯(Conductive Core)10(亦可被稱作板10，圖6)及表面處理層(Finishing Layer)(包括上金屬層13之第一上部金屬部分16及下金屬層15之第一下部金屬部分18)。芯10可為銅或銅合金，且包括一上表面201、一上部傾斜部分202、一下部傾斜部分203、在上部傾斜部分202與下部傾斜部分203之接面處(Junction)的一頂峰(Peak)204及一下表面205。上部傾斜部分202鄰設於(disposed adjacent)上表面201，且可為直線性或彎曲的。上部傾斜部分202通常不垂直於上表面201。下部傾斜部分203鄰設於下表面205，且可為直線性或彎曲的。下部傾斜部分203通常不垂直於下表面205。上部傾斜部分202與下部傾斜部分203在頂峰204處會合。

引腳22圍繞中央障壁20，且彼此電隔離。在本實施例中，每一引腳22包含芯10及表面處理層(包括上金屬層13之第二上部金屬部分17及下金屬層15之第二下部金屬部分19)。引腳22包括一上表面221、一上部傾斜部分222、一下部傾斜部分223、在上部傾斜部分222與下部傾斜部分223之接面處的一頂峰224及一下表面225。上部傾斜部分222 鄰設於上表面221，且可為直線性或彎曲的。上部傾斜部分222通常不垂直於上表面221。下部傾斜部分223鄰設於下表面225，且可為直線性或彎曲的。下部傾斜部分223通常不垂直於下表面225。上部傾斜部分222與下部傾斜部分223在頂峰224處會合。在本實施例中，中央障壁20的上表面201之寬度等於每一引腳22的上表面221之寬度。然而，在其他實施例中，中央障壁20的上表面201之寬度可大於或小於每一引腳22的上表面221之寬度。

上金屬層13位於中央障壁20之上表面201及每一引腳22之上表面221上。下金屬層15位於中央障壁20之下表面205及每一引腳22之下表面225上。在本實施例中，上金屬層13具有一第一上部金屬部分16及複數個第二上部金屬部分17。第一上部金屬部分16位於中央障壁20之上表面201，且該等第二上部金屬部分17位於每一引腳22之上表面221上。下金屬層15具有一第一下部金屬部分18及複數個第二下部金屬部分19。第一下部金屬部分18位於中央障壁20之下表面205上，且該等第二下部金屬部分19位於每一引腳22之下表面225。可使用諸如電解電鍍、無電極電鍍或任何其他技術之技術塗覆上金屬層13及下金屬層15。雖未在圖1中顯示，但在某些實施例中，上金屬層13及下金屬層15可包括與表面201、205、221、225接觸之鎳層，及覆蓋鎳層之金或鈀層。或者，上金屬層13及下金屬層15可包括鎳之合金層及金及鈀中之任一者或兩者之層。上金屬層13及下金屬層15需要良好地黏附，且實現與接線34之有效的導線接合。

發光元件30大致上位於中央障壁20之中央區域中，且具有面向上之上發光面301及面向下之下發光面302。發光元件30可電連接至中央障壁20或引腳22或兩者。在本實施例中，發光元件30之上發光面301經由接線34電連接至第二上部金屬部分17及引腳22。發光元件30可為(例如)發光二極體(LED)，且發光半導體封裝1可為LED封裝。

第一封膠體36位於由中央障壁20圍繞且在側向上限制之內部空間103中。第一封膠體36大致上位於發光元件30上方且包圍發光元件30。第一封膠體36包封發光元件30之上發光面301(亦即，頂表面)及每一接線34之第一部分。在本實施例中，第一封膠體36之下表面36L在與發光元件30之下發光面302不同的高度處。如下所描述，由於於在製造製程中移除了黏著層32(圖11)，下發光面302經自下表面36L曝露且凹進於(recessed beneath)下表面36L。因此，第二封膠體40接觸發光元件30之下發光面302。因此，來自發光元件30之下發光面302的光直接進入第二封膠體40，而不受到黏著層32之阻擋或濾波，藉此增加了光發射效率。

第一封膠體36可為基於聚矽氧(Silicone-based)之樹脂或環氧(Epoxy)樹脂，且包括光轉換物質(例如，磷光體)之粒子。自發光元件30發光之光(例如，藍光)可被光轉換物質轉換成不同色彩之光(例如，綠色、黃色或紅色)，且不同顏色之光經混合以產生白光。將磷光體在第一封膠體36中的體積百分比定義為第一體積百分比，如下進一步論述。

封裝主體38包封每一接線34的第二部分、中央障壁20之上部部分、每一引腳22之上部部分及第一封膠體36。封裝主體38之材料可為任何透明封膠體材料，諸如，基於聚矽氧之樹脂或環氧樹脂。若發光元件30為(例如)高功率LED晶片，則基於聚矽氧之封模材料(Molding Material)因其對變黃之抵抗性(Resistance to yellowing)而為首選。若發光元件30為一般LED晶片，則基於環氧樹脂之封模材料較硬且提供較好黏著力。在本實施例中，中央障壁20之上部傾斜部分202(在與內部空間103相對之側上)及引腳22之上部傾斜部分222嵌入於封裝主體38中，且中央障壁20之下部傾斜部分203及引腳22之下部傾斜部分223自封裝主體38突出。

第二封膠體40位於內部空間103中，大致上在發光元件30之下，且在側向上由中央障壁20所限制。第二封膠體40覆蓋發光元件30之下發光面302。在本實施例中，第二封膠體40填充由中央障壁20之下部傾斜部分203、第一封膠體36及發光元件30劃界之空間，使得第二封膠體40接觸第一封膠體36及發光元件30之下發光面302(亦即，底表面)。第二封膠體40可為基於聚矽氧之樹脂或環氧樹脂(包括磷光體)，以便產生所要的光色。將磷光體在第二封膠體40中之體積百分比定義為第二體積百分比，如下進一步論述。第二封膠體40之組成可類似於或不同於第一封膠體36之組成。

為了達成自封膠體36、40之實質上均勻的白色發光，其中的磷光體之體積百分比可基於封膠體36、40之厚度、來自發光表面301、302的光之強度及磷光體之亮度(若使用不同磷光體)來調整。舉例而言，當第二封膠體40中之磷光體與第一封膠體36中之磷光體相同且來自發光表面301、302的光之強度相同時，則第一封膠體36中的磷光體之第一體積百分比可小於第二封膠體40中的磷光體之第二體積百分比，此係因為第一封膠體36顯著比第二封膠體40厚。

參看圖2，中央障壁20為連續環，其提供機械強度且含有兩個封膠體36、40。更具體地，中央障壁20為矩形(正方形)環。或者，中央障壁20可為圓環(圖3)以符合具體光學設計考慮。無論如何，中央障壁20完全圍繞內部空間103。然而，在替代實施例中，第一上部金屬部分16及中央障壁20可為不連續的，且可僅部分地圍繞內部空間103。在本實施例(圖2)中，每一第二上部金屬部分17及在其下方之引腳22為U形。引腳22及第二上部金屬部分17中之一者可用於接電源，且引腳22及第二上部金屬部分17中之另一者可用於接地。此外，可將上金屬層13之第一上部金屬部分16及第二上部金屬部分17定義為上部圖案。另外，可將下金屬層15之第一下部金屬部分18及第二下部金屬 部分19定義為下部圖案。在本實施例中，上金屬層13之上部圖案與下金屬層15之下部圖案相同。有利的是，發光半導體封裝1可自兩個相對側發射光，使得其發光角度顯著比習知封裝大。

參看圖4至圖13，說明根據本實施例中之一者的製造發光半導體封裝之方法中之步驟。參看圖4，將第一光阻層12塗覆於芯10之上表面101上，且將第二光阻層14塗覆於芯10之下表面102上。芯10之材料可為銅、銅合金或任何其他導電材料。可藉由塗佈、電鍍或任何其他合適技術形成光阻層12、14。接著，圖案化光阻層12、14使得第一光阻層12具有複數個第一開口121、122以曝露芯10之上表面101之部分，且第二光阻層14具有複數個第二開口141、142以曝露芯10之下表面102之部分。圖案化可包含(例如)光微影或任何其他合適技術。

圖4A為圖4之俯視圖。在本實施例中，使第一開口121成形為連續環。然而，在其他實施例中，第一開口121可不連續。具體言之，使第一開口121成形為矩形(正方形)環。或者，可使第一開口121成形為圓環。在本實施例中，每一第一開口122為U形，且該等第一開口122不彼此連接。

參看圖5，在第一開口121、122中形成上金屬層13，且在第二開口141、142中形成下金屬層15。參看圖6及圖6A，其中圖6A為圖6之俯視圖，剝除第一光阻層12及第二光阻層14。因此，上金屬層13具有上部圖案以曝露芯10之上表面101之部分，且下金屬層15具有下部圖案以曝露芯10之下表面102之部分。在本實施例中，上金屬層13之上部圖案包括先前位於第一開口121(圖4及圖4A)中之第一上部金屬部分16，及先前位於第一開口122(圖4及圖4A)中之複數個第二上部金屬部分17。下金屬層15之下部圖案包括先前位於第二開口141中之第一下部金屬部分18，及先前位於第二開口142中之複數個第二下部金屬部分19。亦即，上部圖案對應於第一開口121、122，且下部圖案對應於 第二開口141、142。第一上部金屬部分16及第一下部金屬部分18皆成形為連續環。第二上部金屬部分17不彼此連接，且第二下部金屬部分19不彼此連接。在本實施例中，上金屬層13之上部圖案與下金屬層15之下部圖案相同。

參看圖7，對芯10之上表面101進行將上金屬層13用作遮罩之半蝕刻製程，以便形成一中央突起21及複數個周邊突起23。亦即，該半蝕刻製程係進行在芯10之上表面101上未形成上金屬層13之區域中。中央突起21自芯10向上延伸，以便界定空腔104。每一周邊突起23自芯10向上延伸，且位於中央突起21周圍。第一上部金屬部分16保留於中央突起21上，且第二上部金屬部分17保留於周邊突起23上。

參看圖8，藉由黏著層32將發光元件30附著至空腔104之底部。黏著層32可為導電性或非導電性黏著材料。舉例而言，黏著層32可為銀漿料或非導電性環氧樹脂。發光元件30具有面向上之上發光面301及面向下之下發光面302。在本實施例中，發光元件30為發光二極體(LED)。

參看圖9，發光元件30之上發光面301由接線34電連接至周邊突起23。雖未圖示，但發光元件30之上發光面301亦可由接線34電連接至中央突起21。參看圖10，在空腔104中形成第一封膠體36以覆蓋發光元件30之上發光面301(亦即，頂表面)及接線34之第一部分。

參看圖11，在芯10上形成封裝主體38以便覆蓋接線34之部分、第一封膠體36、中央突起21及周邊突起23。參看圖12，將下金屬層15用作遮罩來蝕刻芯10之下表面102，以便形成中央障壁20及複數個引腳22。亦即，蝕刻芯10之下表面102上未被下金屬層15覆蓋的區域。第一封膠體36及黏著材料32較佳地由耐蝕刻材料(例如，矽基材料(Silicon-base Material))製成，使得此等部分在蝕刻步驟期間保護發光元件30。接著，在蝕刻後，藉由合適的試劑移除黏著材料32，以曝 露發光元件30之下發光面302。因此，第一封膠體36之下表面自下發光面302凹進。在蝕刻製程後，芯10在空腔104下方的部分經移除，使得空腔104變為內部空間103。類似地，芯10在引腳22之任一側上的部分經移除，使得引腳22彼此電隔離且與中央障壁20電隔離。中央障壁20對應於第一上部金屬部分16及第一下部金屬部分18，且引腳22對應於第二上部金屬部分17及第二下部金屬部分19。

中央障壁20包括上表面201、上部傾斜部分202、下部傾斜部分203、頂峰204及下表面205。引腳22圍繞中央障壁20，且彼此電隔離。在本實施例中，每一引腳22包括上表面221、上部傾斜部分222、下部傾斜部分223、頂峰224及下表面225。在本實施例中，中央障壁20之上部傾斜部分202及引腳22之上部傾斜部分222嵌入於封裝主體38中，且中央障壁20之下部傾斜部分203及引腳22之下部傾斜部分223自封裝主體38突出。

參看圖13，在內部空間103中形成第二封膠體40，以覆蓋發光元件30之下發光面302。在本實施例中，第二封膠體40填充由中央障壁20之下部傾斜部分203、第一封膠體36及發光元件30劃界之空間，使得第二封膠體40接觸第一封膠體36及發光元件30之下發光面302。最後，進行諸如鋸切(Sawing)之單切製程以獲得圖1中所示之發光半導體封裝1。

參看圖14，說明根據本實施例中之另一者的發光半導體封裝之剖面圖。此實施例之發光半導體封裝1a實質上類似於圖1至圖3之發光半導體封裝1，且相同元件用賦予相同標號。然而，在圖14之發光半導體封裝1a中，封裝主體38具有彎曲頂表面37，而圖1之發光半導體封裝1的封裝主體38之頂表面39為平的。在本實施例中，頂表面37為凸形。然而，在替代實施例中，頂表面37可為凹的。

參看圖15，顯示根據本實施例中之一者的發光模組4，其包括複 數個圖1之發光半導體封裝1安裝於基板41上。參看圖16，顯示基板41之俯視圖。基板41具有至少一第一電極41a、至少一第二電極41b及至少一通孔41c。在本實施例中，基板41為不透明之印刷電路板，因此通孔41c係必要的以使自下發光面302發射的光能夠為可見的。然而，在其他實施例中，基板41可為透明之玻璃板，因此，可省略通孔41c。

引腳22電連接至基板41之至少一第一電極41a及至少一第二電極41b。在本實施例中，第二下部金屬部分19分別連接至第一電極41a及第二電極41b。第一電極41a及第二電極41b中之一者為接地電極，且另一者為電源電極。第二封膠體40對應於通孔41c，使得來自發光元件30之下發光面302的光可穿過通孔41c。

參看圖17，顯示根據本實施例中之另一者的適合於在發光模組中使用的基板之俯視圖。此實施例之基板42類似於圖16之基板41，且相同元件賦予相同標號。此實施例之基板42與圖16之基板41之間的差異在電極之結構中。在圖17中，基板42具有一第一電極42a及一第二電極42b。每一第一電極42a及第二電極42b成形為直線。第二下部金屬部分19分別連接至第一電極42a及第二電極42b。第一電極42a及第二電極42b中之一者為接地電極，且另一者為電源電極。在基板42上的發光半導體封裝1之定向可與在基板41上的發光半導體封裝1之定向不同。具體言之，如與基板42上之發光半導體封裝1相比，基板41上之發光半導體封裝1可旋轉90°。

參看圖18，說明根據本實施例中之另一者的發光模組之橫截面圖。此實施例之發光模組4a實質上類似於圖15之發光模組4，其不同處為基板43為可撓性使得其可安裝於彎曲表面(未圖示)上。

雖然本發明已參照其具體實施例描述及說明，但此等描述及說明不限制本發明。熟習此項技術者應理解，在不脫離如由隨附申請專 利範圍定義的本發明之真實精神及範疇之情況下，可進行各種改變且可取代等效物。例圖可能未必按比例繪製。歸因於製造製程及容差，在本發明中之技藝再現與實際裝置之間可存在截然不同之處。可存在未具體說明的本發明之其他實施例。應將說明書及圖式視為說明性而非限制性。可進行修改以使特定情形、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此等修改皆意欲在隨附之申請專利範圍之範疇內。雖然本文中揭示之方法已參照以特定次序進行之特定操作描述，但應理解，在不脫離本發明之教示之情況下，此等操作可經組合、再分或重新排序以形成等效方法。因此，除非在本文中具體指示，否則操作之次序及分組並非對本發明之限制。

1‧‧‧發光半導體封裝

13‧‧‧上金屬層

15‧‧‧下金屬層

16‧‧‧第一上部金屬部分

17‧‧‧第二上部金屬部分

18‧‧‧第一下部金屬部分

19‧‧‧第二下部金屬部分

20‧‧‧中央障壁

22‧‧‧引腳

30‧‧‧發光元件

34‧‧‧接線

36‧‧‧第一封膠體

36L‧‧‧下表面

38‧‧‧封裝主體

39‧‧‧頂表面

40‧‧‧第二封膠體

103‧‧‧內部空間

201‧‧‧上表面

202‧‧‧上部傾斜部分

203‧‧‧下部傾斜部分

204‧‧‧頂峰

205‧‧‧下表面

221‧‧‧上表面

222‧‧‧上部傾斜部分

223‧‧‧下部傾斜部分

224‧‧‧頂峰

225‧‧‧下表面

301‧‧‧上發光面

302‧‧‧下發光面

Claims (18)

1. 一種發光半導體封裝，其包含：一中央障壁，其界定一內部空間；複數個引腳，其圍繞該中央障壁，且彼此電隔離；一發光元件，其位於該內部空間中且具有一上發光面及一下發光面，該發光元件電連接至該等引腳；一第一封膠體，其覆蓋該發光元件之該上發光面；一封裝主體，其包封該中央障壁之部分、每一該等引腳之部分及該第一封膠體；及一第二封膠體，其覆蓋該發光元件之該下發光面；其中該第一封膠體及該第二封膠體位於該內部空間內且在側向上由該中央障壁所限制，其中該中央障壁及該等引腳之側部分各自包括一上部傾斜部分、一下部傾斜部分及一頂峰，該頂峰係位於該上部傾斜部分與該下部傾斜部分之一接面處，及其中該第一封膠體在該等頂峰附近接觸該第二封膠體。
2. 如請求項1之發光半導體封裝，其中該第一封膠體及該第二封膠體各自含有一光轉換物質之粒子。
3. 如請求項2之發光半導體封裝，其中該光轉換物質在該第一封膠體中之一體積百分比小於該光轉換物質在該第二封膠體中之一體積百分比。
4. 如請求項1之發光半導體封裝，其中該等上部傾斜部分及該等下部傾斜部分為凹的(Concave)，該等上部傾斜部分容納該第一封膠體，且該等下部傾斜部分容納該第二封膠體。
5. 如請求項1之發光半導體封裝，其中該發光元件之該下發光面係 凹進於(recessed beneath)該第一封膠體之一下表面。
6. 如請求項1之發光半導體封裝，其中複數條接線將該發光元件電連接至該等引腳，且該等接線部分地被該第一封膠體包封且部分地被該封裝主體包封。
7. 一種發光半導體封裝，其包含：一中央障壁，其界定一內部空間；複數個引腳，其圍繞該中央障壁，且彼此電隔離；一發光元件，其位於該內部空間中且具有一上發光面及一下發光面，該發光元件電連接至該等引腳；一第一磷光材料，其覆蓋該發光元件之該上發光面；一封裝主體，其包封該中央障壁之部分、每一該等引腳之部分及該第一磷光材料；及一第二磷光材料，其覆蓋該發光元件之該下發光面，其中該中央障壁及該等引腳之側部分各自包括一上部傾斜部分、一下部傾斜部分及一頂峰，該頂峰位於該上部傾斜部分與該下部傾斜部分之一接面處，及其中該第一磷光材料在該等頂峰附近接觸該第二磷光材料。
8. 如請求項7之發光半導體封裝，其中磷光粒子在該第一磷光材料中之一體積百分比小於磷光粒子在該第二磷光材料中之一體積百分比。
9. 如請求項7之發光半導體封裝，其中該等上部傾斜部分及該等下部傾斜部分為凹的，該等上部傾斜部分容納該第一磷光材料，且該等下部傾斜部分容納該第二磷光材料。
10. 如請求項7之發光半導體封裝，其中該發光元件之該下發光面係凹進於該第一磷光材料之一下表面。
11. 如請求項7之發光半導體封裝，其中複數條接線將該發光元件電 連接至該等引腳，且該等接線部分地被該第一磷光材料包封且部分地被該封裝主體包封。
12. 一種發光半導體封裝之製造方法，該方法包括：(a)分別在一導電芯(Electrically Conductive Core)之一上表面及一下表面上形成一上金屬層及一下金屬層，其中該上金屬層具有一上部圖案以曝露該芯之該上表面之部分，且該下金屬層具有一下部圖案以曝露該芯之該下表面之部分；(b)對該芯之該上表面未形成該上金屬層的地方進行一半蝕刻製程，以形成一中央突起及複數個周邊突起，其中該中央突起界定一空腔，且該等周邊突起位於該中央突起周圍；(c)附接一發光元件至該空腔之一底部，其中該發光元件具有一上發光面及一下發光面；(d)電性連接該發光元件至該中央突起及/或該等周邊突起；(e)形成一第一封膠體在該空腔中以覆蓋該發光元件之該上發光面；(f)形成一封裝主體在該芯上，以覆蓋該第一封膠體、該中央突起及該等周邊突起；(g)蝕刻該芯之該下表面未形成該下部金屬的地方，以形成一中央障壁及複數個引腳，其中該中央障壁定義一內部空間，且該等引腳圍繞該中央障壁且彼此電隔離；及(h)形成一第二封膠體在該內部空間中，以覆蓋該發光元件之該下發光面。
13. 如請求項12之方法，其中步驟(a)包括：(a1)提供一芯，該芯具有一上表面及一下表面；(a2)塗覆一第一光阻層於芯之上表面上及一第二光阻層於芯之下表面上，其中該第一光阻層具有複數個第一開口以曝露芯之 上表面之部分，且第二光阻層具有複數個第二開口以曝露芯之下表面之部分，其中該等第一開口對應於該上部圖案，且該等第二開口對應於該下部圖案；(a3)形成該上金屬層在該等第一開口中，且形成該下金屬層在該等第二開口中；及(a4)剝除該第一光阻層及該第二光阻層。
14. 如請求項12之方法，其中在步驟(a)中，該上金屬層具有一第一上部金屬部分及複數個第二上部金屬部分以形成該上部圖案，該下金屬層具有一第一下部金屬部分及複數個第二下部金屬部分以形成該下部圖案，其中該第一上部金屬部分及該第一下部金屬部分對應該中央障壁，且該等第二上部金屬部分及該等第二下部金屬部分對應該等引腳。
15. 如請求項12之方法，其中在步驟(c)中，藉由黏著層將該發光元件黏附至該空腔，且在步驟(d)中，係利用接線電性連接該發光元件至該中央突起及/或該等周邊突起。
16. 如請求項12之方法，其中在步驟(g)中，係蝕刻該芯之一下部份，以曝露該發光元件之下發光面及該第一封膠體之一下表面。
17. 一種發光半導體封裝，其包含：複數個引腳；一發光元件，其具有一上發光面及一下發光面，該發光元件電連接至該等引腳；一第一封膠體，其覆蓋該發光元件之該上發光面；一封裝主體；一第二封膠體，其覆蓋該發光元件之該下發光面；及界定一內部空間之一中央障壁，且該發光元件位於該內部空 間中，其中該中央障壁及該等引腳之側部分各自包括一上部傾斜部分、一下部傾斜部分及一頂峰，該頂峰位於該上部傾斜部分與該下部傾斜部分之一接面處，及其中該等上部傾斜部分及該等下部傾斜部分為凹的，該等上部傾斜部分容納該第一封膠體，且該等下部傾斜部分容納該第二封膠體。
18. 如請求項17之發光半導體封裝，其中該第一封膠體及該第二封膠體各自含有一光轉換物質之粒子。