CN104993004A - 一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种氧化亚铜基异质结太阳能电池，其为在衬底上自下而上依次有铬金复合电极、氧化亚铜层、ZnO:S缓冲层、ZnO:Al层和铝栅电极。其制备方法是在衬底上制备铬金复合电极，再采用电化学沉积法生长氧化亚铜层，再在氧化亚铜层上依次沉积生长ZnO:S缓冲层和ZnO:Al层；最后在ZnO:Al层上制作铝栅电极。本发明采用ZnO:S作为缓冲层，可有效阻挡电子和空穴的界面复合，减小PN结反向饱和电流，大大提高载流子的分离和收集效率，增大太阳能电池的开路电压，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明的太阳电池成本较低、制备工艺简单，可大规模应用于工业生产中，有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，具体涉及一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
现如今，人类对可持续发电的需求促进了人们对新型光伏材料的研究，科学界一直致力于寻找性能佳、成本低的材料。一项最近的报导显示，有九种无机半导体材料被认为既具有优异的发电潜能又具有材料提取成本低于晶体硅的优点。其中，氧化亚铜在传统太阳能面板和集成太阳能电池上的应用潜能受到了极大的关注。氧化亚铜是一种本征p型的半导体材料，这是由其晶体内部的铜空位形成受主能级而造成的。Cu2O是直接禁带半导体，其禁带宽度为2.1eV，因此在可见光区域有较高的吸收系数和光电转换效率。根据肖克利-奎伊瑟极限，单结Cu2O太阳能电池效率理论上可达20%。但由于难以制得N型氧化亚铜，Cu2O与本征N型的ZnO宽禁带半导体做成异质结，形成TypeⅡ型能带结构，可实现光生载流子的产生和分离，理论能量转换效率（PCE）约为18%。
目前关于Cu2O基太阳能电池的研究中，大部分是双层膜结构或者Cu2O薄膜与另一种材料的纳米柱薄膜的结合。其中Izaki等（J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 3326–3329）利用电化学沉积法制备的双层结构的太阳能电池短路电流密度为3.8mA/cm2，开路电压为0.59V，填充因子为0.58，能量转换效率为1.28%，这在电化学沉积法制得的太阳能电池中转换效率是最高的。意大利的Mittiga等（Appl. Phys. Lett. 2006, 16, 3502）采用热氧化法制备氧化亚铜薄膜，再利用离子束溅射法沉积一层TCO薄膜。得到了短路电流密度6.78mA/cm2，开路电压0.595V，填充因子0.50，能量转换效率2%。Nishi和Minami等人通过不断优化氧化亚铜的热氧化工艺，以及在Cu2O与ZnO中间插入阻挡层等方法，将转换效率提高到约5.23%，这也是目前所报道的最大值。在上述方法中，太阳能电池转换效率与理论值相差很多，一方面限制太阳能电池转换效率的原因是：氧化亚铜薄膜吸收90%入射光所需的厚度远大于氧化亚铜薄膜中光生载流子的最远传输长度；另一方面，由于两种材料的界面处存在大量界面态，且两种材料的能带不匹配，产生的光生载流子在界面处容易产生界面复合，降低了光生载流子的分离效率，两方面原因使得光生载流子不能有效的分离和收集，使得光电转换效率很低。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种开路电压大，光电转换效率高的氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法。
本发明的氧化亚铜基异质结太阳能电池，在衬底上自下而上依次有铬金复合电极、氧化亚铜层、ZnO:S缓冲层、ZnO:Al层和铝栅电极，所述的ZnO:S缓冲层厚度为10nm，硫的原子百分比为9%，所述的ZnO:Al层载流子浓度大于1021 cm-3，方块电阻小于50Ω/□。
上述技术方案中，所述的铬金复合电极中铬层厚度通常为8nm, 金层厚度为100～120nm。
所述的氧化亚铜层的厚度通常为2.5μm±100nm。
所述的铝栅电极的厚度通常为1μm，其栅间距为0.5㎜。
所述的衬底可以是如石英衬底、玻璃、硅片等硬质衬底，也可以采用柔性衬底。
制备上述的氧化亚铜基异质结太阳能电池的方法，包括如下步骤：
1）在洁净的衬底上依次蒸镀铬、金制备铬金复合电极；
2）在上述铬金复合电极表面采用电化学沉积法生长氧化亚铜层，并在铬金复合电极表面预留用于电池测试的面积；
3）在上述氧化亚铜层表面依次沉积生长ZnO:S缓冲层和 ZnO:Al层；
4）在ZnO:Al层表面制作铝栅电极，获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。
本发明中采用ZnO:S作为缓冲层，可以有效提高太阳能电池的光电转换效率：该结构在Cu2O与ZnO:Al的界面处形成一个电子阻挡层，即形成一个能量势垒，有效阻挡电子和空穴的界面复合；同时大大减小了异质结界面的缺陷密度，从而降低了pn结反向饱和电流，进一步增大了太阳能电池的开路电压。这两方面的作用可提高光生载流子的分离和收集，从而有效提高太阳能电池的光电转换效率。
硫原子与氧原子属于同一主族，具有相同的外电子层结构，因而其掺杂较为容易实现，且在硫原子少量掺杂时不会引起太大的晶格畸变，同时尽量减少引入缺陷。硫原子的掺入会使ZnO薄膜层的电阻增大，因而ZnO:S缓冲层的厚度不宜过大以防增大太阳能电池的串联电阻。
所述的氧化亚铜层采用电化学沉积法生长，该方法可以合成晶体质量优异且晶粒较大的氧化亚铜薄膜，且具有操作简单，生长温度低，生长时间快等优点。相对于恒电流法沉积而言，采用恒电位法生长氧化亚铜层具有生长速率稳定，容易控制生长厚度的优点。
本发明中采用的材料具有存储量丰富、成本低廉、无毒性、无污染等特点，可降低产品成本。本发明中采用的制备方法有电化学沉积法、脉冲激光沉积及电子束蒸发法，都可以大规模应用于工业生产中，有广阔的应用前景。
附图说明
图1 为本发明的氧化亚铜基异质结太阳能电池的结构示意图。
具体实施方法
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
参照图1，本发明的氧化亚铜基异质结太阳能电池，在衬底(1)上自下而上依次有铬金复合电极 (2)、氧化亚铜层(3)、ZnO:S缓冲层(4)、ZnO:Al层(5)和铝栅电极(6)，所述的ZnO:S缓冲层(4)厚度为10nm，硫的原子百分比为9%，所述的ZnO:Al层(5)载流子浓度大于1021 cm-3，方块电阻小于50Ω/□。 结合具体实施例，详细说明本发明的氧化亚铜基异质结太阳能电池的制备方法。
实施例1
1）以普通石英玻璃为衬底1，依次在丙酮、乙醇、去离子水中分别超声清洗15min，用N2吹干。
2）采用电子束蒸发法在衬底1 上依次沉积金属铬8nm作为粘附层及金属金100nm作为底电极，获得铬金复合电极2。
3）采用电化学沉积法在上述铬金复合电极2上生长P型氧化亚铜层3，具体方法为：采用三电极法，配制0.2mol/L CuSO4和3mol/L 乳酸的水溶液，用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至12.5。以步骤(2)中沉积有铬金复合电极2的石英玻璃为工作电极，采用Ag/AgCl参比电极和铂片对电极，在40℃条件下恒电位法沉积1h，得到P型氧化亚铜层3，厚度为2.45μm。
4）采用脉冲激光沉积法在步骤(3)制得的P型氧化亚铜层3表面沉积一层硫掺杂氧化锌。具体参数为：纯度99.99%的ZnOS(S 含量30atom%)陶瓷靶，基本真空度9×10-4Pa，工作压强0.5Pa，工作气体为氧气，激光能量为300mJ/pulse，激光频率为5Hz，靶基距离50mm，溅射时间1min，得到ZnO:S缓冲层4，厚度为10nm。
5）采用脉冲激光沉积法在步骤(4)制得的ZnO:S缓冲层4表面沉积一层铝掺杂氧化锌。具体参数为：纯度99.99%的ZnAlO(Al 含量2atom%)陶瓷靶，基本真空度9×10-4Pa，工作压强0.2Pa，工作气体为氧气，激光能量为300mJ/pulse，激光频率为5Hz，靶基距离50mm，溅射时间10min，得到ZnO:Al层5，其厚度为90nm。
6）采用电子束蒸发法在上述制得的ZnO:Al层5表面沉积1μm的铝电极，使用掩膜板使沉积电极形状为栅网状，其栅极间距为0.5mm，获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。
本例制得的获得氧化亚铜基异质结太阳能电池，其ZnO:S缓冲层中S的掺入量为9at%，相较于以ZnO作缓冲层的太阳电池，本例制得的太阳电池采用ZnO:S作为缓冲层，可在Cu2O与ZnO:Al的界面处形成一个电子阻挡层，即形成一个能量势垒，有效阻挡电子和空穴的界面复合，使开路电压从0.34V提高至0.63V，对应光电转化效率从0.94%提高至1.48%。
实施例2
1）以普通石英玻璃为衬底1，依次在丙酮、乙醇、去离子水中分别超声清洗15min，用N2吹干。
2）采用电子束蒸发法在衬底1 上依次沉积金属铬8nm作为粘附层及金属金120nm作为底电极，获得铬金复合电极2。
3）采用电化学沉积法在上述铬金复合电极2上生长P型氧化亚铜层3，具体方法为：采用三电极法，配制0.2mol/L CuSO4和3mol/L 乳酸的水溶液，用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至12.8。以步骤(2)中沉积有铬金复合电极2的石英玻璃为工作电极，采用Ag/AgCl参比电极和铂片对电极，在40℃条件下恒电位法沉积1h，得到P型氧化亚铜层3，厚度为2.55μm。
4）采用脉冲激光沉积法在步骤(3)制得的P型氧化亚铜层3表面沉积一层硫掺杂氧化锌。具体参数为：纯度99.99%的ZnOS(S 含量30atom%)陶瓷靶，基本真空度9×10-4Pa，工作压强0.5Pa，工作气体为氧气，激光能量为300mJ/pulse，激光频率为5Hz，靶基距离50mm，溅射时间1min，得到ZnO:S缓冲层4，厚度为12nm。
5）采用脉冲激光沉积法在步骤(4)制得的ZnO:S缓冲层4表面沉积一层铝掺杂氧化锌。具体参数为：纯度99.99%的ZnAlO(Al 含量2atom%)陶瓷靶，基本真空度9×10-4Pa，工作压强0.2Pa，工作气体为氧气，激光能量为300mJ/pulse，激光频率为5Hz，靶基距离50mm，溅射时间10min，得到ZnO:Al层5，其厚度为85nm。
6）采用电子束蒸发法在上述制得的ZnO:Al层5表面沉积1μm的铝电极，使用掩膜板使沉积电极形状为栅网状，其栅极间距为0.5mm，获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。
Claims (5)
1.一种氧化亚铜基异质结太阳能电池，其特征在于，在衬底(1)上自下而上依次有铬金复合电极 (2)、氧化亚铜层(3)、ZnO:S缓冲层(4)、ZnO:Al层(5)和铝栅电极(6)，所述的ZnO:S缓冲层(4)厚度为10nm，硫的原子百分比为9%，所述的ZnO:Al层(5)载流子浓度大于1021cm-3，方块电阻小于50Ω/□。
2.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池，其特征在于，所述的铬金复合电极(2)中铬层厚度为8nm, 金层厚度为100～120nm。
3.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池，其特征在于，所述的氧化亚铜层(3)的厚度为2.5μm±100nm。
4.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池，其特征在于，所述的铝栅电极(6)的厚度为1μm，其栅间距为0.5㎜。
5.制备如权利要求1-4任一项所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）在洁净的衬底(1)上依次蒸镀铬、金制备铬金复合电极(2)；
2）在上述铬金复合电极(2)表面采用电化学沉积法生长氧化亚铜层(3)，并在铬金复合电极(2)表面预留用于电池测试的面积；
3）在上述氧化亚铜层(3)表面依次沉积生长ZnO:S缓冲层(4)和 ZnO:Al层(5)；
4）在ZnO:Al层(5)表面制作铝栅电极(6)，获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107227476A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-03 | 浙江大学 | 一种核壳结构氧化亚铜纳米pn同质结材料及其制备方法 |
| CN107326383A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-11-07 | 浙江大学 | 一种氧化亚铜基异质结光阴极及其制备方法 |
| CN108796532A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-13 | 天津大学 | 氧化镍—氧化亚铜同质结光电阴极及其制备方法和在光催化中的应用 |
| CN109309136A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-02-05 | 浙江大学 | 一种超薄MgO层修饰Cu2O平面异质结太阳能电池 |
| JP2019057536A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101578709A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-11-11 | Stion太阳能电池有限公司 | 单结太阳能电池装置所采用的薄膜式金属氧化物半导体材料 |
| CN103189994A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-07-03 | 加利福尼亚技术学院 | 包括氧化亚铜半导体并具有改进的p-n异质结的微电子结构 |
| EP2631954A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-28 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Kupferoxid (Cu2O, Cu4O3 oder CuO)-Heteroübergänge, insbesondere für Solarzellen und Tandemzellen |
| JP2014183244A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Univ Of Shiga Prefecture | 銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法 |
-
2015
- 2015-06-02 CN CN201510295043.1A patent/CN104993004B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101578709A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-11-11 | Stion太阳能电池有限公司 | 单结太阳能电池装置所采用的薄膜式金属氧化物半导体材料 |
| CN103189994A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-07-03 | 加利福尼亚技术学院 | 包括氧化亚铜半导体并具有改进的p-n异质结的微电子结构 |
| EP2631954A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-28 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Kupferoxid (Cu2O, Cu4O3 oder CuO)-Heteroübergänge, insbesondere für Solarzellen und Tandemzellen |
| JP2014183244A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Univ Of Shiga Prefecture | 銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108796532A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-13 | 天津大学 | 氧化镍—氧化亚铜同质结光电阴极及其制备方法和在光催化中的应用 |
| CN107326383A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-11-07 | 浙江大学 | 一种氧化亚铜基异质结光阴极及其制备方法 |
| CN107326383B (zh) * | 2017-05-19 | 2019-06-07 | 浙江大学 | 一种氧化亚铜基异质结光阴极及其制备方法 |
| CN107227476A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-03 | 浙江大学 | 一种核壳结构氧化亚铜纳米pn同质结材料及其制备方法 |
| JP2019057536A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| CN109309136A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-02-05 | 浙江大学 | 一种超薄MgO层修饰Cu2O平面异质结太阳能电池 |
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