CN105004759A - 纳米线传感器圆片级制备及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种纳米线传感器圆片级制备及封装方法，制备方法为：a在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；b在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；c将S1与S2对准、圆片键合，S1上电极部分通过S2垂直通孔暴露，S2溶液腔暴露出S1上电极对一侧；d在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；e滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，施加一定频率的交变电压，介电泳力沉积纳米线后，去除分散液得到纳米线传感器圆片。本发明该能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及微纳米制造及微纳米传感器领域，尤其涉及一种纳米线传感器圆片级制备及封装方法。
背景技术
纳米线传感器主要指利用纳米线或经过修饰的纳米线(Si纳米线、CuO纳米线、碳纳米管)作为敏感元件进行特定气体分子或生物物质等检测的纳米传感器。纳米线传感器可以用于气体检测、生物分子检测等领域。纳米线传感器具有尺寸小、灵敏度高、响应快、能耗小等优点，在化学、生物、环境监测、军事等领域具有广泛的应用前景。
介电泳技术(Dielectrophoresis，DEP)是一种通过施加不均匀电场产生介电泳力实现微纳米尺度物体自动装配的纳米材料制备方法，具有适用范围广等技术优点，是纳米线传感器的典型制备方法之一。
但是，批量化进行圆片级制备仍然是基于介电电泳的纳米材料组装技术面临的技术难题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提高纳米线传感器圆片级的生产效率及降低其成本。
为此目的，本发明提出了一种纳米线传感器圆片级制备方法，该方法包括：
a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；
b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；
c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、固定，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；
d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；
e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液、半导体圆片S2得到纳米线传感器圆片。
可选的，步骤a中，半导体圆片S1为硅圆片或玻璃圆片。
可选的，步骤a中，电极对为Ti/Au电极，电极为工字型金电极。
可选的，步骤b中，垂直通孔形状为圆柱型或倒圆台性或棱柱性，垂直通孔贯穿半导体圆片S2，半导体圆片S2上垂直通孔对与半导体圆片S1上电极对对准，溶液腔贯穿半导体圆片S2、位于两个垂直通孔之间。
可选的，步骤b中，半导体圆片S2为玻璃圆片或玻璃圆片，垂直通孔采用激光打孔工艺方法，或喷砂打孔工艺方法，或湿法腐蚀、干法刻蚀工艺方法实现。
可选的，步骤c中，半导体圆片S1与半导体圆片S2通过机械夹具固定，或者采用采用有机物粘接材料键合固定。
可选的，步骤d中，垂直引出电极为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作。
可选的，步骤e中，纳米线分散液为含CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、碳纳米管分散液，或其他纳米线分散液。
本发明提供一种基于上述纳米线传感器圆片级制备方法的纳米线传感器圆片级封装方法，该封装方法包括：
在完成纳米线传感器圆片级制备工序的半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜，进行图形化，其中，牺牲层薄膜选用光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用非光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用甩胶工艺制备；
制作结构层，结构层采用等离子体增强气相沉积工艺沉积SiO2或SiNx；
图形化结构层，制作暴露电极窗口、刻蚀牺牲层窗口；
氧等离子体各向同性刻蚀牺牲层，释放结构；
对半导体圆片S1进行划片，得到纳米线传感器芯片。
可选的，在半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜之前还包括：对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰。
基于上述技术方案，本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1为本发明实施例的一种纳米线传感器圆片级制备方法流程图；
图2为本发明实施例半导体圆片制备电极对阵列示意图；
图3a为本发明实施例半导体圆片固定示意图；
图3b为本发明实施例半导体圆片粘合示意图；
图3c为本发明实施例在半导体圆片上垂直通孔内制作垂直引出电极及电互连线后圆片俯视图；
图3d为本发明实施例在半导体圆片上垂直通孔内制作垂直引出电极及电互连线后圆片内单个纳米线传感器俯视图；
图4为本发明实施例制备牺牲层，图形化示意图；
图5为本发明实施例制备封帽结构层，图形化开窗口示意图；
图6为本发明实施例去除牺牲层，完成纳米线传感器阵列圆片封装示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的实施例进行详细描述。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1所示，本实施例提供一种纳米线传感器圆片级制备方法，包括：
a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；
b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；
c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、固定，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；
d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；
e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液、圆片S2得到纳米线传感器圆片级。
需要说明的是，上述步骤a至步骤e的顺序仅为优选顺序，具体实现时可以根据具体场景调整步骤顺序，例如，其他实施例中上述步骤c和步骤d可以调换顺序。
可选的，步骤a中，半导体圆片S1为硅圆片或玻璃圆片。
可选的，步骤a中，电极对为Ti/Au电极，电极为工字型金电极。
可选的，步骤b中，垂直通孔形状为圆柱型或倒圆台性或棱柱性，垂直通孔贯穿半导体圆片S2，半导体圆片S2上垂直通孔对与半导体圆片S1上电极对对准，溶液腔贯穿半导体圆片S2、位于两个垂直通孔之间。
可选的，步骤b中，半导体圆片S2为玻璃圆片或玻璃圆片，垂直通孔采用激光打孔工艺方法，或喷砂打孔工艺方法，或湿法腐蚀、干法刻蚀工艺方法实现。
可选的，步骤c中，半导体圆片S1与半导体圆片S2通过机械夹具固定，或者采用采用有机物粘接材料键合固定。
可选的，步骤d中，垂直引出电极为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作。
可选的，步骤e中，纳米线分散液为CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、碳纳米管分散液等。
本实施例提供一种基于上述纳米线传感器圆片级制备方法的纳米线传感器圆片级封装方法，包括：
在完成纳米线传感器圆片级制备工序的半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜，进行图形化，其中，牺牲层薄膜选用光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用非光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用甩胶工艺制备；
制作结构层，结构层采用等离子体增强气相沉积工艺沉积SiO2或SiNx；
图形化结构层，制作暴露电极窗口、刻蚀牺牲层窗口；
氧等离子体各向同性刻蚀牺牲层，释放结构；
对半导体圆片S1进行划片，得到纳米线传感器芯片。
可选的，在半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜之前还包括：对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰。
本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
实施例2
本实施例提供一种基于纳米线传感器圆片级制备方法，包括：
a、提供一半导体圆片，记为S1，在圆片一面制备电极对阵列，如图2所示；半导体圆片可选用硅圆片或玻璃圆片，也可选用其他半导体圆片，电极对可以选用Ti/Au电极，也可以选用其他金属电极；优选的，电极为工字型金电极；
b、提供另一辅助半导体圆片，记为020，在半导体圆片上020制作与电极对阵列匹配的垂直引出电极对0211、溶液腔022。图3a、图3b为半导体圆片020，与半导体圆片010固定。
其中，垂直引出电极0211贯穿辅助半导体圆片020，辅助圆片020上垂直引出电极与010圆片电极对011对准，溶液腔022贯穿辅助半导体圆片020、位于两个垂直引出电极0211之间；制备电互连线023，电互连线对023依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极，如图3c和图3d所示，图3c为在半导体圆片020上垂直通孔内制作垂直引出电极0211及电互连线023后圆片俯视图，图3d为在半导体圆片020上垂直通孔内制作垂直引出电极0211及电互连线023后圆片内单个纳米线传感器俯视图。
其中辅助半导体圆片020可以是硅圆片，也可以为玻璃圆片；垂直引出电极为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极，或具有其他横截面形状的金属电极如中空倒圆台柱型铜电极或铝电极；
优选的，辅助半导体圆片采用玻璃圆片，垂直引出电极为中空倒圆台性铜电极，垂直引出微孔采用激光或喷砂打孔，垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作；
c、半导体圆片010与辅助半导体圆片020对准，机械固定，辅助半导体圆片020垂直引出电极与半导体圆片010上电极011电连接，辅助半导体圆片020溶液腔022暴露出半导体圆片010上电极对011一侧，如图3a所示；
d、滴纳米线分散液至辅助半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用产生的介电泳力沉积纳米线，然后去除分散液。
其中，纳米线分散液可以是CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、碳纳米管分散液等；
e、去除半导体辅助圆片S2，半导体圆片S1上形成纳米线传感器阵列。
本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
实施例3
本实施例提供一种新型纳米线传感器圆片级制备与圆片级封装方法，包括：
a、提供一半导体圆片，记为S1，在圆片一面制备电极对阵列，如图2所示；半导体圆片可选用硅圆片或玻璃圆片，也可选用其他半导体圆片，电极对可以选用Ti/Au电极，也可以选用其他金属电极；优选的，电极为工字型金电极；
b、提供另一辅助半导体圆片，记为020，在半导体圆片上020制作与电极对阵列匹配的垂直引出电极对0211、溶液腔022，其中，垂直引出电极0211贯穿辅助半导体圆片020，辅助圆片020上垂直引出电极与010圆片电极对011对准，溶液腔022贯穿辅助半导体圆片020、位于两个垂直引出电极0211之间；制备电互连线023，电互连线对023依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极，如图3c和图3d所示；
其中辅助半导体圆片020可以是硅圆片，也可以为玻璃圆片；垂直引出电极为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极，或具有其他横截面形状的金属电极如中空倒圆台柱型铜电极或铝电极；
优选的，辅助半导体圆片采用玻璃圆片，垂直引出电极为中空倒圆台性铜电极，垂直引出微孔采用激光或喷砂打孔，垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作；
c、半导体圆片010与辅助半导体圆片020对准，机械固定，辅助半导体圆片020垂直引出电极与半导体圆片010上电极011电连接，辅助半导体圆片020溶液腔022暴露出半导体圆片010上电极对011一侧，如图3a所示；
d、滴纳米线分散液至辅助半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用产生的介电泳力沉积纳米线，然后去除分散液。
其中，纳米线分散液可以是CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、碳纳米管分散液等；
e、去除半导体辅助圆片S2，半导体圆片S1上形成纳米线传感器阵列。
f、在半导体圆片S1上制作牺牲层薄膜，进行图形化，如图4所示，其中，牺牲层薄膜可以选用光敏的或非光敏的BCB、PI等薄膜，可以选用甩胶工艺制备；
g、制作结构层，结构层可以采用等离子体增强气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积SiO2、SiNx等；
h、图形化结构层，制作暴露电极窗口、刻蚀牺牲层窗口，如图5所示；
i、氧等离子体各向同性刻蚀牺牲层，释放结构；
j、划片，分离纳米线传感器芯片，如图6所示。图6为制备牺牲层图形化示意图。
其中：释放的悬空结构层可能包覆不止一个纳米线传感器芯片；
优选的，在步骤e之后、步骤f之前可能包含对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰过程。
本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
实施例4
本发明公开了一种基于介电泳技术的纳米线传感器圆片级制备与封装方法，简述如下：
a、提供一半导体圆片，记为010，在圆片一面制备电极对011阵列，如图2所示；半导体圆片可以选用硅圆片或玻璃圆片，也可以选用其他半导体圆片，电极对可以选用Ti/Au电极，也可以选用其他金属电极；优选的，电极为工字型金电极；
b、提供另一辅助半导体圆片，记为020，在半导体圆片上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对021、溶液腔022；
其中，垂直通孔021形状可以是圆柱型，也可以是倒圆台性、棱柱性等，垂直通孔贯穿辅助半导体圆片020，辅助圆片020上垂直通孔对与010圆片电极对011对准；溶液腔022贯穿辅助半导体圆片020、位于两个垂直通孔之间；
其中，辅助半导体圆片020可以采用玻璃圆片，也可以采用硅圆片或其他半导体圆片；垂直通孔采用激光打孔或喷砂打孔等方法实现，也可采用湿法腐蚀、干法刻蚀等工艺方法实现。
c、半导体圆片010与辅助半导体圆片020对准、固定，其中，半导体圆片010上电极部分通过辅助半导体圆片020垂直通孔021暴露，辅助半导体圆片020溶液腔022暴露出半导体圆片010上电极对011一侧；
其中，半导体圆片010与辅助半导体圆片020可以采用有机物粘接材料固定，如键合胶等。
d、在辅助半导体圆片020垂直通孔021内制造垂直引出电极0211、在020表面制备电互连线对023，电互连线对023依次电连接辅助半导体圆片020上垂直引出电极0211，如图3c和图3d所示；垂直引出电极0211为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作。
e、滴纳米线分散液至辅助半导体圆片020上的溶液腔022，通过半导体圆片020上电互连线对023施加一定频率的交变电压，通过垂直引出电极对0211在半导体010圆片电极对011之间产生交变电场，利用产生的介电泳力沉积纳米线，然后去除分散液。
其中，纳米线分散液可以是CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、或碳纳米管分散液等；
f、去除半导体辅助圆片020，半导体圆片010上形成纳米线传感器阵列。去除半导体辅助圆片020可以采用化学溶液浸泡、加热、激光剥离等方法。
本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
实施例5
本实施例提供一种基于介电泳技术的纳米线传感器圆片级制备与圆片级封装方法，包括：
a、提供一半导体圆片，记为010，在圆片一面制备电极对011阵列，如图2所示；半导体圆片可以选用硅圆片或玻璃圆片，也可以选用其他半导体圆片，电极对可以选用Ti/Au电极，也可以选用其他金属电极；优选的，电极为工字型金电极；
b、提供另一辅助半导体圆片，记为020，在半导体圆片上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对021、溶液腔022；
其中，垂直通孔021形状可以是圆柱型，也可以是倒圆台性、棱柱性等，垂直通孔贯穿辅助半导体圆片020，辅助圆片020上垂直通孔对与010圆片电极对011对准；溶液腔022贯穿辅助半导体圆片020、位于两个垂直通孔之间；
其中，辅助半导体圆片020可以采用玻璃圆片，也可以采用硅圆片或其他半导体圆片；垂直通孔采用激光打孔或喷砂打孔等方法实现，也可采用湿法腐蚀、干法刻蚀等工艺方法实现。
c、半导体圆片010与辅助半导体圆片020对准、固定，其中，半导体圆片010上电极部分通过辅助半导体圆片020垂直通孔021暴露，辅助半导体圆片020溶液腔022暴露出半导体圆片010上电极对011一侧；
其中，半导体圆片010与辅助半导体圆片020可以采用有机物粘接固定，如键合胶等。
d、在辅助半导体圆片020垂直通孔021内制造垂直引出电极0211、在020表面制备电互连线对023，电互连线对023依次电连接辅助半导体圆片020上垂直引出电极0211，如图3c和图3d所示；垂直引出电极0211为中空圆柱铜电极，也可以为实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积等工艺制作。
e、滴纳米线分散液至辅助半导体圆片020上的溶液腔022，通过半导体圆片020上电互连线对023施加一定频率的交变电压，通过垂直引出电极对0211在半导体010圆片电极对011之间产生交变电场，利用产生的介电泳力沉积纳米线，然后去除分散液。
其中，纳米线分散液可以是CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液、碳纳米管等；
f、去除半导体辅助圆片020，半导体圆片010上形成纳米线传感器阵列。去除半导体辅助圆片020可以采用化学溶液浸泡、加热、激光剥离等方法。
g、在半导体圆片010上制作牺牲层薄膜，进行图形化，如图4所示，牺牲层薄膜可以选用光敏的或非光敏的BCB、PI等薄膜，可以选用甩胶工艺制备。
h、制作结构层，结构层可以采用等离子体增强气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积SiO2、SiNx等。
i、图形化结构层，制作暴露电极窗口、刻蚀牺牲层窗口，如图5所示，图5为制备封帽结构层，图形化开窗口示意图。
j、氧等离子体各向同性刻蚀牺牲层，释放结构。
k、划片，分离纳米线传感器芯片，如图6所示，图6为去除牺牲层，完成纳米线传感器阵列圆片封装。
其中：释放的悬空结构层可能包覆不止一个纳米线传感器芯片；
优选的，在步骤g之前可能包含对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰过程。
本发明实施例的纳米线传感器圆片级制备方法及纳米线传感器圆片级封装方法，能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。
虽然结合附图描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (10)
1.一种纳米线传感器圆片级制备方法，其特征在于，包括：
a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；
b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；
c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、固定，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；
d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；
e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液、半导体圆片S2得到纳米线传感器圆片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中，半导体圆片S1为硅圆片或玻璃圆片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中，电极对为Ti/Au电极，电极为工字型金电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，垂直通孔形状为圆柱型或倒圆台性或棱柱性，垂直通孔贯穿半导体圆片S2，半导体圆片S2上垂直通孔对与半导体圆片S1上电极对对准，溶液腔贯穿半导体圆片S2、位于两个垂直通孔之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，半导体圆片S2为玻璃圆片或玻璃圆片，垂直通孔采用激光打孔工艺方法，或喷砂打孔工艺方法，或湿法腐蚀、干法刻蚀工艺方法实现。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c中，半导体圆片S1与半导体圆片S2通过夹具固定或者采用采用有机物粘接材料键合固定。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d中，垂直引出电极为中空圆柱铜电极或实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积工艺制作。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤e中，纳米线分散液为CuO纳米线的分散液、或Si纳米线的分散液、或碳纳米管分散液。
9.一种基于权利要求1至8中任一项所述的纳米线传感器圆片级制备方法的纳米线传感器圆片级封装方法，其特征在于，包括：在完成纳米线传感器圆片级制备工序的半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜，进行图形化，其中，牺牲层薄膜选用光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用非光敏的BCB或PI薄膜，或牺牲层薄膜选用甩胶工艺制备；
制作结构层，结构层采用等离子体增强气相沉积工艺沉积SiO2或SiNx；
图形化结构层，制作暴露电极窗口、刻蚀牺牲层窗口；
氧等离子体各向同性刻蚀牺牲层，释放结构；
对半导体圆片S1进行划片，得到纳米线传感器芯片。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，在半导体圆片S1圆片上制作牺牲层薄膜之前还包括：对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰。
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| CN201510293115.9A CN105004759B (zh) | 2014-06-06 | 2015-06-01 | 纳米线传感器圆片级制备及封装方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2014102497127 | 2014-06-06 | ||
| CN201410249712 | 2014-06-06 | ||
| CN201510293115.9A CN105004759B (zh) | 2014-06-06 | 2015-06-01 | 纳米线传感器圆片级制备及封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105004759A true CN105004759A (zh) | 2015-10-28 |
| CN105004759B CN105004759B (zh) | 2019-05-31 |
Family
ID=54377512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510293115.9A Active CN105004759B (zh) | 2014-06-06 | 2015-06-01 | 纳米线传感器圆片级制备及封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105004759B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2015
- 2015-06-01 CN CN201510293115.9A patent/CN105004759B/zh active Active
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| 童志义: ""圆片级封装技术"", 《电子工业专用设备》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105004759B (zh) | 2019-05-31 |
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