CN104979679B - 芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种芯片卡衬底，其包括多个层。该多个层包括具有第一聚合物材料的第一聚合物层，被设置在该第一聚合物层上并且包含与该第一聚合物不同的第二聚合物的第二聚合物层。该多个层还包括设置在该第二聚合层上并且包含该第一聚合物材料的第三聚合物层。该第二聚合物层包括在该第二聚合物层边缘处的多个切口，从而该第一聚合物层的第一聚合物材料和该第三聚合物层的第一聚合物材料形成通过该多个切口形成耦接。

Description

芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法
技术领域
关于芯片卡衬底和形成芯片卡衬底的方法的不同的实施例。
背景技术
通常，集成电路或芯片可以被包含在芯片卡衬底中或被包含在芯片卡衬底上，芯片卡衬底通常由塑性材料制成，从而形成所谓的智能卡(在下面，也称为芯片卡或集成电路卡)。可以有各种不同的应用，包括例如个人认证或银行应用。芯片卡通常包括用于将芯片卡连接至外部设备(例如，读卡器)的接触垫结构。在不同类型的智能卡中，由无需接触的智能卡，从而该卡的数据交换和卡的电源供应可以使用感应技术(例如，射频)来实现。已知的双介面卡可以包括触点结构和无接触接口。该芯片卡或芯片卡的结构通常分别包括多个层。芯片卡或芯片卡结构的技术要求通常包括将多个层连接的粘性力，其足够大以防止脱层，即使该芯片卡承受了外力、化学物质、温度的变化等。
发明内容
提出了一种芯片卡结构，其包括多个层。该多个层包括包含第一聚合物材料的第一聚合物层、布置在所述该第一聚合物层之上的第二聚合物层，以及不同于第一聚合物材料的第二聚合物材料。该多个层还包括布置在第二聚合物层之上且包含第一聚合物的第三聚合物层。该第二聚合物层包括在第二聚合物层的边缘处的多个切口，从而第一聚合物层的第一聚合物材料和第三聚合物层的第一聚合物材料通过多个切口形成耦接。
附图说明
附图中，不同示图中的相同的参考标记通常指向相同的部件。这些附图不是必须成比例、重点是描述本发明的构思。在下面的描述中，结合下面附图，描述了本发明不同的实施例，其中：
图1A和1B示出了依据不同实施例的芯片卡衬底的截面图；
图2A和2B示出了依据不同实施例的芯片卡衬底的顶部图，并且图2C和2D示出了依据不同实施例的图2B中芯片卡衬底沿线B-B’的截面图；
图3A、3B、3C和3D均示出了依照不同实施例的天线载体的顶部视图；
图4示出了依照不同实施例的天线载体中的一片的顶部视图；
图5A示出了依照不同实施例的芯片卡的顶部视图，图5B示出了图5A中的芯片卡沿线C-C’的截面图；
图6示出了形成芯片卡衬底的方法的处理流程。
具体实施方式
下面的详细描述参考附图，附图通过示出显示了特定的细节和本发明可以实施的实施例。
词语“示例性(exemplary)”用在这里指“作为了一个示例、例子或描述”。这里描述为“示例性”的任何实施例或设计均不是必须被解释为相比其他实施例或设计是优选的或较佳的。
关于形成在侧面或表面“之上(over)”的沉积材料中的词语“之上”可以用在这里以意指该沉积材料可以“直接地在所指的侧面或面上形成(例如，直接接触)”。关于形成在侧面或表面“之上(over)”的沉积材料中的词语“之上”可以用在这里以意指该沉积材料可以和一个或多个额外的层“间接地在所指的侧面或面上形成”，该一个或多个额外的层被布置在该所指的侧面或表明和该沉积材料之间。
这里所描述的层的尺寸可以通过它们在三个正交的方向上的尺寸被解释，该层在一个方向上的尺寸比其他两个尺寸明显地小，该方向上的尺寸指该层的厚度或高度。另外两个方向的尺寸在该层的平面中延伸并且相互正交，并与厚度也正交。该两个方向的尺寸中、与该层的长边平行延伸的一个尺寸可以是该层的长度。与该层的短边平行延伸的、其他方向的尺寸可以是该层的宽度。
术语层、芯片卡衬底或芯片卡的表面、主表面、侧面或主侧面，如果没有不同地指定，可以指沿长和宽方向延伸的该层、芯片卡衬底或芯片卡的侧面或表面。换句话说，这些术语指的是该层(换言之衬底，例如卡)的侧面(换言之表面)，该层比连接两个侧面(换言之表面)的边缘覆盖更大的区域。
芯片卡衬底和/或芯片卡可以包括聚合物材料，或由聚合物材料组成。该芯片卡衬底和/或芯片卡可以形成包括多个层的层堆叠，并且每个层可以包括聚合物材料。在不同的实施例中，该芯片卡衬底和/或芯片卡可以包括包含相同聚合物材料或本质上是由相同聚合物材料构成的层。以这种方式，在可以例如包括对层进行加热和/或加压的层压过程中，该些层可以变软并且或多或少无缝地相接以形成单片集成结构。换句话说，如果这些层本质上是由相同的材料，那包括多层的单片集成结构可以在层压过程期间形成。单片集成结构可以形成该些层之间的稳固的、耐用的连接。
双介面卡可以包括天线。该天线可以在天线载体上或之上提供。该天线可以通过在衬底上形成金属层并蚀刻该金属层来形成。在这种情况下，天线载体可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)，或基本上由PET组成。该你芯片卡衬底的另外的层可以包括不同的聚合物，或基本上由不同的聚合物构成，例如聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)或聚碳酸酯(polycarbonate，PCB)。材料上的不同可以防止形成单体结构，并且还可以防止PET和PVC(和/或PCB)连接在一起。
粘合剂可以被设置在PET层和PVC层之间或在PET层和PCB层之间。然而，仅很少的粘合剂是合适用于粘合PET，并且甚至更少的是适合用于将PET粘合至PVC和/或PCB。粘合剂在PET和PVC和/或PCB上分别的粘合力可能弱到该层堆叠会脱层。如果芯片卡衬底曾被测试其耐用性，其可能会失败。进一步，额外的一层胶和其形成的成本可能增加全部的制造成本。
在不同的实施例中，具有改良的脱层/分解的恢复力和低制造成本的芯片卡衬底可以被提供。
在不同的实施例中，与芯片卡衬底的顶层和底层相比，天线载体可以包括沿其边缘的多个切口。因此芯片卡衬底的层压可以通过切口形成顶层和底层的单片集成的结构。在不同的实施例中，沿天线载体边缘的粘合力可以被提升，至少在切口中。芯片卡衬底可以具有更多的脱层恢复力，并且因此通过耐用性测试。
在不同的实施例中，切口可以在制造天线载体的期间中形成。终端用户可以使用天线载体并且在由现有的制造设备执行的层压过程期间单片地将其集成，而无需引入另外的过程。
在不同的实施例中，可以提供一种芯片卡衬底。该芯片卡衬底可以包括多个层，该多个层包括具有第一聚合物材料的第一聚合物层，被设置在该第一聚合物层上并且具有与第一聚合物不同的第二聚合物的第二聚合物层。该多个层还可以包括设置在第二聚合层上病并且有第一聚合物材料的第三聚合物层。该第二聚合物层可以包括在第二聚合物层边缘处的多个切口，从而第一聚合物层的第一聚合物材料和第三聚合物层的第一聚合物材料通过该多个切口形成机械耦接。
在不同的实施例中，该机械耦接可以包括第一聚合物材料的单片结构。
在不同的实施例中，该第二聚合物材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在不同的实施例中，该第一聚合物材料可以包括聚碳酸酯。
在不同的实施例中，该第一聚合物材料可以包括聚乙烯化合物。
在不同的实施例中，聚乙烯化合物，该第一聚合物层和第三聚合物层是矩形。
在不同的实施例中，在第二聚合物层中的切口可以被布置，从而第一聚合物层和第三聚合物层至少在其相应的四个角处形成耦接，例如机械耦接。
在不同的实施例中，第二聚合物层可以包括天线。
在不同的实施例中，该天线可以包括铝。
在不同的实施例中，第二聚合物层可以包括多个层。
在不同的实施例中，该芯片卡衬底可以被包括在芯片卡中，其中，该芯片卡还可以包括芯片。
在不同的实施例中，用于多个芯片卡衬底的聚合物片可以被提供。该聚合物片可以包括在该聚合物片的平面中被布置在两维阵列中的多个第二聚合物层，以及多个切口。该多个切口被布置在该多个第二聚合物层的边缘。
在不同的实施例中，该多个聚合物层可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在不同的实施例中，形成芯片卡衬底的方法可以被提供。该方法包括形成在第二聚合物层边缘的多个切口，将第一聚合物层布置在该第二聚合物层下，将第三聚合物层布置在第二聚合物层之上，并且通过多个切口形成第一聚合物层和第三聚合物层的耦接(例如，机械耦接)。
在不同的实施例中，形成耦接包括层压。
在不同的实施例中，该聚合物片可以被用在形成多个芯片卡衬底的方法中。该方法包括提供具有多个切口的聚合物片，将第一聚合物层布置在该聚合物片之下，将第三聚合物层布置在该聚合物片之上，通过多个切口形成第一聚合物层和第三聚合物层的耦接。
在不同的实施例中，该方法还包括将耦接的聚合物层单个化为多个芯片卡衬底。
在不同的实施例中，该单个化可以包括冲压(stamping)。
图1A和图1B示出了依据不同实施例的芯片卡衬底100的截面图。
芯片卡衬底100可以是芯片卡的一部分。
如图1A所示，在多个实施例中，该芯片卡衬底100可以包括第一聚合物层102(也被示为底聚合物层102或底层102)，第二聚合物层104(也被示为天线载体104或中间层104)，以及第三聚合物层106(也被示为顶聚合物层106或顶层106)。
在不同的实施例中，第二聚合物层104可以被设置在第一聚合物层102之上，以及第三聚合物层106可以被设置在第二聚合物层104.
第一聚合物层102可以是一层。该第一聚合物层102可以具有矩形或方形的形状。该第一聚合物层102可以具有基本上为矩形和方形的形状。依据多个实施例，该第一聚合物层102可以是具有圆形角的方形膜(film)或矩形膜。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以具有约1cm到约20cm范围的长度，例如，约1cm到约3cm或5cm到10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以具有约1cm到约10cm范围的宽度，例如约1cm到2cm或约3cm到6cm，例如，约5.398cm或约3.3cm或1.5cm或约1.2cm或约4cm。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以包括以下组材料中的至少一种，或由以下组材料中的至少一种构成：塑性材料、热塑材料、柔性材料、聚合物层、聚酰胺、层压材料，或任何其他提供例如柔性聚合物层102的合适的材料。在不同的实施例中，第一聚合物层102可以包括或基本无定型塑料，或由基本无定型塑料组成，例如，聚氯乙烯或聚碳酸酯。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以具有范围为约10μm到约1mm的厚度，例如约10μm到约200μm，例如约10μm到约100μm，例如约50μm，例如大于50μm的厚度或小于50μm的厚度。第一聚合物层102可以是薄膜(foil)102，例如聚合物薄膜102。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以包括单层或基本上由单层构成。在不同的实施例中，如图1B所示，第一聚合物层102可以包括多个层102a、102b、102c，…，102z，或基本上由多个层102a、102b、102c，…，102z组成。例如，层堆叠102包括多个层102a、102b、102c，…，102z，或基本上由多个层102a、102b、102c，…，102z组成。“a”和“z”可以表示该层堆叠102的第一层和最后一层。换言之，102a可以在层堆叠102的一端，并且102z可以在层堆叠102的相反的一端。
该多个层102a、102b、102c，…，102z中的每一层均具有多至一整个第一层102厚度的厚度。该多个层102a、102b、102c，…，102z的厚度的和可以是第一层102的厚度。在不同的实施例中，该多个层102a、102b、102c，…，102z中的至少一层可以具有芯片卡衬底和/或芯片卡的长度与宽度。在不同的实施例中，该多个层102a、102b、102c，…，102z中的一层或多层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的长度短。在不同的实施例中，该多个层102a、102b、102c，…，102z中的至少一层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度窄。换言之，在不同的实施例中，该多个层102a、102b、102c，…，102z中的至少一层可以具有彼此不同的长度和/或宽度。在不同的实施例中，所有的层102a、102b、102c，…，102z可以具有相同的长度和/或宽度。
第一聚合物层102可以包括多于一种类型的材料。在不同的实施例中，层堆叠102可以包括第一材料的层102a，…，102z，以及第二材料的另外的层102a，…，102z。在不同的实施例中，第一聚合物层102可以例如包括(纯)金属层102a，…，102z，或金属合金层102a，…，102z，和聚合物层102a，…，102z。例如，层102a，…，102z中的一个可以部分地或全部地包括金属或金属合金，或基本上由金属或金属合金构成。例如，层102a，…，102z可以包括金属防护结构以保护芯片卡的部分/区域免于电磁辐射损害。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括纸层(paper layer)。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括电容器结构。在不同的实施例中，不同的层102a，…，102z可以包括不同的结构，例如，层102a、102c和102e可以包括聚碳酸酯层，或基本上由聚碳酸酯层构成，层102b可以包括防护结构，并且层102d可以包括电容器结构。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以例如包括至少一个接触垫，例如两个接触垫，例如三个接触垫，例如四个接触垫，例如五个接触垫，例如六个接触垫，例如七个接触垫，例如八个接触垫，例如九个接触垫，例如十个接触垫，或甚至多于十个接触垫。该接触垫可以被暴露在第一聚合物层102的一个或两个主表面上。该接触垫可以被依据ISO7816标准布置。
如图1A所示，第二聚合物层104可以是一层。该第一聚合物层104可以具有矩形或方形。该第二聚合物层104可以是基本上为矩形和方形。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以具有约1cm到约20cm范围的长度，例如，约1cm到约3cm或5cm到10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在不同的实施例中，第二聚合物层104可以具有约1cm到约10cm范围的宽度，例如约1cm到2cm或约3cm到6cm，例如，约5.398cm或约3.3cm或1.5cm，或约1.2cm或约4cm。
在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括与第一聚合物层102的材料以及第三聚合物层106材料不同的材料，或者由与第一聚合物层102的材料和第三聚合物层106材料不同的材料组成。第二聚合物层104的材料可以包括以下组材料中的至少一种，或由以下组材料中的至少一种构成：塑性材料、热塑材料、柔性材料、聚合物层、聚酰胺、层压材料，或任何其他适于布置(例如通过蚀刻或印刷)天线的材料。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，或基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。
在不同的实施例中，第二聚合物层104可以具有范围为约10μm到约1mm的厚度，例如约10μm到约200μm，例如约10μm到约100μm，例如约36μm。第二聚合物层104可以是薄膜(foil)104，例如聚合物薄膜104。
在不同的实施例中，如图1B所示，第二聚合物层104可以包括单层或基本上由单层构成。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括多个层104a、104b、104c，…，104z，或基本上由多个层104a、104b、104c，…，104z组成。例如，层堆叠104包括多个层104a、104b、104c，…，104z，或基本上由多个层104a、104b、104c，…，104z组成。“a”和“z”可以表示该层堆叠104的第一层和最后一层。换言之，104a可以在层堆叠104的一端，并且104z可以在层堆叠104的相反的一端。
该多个层104a、104b、104c，…，104z中的每一层均具有多至一整个第二层104厚度的厚度。在不同的实施例中，该多个层104a、104b、104c，…，104z的厚度之和可以为第二层104的厚度。在不同的实施例中，该多个层104a、104b、104c，…，104z中的至少一层可以具有芯片卡衬底和/或芯片卡的长度的长度，以及芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度的宽度。在不同的实施例中，该多个层104a、104b、104c，…，104z中的一层或多层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的长度短。在不同的实施例中，该多个层104a、104b、104c，…，104z中的至少一层可以比芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度窄。换言之，在不同的实施例中，该多个层104a、104b、104c，…，104z中的至少一层可以具有分别与芯片卡和/或芯片衬底的长度和/或宽度不同的长度和/或宽度。在不同的实施例中，所有的层104a、104b、104c，…，104z可以具有相同的长度和/或宽度。
第二聚合物层104可以包括多于一种类型的材料。在不同的实施例中，层堆叠104可以包括一种材料的层104a，104b，104c，…，104z，以及不同材料的另外的层104a，104b，104c，…，104z。在不同的实施例中，至少层104a，…，104z中的一个的材料可以与第一聚合物层102的所有材料不同，并且与第三聚合物层106的所有材料不同。层堆叠104可以包括金属层104a，104b，104c，…，104z，或金属合金层104a，104b，104c，…，104z，和聚合物层104a，104b，104c，…，104z。例如，层104a，104b，104c，…，104z中的一个可以包括金属，例如，纯金属或金属合金。层104a，104b，104c，…，104z可以例如包括天线。第二聚合物层104可以例如包括至少一个接触垫，例如两个接触垫，例如三个接触垫，例如四个接触垫，例如五个接触垫，例如六个接触垫，例如七个接触垫，例如八个接触垫，例如九个接触垫，例如十个接触垫，或甚至多于十个接触垫。该接触垫可以被导电地连接到天线。在不同的实施例中，层104a，…，104z中的至少一个可以例如包括金属防护结构以保护芯片卡部分/区域免于电磁辐射的损害。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括纸层。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括电容器结构。在不同的实施例中，不同的层104a，…，104z可以包括不同的结构，例如，层104a和104c均可以包括一个天线330，或基本上由天线330构成，并且层104b可以包括PET，或基本上由PET构成。
第三聚合物层106可以具有矩形或方形的形状。第三聚合物层106可以具有基本上矩形或方形的形状。依据多个实施例，第三聚合物层106可以是具有圆形角的方形薄膜或矩形薄膜。
在不同的实施例中，第三聚合物层106可以具有约1cm到约20cm范围的长度，例如，约1cm到约3cm或5cm到10cm，例如约8.56cm或约6.6cm或约2.5cm或约1.5cm。
在不同的实施例中，第三聚合物层106可以具有约1cm到约10cm范围的宽度，例如约1cm到2cm或约3cm到6cm，例如，约5.398cm或约3.3cm或1.5cm或约1.2cm或约4cm。
在不同的实施例中，至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有8.56cm的长度和5.398cm的宽度，或至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有6.6cm的长度和3.3cm的宽度，或至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有2.5cm的长度和1.5cm的宽度，或至少第一聚合物层102和第三聚合物层106可以具有1.5cm的长度和1.2cm的宽度，或至少第一聚合物层102和第三聚合物层106具有6.56cm的长度和4cm的宽度。
在不同的实施例中，芯片卡衬底100(其中芯片卡衬底100可以包括第一聚合物层102、第二聚合物层104和第三聚合物层106)可以具有约0.3mm至约2mm的厚度，例如约0.5mm带1mm，例如，0.762mm。
依据不同的实施例，第三聚合物层106可以包括与第一聚合物层102相同的材料，或基本上由与第一聚合物层102相同的材料构成。第三聚合物层106可以包括下列材料中的至少一种，或基本上由下列材料中的一种构成：塑性材料、热塑性材料、柔性材料、聚合物材料、聚酰亚胺、层压材料，或任何适于提供例如柔性第三聚合物层106的材料。在不同的实施例中，第三聚合物材料106可以包括基本上无定型热塑性材料，或基本上由无定型热塑性材料构成，例如，聚氯乙烯或聚碳酸酯。如果第一聚合物层102包括聚氯乙烯，或基本上由聚氯乙烯构成，则第三聚合物层106可以包括聚氯乙烯，或基本上由聚氯乙烯构成。如果第一聚合物层102包括聚碳酸酯，或基本上由聚碳酸酯构成，则第三聚合物层106可以包括聚碳酸酯，或基本上由聚碳酸酯构成。
依据不同的实施例，第三聚合物层106可以具有范围为约10μm到约1mm的厚度，例如约10μm到约200μm，例如约10μm到约100μm，例如约50μm，例如大于50μm的厚度或小于50μm的厚度。第三聚合物层106可以是薄膜(foil)106，例如聚合物薄膜106。
在不同的实施例中，如图1B所示，第三聚合物层106可以包括单层或由单层构成。在不同的实施例中，第三聚合物层106可以包括多个层106a、106b、106c，…，106z，或基本上由多个层106a、106b、106c，…，106z组成。例如，层堆叠106包括多个层106a、106b、106c，…，106z，或基本上由多个层106a、106b、106c，…，106z组成。“a”和“z”可以表示该层堆叠106的第一层和最后一层。换言之，106a可以在层堆叠106的一端，并且106z可以在层堆叠106的相反的一端。
该多个层106a、106b、106c，…，106z中的每一层均具有多至一整个第三层106厚度的厚度。在不同的实施例中，该多个层106a、106b、106c，…，106z的厚度的和可以为第三层106的厚度。在不同的实施例中，该多个层106a、106b、106c，…，106z中的至少一层可以具有芯片卡衬底和/或芯片卡的长度的长度，以及芯片卡衬底和/或芯片卡的宽度的宽度。换言之，在不同的实施例中，该多个层106a、106b、106c，…，106z中的至少一层可以具有分别与芯片卡和/或芯片衬底的长度和/或宽度不同的长度和/或宽度。
在不同的实施例中，所有的层106a、106b、106c，…，106z可以具有相同的长度和/或相同的宽度。
第三聚合物层106可以包括多于一种类型的材料。在不同的实施例中，层堆叠106可以包括第一材料的层106a，…，106z，以及第二材料的另外的层106a，…，106z。在不同的实施例中，第三聚合物层106可以包括金属层106a，…，106z，或金属合金层106a，…，106z，和聚合物层106a，…，106z。例如，层106a，…，106z中的一个可以部分地或全部地包括金属或金属合金，或基本上由金属或金属合金构成。层106a，…，106z可以例如包括金属防护结构一保护芯片卡的部分/区域免于电磁辐射侵害。在不同的实施例中，第三聚合物层106可以包括纸层。在不同的实施例中，第三聚合物层106可以包括电容器结构。在不同的实施例中，不同的层106a，…，106z可以包括不同的结构，例如，层106a、106c和106e可以包括聚碳酸酯层或基本上由聚碳酸酯层构成，层106b可以包括防护结构，以及层106d可以包括电容器结构。
在不同的实施例中，第三聚合物层106可以例如包括至少一个接触垫，例如两个接触垫，例如三个接触垫，例如四个接触垫，例如五个接触垫，例如六个接触垫，例如七个接触垫，例如八个接触垫，例如九个接触垫，例如十个接触垫，或甚至多于十个接触垫。改写接触垫可以被暴露在第三聚合物层106的一个或两个主表面上。
图2A和图2B分别示出了依据不同实施例的芯片卡衬底100的顶部图和图2A中区域A的爆炸图。图2C和2D示出了依据不同实施例的图2B中的芯片卡衬底100沿线B-B’的截面图。
在不同的实施例中，如图2A和图2B所示，第二聚合物层104可以具有基本形状的方形薄膜或矩形薄膜104，其具有两个侧面，该两个侧面具有外长度LO以及小于该外长度LO的内长度Li，以及外宽度WO和小于该外宽度WO的内宽度Wi(参见图3A)。连接该两个侧面的四个不平滑的边缘可以被认为是分别形成两个四边缘集合。形成在内长度Li和内宽度Li处的边缘可以被认为是内边缘，形成在外长度LO和外宽度WO处的边缘可以被认为是外边缘。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以包括至少沿其外边缘的多个切口222。第二聚合物层104可以例如包括沿其每个外边缘的至少一个切口222。
第二聚合物层104的形状可以替换性地被描述为基本方形或矩形薄膜104。两个侧面可以具有内长度Li和内宽度Wi，以及突出该方形或矩形的每个内边缘之外的多个突出210，例如至少一个突出该方形或矩形的每个内边缘之外的突出210。该突出210可以自第二聚合物层104的平面内的边缘突出。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的角可以利用切口22来形成，例如图2B中所示。在不同的实施例中，第二聚合物层104的所有的角，例如全部的四个角，可以利用切口22来形成。换言之，将第二聚合物层104的描述使用为具有突起210的基本地矩形或方形薄膜，该矩形或方形薄膜的角不受突起210的影响，并且形成在相同边缘的角之间的距离可以是内长度Li和内宽度Wi。例如，第二聚合物层104的所有角均可以免于突起210的影响。
在不同的实施例中，沿第二聚合物层104边缘的突起210的尺寸(也被指为突起210的长度LP)可以在约0.5mm至约1.5mm范围内，例如约0.5mm到1.0mm。
在不同的实施例中，与突起210长度LP正交并且与第二聚合物层104的边缘正交，并且与第二聚合物层104的平面平行的突起210的尺寸也指的是突起210的宽度WP，其可以是约0.5mm到约3mm，例如约0.5mm到1.0mm。
在不同的实施例中，突起的宽度可以小于天线330的线330O的最外部的部分(参见图3A)和对应的第二聚合物层104的平行于天线330的线330O的部分的最接近的边缘之间的距离。换言之，切口222可以沿第二聚合物层104的边缘被形成，从而天线330不会被损害。如果切口222先被形成，天线330以此方式形成，其不会形成在切口222之上。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的所有突起210可以基本上具有相同的形状和尺寸(长和宽)。
在不同的实施例中，如图2C(以及图1A和图1B)所示，第二聚合物层104可以被布置在第一聚合物层102和第三聚合物层106之间。第一聚合物层102的长度可以与第二聚合物层104的外长度LO相同。第一聚合物层102的宽度可以与第二聚合物层104的外宽度WO相同。
在不同的实施例中，第一聚合物层102可以被布置在第二聚合物层104之下，以这种方式，第一聚合物层102也在切口222之上自下延伸，并且第三聚合物层106可以被布置在第二聚合物层104层之上，以这种方式，第三聚合物层106自上在切口222之上延伸。
在不同的实施例中，包括第一聚合物层102、第二聚合物层104以及第三聚合物层106的层堆叠可以被连接，例如，通过层压，例如使用加热和/或加压。
在不同的实施例中，自下在切口222上延伸的第一聚合物层102和自上在切口222上延伸的第三聚合物层106可以通过切口222被接合，以形成单片集成结构。换言之，第一聚合物层102的第一聚合物材料和第三聚合物层的材料(可以与第一聚合物材料相同)可以通过多个切口形成耦接。在耦接期间，例如在层压过程期间(其例如包括对层堆叠加热和/或加压)，第一聚合物层102和第三聚合物层106可以变软并且或多或少无缝地接合，以形成单片集成结构。换言之，第一聚合物层102和第三聚合物层106的耦接可以包括第一聚合物材料的单片集成结构，或可以基本上由第一聚合物材料的单片集成结构构成。该单片集成结构可以形成位于第一聚合物层102和第三聚合物层106之间强健的、耐用的连接。
在不同的实施例中，第二聚合物层104在耦接/层压过程中并不变软，和/或第二聚合物层104可以与第一聚合物层102和/或第三聚合物层106或多或少不无缝地接合，以形成单片集成结构。
在不同的实施例中，如图2D所示，粘合剂和/或密封剂224可以被形成在第二聚合物层104之上，即在第二聚合物层104和第一聚合物层102之间和或在第二聚合物层104和第三聚合物层106之间。在不同的实施例中，粘合剂和/或密封剂224可以被仅形成在第二聚合物层104的一部分之上，即在该部分的第二聚合物层104和第一聚合物层102之间和/或在该部分的第二聚合物层104和第三聚合物层106之间，例如仅仅在突起210之上。在不同的实施例中，外来杂质(如化学物质、湿气等等)可以被阻止沉淀在第二聚合物层104与第一聚合物层102和第三聚合物层106中的至少一个之间。
图3A、图3B、图3C和图3D每个均示出了依据不同实施例的天线载体的顶视图。
如图3A所示，在不同的实施例中，突起210或切口222分别地可以沿第二聚合物层104的边缘以差不多规则的间隔被布置。例如，沿着沿第二聚合物层104长度延伸的第二聚合物层104的边缘，可以布置三个突起210，例如每个突起位于第二聚合物层104长度的四分之一处、二分之一处和四分之三处。在示例中，沿第二聚合物层104的长度的对应的切口222可以被形成在第二聚合物层104的角处，从对应的角处测量，延伸几乎达到第二聚合物层104的长度的四分之一，并且从刚超出第二聚合物层104的长度的四分之一几乎达到第二聚合物层的长度的一半。例如，沿着沿第二聚合物层104宽度延伸的第二聚合物层104的边缘，可以布置两个突起，例如每个突起位于第二聚合物层104的宽度的三分之一处、三分之二处。在示例中，沿着第二聚合物层104宽度的对应的切口222可以被形成在第二聚合物层104的角处，从对应的角来看，延伸几乎达到第二聚合物层104的长度的三分之一，并且从刚超出第二聚合物层104的宽的三分之一几乎达到第二聚合物层104宽度的三分之二。
在不同的实施例中，比图3A所示的较多或较少的突起210和切口222分别可以被沿第二聚合物层104的边缘以或多或少规则的间隔形成。
在不同的实施例中，天线载体104可以包括天线330。在不同的实施例中，天线330可以被形成在天线载体104上或之上。在不同的实施例中，天线330可以被形成在天线载体104中。换言之天线载体104，即天线结构104，可以被形成做为第二聚合物层104的中间层104x，其中x不是“a”或“z”。天线330的形状可以是矩形，例如方形。换言之，天线的线330，也被示为线330，例如具有导电材料的线330，可以被布置在天线载体104上或之上或之中。线330可以被以方形或矩形的形状来布置。
在不同的实施例中，天线330的形状可以是圆形、椭圆形、三角形、五角形或多边形。
在不同的实施例中，天线330的端可以不接合，即圆形、椭圆形、三角形、五角形或多边形可以是不闭合的。
在不同的实施例中，天线330可以包括单个导电天线的线330或基本上由单个导电天线的线330构成。在不同的实施例中，线330可以环绕该矩形或方形的周长多于一次，例如，两次或更多。线330的部件的对应的多样性也可以被认为是天线轨迹。在不同的实施例中，导电线330的多样性可以相互临近。
天线330可以具有内径，即最内的部件330i(即线330的被布置为临近天线载体104相对边缘的最内的部件330i)之间的最小距离，范围为约2mm到约5cm，例如，约3cm到约4.5cm，或例如约0.8cm到约3.5cm。
在不同的实施例中，天线330可以具有范围为约0.2mm到约3mm的宽度，例如约0.5mm到约3mm，例如约0.75mm到约1.5mm，例如约1mm。
在不同的实施例中，天线330可以具有范围为约1μm到约100μm的厚度，例如约5μm到约50μm，例如约10μm到约20μm，例如约15μm。
在不同的实施例中，天线330可以使用铝或铜蚀刻技术来制作，从而天线330可以包括铝或铜。在不同的实施例中，天线330可以基本上由导电的材料构成，例如，金属、金属合金、含金属的材料、金属化合物，包括铜、铝、金、银、铂、钛、镍、锡、锌、铅、铜-镍或任何非金属电气传导材料，例如，石墨。在不同的实施例中，天线330可以包括图形化层，例如，图形化的金属层，例如图形化的铜层(例如，通过使用铜蚀刻技术来提供)。在不同的实施例中，天线330可以被印刷，例如使用银膏。
依据不同的实施例，在先被描述天线330的配置(例如在形状上、在厚度上、所采用的材料、所采用的结构)，可以允许天线330是可柔性的，从而天线330可以承受形变，如果天线载体104被弯曲，例如，由于机械负载。
依据不同的实施例，天线330可以通过蚀刻被附接至天线载体104。天线330还可以通过粘合剂、焊料、模制、印刷等等被附接到天线载体104。
在不同的实施例中，接触垫332可以被形成在天线载体104上或之上。被布置在天线载体104上的天线330可以具有至少一个接触垫332的导电连接。
在不同的实施例中，接触垫可以被形成在第二聚合物层104的相同的侧面，作为天线330。在不同的实施例中，接触垫332可以被形成在第二聚合物层104的没有天线330形成的侧面。在不同的实施例中，接触垫332可以通过穿过第二聚合物层104的过孔被连接至天线330。
在不同的实施例中，多个天线330可以被布置在天线载体104上或之上或之中。例如，芯片卡主天线330和用于在芯片550(参见图5A和/或5B)和芯片卡主天线330之间的信息的无接触传输的增益天线330可以被提供。
在不同的实施例中，天线330可以被附接至天线载体104的前侧面和天线载体104的后侧面中的至少一个。如果并且当该芯片将被安装时，该前侧面可以被定义为天线载体104的将朝向芯片550的一侧。该后侧面可以被定义为第二聚合物层104的与第二聚合物层104的前侧面相对的侧面。
如果多个天线330被形成，该天线330可以被形成在天线载体104的两侧，或多有的天线330可以被形成在天线载体104的相同的一侧。
在不同的实施例中，如图3B所示，第二聚合物层104可以额外地在中部区域而不是边缘处具有一个或多个切口224。另外，功能、材料、尺寸可以与图3A所述的这些相似。
切口224可以具有任意的不干扰芯片卡预期用途的形状和位置，天线载体104将被集成在该芯片卡中。例如，当形成切口224时，天线330和接触垫332不应被损害，或如果切口在先被形成，天线330和接触垫332不应被形成在切口224之上。
在不同的实施例中，另外的切口224可以被例如形成在由天线330环绕的区域中、切口224可以具有对应于与第二聚合物层104的面积(长X宽)部分的尺寸，例如达到该面积的约四分之三，例如该面积的约四分之一或该面积的五分之一。切口224可以具有任意的形状，例如矩形或圆形。
在不同的实施例中，该额外的切口224也可以被成型为多个较小的额外的切口224，例如分布在由天线330环绕的区域上的多个小圆224。
在不同的实施例中，该额外的切口224可以提供额外的区域，通过该额外的区域，芯片卡衬底100的第一聚合物层102和第三聚合物层106在被布置在第二聚合物层之下和之上后，可以形成耦接，例如单片集成结构。该耦接可以在层压期间形成。在不同的实施例中，该额外的切口224可以用于进一步提升芯片卡衬底100对于脱层的恢复力。
在不同的实施例中，如图3C所示，沿第二聚合物层104边缘形成的切口222可以不成型为矩形。切口222可以例如为椭圆或弧形。
另外，功能、材料、尺寸等等可以与图3A和/或3B所述的这些相似。
在不同的实施例中，不具有尖锐的内角的弧形/椭圆形切口222可以降低第二聚合物层104的风险，例如图4中所述的在该薄片的处理期间的撕裂。
在不同的实施例中，如图3D所示，突起210可以被不规则地绕第二聚合物层104的边缘来布置。换言之，切口222可以具有不同的长度。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的突起210可以具有不同的形状和尺寸。例如，突起210的长LP和/或宽WP可以不同。例如，如图3D所示，一些突起210可以具有比其他突起小的长度LP。
另外，功能、材料、尺寸等等可以与图3A和/或3B所述的这些相似。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的边缘中的一个或多个部分可以具有很少或没有突起210。大于将被形成的芯片卡衬底100的边缘的平均分数的部分，将接近该边缘的第一部分，并具有由第一聚合物层102和第三聚合物层106形成的单片集成结构。例如，第二聚合物层104的边缘的第一部分可以不具有突起，例如，该第一部分可以被设置在将被设置在将形成的芯片卡的边缘处的边缘，其将经常被首先插入到芯片读取器中。在边缘处开始的来自脱层的额外的突起可以提升芯片卡对于脱层的全部的恢复性。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的边缘的第二部分可以具有更多的突起210以补偿第一部分中的缺少/较少的突起210的数量。
在不同的实施例中，该第一部分可以例如被布置在将要形成的芯片卡中的芯片将被布置的位置。减少邻近芯片的突起210的数量，可以降低在邻近芯片的突起处进入芯片卡(衬底)并且到达芯片的杂质、液体、化学品等等所带来的危险。
在不同的实施例中，如图4所示，该多个切口222的数目和切口222的长度、宽度和位置，和/或突起210的数目、长度LP、宽度WP和位置可以被选择，从而第二聚合物层104的片200(也称为聚合物片200)被形成。该第二聚合物层104的片200可以包括布置在平面中的用于多个芯片卡衬底100的多个第二聚合物层104。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以以两维阵列被布置在聚合物片200中。换言之，第二聚合物层104的片200可以包括第二聚合物层104的两维阵列，或基本上由第二聚合物层104的两维阵列构成。
在不同的实施例中，聚合物片104可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，或基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。在不同的实施例中，聚合物片104可以包括与第二聚合物层104有关的已描述的其它材料，或基本上由与第二聚合物层104有关的已描述的其它材料构成。
在不同的实施例中，切口222可以被布置在多个第二聚合物层104的边缘上。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的片200可以被布置在第一聚合物层102或第一聚合物层102的片与第三聚合物层106或第三聚合物层106的片之间。换言之，第一聚合物层102或第一聚合物层102的片可以被布置在第二聚合物层104的片200下方，并且第三聚合物层106或第三聚合物层106的片可以被布置在在第二聚合物层104的片200上方。分别被布置在下方/或上方的第一/三聚合物层102/106之间的区别，或第一/三聚合物层102/106的之间的区别是基于对应的层或片的结构：如果聚合物层102、106在其平面上被构造(例如包括用于将用于将芯片电气连接至天线330的接触垫)，或将被布置在该芯片上的防护结构，匹配第二聚合物层的片200中的的第二聚合物层104的第一/三聚合物层102/106的片(即，关于聚合物层的数目和位置的匹配)，需要被布置在第二聚合物层104之下或之上，然而，在水平地非结构化的第一/三聚合物层102/106的情形下，一个聚合物层102/106可以被看作被布置在第二聚合物层104之下/之上。在不同的实施例中，第一聚合物层102和第三聚合物层106中的一个可以是水平结构化层，并且第一聚合物层102和第三聚合物层106中的另一个可以是水平非结构化层。
第一聚合物层102、层200的第二聚合物层104以及第三聚合物层106可以被接合，以形成多个芯片卡衬底100或芯片卡。第一聚合物层102和第三聚合物层106可以通过接口222接合。他们可以通过切口222形成单片集成结构。这些层可以通过层压来接合。
在不同的实施例中，第二聚合物层104的片200在片200的处理期间分解。通过一第二聚合物层的至少部分的突起210和相邻的第二聚合物层104的至少部分的突起210，用于多个芯片卡衬底100的多个第二聚合物层104可以通过突起210相互连接。换言之，第二聚合物层104中的一个的突起210可以被连接，例如，物理连接，例如自该片和相邻的第二聚合物层104被形成。
在不同的实施例中，相邻的第二聚合物层104的突起210可以被直接连接，即一第二聚合物层104的突起结束的地方，便是相邻的第二聚合物层104的突起开始的地方。
在不同的实施例中，相邻的第二聚合物层104的突起210可以被间接地连接。例如，在一第二聚合物层104的突起210的末端和相邻的第二聚合物层104的突起210的起始端之间，利用制作第二聚合物层104的材料而形成的额外的结构442可以位于片200中，并将一第二聚合物层104的突起210连接至相邻的第二聚合物层104的突起210。在不同的实施例中，该额外的结构442还可以向相邻的额外的结构442延伸并连接相邻的额外的结构442。
在图4中，虚线440指示了分离线，例如在与第一聚合物层102和第三聚合物层106接合后(例如在层压之后)，第二聚合物层104的片200可以沿虚线440分离成独立的芯片卡衬底100或芯片卡，换言之被单个化。该线实际上并不被画在第二聚合物层104的片200上。单个的虚线440指示用于分离两个芯片卡100的分离线440。两个芯片卡衬底100的天线载体104的突起210可以被直接地连接。双虚线440(如在第二聚合物层104的底部两行之间所显示的)可以指示用于分离芯片卡衬底100和额外结构的分离线400。
在不同的实施例中，突起210或切口222的尺寸和位置，分别可以被选择，从而片200可以被处理，例如用于层压，而不会不经意地撕裂第二聚合物层104中的一个或多个。
在不同的实施例中，被布置为片200的多个第二聚合物层104可以在一个接合期间(例如层压过程)被接合(例如层压)。换言之，多个第二聚合物层104可以被接合/层压，例如与第一聚合物层102和第三聚合物层106接合/层压，而不需个别地布置多个第二聚合物层104中的每个第二聚合物层104，譬如，个别地布置在第一聚合物层102和第三聚合物层106中的一个上，或个别地布置在第二聚合物层104的片上或第二聚合物层104的片上。相反的，第二聚合物层104的全部片200可以被布置在第一聚合物层102和第三聚合物层106的片之间。
换言之，在不同的实施例中，通过接合/层压第一聚合物层102、第二聚合物层104和第三聚合物层106，多个芯片卡衬底100可以在同一个过程中形成。
在不同的实施例中，其后，多个芯片卡衬底100可以在一个片中被处理，例如在分离期间(换言之单个化)，以成为单个的芯片卡衬底100。该分离，换言之当恶化，可以沿在第二聚合物层104上被指示的分离线440被形成。在不同的实施例中，该单个化可以例如通过切割、激光切克、冲压、锯以及类似的方式来实现。
图5A示出了依据不同实施例的芯片卡500的顶视图，图5B示出了图5A中的芯片卡500沿线C-C’的截面图。
在不同的实施例中，芯片卡500可以使用在先前的附图中的实施例中描述的任何方法、结构、层、部件、材料、参数等来形成。芯片卡500可以被视为包括芯片550的芯片卡衬底，以及其还可以包括与芯片550使用的额外的结构，例如额外的接触结构或支撑结构等等。芯片卡衬底可以包括第一聚合物层102、第二聚合物层104和第三聚合物层106。它们分别对应于在之前实施例中描述的第一、第二、第三聚合物层102、104和106，并且第二聚合物层可以包括具有前述的或依据在之前的实施例中给出的其它实施例和说明的配置的切口222和突起210。在不同的实施例中，芯片卡500还可以包括至少一个天线330和接触垫332(仅在图5B中可见)。天线330和接触垫332可以与在之前的实施例中描述的天线330和接触垫332一致。
依据不同的实施例，芯片550可以包括集成电路、电阻、存储芯片、RFID芯片(射频识别芯片)或任何类型的芯片中的至少一个。
在不同的实施例中，芯片550可以包括硅晶层，例如，硅衬底或硅晶片。芯片550的硅晶层可以具有范围为约10μm到约200μm的厚度，例如约20μm到约100μm，例如约30μm到约80μm，约50μm，例如等于小于50μm的厚度，例如48μm。
在不同的实施例中，芯片550可以包括至少一个金属化层。
在不同的实施例中，芯片550可以被布置在天线载体104相同的一侧作为天线330.在不同的实施例中，芯片550可以被布置在天线载体104相反的一侧。在这种情形下，芯片550可以通过通孔(例如通过穿过天线载体104的通孔和接触垫332)来电连接至天线330。
在不同的实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触。如前述，该至少一个芯片接触中的至少一个可以提供在芯片550和被布置在第二聚合物层104上的至少一个接触垫332之间的导电连接。在不同的实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触。该至少一个芯片接触中的至少一个可以提供芯片550和天线330之间的电连接，例如，通过前述的被布置在第二聚合物层104上的至少一个接触垫332。在不同的实施例中，芯片550可以包括至少一个芯片接触垫332。该至少一个芯片接触垫332中的至少一个可以提供在芯片550和芯片卡500的额外结构之间的导电连接，例如，利用被布置在第二聚合物层104背面的额外的接触垫。
在不同的实施例中，芯片550包括一个或多个芯片接触垫。在芯片接触垫多于一个的情况下，多个芯片接触点可以成行和成列地布置，例如成两行或两列，例如两列和三行等等。在不同的实施例中，芯片接触垫可以包括导电材料，或基本上由导电材料构成，例如金属、金属合金、金属化材料、金属化合物，包括铜、铝、金、银、铂、钛、镍、锡、锌、铅或任何非金属导电材料，例如，石墨。芯片接触垫通过该至少一个芯片接触垫332中的一个或多个来被导电地连接至芯片。芯片接触点可以具有范围为约10μm到约1000μm的横向延伸，例如约200μm到约800μm，例如约300μm到约700μm，例如约400μm到约600μm，例如约500μm。在不同的实施例中，芯片接触垫可以被暴露，即，它们可以朝向芯片卡500的外部，并且将被布置以覆盖芯片550的聚合物层(例如图5B所示的第三聚合物层)或更通常的第一聚合物层102和第三聚合物层106中的一个可以具有形成的切口，从而芯片接触垫至少部分地没有被聚合物层102或106覆盖，从而芯片550可以导电连接至外部结构，例如连接至数据读取设备，编程设备等等。
在不同的实施例中，芯片550可以被附接至天线载体104，例如，通过使用粘合剂(例如，胶)，通过熔合、模制或焊接。
在不同的实施例中，芯片550可以包括芯片支撑结构，在其中，功能芯片自身(即，编程的/可编程的半导体设备)、芯片接触垫等等可以被安装。根据不同的实施例，该胶结合或焊接结构可以具有范围为约1μm到约100μm的厚度，例如约10μm到约80μm，例如约30μm到约60μm，例如约50μm，例如小于等于50μm的厚度。
图6示出了一种形成芯片卡衬底的流程图600。
形成芯片卡衬底的方法包括形成位于第二聚合物层边缘处的多个切口(步骤6010)。该方法还可以包括将第一聚合物层布置在该第二聚合物层之下(步骤6020)，将第三聚合物层布置在该第二聚合物层之上(步骤6030)，并且通过该多个切口形成第一聚合物层和第三聚合物层的耦接(步骤6040)。
为设备提供了本公开的不同的方面，并且为方法提供了不同的方面。可以理解的是，设备的基本特性也可以用于方法，反之亦然。因此，为了简要，这些特性的重复描述在此省略。
虽然本发明已参考示出的特定的实施例进行了描述，本领域技术人员可以理解的是可以依此进行形式上和细节上的不同的改变，而不背离本发明的精神和由所附的权利要求限定的范围。本发明的保护范围由所附的权利要求指示，并且源自所有权利要求的等价的意思和范围因此是试图要保护的。

Claims (12)

1.一种芯片卡衬底，包括：
多个层，所述多个层包括具有第一聚合物材料的第一聚合物层、被设置在所述第一聚合物层之上并且包含与所述第一聚合物不同的第二聚合物的第二聚合物层、以及设置在所述第二聚合层之上并且包含所述第一聚合物材料的第三聚合物层；
其中所述第二聚合物层包括多个角，其中每个角包括具有从其突出的第一突起的第一侧以及具有从其突出的第二突起的第二侧，其中切口被设置在所述第一突起和所述第二突起之间，使得所述第一聚合物层的第一聚合物材料和所述第三聚合物层的第一聚合物材料在每个角中设置的切口处被耦接，并且其中所述第二聚合物层包括天线，所述天线基本上描画出所述第二聚合物层的周边轮廓。
2.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述耦接包括所述第一聚合物材料的单片集成结构。
3.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第二聚合物材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
4.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物材料包括聚碳酸酯。
5.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物材料包括聚乙烯化合物。
6.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第一聚合物层和第三聚合物层是矩形。
7.如权利要求6所述的芯片卡衬底，
其中所述第二聚合物层中的所述切口被布置，从而所述第一聚合物层和所述第三聚合物层至少在其相应的四个角处形成耦接。
8.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述天线包括铝。
9.如权利要求1所述的芯片卡衬底，
其中所述第二聚合物层包括多个层。
10.一种芯片卡，包括：
如权利要求1所述的芯片卡衬底；以及芯片。
11.一种形成芯片卡衬底的方法，所述方法包括：
形成在第二聚合物层的多个角中的每一个角中的切口，其中每个角包括具有从其突出的第一突起的第一侧以及具有从其突出的第二突起的第二侧，其中切口被设置在所述第一突起和所述第二突起之间，并且其中所述第二聚合物层包括天线，所述天线基本上描画出所述第二聚合物层的周边轮廓；
将第一聚合物层布置到所述第二聚合物层之下；
将第三聚合物层布置到所述第二聚合物层之上；
在每个角中设置的切口处，将所述第一聚合物层和所述第三聚合物层耦接。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述形成耦接包括层压。
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