CN104981517A - 用于光学仪器的可固化的聚硅氧烷组合物、封装材料及光学器件 - Google Patents

用于光学仪器的可固化的聚硅氧烷组合物、封装材料及光学器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,该组合物包含至少一种类型的由以下化学式1表示的第一硅氧烷化合物、至少一种类型的在其末端上具有硅键合的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物、和至少一种类型的在其末端上具有硅键合的烯基(Si-Vi)的第三硅氧烷化合物;通过固化用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得的封装材料;以及包括封装材料的光学器件。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1-O)D2(L2-O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3-O-L4-O)D5(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D6(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2-Y3-SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1。在化学式1中,R1至R13、Y1至Y3、M1、D1至D7、T1至T3以及Q1如在说明书中所定义的。

Description

用于光学仪器的可固化的聚硅氧烷组合物、封装材料及光学器件
技术领域
公开了用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物、封装材料、以及光学器件。
背景技术
光学器件如发光二极管(LED)、有机发光二极管器件(OLED器件)、光致发光器件(PL器件)等已经广泛地应用于家用电气器件、汽车的内部/外部照明器件、显示器件、各种自动器件等。
这些光学器件可以包括密封包装如封装材料以保护光学元件。这种密封包装可以由包含透光树脂的组合物制备,使得可以外部传输从光学元件发射的光。
发明内容
[技术问题]
一个实施方式提供了用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其改善了与下部基板的粘附并同时有效地阻止气体和水分的流入,改善了可靠性。
另一种实施方式提供了通过固化用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得的封装材料。
又一种实施方式提供了包括封装材料的光学器件。
[技术方案]
根据一个实施方式,提供了用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,该组合物包含至少一种由化学式1表示的第一硅氧烷化合物、至少一种在末端具有键合至硅的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物,以及至少一种在末端具有键合至硅的烯基(Si-Vi)的第三硅氧烷化合物。
[化学式1]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1-O)D2(L2-O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3-O-L4-O)D5(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D6(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2-Y3-SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1
在化学式1中,
R1至R13各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
Y1至Y3各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、未取代的C1至C30杂亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、或它们的组合,
L1至L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤M1<1,0≤D1<1,0≤D2<1,0≤D3<1,0≤D4<1,0≤D5<1,0≤D6<1,0≤D7<1,0≤T1<1,0≤T2<1,0≤T3<1,和0≤Q1<1,
D2和D5不同时是0,以及
M1+D1+D2+D3+D4+D5+D6+D7+T1+T2+T3+Q1=1。
第一硅氧烷化合物可以由化学式2表示。
[化学式2]
在化学式2中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤a1,a2≤1000,0≤b1,b2≤10和0≤c1,c2≤100,
b1和b2不同时是0,以及
c1和c2不同时是0。
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一种可以包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C20芳基。
第一硅氧烷化合物可以由化学式3或化学式4表示。
[化学式3]
[化学式4]
在化学式3或4中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,以及
0≤a1,a2≤1000,0<b1,b2≤10和0<c1,c2≤100。
L1、L3和L4可以各自独立地是取代或未取代的C1至C5亚烷基。
L1可以是取代或未取代的亚乙基或者取代或未取代的亚丙基,以及L3和L4中的一种可以是取代或未取代的亚乙基以及另一种可以是取代或未取代的亚丙基。
第一硅氧烷化合物可以由化学式5至8表示。
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
在化学式5至8中,R1a、R3a、R1b、R3b、a1、a2、b1、b2、c1和c2与以上描述的相同。
第一硅氧烷化合物可以由化学式9表示。
[化学式9]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(CmH2mO)D2(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(SiO4/2)Q1
在化学式9中,
R1至R5和R10至R12各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
Y2各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、未取代的C1至C30杂亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、或它们的组合,
m是范围从1至5的整数,
0≤M1<1,0≤D1<1,0<D2<1,0<D7<1,0≤T1<1,0≤Q1<1,以及
M1+D1+D2+D7+T1+Q1=1。
化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一种可以包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。
化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C30芳基。
化学式9的m可以是2或3。
第二硅氧烷化合物可以由化学式10表示。
[化学式10]
(R14R15R16SiO1/2)M2(R17R18SiO2/2)D8(R19SiO2/2-Y4-SiO2/2R20)D9(R21SiO3/2)T4(SiO3/2-Y5-SiO3/2)T5(SiO4/2)Q2
在化学式10中,
R14至R21各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R14至R21中的至少一种包括氢,
Y4和Y5各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C3至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M2<1,0≤D8<1,0≤D9<1,0≤T4<1,0≤T5<1,0≤Q2<1,以及
M2+D8+D9+T4+T5+Q2=1。
第三硅氧烷化合物可以由化学式11表示。
[化学式11]
(R22R23R24SiO1/2)M3(R25R26SiO2/2)D10(R27SiO2/2-Y6-SiO2/2R28)D11(R29SiO3/2)T6(SiO3/2-Y7-SiO3/2)T7(SiO4/2)Q3
在化学式11中
R22至R29各自独立地是取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R22至R29中的至少一种包括取代或未取代的C2至C30烯基,
Y6和Y7独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C2至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M3<1,0≤D10<1,0≤D11<1,0≤T6<1,0≤T7<1,0≤Q3<1,以及
M3+D10+D11+T6+T7+Q3=1。
基于100重量份的第二硅氧烷化合物和第三硅氧烷化合物,可以以小于50重量份的量包含第二硅氧烷化合物,以及基于100重量份的第二硅氧烷化合物和第三硅氧烷化合物,可以以大于50重量份的量包含第三硅氧烷化合物。
基于组合物的总量,可以以约0.01至20wt%的量包含第一硅氧烷化合物。
根据另一种实施方式,提供了通过固化用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得的封装材料。
根据另一种实施方式,提供了包括封装材料的光学器件。
[有益效果]
可以改善与下部基板的粘附并同时可以有效地阻止气体和水分的流入以及颜色变化,从而可以改善封装材料的可靠性。
附图说明
图1是示出了根据一个实施方式的发光二极管的示意性截面图。
具体实施方式
下文将详细描述本发明的示例性实施方式,并且可以由具有相关领域的普通知识的技术人员容易实施。然而,本公开可以以许多不同的形式来实施并且并不解释为限于本文阐述的示例性实施方式。
在本说明书中,当未另外提供定义时,术语“取代的”是指用选自以下的至少一种取代基取代,代替化合物的氢,所述取代基选自:卤素原子(F、Br、Cl、或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨基甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳基烷基、C1至C30烷氧基、C1至C20杂烷基、C3至C20杂芳基烷基、C3至C30环烷基、C3至C15环烯基、C6至C15环炔基、C3至C30杂环烷基、以及它们的组合。
在本说明书中,当未另外提供定义时,前缀“杂”是指包括选自N、O、S、和P中的至少一个杂原子。
在本说明书中,光学器件可以包括光半导体器件如发光二极管(LED)和显示器件如液晶显示器(LCD)/有机发光器件(OLED)。
在下文中,描述了根据一个实施方式的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
根据一个实施方式的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物(下文,被称为‘组合物’)包含至少一种由化学式1表示的第一硅氧烷化合物、至少一种在末端具有键合至硅的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物、和至少一种在末端具有键合至硅的烯基(Si-Vi)的第三硅氧烷化合物。
[化学式1]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1-O)D2(L2-O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3-O-L4-O)D5(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D6(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2-Y3-SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1
在化学式1中,
R1至R13各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
Y1至Y3各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、未取代的C1至C30杂亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、或它们的组合,
L1至L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤M1<1,0≤D1<1,0≤D2<1,0≤D3<1,0≤D4<1,0≤D5<1,0≤D6<1,0≤D7<1,0≤T1<1,0≤T2<1,0≤T3<1和0≤Q1<1,
D2和D5不同时是0,以及
M1+D1+D2+D3+D4+D5+D6+D7+T1+T2+T3+Q1=1。
作为一种添加剂,包括第一硅氧烷化合物,因此,当涂覆组合物时,通过增加与下部基板的紧密接触性能,可以减少升高(lifting)或分层。
第一硅氧烷化合物可以增加表面张力和表面平整度以及在组合物的固化期间改善固化产物的表面涂覆效应。因此,通过固化组合物获得的封装材料可以有效地防止气体和水分从外部流入以及显示与下部基板的极好的紧密接触性能,因而有效地防止外部污染物如硫和水分的渗透并改善可靠性。此外,第一硅氧烷化合物可以降低组合物的粘度并改善加工性能。
此外,第一硅氧烷化合物具有硅氧烷结构,其增加对于具有键合至硅的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物和具有键合至硅的烯基(Si-Vi)的第三聚硅氧烷的结构亲和力,因而,可以防止组合物中添加剂的相分离。
第一硅氧烷化合物可以例如由化学式2表示。
[化学式2]
在化学式2中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤a1,a2≤1000,0≤b1,b2≤10和0≤c1,c2≤100,
b1和b2不同时是0,以及
c1和c2不同时是0。
在化学式2中,末端的R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一种可以包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。通过与将在后面描述的第二硅氧烷化合物或第三硅氧烷化合物的反应,末端处的氢或者取代或未取代的C2至C30烯基可以进行氢化硅烷化反应。
在化学式2中,R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C30芳基。取代或未取代的C6至C30芳基可以增加折射率。
在化学式1或2中,L1、L3和L4可以例如独立地是取代或未取代的C1至C5亚烷基。例如,L1可以是取代或未取代的亚乙基或者取代或未取代的亚丙基,并且L3和L4中的一种可以是取代或未取代的亚乙基以及另一种可以是取代或未取代的亚丙基。
第一硅氧烷化合物可以例如由化学式3或化学式4表示。
[化学式3]
[化学式4]
在化学式3或4中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b、R4至R7、L1、L3和L4与以上描述的相同,
0≤a1,a2≤1000,0<b1,b2≤10和0<c1,c2≤100。
在化学式3或4中,L1、L3和L4可以例如各自独立地是取代或未取代的C1至C5亚烷基。例如,L1可以是取代或未取代的亚乙基或者取代或未取代的亚丙基,并且L3和L4中的一种可以是取代或未取代的亚乙基以及另一种可以是取代或未取代的亚丙基。
第一硅氧烷化合物可以例如由化学式5至8表示。
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
在化学式5至8中,R1a、R3a、R1b、R3b、a1、a2、b1、b2、c1和c2与以上描述的相同。
例如,R1a、R3a、R1b和R3b可以各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基,a1、a2、b1、b2、c1和c2可以是0<a1,a2≤10,0<b1,b2≤10和0<c1,c2≤100。
第一硅氧烷化合物可以由化学式9表示。
[化学式9]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(CmH2mO)D2(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(SiO4/2)Q1
在化学式9中,
R1至R5、R10至R12和Y2与以上描述的相同,
m是范围从1至5的整数,
0≤M1<1,0≤D1<1,0<D2<1,0<D7<1,0≤T1<1,和0≤Q1<1。
化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一种可以包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。通过与将在后面描述的第二硅氧烷化合物或第三硅氧烷化合物的反应,末端处的氢或者取代或未取代的C2至C30烯基可以进行氢化硅烷化反应。
化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C30芳基。取代或未取代的C6至C30芳基可以增加折射率。
在化学式9中,m可以是2或3。当m是2时,第一硅氧烷化合物可以包括环氧乙烷被连接作为链的部分,以及当m是3时,第一硅氧烷化合物可以包括环氧丙烷被连接作为链的部分。
例如,可以通过硅烷单体的水解和/或缩聚来获得第一硅氧烷化合物。
例如,通过例如由R1R2R3SiA1表示的单体、由R4R5SiA2A3表示的单体、由L1-O表示的单体、由L2-O表示的单体、由R6R7SiA4A5表示的单体、由L3-O-L4-O表示的单体、由A6A7R8Si-Y1-SiR9A8A9表示的单体、由R12SiA10A11A12表示的单体、由R13SiA13A14A15表示的单体、由A16A17A18Si-Y3-SiA19A20A21表示的单体和/或由SiA22A23A24A25表示的单体的水解和缩聚,可以获得由化学式1表示的第一硅氧烷化合物。在此,R1至R13、Y1和Y3与以上描述的相同,以及A1至A25各自独立地是C1至C6烷氧基、羟基、卤素、羧基、或它们的组合。
可以以一种或者两种或更多种的混合物来使用第一硅氧烷化合物。
基于组合物的总重量,可以以约0.01至20wt%的量包含第一硅氧烷化合物。当第一硅氧烷化合物包含在该范围内时,组合物可以对封装材料的物理特性如折射率、硬度、透射率、耐热性没有影响,但会改善粘附以及有效地阻止气体和水分。优选地,可以以上述范围内的约0.1至10wt%,上述范围内的约0.1至5wt%,或上述范围内的约0.1至1wt%的量包含第一硅氧烷化合物。
第二硅氧烷化合物可以例如由化学式10表示。
[化学式10]
(R14R15R16SiO1/2)M2(R17R18SiO2/2)D8(R19SiO2/2-Y4-SiO2/2R20)D9(R21SiO3/2)T4(SiO3/2-Y5-SiO3/2)T5(SiO4/2)Q2
在化学式10中,
R14至R21各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R14至R21中的至少一种包括氢,
Y4和Y5各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C3至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M2<1,0≤D8<1,0≤D9<1,0≤T4<1,0≤T5<1,0≤Q2<1,以及
M2+D8+D9+T4+T5+Q2=1。
第二硅氧烷化合物是在末端具有键合至硅的氢(Si-H),并且例如平均每分子至少两个键合至硅的氢(Si-H)的化合物。键合至硅的氢(Si-H)可以与后面描述的第三硅氧烷化合物的末端处的烯基反应。此外,当第一硅氧烷化合物在末端处包括烯基时,键合至硅的氢(Si-H)可以与第一硅氧烷化合物的末端处的烯基反应。
化学式10的R14至R21中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C30芳基。因此,通过增加折射率,可以确保光学性能。
例如,可以通过由R14R15R16SiA26表示的单体与选自以下中的至少一种的水解和缩聚来获得第二硅氧烷化合物:由R17R18SiA27A28表示的单体、由A29A30A31R19Si-Y4-SiR20A32A33A34表示的单体、由R21SiA35A36A37表示的单体、由A38A39A40Si-Y5-SiA41A42A43表示的单体和/或由SiA44A45A46A47表示的单体。在此,R14至R21与以上描述的相同,以及A26至A47独立地是C1至C6烷氧基、羟基、卤素、羧基、或它们的组合。
可以以一种或者两种或更多种的混合物来使用第二硅氧烷化合物。
第三硅氧烷化合物可以由例如化学式11表示。
[化学式11]
(R22R23R24SiO1/2)M3(R25R26SiO2/2)D10(R27SiO2/2-Y6-SiO2/2R28)D11(R29SiO3/2)T6(SiO3/2-Y7-SiO3/2)T7(SiO4/2)Q3
在化学式11中,
R22至R29各自独立地是取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R22至R29中的至少一种包括取代或未取代的C2至C30烯基,
Y6和Y7独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C2至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M3<1,0≤D10<1,0≤D11<1,0≤T6<1,0≤T7<1,0≤Q3<1,以及
M3+D10+D11+T6+T7+Q3=1。
第三硅氧烷化合物在末端处具有键合至硅的烯基(Si-Vi),并且平均每分子可以具有例如至少两个硅键合的烯基(Si-Vi)。键合至硅的烯基(Si-Vi)可以与第二硅氧烷化合物的末端处的氢反应。此外,当第一硅氧烷化合物在末端处包括氢时,它可以与第一硅氧烷化合物的末端处的氢反应。
化学式11的R22至R29中的至少一种可以包括取代或未取代的C6至C30芳基。因此,通过增加折射率,可以确保光学性能。
例如,可以通过由R22R23R24SiA48表示的单体与选自以下中的至少一种的水解和缩聚来获得第三硅氧烷化合物:由R25R26SiA49A50表示的单体、由A51A52A53R27Si-Y6-SiR28A54A55A56表示的单体、由R29SiA57A58A59表示的单体、由A60A61A62Si-Y7-SiA63A64A65表示的单体、和由SiA60A61A62A63表示的单体。在此,R22至R29与以上定义的相同,以及A48至A63各自独立地是C1至C6烷氧基、羟基、卤素、羧基、或它们的组合。
可以以一种或者两种或更多种的混合物来使用第三硅氧烷化合物。
第二和第三硅氧烷化合物可以各自分别具有范围从约100至1,000,000g/mol,约100至100,000g/mol(在上述范围内),或约100至30,000g/mol(在上述范围内)的重均分子量。
基于总量,100重量份的第二硅氧烷化合物和第三硅氧烷化合物,可以以小于约50重量份,例如约1至35重量份的量包含第二硅氧烷化合物。
基于总量,100重量份的第二硅氧烷化合物和第三硅氧烷化合物,可以以大于约50重量份,例如约65至99重量份的量包含第三硅氧烷化合物。
组合物可以进一步包括填料。
填料可以由无机氧化物例如氧化锆、二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锌或它们的组合制成。
组合物可以进一步包括氢化硅烷化催化剂。硅氢化催化剂可以加速第二硅氧烷化合物和第三硅氧烷化合物的氢化硅烷化反应,并且它可以包括例如铂、铑、钯、钌、铱、或它们的组合。基于组合物的总量,可以以约0.1ppm至约1000ppm的量包含氢化硅烷化催化剂。
组合物可以通过在预定温度下的热处理来固化,因而可以用作封装材料。可以将封装材料施加至光学元件例如发光二极管和有机发光器件。
在下文中,作为对其施加封装材料的光学元件的实例,参照图1描述了根据一个实施方式的发光二极管。
图1是根据一个实施方式的发光二极管的示意性截面图。
参照图1,发光二极管包括模具(110);放置在模具(110)内部的引线框架(120);安装在引线框架(120)上的发光二极管芯片(140);将引线框架(120)连接至发光二极管芯片(140)的接合线(150);以及覆盖发光二极管芯片(140)的封装材料(200)。
通过固化组合物来获得封装材料(200)。封装材料(200)由组合物形成并且可以粘附至模具(110)、引线框架(120)、和发光二极管芯片(140),因而减少升高或分层。
可以将磷光体(190)分散在封装材料(200)中。磷光体(190)包括在固有波长范围内受光刺激以及发射光的材料并且大量是量子点如半导体纳米晶体。磷光体(190)可以包括例如蓝色磷光体、绿色磷光体、红色磷光体、或它们的两种以上的混合物。
通过由发光二极管芯片(140)提供作为光发射部件的光,磷光体(190)可以在预定波长区域中显示图像,并且在此,与磷光体(190)中显示的颜色相比,发光二极管芯片(140)可以在更短的波长区域中显示颜色。例如,当磷光体(190)显示红色时,发光二极管芯片(140)可以在比红色的波长区域更短的波长区域中提供蓝色或绿色。
此外,可以结合来自发光二极管芯片(140)的颜色和来自磷光体(190)的颜色并显示白色。例如,当发光二极管芯片(140)提供蓝光以及磷光体(190)包括红色磷光体和绿色磷光体时,电子器件可以结合蓝色、红色、和绿色,因而显示白色。
可以省略磷光体(190)。
在下文中,参照实施例,更详细地说明了本公开。然而,这些实施例是示例性的,并且本公开并不限于此。
第一硅氧烷化合物的合成
合成实施例1
在氮气氛下,将122.86g(0.49mol)的二氯二苯基硅烷和238.83g的二氯甲烷放入1L 3颈烧瓶。随后,经一小时,以逐滴方式,向其添加51.49g(0.49mol)的二乙二醇和86.32g的二氯甲烷的混合溶液(从其除去水分),同时将温度保持在50℃下。当添加完成时,搅拌得到的混合物6小时以进行聚合反应,向其中另外添加2.96g(0.02mol)氯二甲基乙烯基硅烷,并加热和搅拌得到的混合物2小时。随后,向其中添加200g蒸馏水和8.4g碳酸氢钠以进行10次洗涤。然后,在40℃和减压下,除去二氯甲烷,获得由化学式5a表示的化合物。
[化学式5a]
通过凝胶渗透色谱法来测量得到的化合物的分子量,并且它的换算成聚苯乙烯的分子量是3500g/mol。
合成实施例2
在氮气氛下,将213.17g的二氯甲烷和113.18g(0.49mol)的二氯二苯基硅烷放入1L 3颈烧瓶。随后,经一小时,以逐滴方式,向其中添加86.82g(0.45mol)的四乙二醇和86.82g的二氯甲烷的混合溶液(从其除去水分),同时将温度保持在50℃下。当添加完成时,搅拌混合物6小时以进行聚合反应,向其中另外添加2.71g(0.02mol)氯二甲基乙烯基硅烷,并加热和搅拌得到的混合物2小时。随后,向其中添加200g蒸馏水和7.56g碳酸氢钠以进行10次洗涤。然后,在40℃和减压下除去二氯甲烷,获得由化学式5b表示的化合物。
[化学式5b]
通过利用凝胶渗透色谱法来测量化合物的分子量,并且它的换算成聚苯乙烯的分子量是4500g/mol。
合成实施例3
在氮气氛下,将230.20g的二氯甲烷和119.60g(0.47mol)的二氯二苯基硅烷放入1L 3颈烧瓶。随后,经一小时,以逐滴方式,向其中添加56.47g(0.47mol)的3-(2-羟基乙氧基)丙-1-醇和86.82g的二氯甲烷的混合溶液(从其除去水分),同时将温度保持在50℃下。当添加完成时,搅拌得到的混合物6小时以进行聚合反应,向其中另外添加2.71g(0.02mol)氯二甲基乙烯基硅烷,并加热和搅拌混合物2小时。随后,向其中添加200g蒸馏水和7.90g碳酸氢钠以进行10次洗涤。然后,在40℃和减压下除去二氯甲烷,获得由化学式7a表示的化合物。
[化学式7a]
通过凝胶渗透色谱法来测量化合物的分子量,并且它的折算成聚苯乙烯的分子量是4800g/mol。
合成实施例4
将1kg甲苯放入3颈烧瓶,并且向其中添加1kg的包括摩尔比为60:40的乙烯基封端的聚二苯基硅氧烷和氢封端的聚环氧乙烷的混合物以及100ppm的Pt作为催化剂,同时将烧瓶保持在23℃下。当添加完成时,在50℃下加热混合物1小时以进行氢化硅烷化反应。随后,将产物冷却至室温。随后,用水洗涤得到的聚合物溶液以除去未反应物。随后,在减压下蒸馏聚合物溶液以除去甲苯,获得由化学式12表示的化合物。
[化学式12]
(ViPh2SiO1/2)0.02(Ph2SiO2/2)0.44(Ph2SiCH2CH2)0.21(CH2CH2O)0.33
(Ph:苯基,Vi:乙烯基)
合成实施例5
根据与合成实施例4相同的方法来合成由化学式13表示的化合物,不同之处在于,使用氢封端的聚环氧丙烷来代替氢封端的聚环氧乙烷。
[化学式13]
(ViPh2SiO1/2)0.02(Ph2SiO2/2)0.38(Ph2SiCHCH2)0.23(CHCH3CH2O)0.37
第二硅氧烷化合物的合成
合成实施例6
在氮气氛下,将125.41g甲苯、6.47g(0.03mol)对甲苯磺酸、61.24g(3.40mol)蒸馏水和182.82g(1.36mol)四甲基二硅氧烷放入1L 3颈烧瓶。随后,经一小时,以逐滴方式,向其中添加124.05g(0.68mol)甲基苯基二甲氧基硅烷,同时将烧瓶保持在25℃下。当添加完成时,搅拌混合物4小时以进行反应,并向其中添加200g蒸馏水和2.10g碳酸氢钠以进行10次洗涤。随后,在90℃和减压下除去甲苯和挥发性物质,获得由化学式10a表示的化合物。
[化学式10a]
(Me2HSiO1/2)0.1(PhMeSiO2/2)0.9
(Me:甲基以及Ph:苯基)
合成实施例7
将通过以5:5的重量比混合水和甲苯所获得的1kg混合溶剂放入3颈烧瓶,同时将烧瓶保持在23℃下,并且,经2小时,以逐滴方式,向其中添加摩尔比为25:75的四甲基二硅氧烷和二苯基二氯硅烷的混合物,作为单体。当添加完成时,将混合物在23℃下回流3小时以进行反应。随后,从其除去水层,制备溶解在甲苯中的所得物质溶液。用水洗涤获得的所得物质溶液以除去作为反应副产物的氯。随后,在减压下蒸馏中性聚合物溶液以从其除去甲苯,获得由化学式10b表示的聚硅氧烷。
[化学式10b]
(Me2HSiO1/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.75
第三硅氧烷化合物的合成
合成实施例8
在氮气氛下,将219.29g(1.11mol)甲苯、5.04g(0.06mol)氢氧化四甲基铵和31.85g(1.77mol)蒸馏水放入1L 3颈烧瓶。随后,经2小时,以逐滴方式,向其中添加219.29g(1.11mol)苯基三甲氧基硅烷,同时将烧瓶保持在25℃下。当添加完成时,搅拌混合物一小时。随后,通过在75℃并借助于迪安-斯达克(Dean-Stark)装置来除去作为副产物的甲醇以进行反应10小时,将其内部温度降低至110℃以从其除去水,然后,向其中添加40.03g(0.33mol)氯二甲基乙烯基硅烷。
随后,向其中添加200g蒸馏水以进行10次洗涤。随后,在120℃和减压下除去甲苯和挥发性物质,获得由化学式11a表示的化合物。
[化学式11a]
(Me2ViSiO1/2)0.1(PhSiO3/2)0.9
(Me:甲基,Vi:乙烯基,以及Ph:苯基)
合成实施例9
在氮气氛下,将266.90g(1.46mol)的二甲氧基甲基苯基硅烷、4.11g(0.07mol)的KOH和28.99g(1.61mol)蒸馏水放入1L 3颈烧瓶。在75℃下进行反应2小时,然后借助于迪安-斯达克装置来除去甲醇以后,通过向其中添加200g甲苯和200g蒸馏水来洗涤产物10次,然后,通过将其内部温度降低至110℃来从其除去水。随后,向其中添加8.83g(0.073mol)氯二甲基乙烯基硅烷以在50℃下进行反应2小时,并且用200g蒸馏水洗涤获得的产物10次。随后,在90℃和减压下除去甲苯和挥发性物质,获得由化学式11b表示的化合物。
[化学式11b]
(Me2ViSiO1/2)0.1(PhMeSiO2/2)0.9
(Me:甲基,Vi:乙烯基,以及Ph:苯基)
合成实施例10
将通过以5:5的重量比混合水和甲苯所获得的1kg混合溶剂放入3颈烧瓶,并且,经2小时,以逐滴方式,向其中添加以15:25:60的摩尔比的乙烯基二甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷和苯基三氯硅烷的混合物作为单体,同时将烧瓶保持在23℃下。当添加完成时,在90℃下加热并回流混合物3小时以进行缩聚反应。随后,冷却产物至室温,并从其除去水层,制备其中聚合物溶解于甲苯中的聚合物溶液。
用水洗涤得到的聚合物溶液以除去氯的反应副产物。随后,在减压下蒸馏中性聚合物溶液以除去甲苯,获得由化学式11c表示的聚硅氧烷。
[化学式11c]
(Me2ViSiO1/2)0.15(PhMeSiO2/2)0.25(PhSiO3/2)0.6
组合物的制备
实施例1
混合3wt%的根据合成实施例1的第一硅氧烷化合物、25wt%的根据合成实施例6的第二硅氧烷化合物、50wt%的根据合成实施例8的第三硅氧烷化合物、22wt%的根据合成实施例9的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达3ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例2
混合3wt%的根据合成实施例2的第一硅氧烷化合物、25wt%的根据合成实施例6的第二硅氧烷化合物、50wt%的根据合成实施例8的第三硅氧烷化合物、22wt%的根据合成实施例9的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达3ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例3
混合3wt%的根据合成实施例3的第一硅氧烷化合物、25wt%的根据合成实施例6的第二硅氧烷化合物、50wt%的根据合成实施例8的第三硅氧烷化合物、22wt%的根据合成实施例9的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达3ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
比较例1
混合25wt%的根据合成实施例6的第二硅氧烷化合物、50wt%的根据合成实施例8的第三硅氧烷化合物、25wt%的根据合成实施例9的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达3ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例4
混合0.1wt%的根据合成实施例4的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.9wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例5
混合0.3wt%的根据合成实施例4的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.7wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例6
混合0.5wt%的根据合成实施例4的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.5wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例7
混合1.0wt%的根据合成实施例4的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.0wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例8
混合0.1wt%的根据合成实施例5的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.9wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例9
混合0.3wt%的根据合成实施例5的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.7wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例10
混合0.5wt%的根据合成实施例5的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.5wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
实施例11
混合1.0wt%的根据合成实施例5的第一硅氧烷化合物、20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、79.0wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
比较例2
混合20wt%的根据合成实施例7的第二硅氧烷化合物、80.0wt%的根据合成实施例10的第三硅氧烷化合物、和氢化硅烷化催化剂,Pt-CS 2.0(Umicore)(总数达5ppm的Pt含量),并且在真空下除去泡沫,以制备用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物。
评估
评估了根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物的粘度、折射率、透光率、硬度、粘附、耐硫性、透湿性、和透氧性。
在25℃下并在90%的转矩下,通过使用Brookfield(DV-II+pro)锭子号52来测量粘度。
在D线(589nm)的波长下,通过使用Abbe折射率计来测量根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物的折射率。
通过使用根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物来制备厚度各自为4mm的固化样品,并且在150℃下热固化2小时,然后利用UV分光光度计(Shimazu Corporation UV-3600)来测量透光率。
通过在涂覆有TEFLON(四氟乙烯)的模具(2.5cm(宽度)x7.5cm(长度)x1cm(厚度))中分别注射根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,在150℃下相继固化组合物2小时,并将它们冷却至室温,并且利用肖氏A硬度计来测量硬度。
如下评估粘附。
将聚四氟乙烯间隔物(宽度:10mm,长度:20mm,厚度:1mm)插入在两个银样品(宽度:25mm,长度:50mm,厚度:1mm)之间,在银样品之间的剩余空间中填充根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的每种可固化的聚硅氧烷组合物,并用夹具固定银样品。随后,使得银样品在150℃的烘箱中保持2小时以固化组合物。然后,将银样品冷却至室温,在除去夹具和间隔物以后,放入拉伸试验机(3367,Instron Co.),并向相反的水平方向拉以测量当样品被破坏的那一刻的应力。
如下测量耐硫性。
将根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物和磷光体放入LED PKG(Samsung Electronics 5630PKG),在150℃下固化2小时,并且冷却至室温,以制备包装样品。随后,通过利用积分球(Instrument Systems,CAS 140CT)来测量包装样品的初始亮度。然后,在250ml玻璃瓶中制备包括0.7g的K2S和50g的H2O的硫混合物。随后,将玻璃瓶和包装样品分别设置在50℃水双沸腾容器的顶部和底部并使得保持8小时,然后从其取出包装样品以测量亮度,比较上述亮度与它的初始亮度,从而评估它的耐硫性。
如下测量运动可靠性(motion reliability)。
将根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物放入LED PKG(Samsung Electronics 5630PKG),在80℃下热处理1小时,然后在120℃下热处理1小时并在160℃下热处理1小时,接着冷却至室温,以制备包装样品。随后,通过利用积分球(InstrumentSystems,CAS 140CT)来测量包装样品的初始亮度。然后,通过焊接(表面安装技术),将包装样品连接至PCB(图案化电路板)。然后,将连接至包装样品的PCB放入在85℃/85RH%的条件下的恒温恒湿室,然后检查发光二极管的操作状态,同时电流流入其中。在1000小时以后,通过利用积分球来重新测量包装样品的亮度,并计算亮度相对于初始亮度的下降率。
通过制备根据实施例1至11以及比较例1和2的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物的厚度为10mm的每种固化产物,在150℃下将其固化5分钟,然后利用由MOCON Inc.制造的透湿性测量设备(ASTMF-1249,ASTM D-3985)来测量透湿性和透氧率。
结果提供于表1至3。
[表1]
[表2]
[表3]
参照表1,与根据比较例1的组合物相比,根据实施例1至4的组合物示出类似改善的折射率、透光率和硬度,但显著改善的粘附、耐硫性、透湿性和透氧性。
同样,参照表2和3,与比较例2相比,根据实施例5至11的组合物示出类似改善的折射率、透光率和硬度,但明显改善的粘附、耐硫性、透湿性、和透氧性。
尽管已经连同目前认为是实用的示例性实施方式一起描述了本发明,但是应该理解的是,本发明并不限于所公开的实施方式,而是,相反,旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等价安排。
[符号说明]
110:模具              120:框架
140:发光二极管芯片    150:接合线
200:封装材料。

Claims (18)

1.一种用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,包含
至少一种由化学式1表示的第一硅氧烷化合物,
至少一种在末端具有键合至硅的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物,以及
至少一种在末端具有键合至硅的烯基(Si-Vi)的第三硅氧烷化合物;
[化学式1]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1-O)D2(L2-O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3-O-L4-O)D5(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D6(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2-Y3-SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1
其中,R1至R13各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
Y1至Y3各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、未取代的C1至C30杂亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、或它们的组合,
L1至L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤M1<1,0≤D1<1,0≤D2<1,0≤D3<1,0≤D4<1,0≤D5<1,0≤D6<1,0≤D7<1,0≤T1<1,0≤T2<1,0≤T3<1和0≤Q1<1,
D2和D5不同时是0,以及
M1+D1+D2+D3+D4+D5+D6+D7+T1+T2+T3+Q1=1。
2.根据权利要求1所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第一硅氧烷化合物由化学式2表示:
[化学式2]
其中,在化学式2中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,
0≤a1,a2≤1000,0≤b1,b2≤10和0≤c1,c2≤100,
b1和b2不同时是0,以及
c1和c2不同时是0。
3.根据权利要求2所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一个包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7中的至少一个包含取代或未取代的C6至C30芳基。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第一硅氧烷化合物由化学式3或化学式4表示:
[化学式3]
[化学式4]
其中,在化学式3或4中,
R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b和R4至R7各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、取代或未取代的C2至C30亚烯基、取代或未取代的C2至C30亚炔基、或它们的组合,以及
0≤a1,a2≤1000,0<b1,b2≤10和0<c1,c2≤100。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,L1、L3和L4各自独立地是取代或未取代的C1至C5亚烷基。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,L1是取代或未取代的亚乙基或者取代或未取代的亚丙基,以及
L3和L4中的一个是取代或未取代的亚乙基以及另一个是取代或未取代的亚丙基。
8.根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第一硅氧烷化合物由化学式5至8表示:
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
其中,在化学式5至8中,
R1a、R3a、R1b和R3b各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,以及
0≤a1,a2≤1000,0<b1,b2≤10和0<c1,c2≤100。
9.根据权利要求1所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第一硅氧烷化合物由化学式9表示:
[化学式9]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(CmH2mO)D2(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(SiO4/2)Q1
其中,在化学式9中,
R1至R5和R10至R12各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
Y2各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C3至C30亚环烷基、未取代的C1至C30杂亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基、取代或未取代的C3至C30杂亚芳基、或它们的组合,
m是范围从1至5的整数,
0≤M1<1,0≤D1<1,0<D2<1,0<D7<1,0≤T1<1,0≤Q1<1,以及
M1+D1+D2+D7+T1+Q1=1。
10.根据权利要求1或权利要求9所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一个包括氢或者取代或未取代的C2至C30烯基。
11.根据权利要求1、权利要求9或权利要求10所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,化学式9的R1至R5和R10至R12中的至少一个包含取代或未取代的C6至C30芳基。
12.根据权利要求1和权利要求9至权利要求11中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述m是2或3。
13.根据权利要求1至权利要求12中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第二硅氧烷化合物由化学式10表示:
[化学式10]
(R14R15R16SiO1/2)M2(R17R18SiO2/2)D8(R19SiO2/2-Y4-SiO2/2R20)D9(R21SiO3/2)T4(SiO3/2-Y5-SiO3/2)T5(SiO4/2)Q2
其中,在化学式10中,
R14至R21各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R14至R21中的至少一个包括氢,
Y4和Y5各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C3至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M2<1,0≤D8<1,0≤D9<1,0≤T4<1,0≤T5<1,0≤Q2<1,以及
M2+D8+D9+T4+T5+Q2=1。
14.根据权利要求1至权利要求13中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,所述第三硅氧烷化合物由化学式11表示:
[化学式11]
(R22R23R24SiO1/2)M3(R25R26SiO2/2)D10(R27SiO2/2-Y6-SiO2/2R28)D11(R29SiO3/2)T6(SiO3/2-Y7-SiO3/2)T7(SiO4/2)Q3
其中,在化学式11中
R22至R29各自独立地是取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳基烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羟基、卤素原子、或它们的组合,
R22至R29中的至少一个包含取代或未取代的C2至C30烯基,
Y6和Y7独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基、取代或未取代的C3至C20亚环烷基、取代或未取代的C6至C20亚芳基、取代或未取代的C2至C20杂亚芳基、取代或未取代的C2至C20亚烯基、取代或未取代的C2至C20亚炔基、或它们的组合,
0<M3<1,0≤D10<1,0≤D11<1,0≤T6<1,0≤T7<1,0≤Q3<1,以及
M3+D10+D11+T6+T7+Q3=1。
15.根据权利要求1至权利要求14中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,基于100重量份的所述第二硅氧烷化合物和所述第三硅氧烷化合物,以小于50重量份的量包含所述第二硅氧烷化合物,以及
基于100重量份的所述第二硅氧烷化合物和所述第三硅氧烷化合物,以大于50重量份的量包含所述第三硅氧烷化合物。
16.根据权利要求1至权利要求15中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物,其中,基于所述组合物的总量,以0.01至20wt%的量包含所述第一硅氧烷化合物。
17.一种封装材料,通过固化根据权利要求1至权利要求16中任一项所述的用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得。
18.一种光学器件,包括根据权利要求17所述的封装材料。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101739824B1 (ko) * 2014-06-30 2017-05-25 제일모직 주식회사 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기
KR101767085B1 (ko) 2014-09-30 2017-08-10 삼성에스디아이 주식회사 경화형 오르가노 폴리실록산 조성물, 봉지재, 및 전자 소자
CN109716544B (zh) * 2016-09-30 2021-11-09 日产化学株式会社 Led用密封材料组合物
TW201910434A (zh) * 2017-07-31 2019-03-16 日商道康寧東麗股份有限公司 固化性矽組成物以及光半導體裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040152858A1 (en) * 2002-12-02 2004-08-05 Hiroshi Kamohara Hydrophilic polyorganosiloxane composition
KR101080156B1 (ko) * 2011-07-27 2011-11-07 (주)에버텍엔터프라이즈 반도체 장치용 폴리유기실리콘 조성물
KR20110125182A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 제일모직주식회사 투광성 수지 조성물, 상기 투광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
JP2012188628A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Nippon Shokubai Co Ltd 硬化性樹脂用添加剤組成物およびこれを用いた硬化性樹脂組成物
CN102757650A (zh) * 2011-04-21 2012-10-31 Jsr株式会社 固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷
CN102757649A (zh) * 2011-04-28 2012-10-31 信越化学工业株式会社 加成固化型有机硅组合物以及使用它的光半导体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227701A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Dow Corning Corp 光伝送部材用硬化性オルガノポリシロキサン組成物、オルガノポリシロキサン硬化物からなる可撓性光伝送部材、および可撓性光伝送部材の製造方法
JP5238157B2 (ja) 2006-12-25 2013-07-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
WO2011090364A2 (ko) 2010-01-25 2011-07-28 (주)Lg화학 경화성 조성물
KR101466273B1 (ko) 2010-12-31 2014-11-28 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지, 상기 투광성 수지를 포함하는 봉지재 및 전자 소자
KR101547381B1 (ko) 2011-01-06 2015-08-26 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP2012197328A (ja) 2011-03-18 2012-10-18 Sekisui Chem Co Ltd オルガノポリシロキサンの製造方法、光半導体装置用組成物及び光半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040152858A1 (en) * 2002-12-02 2004-08-05 Hiroshi Kamohara Hydrophilic polyorganosiloxane composition
KR20110125182A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 제일모직주식회사 투광성 수지 조성물, 상기 투광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
JP2012188628A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Nippon Shokubai Co Ltd 硬化性樹脂用添加剤組成物およびこれを用いた硬化性樹脂組成物
CN102757650A (zh) * 2011-04-21 2012-10-31 Jsr株式会社 固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷
CN102757649A (zh) * 2011-04-28 2012-10-31 信越化学工业株式会社 加成固化型有机硅组合物以及使用它的光半导体装置
KR101080156B1 (ko) * 2011-07-27 2011-11-07 (주)에버텍엔터프라이즈 반도체 장치용 폴리유기실리콘 조성물

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