CN104979482B - 有机电致发光元件及电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供以下的有机电致发光元件：其构成具有与第1发光层的阳极侧接触而与第1发光层相比、LUMO浅且T1高的层，具有与第2发光层的阳极侧接触而与第2发光层相比、LUMO深及T1低的至少任一者的层的有机电致发光元件，可以抑制显示质量的降低。

Description

有机电致发光元件及电子器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光元件及具备该有机电致发光元件的电子器件。

背景技术

有机电致发光元件(以下，也称为有机EL元件)具有用阳极和阴极夹持含有进行发光的化合物的发光层的构成。而且，是利用通过施加电场而使从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在发光层内复合而生成激子(exciton)、该激子失活时的光的放出(荧光·磷光)的发光元件。有机EL元件是由电极和电极之间厚度为仅仅亚微米左右的有机材料的膜构成的全固体元件，且其发光可以在数V～数十V左右的电压下发光。因此，期待向下代的平板显示器或照明的利用。

作为有机EL元件，例如，提案有将发出红、绿、蓝等的不同颜色的发光层进行层叠而构成白色发光元件。(例如，参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。

但是，在这样的构成的有机EL元件中，原理上每个发光色的发光波长不同，每个发光色的发光能量不同。因此，在发光的同时引起的有机材料分解和伴随该有机材料分解的元件的劣化速度不同。

因此，在组合不同的发光色的构成的有机EL元件中，原理上随着时间经过而引起色偏移。特别是能量高的蓝色光与绿色光或红色光相比，寿命易于变短。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-218320号公报

专利文献2：日本特开2007-173584号公报

专利文献3：日本特开2003-151769号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在组合不同的发光色的构成的有机EL元件中，原理上每个发光色的发光波长不同，即发光能量不同，因此在发光的同时引起的有机材料分解和伴随该有机材料分解的元件的劣化速度不同。

这样，在组合不同的发光色的构成的有机EL元件中，原理上随着时间经过而引起色偏移。而且，有机电致发光元件的发光色的色调随着时间经过而从初始的色调发生变化。其结果，有机电致发光元件的显示质量由于时间经过而降低。

为了解决上述的问题，在本发明中，提供可以抑制显示质量降低的有机电致发光元件及电子器件。

用于解决课题的手段

本发明的有机电致发光元件具备阳极、阴极、介于阳极和阴极之间的第1发光层及第2发光层。而且，在第1发光层和在阳极侧与第1发光层接触的层中，与第1发光层接触的层满足：与第1发光层相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)浅、且最低激发三重态能量(T1)高的关系。进而，在第2发光层和在阳极侧与第2发光层接触的层中，与第2发光层接触的层满足：与第2发光层相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一者。

另外，本发明的电子器件具备上述有机电致发光元件。

根据本发明的有机电致发光元件，与一者的发光层的阳极侧接触地形成与该发光层相比LUMO浅且T1高的层。而且，与另一者的发光层的阳极侧接触地形成满足与该发光层相比LUMO深及T1低的至少任一者的层。

根据该构成，可以抑制LUMO浅且T1高的层接触的发光层的亮度降低，并且促进满足LUMO深及T1低的至少任一者的层接触的发光层的亮度降低。

因此，可以调整由于驱动时间的经过而产生的各发光层的亮度降低的差、抑制有机电致发光元件的色调的变化。因此，可以抑制有机电致发光元件及具备该有机电致发光元件的电子器件的显示质量的降低。

发明的效果

根据本发明，可提供可以抑制显示质量的降低的有机电致发光元件及电子器件。

附图说明

图1是表示第1实施方式的有机EL元件的构成的图；

图2是表示第1实施方式的有机EL元件的第1发光层和第1空穴传输层的界面附近的图。

图3是表示第1实施方式的有机EL元件的第2发光层和第2空穴传输层的界面附近的图。

图4是表示第2实施方式的有机EL元件的构成的图。

图5是表示第3实施方式的有机EL元件的构成的图。

图6是表示第4实施方式的有机EL元件的构成的图。

图7是表示实施例的试样101的有机EL元件中的、红蓝绿的各单波长的衰减的情形的图。

图8是表示实施例的试样102的有机EL元件中的、红蓝绿的各单波长的衰减的情形的图。

图9是表示实施例的试样101的有机EL元件中的、色度坐标x、y的变化的情形的图。

图10是表示实施例的试样102的有机EL元件中的、色度坐标x、y的变化的情形的图。

符号的说明

10、30、40、50有机EL元件，11、51第1发光单元，12、61第2发光单元，13、52第1空穴传输层，13A电子阻挡层，14、33、43、53第1发光层，14A、17A发光区域，15、54第1电子传输层，16、62第2空穴传输层，17、34、45、63第2发光层，18、64第2电子传输层，19中间连接层，21、36、47、75阳极，22、37、48、76阴极，23、38、49、77基板，31、41发光单元，32空穴传输层，35电子传输层，42第1有机层，44第2有机层，46第3有机层，55第1中间连接层，65第2中间连接层，71第3发光单元，72第3空穴传输层，73第3发光层，74第3电子传输层

具体实施方式

以下，说明用于实施本发明的方式的例子，但本发明不限定于以下的例子。

予以说明，说明按照以下顺序进行。

1.有机电致发光元件的实施方式(第1实施方式)

2.有机电致发光元件的实施方式(第2实施方式)

3.有机电致发光元件的实施方式(第3实施方式)

4.有机电致发光元件的实施方式(第4实施方式)

5.电子器件的实施方式(第5实施方式)

〈1.有机电致发光元件的实施方式(第1实施方式)〉

以下，对本发明的有机电致发光元件(有机EL元件)的具体的实施方式进行说明。图1中表示第1实施方式的有机EL元件的构成。

[有机EL元件的构成]

图1中所示的有机EL元件10具备：阳极21、第1发光单元11、中间连接层19、第2发光单元12及阴极22。而且，这些各层设于基板23上。

有机EL元件10中，在基板23上形成有阳极21，在该阳极21上形成有第1发光单元11。进而，在第1发光单元11上形成有中间连接层19，在中间连接层19上形成有第2发光单元12。进而，在第2发光单元12上形成有阴极22。

上述有机EL元件10具有将阳极21通过透明电极而构成、使阴极22作为反射电极而发挥功能的构成，是从基板23侧取出光的所谓的底部发光型的构成。另外，是经由中间连接层19而层叠了第1发光单元11和第2发光单元12的所谓的串联型的构成。

第1发光单元11是从阳极21侧依次层叠形成了第1空穴传输层13、第1发光层14及第1电子传输层15的构成。

第2发光单元12是从阳极21侧(中间连接层19侧)依次层叠形成了第2空穴传输层16、第2发光层17及第2电子传输层18的构成。

第1空穴传输层13及第2空穴传输层16是具有传输空穴的功能的层，广义上也包括空穴注入层及电子阻挡层等。另外，第1电子传输层15及第2电子传输层18是具有传输电子的功能的层，广义上也包括电子注入层及空穴阻挡层等。

另外，有机EL元件10是在第1发光层14及第2发光层17中至少含有发光性的有机材料、例如作为发光性的有机材料具有蓝(B)、绿(G)及红(R)的各色的发光掺杂剂的白色发光元件。

为了提高有机EL元件10的发光效率，优选在光取出侧设置发出短波长的光的发光层。因此，在图1中所示的有机EL元件10中，优选在第1发光层14中含有发出短波长的蓝的发光掺杂剂。而且，优选在第2发光层17中含有绿(G)及红(R)的发光掺杂剂。

因此，在图1中所示的有机EL元件10中，第1发光层14为含有蓝色发光掺杂剂的蓝色发光层，第2发光层17为含有绿色发光掺杂剂及红色发光掺杂剂的绿色及红色(黄色)发光层。

[本实施方式的概要]

一般在有机EL元件中，越是短波长的发光，发光能量越大。而且，由于发光能量大，因此发出短波长的光(蓝色)的发光层与其它发光层相比，易于引起构成发光层的化合物本身的破坏。因此，发出短波长的光(蓝色)的发光层与发出长波长侧的光的发光层相比，易于引起因驱动时间的经过所引起的亮度的降低。

另外，不管波长，因构成发光层的材料驱动时间的经过所引起的亮度降低的速度不同。

这样，将易于引起因驱动时间的经过所引起的亮度的降低的发光层作为一般亮度降低大的发光层。另外，将易于引起因驱动时间经过所引起的亮度的降低的发光层作为一般亮度降低小的发光层。

予以说明，所谓一般亮度降低大的发光层及一般亮度降低小的发光层，表示在相同构成的有机EL元件中仅变更发光层、在相同的条件下连续发光的情况下的各发光层的亮度降低的大小。

当一般亮度降低大的发光层、例如短波长侧的发光层的亮度降低时，从有机EL元件取出的光随着驱动时间的经过而变化。例如，由最初的白色光形成来自绿色及红色的发光层的微黄色强的光，作为有机EL元件的白色光的质量降低。

因此，为了避免有机EL元件的因驱动时间的经过所引起的质量的降低，需要调整一般亮度降低大的发光层和一般亮度降低小的发光层的亮度降低的平衡以使得由最初的白色光的平衡的偏差变少。例如，需要调整各色(红绿及蓝)的亮度降低的平衡。因此，例如需要抑制一般亮度降低大的短波长(蓝)的发光层的亮度降低，或使一般亮度降低小的长波长(绿、红)的发光层的亮度与短波长侧一致地降低。

在本实施方式的有机EL元件10中，通过调整与第1发光层14及第2发光层17接触的层的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)及最低激发三重态能量(T1)，可以取得各发光层的因驱动时间所引起的亮度降低的平衡。

具体而言，一般亮度降低大的发光层、例如发出短波长侧的光的第1发光层14中，在与第1发光层14的阳极21侧接触的层设置与第1发光层14相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的层。

而且，一般亮度降低小的发光层、例如发出长波长侧的光的第2发光层17中，在与第2发光层17的阳极21侧接触的层设置满足与第2发光层17相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一者的层。

通过在第1发光层14的阳极21侧接触LUMO浅且T1高的层，可以抑制第1发光层14的劣化。

另外，通过在第2发光层17的阳极21侧接触与第2发光层17相比LUMO深或T1低的层，可以促进第2发光层17的驱动时间所引起的劣化。

这样，通过抑制第1发光层14的劣化、并且促进第2发光层17的劣化，可以调整第1发光层14和第2发光层17的亮度的平衡，可以抑制有机EL元件10的白色发光的质量的降低。

[亮度调整]

接着，对第1发光层14和第2发光层17的亮度的调整的机理进行说明。图2中表示第1发光层14和第1空穴传输层13的界面附近。图3中表示第2发光层17和第2空穴传输层16的界面附近。图2及图3表示对第1发光层14及第2发光层17施加了电场时的发光的情形。

第1空穴传输层13作为与第1发光层14相比LUMO浅且T1高的层而形成。因此，如图2中所示，第1空穴传输层13的与第1发光层14的界面的表面区域作为电子阻挡层13A而发挥功能。由此，注入第1发光层14的电子向第1空穴传输层13的移动被阻挡，易于积存在第1发光层14。而且，如图2中所示，第1发光层14中的发光区域14A从与第1空穴传输层13的界面扩展到第1发光层14的深的位置。

另一方面，第2空穴传输层16作为与第2发光层17相比LUMO深的层、或者T1低的层、或LUMO深且T1低的层而形成。

这样，作为第2空穴传输层16，形成满足与第2发光层17相比LUMO深及T1低的至少任一者的层，由此注入第2发光层17的电子易于向第2空穴传输层16移动，难以积存在第2发光层17。

因此，如图3中所示，第2发光层17中的发光区域17A，集中产生于第2发光层17和第2空穴传输层16的界面附近的窄的区域。进而，该发光区域17A产生于从第2发光层17跨越到第2空穴传输层16的区域。

如上述，通过调整形成于发光层的阳极侧的层的LUMO及T1，可以调整发光层中的发光区域。一般而言，在发光层中，当发光区域扩大时，可以缓和发光能量的集中、抑制化合物的崩溃。与之相对，当缩小发光区域时，发光能量易于集中、在该集中了的区域中容易引起化合物的崩溃。

因此，在有机EL元件10中，通过与第1发光层14的阳极21侧接触而设置与第1发光层14相比LUMO浅且T1高的第1空穴传输层13，可扩张发光区域14A、缓和发光能量的集中。因此，可抑制构成第1发光层14的化合物的崩溃。其结果，可以抑制第1发光层14的驱动时间的经过所引起的亮度的降低。

进而，在有机EL元件10中，通过与第2发光层17的阳极21侧接触而设置满足与第2发光层17相比LUMO深及T1低的至少任一者的第2空穴传输层16，发光区域17A被集中在小的区域，在该小的发光区域17A中发光能量集中。其结果，构成第2发光层17的化合物易于崩溃，可以增大第2发光层17的驱动时间的经过所引起的亮度的降低。

因此，通过使第1发光层14中含有发出一般亮度降低大的短波长的光的化合物，可以抑制短波长的光的亮度降低。而且，通过使第2发光层17中含有发出一般亮度降低小的长波长的光的化合物，可以促进长波长的光的亮度降低。

而且，在有机EL元件10中，通过如上述那样构成第1发光层14及第1空穴传输层13以及第2发光层17及第2空穴传输层16，可以平衡性良好地调整短波长的光的亮度降低和长波长的光的亮度降低。其结果，可以抑制驱动时间的经过所引起的白色光的色变化、抑制从有机EL元件10取出的白色光的质量的降低。

(空穴传输层的构成)

作为与上述第1发光层14相比LUMO浅且T1高的第1空穴传输层13，具有空穴传输层的功能，优选具有传输空穴的功能、且传输电子的能力小的材料。例如，通过从后述的适用于空穴传输层的材料选择与第1发光层14相比LUMO浅且T1高的材料，可以形成第1空穴传输层13。特别优选通过应用后述的电子阻挡层的构成而形成第1空穴传输层13。

另外，作为第1空穴传输层13，也可以形成为将多层具有空穴传输层的功能、由具有传输空穴的功能且传输电子的能力小的材料构成的层层叠了的构成。在该情况下，将与第1发光层14接触的层作为与第1发光层14相比LUMO浅且T1高的层。

另外，作为上述的满足与第2发光层17相比LUMO深及T1低的至少任一者的第2空穴传输层16，优选是具有传输空穴的功能并且传输电子的能力小的材料。具体而言，通过从后述的适用于空穴传输层的材料选择满足与第2发光层17相比LUMO深及T1低的至少任一者的材料，可以形成第2空穴传输层16。

另外，作为第2空穴传输层16，也可以是将多层具有空穴传输层的功能、由具有传输空穴的功能并且传输电子的能力小的材料构成的层层叠了的构成。在该情况下，将与第2发光层17接触的层作为满足与第2发光层17相比LUMO深及T1低的至少任一者的层。

[发光层的厚度]

第2发光层17的厚度，可以是与第1发光层14相比小。第2发光层17薄容易使发光区域17A集中于更小的区域。因此，可以进一步促进化合物的劣化。

另外，第1发光层14中，为了扩张发光区域14A，需要一定程度的厚度。因此，优选第1发光层14的厚度至少比第2发光层17的厚度大。

例如，优选将第1发光层14的厚度设为10-100nm。而且，优选比第1发光层更薄地形成第2发光层17，例如，将第2发光层17的厚度设为5-50nm。

另外，就1发光层14及第2发光层17的LUMO、T1而言，一般而言，如果掺杂剂的浓度为15％以下，则依赖于主体化合物的LUMO、T1。在掺杂剂的浓度超过15％的情况下，主体化合物的LUMO、T1再加上掺杂剂的LUMO、T1来决定第1发光层14及第2发光层17的LUMO、T1。

另外，在第1发光层14及第2发光层17具有多种主体化合物、掺杂剂的情况下，依赖于含有最多的化合物而决定第1发光层14及第2发光层17的LUMO、T1。

另外，第1空穴传输层13及第2空穴传输层16的LUMO、T1，一般而言，依赖于含有最多的化合物的LUMO、T1。另外，在第1空穴传输层13及第2空穴传输层16中含有多种化合物的情况下，根据各化合物的比例，决定第1空穴传输层13及第2空穴传输层16的LUMO、T1。在含有的量为15％以下的化合物的情况下影响少，几乎不需要考虑对第1空穴传输层13及第2空穴传输层16的LUMO、T1的影响。

另外，在第1发光层14及第1空穴传输层13、以及第2发光层17及第2空穴传输层16中，只要仅在与分别邻接的界面接近的侧的区域中考虑LUMO、T1即可。在上述各层中，引起化合物间的电子移动、能量移动造成的失活。为了引起该电子移动(Marcus式)、能量移动(フェルスター机构、デクスター机构)，需要化合物间的距离近。因此，在上述各层间的界面中，需要考虑与界面近的侧的区域中的LUMO、T1。

[构成的详情]

以下，对于图1中所示的有机EL元件10的阳极21、第1发光单元11(第1空穴传输层13、第1发光层14、第1电子传输层15)、中间连接层19、第2发光单元12(第2空穴传输层16、第2发光层17、第2电子传输层18)、及阴极22的各构成、以及设置有机EL元件10的基板23的构成的详情进行说明。予以说明，在以下说明的有机EL元件10的各构成，是用于说明实施方式的一例，也可以在可以构成上述有机EL元件10的范围内适当应用其它构成。

[发光单元]

第1发光单元11设于阳极21和中间连接层19之间，具备至少1层以上的含有具有发光性的有机材料的发光层。另外，第2发光单元12设于中间连接层19和阴极22之间，具备至少1层以上的含有具有发光性的有机材料的发光层。予以说明，在第1发光单元11及第2发光单元12中，也可以在发光层和阳极21、中间连接层19及阴极22之间具备其它层。

以下，将这些第1发光单元11及第2发光单元12总合而记载为发光单元来说明。另外，对形成于第1发光单元11及第2发光单元12的第1空穴传输层13、第1发光层14及第1电子传输层15、以及第2空穴传输层16、第2发光层17及第2电子传输层18，也总合而记载为空穴传输层、发光层及电子传输层来说明。

作为发光单元的代表性的元件构成，可以举出以下构成，但不限定于此。

(1)空穴注入传输层/发光层/电子注入传输层

(2)空穴注入传输层/第1发光层/第2发光层/电子注入传输层

(3)空穴注入传输层/第1发光层/中间连接层/第2发光层/电子注入传输层

(4)空穴注入传输层/发光层/空穴阻挡层/电子注入传输层

(5)空穴注入传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子注入传输层

(6)空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层

(7)空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层

(8)空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层

在上述构成中，发光层以单层或多层而构成。

电子传输层是具有传输电子的功能的层。电子传输层中，广义上也包含电子注入层及空穴阻挡层。另外，电子传输层也可以由多层而构成。

空穴传输层是具有传输空穴的功能的层。空穴传输层中，广义上也包括空穴注入层及电子阻挡层。另外，空穴传输层也可以由多层而构成。

在发光单元内的发光层中也可以混杂磷光发光材料、荧光发光材料，但优选的是，优选仅由磷光发光材料或荧光发光材料构成。荧光发光层及磷光发光层优选为主体、掺杂剂型的发光层。另外，发光层中所含有的发光掺杂剂，相对于发光层的膜厚方向，可以以均匀的浓度含有，也可以具有浓度分布。

在有机EL元件中设置多个发光单元的情况下，可以组合使用不同构成的发光单元，但优选除发光层以外为相同的层构成的发光单元。进而，优选各发光单元的发光层数也相同。由此，可减少使用材料数，具有成本方面、质量管理方面等的生产方面的优点。进而，如果是蒸镀工艺，则具有易于使制模腔室在各发光单元中通用化等的生产效率方面的优点。

另外，在想要将呈现不同的发光色的发光单元进行层叠而得到白色发光的情况下，优选这些发光单元处于相互补色的关系。例如，通过设置蓝色发光单元和呈现作为补色的黄绿、黄色或橙色的发光色的发光单元，可以形成呈现白色发光的有机EL元件。予以说明，所谓“补色”的关系，是指进行混合时形成无彩色的颜色彼此的关系。即，当将发出处于补色关系的颜色的物质的发光进行混合时，可以得到白色发光。

因为可得到质量好的白色发光、更宽范围的色度的调整是容易的，因此优选除了蓝色发光层以外还将呈现绿色及红色的发光色的层设于任意的发光单元。另外，作为将蓝、绿、红的发光材料混杂于1个发光层、呈现白色发光的发光层，也可以设于发光单元。

有机EL元件及化合物的发光色，通过在“新编色彩科学手册”(日本色彩学会编，东京大学出版会，1985)的108页的图4.16中、将用分光放射亮度计CS-2000(コニカミノルタセンシング公司制)测定的结果应用于CIE色度坐标中而决定。

将光色的离开黑体辐射轨迹的偏差Duv在相关色温度为2500～7500K的范围内包含于-20～+20的范围的光均称为白色光。Duv(＝1000duv)的定义根据JIS Z 8725：1999“光源的分布温度及色温度·相关色温度测定方法”。

各发光单元中所包含的各个层的膜厚没有特别限制。从进行形成的膜的均质性、防止发光时施加不必要的高电压、且发光色相对于驱动电流的稳定性提高的观点来看，优选调整成5～200nm的范围内，更优选调整成10～100nm以下的范围。

作为各发光单元中所包含的各个层的形成方法，只要是可形成薄膜的方法，就没有特别限定，例如可举出蒸镀法、溅射法、湿式工艺(旋涂法、流延法、喷墨法、LB法、喷雾法、印刷法、狭缝式涂布机法)等。其中，从对下层的损伤少、且易于得到无针孔的均质的膜等的观点来看，特别优选真空蒸镀法、旋涂法、喷墨法、印刷法、狭缝式涂布机法。

[发光层]

发光层是从电极或邻接层注入的电子和空穴复合、经由激子而提供进行发光的场的、含有发光性的有机半导体薄膜的层。进行发光的部分可以为发光层的层内，也可以为发光层和邻接层的界面。

发光层优选含有发光掺杂剂(发光性掺杂剂化合物、掺杂剂化合物，均简称为掺杂剂)和主体化合物(基质材料、发光主体化合物，均简称为主体)。

就构成发光层的层而言，可以是任何层，也可以为具有相同的发光光谱、发光极大波长的层的多层。

发光层的膜厚总和没有特别限制，但从进行形成的膜的均质性、防止在发光时施加不必要的高电压、且发光色相对于驱动电流的稳定性提高的观点来看，优选调整成5～200nm的范围，更优选调整成10～150nm的范围。另外，作为各个发光层的膜厚，优选调整成5～200nm的范围，更优选调整成10～40nm的范围。

发光层的形成方法没有特别限制，可以将后述的发光掺杂剂、主体化合物例如通过真空蒸镀法、旋涂法、流延法、LB法(朗格缪尔布洛杰特法)、喷墨法、喷雾法、印刷法、狭缝式涂布机法等的公知的薄膜形成法而制膜来形成。

(1.发光掺杂剂)

作为发光掺杂剂，优选使用荧光发光性掺杂剂(也称为荧光掺杂剂、荧光性化合物)及磷光发光性掺杂剂(磷光掺杂剂，也称为磷光性化合物)。对于发光层中的发光掺杂剂的浓度，可以基于使用的特定的掺杂剂及器件的必要条件而任意决定。光掺杂剂的浓度，相对于发光层的膜厚方向，可以以均匀的浓度含有，另外也可以具有任意的浓度分布。

另外，发光层也可以含有多种发光掺杂剂。例如，也可以是结构不同的掺杂剂彼此的组合、组合使用荧光发光性掺杂剂和磷光发光性掺杂剂。由此，可以得到任意的发光色。

就有机EL元件而言，优选1层或多层发光层含有发光色不同的多种发光掺杂剂、显示白色发光。对显示白色的发光掺杂剂的组合没有特别限定，例如可举出蓝和橙的组合、蓝和绿和红的组合等。作为有机EL元件中的白色，在通过上述的方法测定2度视角正面亮度时，优选1000cd/m²下的CIE1931表色系中的色度处于x＝0.39±0.09、y＝0.38±0.08的区域内。

(1-1.磷光发光性掺杂剂)

磷光发光性掺杂剂是观测到来自激发三重态的发光的化合物，具体而言，是在室温(25℃)下进行磷光发光的化合物，是在25℃下磷光量子收率为0.01以上的化合物。在发光层中的磷光发光性掺杂剂中，优选的磷光量子收率为0.1以上。

上述磷光量子收率，可以通过第4版实验化学讲座7的分光II的398页(1992年版，丸善)所记载的方法测定。溶液中的磷光量子收率可以使用各种溶剂而测定。发光层中使用的磷光发光性掺杂剂，只要在任意溶剂的任一者中达成上述磷光量子收率(0.01以上)即可。

磷光发光性掺杂剂的发光，作为原理可举出二种。

一种为:在传输载流子的主体化合物上，生成由载流子的复合导致的主体化合物的激发状态。是通过使该能量向磷光发光性掺杂剂移动而得到来自磷光发光性掺杂剂的发光这样的能量移动型。另一种为:磷光发光性掺杂剂成为载流子阱，在磷光发光性掺杂剂上引起载流子的复合，得到来自磷光发光性掺杂剂的发光这样的载流子阱型。在任意的情况下，磷光发光性掺杂剂的激发状态的能量比主体化合物的激发状态的能量低成为条件。

磷光发光性掺杂剂可以从有机EL元件的发光层中使用的公知的材料适当选择使用。

作为公知的磷光发光性掺杂剂的具体例，可举出以下的文献中所记载的化合物等。

作为磷光发光性化合物，可优选举出日本特开2013-4245号公报的段落[0185]～[0235]中所记载的由通式(4)、通式(5)、通式(6)表示的化合物、及例示化合物(Pt-1～Pt-3、Os-1、Ir-1～Ir-45)。另外，作为其它的例示化合物，在以下示出Ir-46、Ir-47、Ir-48。

[化学式1]

Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国际公开第2009100991号、国际公开第2008101842号、国际公开第2003040257号、美国专利公开第2006835469号、美国专利公开第20060202194号、美国专利公开第20070087321号、美国专利公开第20050244673号

Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国际公开第2009050290号、国际公开第2002015645号、国际公开第2009000673号、美国专利公开第20020034656号、美国专利第7332232号、美国专利公开第20090108737号、美国专利公开第20090039776号、美国专利第6921915号、美国专利第6687266号、美国专利公开第20070190359号、美国专利公开第20060008670号、美国专利公开第20090165846号、美国专利公开第20080015355号、美国专利第7250226号、美国专利第7396598号、美国专利公开第20060263635号、美国专利公开第20030138657号、美国专利公开第20030152802号、美国专利第7090928号

Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国际公开第2002002714号、国际公开第2006009024号、国际公开第2006056418号、国际公开第2005019373号、国际公开第2005123873号、国际公开第2005123873号、国际公开第2007004380号、国际公开第2006082742号、美国专利公开第20060251923号、美国专利公开第20050260441号、美国专利第7393599号、美国专利第7534505号、美国专利第7445855号、美国专利公开第20070190359号、美国专利公开第20080297033号、美国专利第7338722号、美国专利公开第20020134984号、美国专利第7279704号、美国专利公开第2006098120号、美国专利公开第2006103874号

国际公开第2005076380号、国际公开第2010032663号、国际公开第第2008140115号、国际公开第2007052431号、国际公开第2011134013号、国际公开第2011157339号、国际公开第2010086089号、国际公开第2009113646号、国际公开第2012020327号、国际公开第2011051404号、国际公开第2011004639号、国际公开第2011073149号、美国专利公开第2012228583号、美国专利公开第2012212126号、特开2012-069737号公报、特开2012-195554号公报、特开2009-114086号公报、特开2003-81988号公报、特开2002-302671号公报、特开2002-363552号公报

其中，作为优选的磷光发光性掺杂剂，可举出中心金属中具有Ir的有机金属络合物。进一步优选的是,优选含有金属-碳键、金属-氮键、金属-氧键、金属-硫键的至少一种的配位样式的络合物。

(1-2.荧光发光性掺杂剂)

荧光发光性掺杂剂为可以进行来自激发单重态的发光的化合物，只要可观测来自激发单重态的发光，就没有特别限定。

作为荧光发光性掺杂剂，例如可举出蒽衍生物、芘衍生物、衍生物、荧蒽衍生物、苝衍生物、芴衍生物、芳基乙炔衍生物、苯乙烯基亚芳基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳基胺衍生物、硼络合物、香豆素衍生物、吡喃衍生物、菁衍生物、克酮酸衍生物、方酸衍生物、氧杂苯并蒽衍生物、荧光素衍生物、若丹明衍生物、吡喃鎓衍生物、苝衍生物、聚噻吩衍生物、或稀土类络合物系化合物等。

另外，作为荧光发光性掺杂剂，也可以使用利用了延迟荧光的发光掺杂剂等。作为利用了延迟荧光的发光掺杂剂的具体例，例如可举出国际公开第2011/156793号、日本特开2011-213643号公报、日本特开2010-93181号公报等中所记载的化合物。

(2.主体化合物)

主体化合物为在发光层中主要担任电荷的注入及传输的化合物，在有机EL元件中实质上观测不到其本身的发光。

优选的是，为在室温(25℃)下磷光发光的磷光量子收率不足0.1的化合物，进一步优选的是，为磷光量子收率不足0.01的化合物。另外，在发光层所含有的化合物内，优选在该层中的质量比为20％以上。

另外，主体化合物的激发状态能量优选比在同一层内所含有的发光掺杂剂的激发状态能量高。

主体化合物也可以单独使用，或也可以并用多种来使用。通过使用多种主体化合物，可以调整电荷的移动，可以进行有机EL元件的高效率化。

作为发光层中使用的主体化合物，没有特别限制，可以使用以往有机EL元件中使用的化合物。例如，可以为低分子化合物、具有重复单元的高分子化合物，也可以为具有如乙烯基、环氧基这样的反应性基团的化合物。

作为公知的主体化合物，从具有空穴传输能力或电子传输能力、且防止发光的长波长化、进而使有机EL元件对于高温驱动时、元件驱动中的发热的稳定性的观点来看，优选具有高的玻璃化转变温度(Tg)。作为主体化合物，优选Tg为90℃以上，更优选为120℃以上。

在此，所谓玻璃化转变温度(Tg)，是使用DSC(Differential ScanningColorimetry：差示扫描热量法)而通过依据JIS-K-7121的方法所求得的值。

另外，就含有磷光发光性掺杂剂的发光层的主体化合物而言，优选其最低激发三重态能量(T1)比2.1eV大。通过T1比2.1eV大，可得到高的发光效率。所谓最低激发三重态能量(T1)，是指将主体化合物溶解于溶剂中、以液体氮温度或液体氦温度下观测的磷光发光光谱的最低振动带间过渡所对应的发光带的峰值能量。

另外，就含有荧光发光性掺杂剂的发光层的主体化合物而言，优选其最低激发三重态能量(T1)比邻接的空穴传输层大。

作为有机EL元件中使用的、公知的主体化合物的具体例，可举出以下文献中所记载的化合物等，但不限定于此。

日本特开2001-257076号公报、同2002-308855号公报、同2001-313179号公报、同2002-319491号公报、同2001-357977号公报、同2002-334786号公报、同2002-8860号公报、同2002-334787号公报、同2002-15871号公报、同2002-334788号公报、同2002-43056号公报、同2002-334789号公报、同2002-75645号公报、同2002-338579号公报、同2002-105445号公报、同2002-343568号公报、同2002-141173号公报、同2002-352957号公报、同2002-203683号公报、同2002-363227号公报、同2002-231453号公报、同2003-3165号公报、同2002-234888号公报、同2003-27048号公报、同2002-255934号公报、同2002-260861号公报、同2002-280183号公报、同2002-299060号公报、同2002-302516号公报、同2002-305083号公报、同2002-305084号公报、同2002-308837号公报、美国专利公开第20030175553号、美国专利公开第20060280965号、美国专利公开第20050112407号、美国专利公开第20090017330号、美国专利公开第20090030202号、美国专利公开第20050238919号、国际公开第2001039234号、国际公开第2009021126号、国际公开第2008056746号、国际公开第2004093207号、国际公开第2005089025号、国际公开第2007063796号、国际公开第2007063754号、国际公开第2004107822号、国际公开第2005030900号、国际公开第2006114966号、国际公开第2009086028号、国际公开第2009003898号、国际公开第2012023947号、日本特开2008-074939号公报、日本特开2007-254297号公报、EP2034538等。

[电子传输层]

所谓有机EL元件中使用的电子传输层，由具有传输电子的功能的材料构成，具有将从阴极注入了的电子向发光层传递的功能。

电子传输材料也可以单独使用，还可以并用多种来使用。

对于电子传输层的总厚没有特别限制，但通常为2nm～5μm的范围，更优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

另外，已知：在有机EL元件中，在将发光层中产生的光取出时，从发光层通过阳极直接取出的光和被阳极及位于对电极的阴极反射后而取出的光引起干扰。

因此，在有机EL元件中，优选通过在数nm～数μm之间适当调整电子传输层的总膜厚来进行发光单元的总厚的调整。

另一方面，由于当增厚电子传输层的膜厚时电压易于上升，因此特别是在膜厚厚的情况下，电子传输层的电子移动度优选为10^-5cm²/Vs以上。

作为在电子传输层中使用的材料(以下，称为电子传输材料)，只要具有电子的注入性或传输性、或空穴的阻碍性的任一项即可，可以从以往公知的化合物中选择任意的化合物来使用。例如可举出含氮芳香族杂环衍生物、芳香族烃环衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、噻咯衍生物等。

作为上述含氮芳香族杂环衍生物，可举出咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物(构成咔唑环的碳原子的1个以上取代成氮原子)、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、哒嗪衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、氮杂苯并[9,10]菲衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物等。

作为芳香族烃环衍生物，可举出萘衍生物、蒽衍生物、苯并[9,10]菲等。

另外，配体中具有羟基喹啉骨架或二苯并羟基喹啉骨架的金属络合物、例如将三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、三(5,7-二氯-8-羟基喹啉)铝、三(5,7-二溴-8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)锌(Znq)等及这些金属络合物的中心金属替换成In、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga或Pb的金属络合物也可以作为电子传输材料来使用。

另外，不含金属或金属酞菁、或它们的末端被烷基或磺酸基等取代了的化合物，也可以作为电子传输材料来优选使用。另外，作为发光层的材料而例示的二苯乙烯基吡嗪衍生物，也可以作为电子传输材料来使用，而且与空穴注入层、空穴传输层一样，n型-Si、n型-SiC等的无机半导体也可以作为电子传输材料来使用。

另外，也可以使用将这些材料导入高分子链的、或将这些材料作为高分子的主链的高分子材料。

有机EL元件中，也可以作为客体材料在电子传输层中掺杂掺杂材料而形成n性高的(富电子)电子传输层。作为掺杂材料，可举出金属络合物及卤化金属等的金属化合物、其它的n型掺杂剂。作为这样的构成的电子传输层的具体例，例如可举出日本特开平4-297076号公报、同10-270172号公报、日本特开2000-196140号公报、同2001-102175号公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等的文献中所记载的电子传输层。

作为公知的优选的电子传输材料的具体例，可举出以下文献所记载的化合物等，但不限定于此。

美国专利第6528187号、美国专利第7230107号、美国专利公开第20050025993号、美国专利公开第20040036077号、美国专利公开第20090115316号、美国专利公开第20090101870号、美国专利公开第20090179554号、国际公开第2003060956号、国际公开第2008132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、美国专利第7964293号、美国专利公开第2009030202号、国际公开第2004080975号、国际公开第2004063159号、国际公开第2005085387号、国际公开第2006067931号、国际公开第2007086552号、国际公开第2008114690号、国际公开第2009069442号、国际公开第2009066779号、国际公开第2009054253号、国际公开第2011086935号、国际公开第2010150593号、国际公开第2010047707号、EP2311826号、日本特开2010-251675号公报、日本特开2009-209133号公报、日本特开2009-124114号公报、日本特开2008-277810号公报、日本特开2006-156445号公报、日本特开2005-340122号公报、日本特开2003-45662号公报、日本特开2003-31367号公报、日本特开2003-282270号公报、国际公开第2012115034号等

作为更优选的电子传输材料，可举出吡啶衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、三嗪衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物。

[空穴阻挡层]

空穴阻挡层广义上是具有电子传输层的功能的层。优选的是，由具有传输电子的功能、且传输空穴的能力小的材料构成。通过传输电子且阻挡空穴，可以提高电子和空穴的复合概率。

另外，当空穴阻挡层中还具有作为阻挡三重态能量的层的功能时，更有效。

另外，可以根据需要将上述的电子传输层的构成作为空穴阻挡层来使用。

设于有机EL元件的空穴阻挡层，优选与发光层的阴极侧邻接地设置。

在有机EL元件中，空穴阻挡层的厚度优选为3～100nm的范围，进一步优选为5～30nm的范围。

作为在空穴阻挡层中使用的材料，优选使用在上述的电子传输层中使用的材料，另外，作为上述的主体化合物而使用的材料，也优选在空穴阻挡层中使用。

[电子注入层]

电子注入层(也称为“阴极缓冲层”)，是为了驱动电压降低或发光亮度提高而设于阴极和发光层之间的层。电子注入层的一例，记载于“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS社发光)”的第2编第2章“电极材料”(123～166页)。

有机EL元件中，电子注入层根据需要而设置，如上述那样设于阴极和发光层之间或阴极和电子传输层之间。

电子注入层优选为极薄的膜，虽然根据原材料而不同，但其膜厚优选0.1nm～5nm的范围。另外也可以是构成材料断断续续地存在的不均匀的膜。

就电子注入层而言，在日本特开平6-325871号公报、同9-17574号公报、同10-74586号公报等中记载其详细内容。作为在电子注入层中优选使用的材料的具体例，可举出以锶、铝等为代表的金属；以氟化锂、氟化钠、氟化钾等为代表的碱金属化合物；以氟化镁、氟化钙等为代表的碱土金属化合物；以氧化铝为代表的金属氧化物；以锂8-羟基喹啉(Liq)等为代表的金属络合物等。另外，也可以使用上述的电子传输材料。

另外，在上述的电子注入层中使用的材料也可以单独使用，也可以并用多种来使用。

[空穴传输层]

空穴传输层由具有传输空穴的功能的材料构成。空穴传输层是具有将从阳极注入了的空穴向发光层传递的功能的层。

在有机EL元件中，空穴传输层的总膜厚没有特别限制，但通常为5nm～5μm的范围，更优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

在空穴传输层中使用的材料(以下，称为空穴传输材料)，只要具有空穴的注入性或传输性、电子的阻碍性的任一项即可。空穴传输材料可以从以往公知的化合物中选择任意化合物来使用。空穴传输材料也可以单独使用，另外，也可以并用多种来使用。

空穴传输材料，例如可举出卟啉衍生物、酞菁衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、腙衍生物、1,2-苯乙烯衍生物、聚芳基烷烃衍生物、三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、异吲哚衍生物、蒽或萘等的并苯系衍生物、芴衍生物、芴酮衍生物、聚乙烯基咔唑、将芳香族胺导入了主链或侧链的高分子材料或低聚物、聚硅烷、导电性聚合物或低聚物(例如PEDOT：PSS、苯胺系共聚物、聚苯胺、聚噻吩等)等。

作为三芳基胺衍生物，可举出以α-NPD为代表的联苯胺型、以MTDATA为代表的星爆型、在三芳基胺连结芯部中具有芴或蒽的化合物等。

另外，日本特表2003-519432号公报或日本特开2006-135145号公报等中所记载的六氮杂苯并[9，10]菲衍生物也可以作为空穴传输材料来使用。

进而，也可以使用掺杂了杂质的p性高的空穴传输层。例如也可以将日本特开平4-297076号公报、日本特开2000-196140号公报、同2001-102175号公报的各公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等中所记载的构成应用于空穴传输层。

另外，也可以使用如日本特开平11-251067号公报、J.Huang等著文献(AppliedPhysics Letters 80(2002),p.139)中所记载的那样的、所谓p型空穴传输材料、p型-Si、p型-SiC等的无机化合物。进而也优选使用以如Ir(ppy)₃为代表那样的在中心金属中具有Ir或Pt的邻位金属化有机金属络合物。

作为空穴传输材料，可以使用上述的材料，但优选使用三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、氮杂苯并[9，10]菲衍生物、有机金属络合物、将芳香族胺导入主链或侧链的高分子材料或低聚物等。

作为空穴传输材料的具体例，除了上述中举出的文献以外，还可举出以下文献所记载的化合物等，但不限定于此。

Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72-74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209(1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chem.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chem.Mater.15,3148(2003)、美国专利公开第20030162053号、美国专利公开第20020158242号、美国专利公开第20060240279号、美国专利公开第20080220265号、美国专利第5061569号、国际公开第2007002683号、国际公开第2009018009号、EP650955、美国专利公开第20080124572号、美国专利公开第20070278938号、美国专利公开第20080106190号、美国专利公开第20080018221号、国际公开第2012115034号、特表2003-519432号公报、日本特开2006-135145号公报、美国专利申请编号13/585981号

[电子阻挡层]

电子阻挡层广义上是具有空穴传输层的功能的层。优选由具有传输空穴的功能且传输电子的能力小的材料构成。电子阻挡层通过传输空穴且阻挡电子，可以使电子和空穴的复合概率提高。

另外，可以根据需要将上述的空穴传输层的构成作为有机EL元件的电子阻挡层来使用。设于有机EL元件的电子阻挡层优选与发光层的阳极侧邻接地设置。

作为电子阻挡层的厚度，优选为3～100nm的范围，更优选为5～30nm的范围。

作为在电子阻挡层中使用的材料，可以优选使用在上述的空穴传输层中使用的材料。另外，作为上述的主体化合物而使用的材料，也可作为电子阻挡层来优选使用。

[空穴注入层]

空穴注入层(也称为“阳极缓冲层”)，是为了驱动电压降低或发光亮度提高而设于阳极和发光层之间的层。空穴注入层的一例，记载于“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS社发光)”的第2编第2章“电极材料”(123～166页)。

空穴注入层根据需要设置，如上述那样设置于阳极和发光层之间、或阳极和空穴传输层之间。

就空穴注入层而言，在日本特开平9-45479号公报、同9-260062号公报、同8-288069号公报等中记载了其详细内容。

在空穴注入层中使用的材料，可举出例如在上述的空穴传输层中使用的材料等。其中，优选为：以铜酞菁为代表的酞菁衍生物、特表2003-519432号或日本特开2006-135145号公报等所记载那样的六氮杂苯并[9,10]菲衍生物、以氧化钒为代表的金属氧化物、无定形碳、聚苯胺(人造绿宝石)或聚噻吩等导电性高分子、以三(2-苯基吡啶)铱络合物等为代表的邻位金属化络合物、三芳基胺衍生物等。

在上述的空穴注入层中使用的材料可以单独使用，另外，也可以并用多种来使用。

[含有物]

构成有机EL元件的发光单元，也可以进一步含有其它含有物。

作为含有物，例如可举出溴、碘及氯等的卤元素或卤化化合物；Pd、Ca、Na等的碱金属或碱土金属；过渡金属的化合物或络合物、盐等。

含有物的含量可以任意决定，但相对于含有的层的全部质量％，优选为1000ppm以下，更优选为500ppm以下，进一步优选为50ppm以下。

但是，根据使电子、空穴的传输性提高的目的、有利地进行激子的能量移动的目的等，不在该范围内。

[中间连接层]

在层叠上述发光单元的情况下，优选在各发光单元间设置非发光性的中间连接层19。中间连接层19是在电场中具有与将多个发光单元串联地进行电连结的有机化合物层的界面的层。

作为中间连接层19，可以单独或混合多种有机化合物、无机化合物来使用。

作为中间连接层19，至少由一层以上形成，但优选由二层以上构成，特别优选含有p型半导体层、n型半导体层的一方或双方。另外，也可以设为通过外部电场而在层内部可以产生·传输空穴、电子的双极层。另外，可以适当使用作为通常的电极材料而可使用的金属、金属氧化物及其合金等。

这样，作为中间连接层19，可以设为具有向一方的发光单元注入电子的功能、具有向另一方的发光单元注入空穴的功能的电荷产生层的构成。

另外，作为中间连接层19，可以使用与阳极及阴极相同的材料而形成。另外，中间连接层19可以使用与阳极及阴极相比电导率低的材料而形成。

在中间连接层19中，作为具有注入电子的功能的层，例如可以使用氧化锂、氟化锂、碳酸铯等的绝缘体、半导体。或，也可以使用向电子传输性高的物质中添加了电子供给性物质的材料。

作为有机化合物，可举出作为纳米碳材料、有机半导体材料(有机受体，有机供体)而发挥功能的有机金属络合物化合物、有机盐、芳香族烃化合物及其衍生物、杂芳香族烃化合物及其衍生物等。

作为无机化合物，可举出：金属或无机氧化物、无机盐等。

作为电子传输性高的物质，例如可以使用三(8-羟基喹啉)铝(简称：Alq3)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(简称：BAlq)等的具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物等。

另外，此外也可以使用双[2-(2-羟苯基)苯并噁唑]锌(简称：Zn(BOX)2)、双[2-(2-羟苯基)苯并噻唑]锌(简称：Zn(BTZ)2)等的具有噁唑系、噻唑系配体的金属络合物等。

另外，除了金属络合物以外，也可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：PBD)、1,3-双[5-(p-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、红菲咯啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等。

上述的所谓电子传输性高的物质，主要具有10^-6cm²/Vs以上的电子迁移率。予以说明，如果是与空穴相比电子的传输性高的物质，则也可以使用上述以外的物质。

通过向电子传输性高的物质中添加电子供给性物质，可以提高电子注入性。因此，可以降低发光元件的驱动电压。作为电子供给性物质，可以使用碱金属、碱土金属、或稀土金属、或元素周期表中的属于周期表第13族的金属、其氧化物、或其碳酸盐。具体而言，优选使用锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、镱(Yb)、铟(In)、氧化锂、碳酸铯等。另外，也可以将如四硫萘并萘这样的有机化合物作为供体性物质来使用。

另外，中间连接层19中作为具有注入空穴的功能的层，例如可以使用氧化钼、氧化钒、氧化铼、氧化钌等的半导体、绝缘体。或者，可以使用向空穴传输性高的物质中添加了电子接受性物质的材料。另外，也可以使用由电子接受性物质构成的层。

作为空穴传输性高的物质，例如可以使用4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(简称：TPD)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(简称：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(简称：MTDATA)等的芳香族胺化合物等。

上述的空穴传输性高的物质，是主要具有10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，如果是与电子相比空穴的传输性高的物质，则也可以使用上述以外的物质。另外，也可以使用上述的主体材料。

通过在空穴传输性高的物质中添加电子接受性物质，可以提高空穴注入性。因此，可以降低发光元件的驱动电压。作为电子接受性物质，可以使用7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称：F4-TCNQ)、四氯苯醌等。另外，可以使用过渡金属氧化物。另外，可以使用元素周期表中的属于周期表第4族～第18族元素的金属氧化物。具体而言，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼由于电子接受性高而优选。其中，特别是氧化钼由于即使在大气中也稳定、吸湿性低、易于处理而优选。

另外，向空穴传输性高的物质中添加了电子接受性物质的构成、及向电子传输性高的物质中添加了电子接受性物质的构成中，通过使用任一方或两方的构成，即使在将中间连接层19厚膜化了的情况下也可以抑制驱动电压的上升。因此，通过将中间连接层19厚膜化，可以防止微小的杂质或冲击等导致的短路，可不使驱动电压上升地得到可靠性高的发光元件。

予以说明，在中间连接层19中，在具有注入空穴的功能的层和具有注入电子的功能的层之间，也可以根据需要导入其它层。例如，也可以设置如ITO这样的导电层、电子中继层。电子中继层具有将在具有注入空穴的功能的层和具有注入电子的功能的层之间产生的电压损耗降低的功能。具体而言，优选使用LUMO能级大概为-5.0eV以上的材料，更优选使用-5.0eV以上且-3.0eV以下的材料。例如可以使用3,4,9,10-苝四羧酸二酐(简称：PTCDA)、3,4,9,10-苝四羧酸双苯并咪唑(简称：PTCBI)等。

[阳极]

作为有机EL元件10中的阳极21，可使用由功函数大(4eV以上，优选为4.3V以上)的金属、合金、导电性化合物、及它们的混合物构成的电极物质。作为这样的电极物质的具体例，可举出Au、Ag等的金属及它们的合金、CuI、铟锡氧化物(ITO)、SnO₂、ZnO等的导电性透明材料。另外，也可以使用IDIXO(In₂O₃-ZnO)等的非晶质可制作透明导电膜的材料。

就阳极21而言，也可以使用蒸镀、溅射法等的方法来形成薄电极物质的膜、用光刻法形成希望的形状的图案。另外，在不太需要图案精度的情况下(100μm以上左右)，在上述电极物质的蒸镀、溅射法时，也可以经由希望的形状的掩模来形成图案。

在如有机导电性化合物那样使用可涂布的物质的情况下，也可以使用印刷方式、涂敷方式等湿式制膜法。

在从阳极21侧取出发出光的情况下，优选使透射率比10％大。另外，作为阳极的薄层电阻优选为数百Ω/sq.以下。另外，阳极的厚度根据材料不同而不同，但通常在10nm～1μm、优选10nm～200nm的范围选择。

[阴极]

作为阴极22，可使用由功函数小(4eV以下)的金属(称为电子注入性金属)、合金、导电性化合物、及它们的混合物构成的电极物质。作为这样的电极物质的具体例，可举出钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al₂O₃)混合物、铟、锂/铝混合物、铝、银、以银为主成分的合金、铝/银混合物、稀土金属等。

就阴极22而言，可以使用蒸镀、溅射法等的方法来制作上述电极物质。另外，阴极22的薄层电阻优选为数百Ω/sq.以下。另外，阴极22的厚度通常在10nm～5μm、优选50nm～200nm的范围选择。

[基板]

就在有机EL元件10中使用的基板23而言，在玻璃、塑料等的种类上没有特别限定，另外，可以是透明的也可以是不透明。在从支承基板侧取出光的情况下，支承基板优选为透明的。

作为透明的支承基板而优选的是，可以举出玻璃、石英、透明树脂膜。特别优选的是，为可以对有机EL元件10赋予挠性的树脂膜。

作为树脂膜，例如可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯；聚乙烯、聚丙烯、赛璐玢、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丁酸纤维素、乙酸丙酸纤维素(CAP)、邻苯二甲酸醋酸纤维素、硝酸纤维素等的纤维素酯类或它们的衍生物；聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇、间同立构聚苯乙烯、聚碳酸酯、降冰片烯树脂、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚苯硫醚、聚砜类、聚醚酰亚胺、聚醚酮酰亚胺、聚酰胺、氟树脂、尼龙、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸或聚芳酯类、アートン(商品名JSR公司制)或アペル(商品名三井化学公司制)的环烯烃系树脂等。

在树脂膜的表面，也可以形成利用无机物、有机物的被膜或其两者的混合被膜等的阻隔膜。阻隔膜优选为用根据JIS K 7129-1992的方法而测定了的、水蒸气透过率(25±0.5℃、相对湿度(90±2)％RH)为0.01g/(m²·24h)以下的阻隔性膜。更优选为用根据JISK7126-1987的方法而测定了的氧气透过率为10^-3ml/(m²·24h·atm)以下、水蒸气透过率为10^-5g/(m²·24h)以下的高阻隔性膜。

作为形成阻隔膜的材料，只要是具有抑制水分、氧等带来元件的劣化的物质的浸入的功能的材料即可。例如可以使用氧化硅、二氧化硅、氮化硅等。另外，为了改良阻隔膜的脆弱性，更优选具有这些无机层和由有机材料构成的层的层叠结构。对无机层和有机层的层叠顺序没有特别限制，但优选使两者交替层叠多次。

对于阻隔膜的形成方法没有特别限定，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、反应性溅射法、分子束外延法、团簇离子束法、离子镀法、等离子聚合法、大气压等离子聚合法、等离子CVD法、激光CVD法、热CVD法、涂敷法等。例如，优选如日本特开2004-68143号公报所记载那样的利用大气压等离子聚合法的方法。

作为不透明的支承基板，例如可举出铝、不锈钢等的金属板·膜\不透明树脂基板、陶瓷制的基板等。

[密封]

作为在有机EL元件10的密封中使用的密封手段，例如可举出用粘接剂将密封部件和电极、支承基板粘接的方法。

作为密封部件，只要以覆盖有机EL元件的显示区域的方式配置即可，也可以是凹板状，也可以是平板状。另外，透明性、电绝缘性没有特别限定。

具体而言，可举出玻璃板、聚合物板、聚合物膜、金属板·膜等。

作为玻璃板，特别是可以举出钠钙玻璃、含钡·锶玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃、石英等。

另外，作为聚合物板及聚合物膜，可以举出聚碳酸酯、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚硫醚、聚砜等。

作为金属板，可举出含有选自由不锈钢、铁、铜、铝、镁、镍、锌、铬、钛、钼、硅、锗及钽构成的组的一种以上的金属及合金。

因此可使有机EL元件10薄膜化，因此，可以优选使用聚合物膜、金属膜。进而，聚合物膜优选氧气透过率为10^-3g/(m²·24h)以下且水蒸气透过率为10^-3g/(m²·24h)以下。另外，更优选水蒸气透过率、氧气透过率均为10^-5g/(m²·24h)以下。

为了将密封部件加工成凹状，可使用喷砂加工、化学蚀刻加工等。作为粘接剂，具体而言，可以举出丙烯酸系低聚物、甲基丙烯酸系低聚物的具有反应性乙烯基的光固化及热固化型粘接剂、2-氰基丙烯酸酯等的湿气固化型等的粘接剂。另外，可以举出环氧系等的热及化学固化型(二液混合)。另外，可以举出热熔型的聚酰胺、聚酯、聚烯烃。另外，可以举出阳离固化型的紫外线固化型环氧树脂粘接剂。

予以说明，由于有时有机EL元件由于热处理而劣化，因此优选从室温到80℃可粘接固化。另外，也可以在粘接剂中分散干燥剂。就粘接剂向密封部分的涂布而言,可以使用市售的分配器，也可以如丝网印刷这样的进行印刷。

在密封部件和有机EL元件的显示区域的间隙中,优选在气相及液相下注入氮、氩等的非活性气体、氟化烃、如硅油这样的非活性液体。另外，也可以设为真空。另外，也可以在内部封入吸湿性化合物。

作为吸湿性化合物，例如可举出金属氧化物(例如，氧化钠、氧化钾、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝等)、硫酸盐(例如，硫酸钠、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钴等)、金属卤化物(例如，氯化钙、氯化镁、氟化铯、氟化钽、溴化铈、溴化镁、碘化钡、碘化镁等)、高氯酸类(例如，高氯酸钡、高氯酸镁等)等，在硫酸盐、金属卤化物及高氯酸类中，优选使用无水盐。

(保护膜、保护板)

为了提高元件的机械强度，也可以在上述密封用薄膜的外侧设置保护膜或保护板。特别是在通过上述密封膜来进行密封的情况下，其机械强度未必高，因此优选设置这样的保护膜、保护板。作为可以在其中使用的保护膜、保护板的材料，可以使用与在上述密封中使用的材料同样的玻璃板、聚合物板·膜、金属板·膜等，但从轻量且薄膜化这样的方面来看，优选使用聚合物膜。

[光取出提高技术]

一般可以说：有机EL元件在折射率比空气高的(折射率1.6～2.1左右的范围内)层的内部发光、在发光层产生的光中仅取出15～20％左右的光。这是由于：以临界角以上的角度θ入射于界面(透明基板和空气的界面)的光引起全反射、不能取出到元件外部；在透明电极或发光层和透明基板之间光引起全反射、光在透明电极或发光层波导，作为结果，光逃向元件侧面方向。

作为提高该光的取出的效率的方法，例如可举出：在透明基板表面形成凹凸、防止在透明基板和空气界面的全反射的方法(例如，美国专利第4774435号说明书)，通过基板上具有聚光性而使效率提高的方法(例如，日本特开昭63-314795号公报)，在元件的侧面等形成反射面的方法(例如，日本特开平1-220394号公报)，在基板和发光体之间导入具有中间的折射率的平坦层、形成反射防止膜的方法(例如，日本特开昭62-172691号公报)，在基板和发光体之间导入具有折射率比基板低的平坦层的方法(例如，日本特开2001-202827号公报)，在基板、透明电极层或发光层的任一层间(含有基板和外界间)形成衍射光栅的方法(日本特开平11-283751号公报)等。

[有机EL元件的制作方法]

接着，对图1中所示的由阳极21/第1发光单元11/中间连接层19/第2发光单元12/阴极22构成的有机EL元件10的制作方法的一例进行说明。

首先，在适当的基板23上，通过蒸镀或溅射法等方法形成由希望的电极物质、例如阳极用物质构成的薄膜，以使成为1μm以下，优选为10～200nm的膜厚，来制作阳极21。

接着，在基板上形成作为有机EL元件10的材料的由第1空穴传输层13、第1发光层14、第1电子传输层15构成的第1发光单元11。

作为该有机化合物薄膜的薄膜化的方法，具有：蒸镀法、湿式工艺(旋涂法、流延法、喷墨法、印刷法、LB法(朗格缪尔布洛杰特法)、喷雾法、印刷法、狭缝式涂布机法)等，但从易于得到均质的膜且不易生成针孔等的观点来看，特别优选为真空蒸镀法、旋涂法、喷墨法、印刷法、狭缝式涂布机法。

进而每层也可以应用不同的制膜法。

在制膜中采用蒸镀法的情况下，其蒸镀条件根据使用的化合物的种类等不同而不同，但一般优选在舟皿加热温度为50℃～450℃、真空度为10^-6Pa～10^-2Pa、蒸镀速度为0.01nm/秒～50nm/秒、基板温度为-50℃～300℃、膜厚为0.1nm～5μm、优选为5nm～200nm的范围内适当选择。

接着，在第1发光单元11上形成中间连接层19。

作为中间连接层19的形成方法，只要是上述那样在电荷产生层或中间电极的任意中可进行薄膜形成的方法，就没有特别限定，例如可举出蒸镀法、溅射法、湿式工艺(旋涂法、流延法、喷墨法、LB法、喷雾法、印刷法、狭缝式涂布机法)等。

接着，在中间连接层19上形成作为有机EL元件10的材料的由第2空穴传输层16、第2发光层17、第2电子传输层18构成的第2发光单元12。

作为第2发光单元12的形成方法，薄膜形成只要使用上述已知的方法形成即可。作为构图方法，例如，如果是蒸镀法，则可以使用阴影掩模的方法、转印法等进行制作，如果是湿式工艺，则可以通过印刷图案进行的构图等进行制作。

形成这些层后，在该层上通过例如蒸镀或溅射法等方法形成由阴极用物质构成的薄膜，以成为1μm以下、优选为50～200nm的范围的膜厚，设置阴极22。

由此，可得到希望的有机EL元件10。

该有机EL元件10的制作，优选通过一次抽真空连贯性地从第1发光单元11制作到阴极22，但也可以在中途取出而实施不同的制膜法。此时，需要考虑在干燥非活性气体氛围下进行作业等。

然后，也可以密封·保护有机EL元件10。

例如，在露出阳极及阴极的一部分或全部的状态下用热固化性树脂被覆有机EL元件而将其加热固化、密封有机EL元件。

然后，用保护部件被覆有机EL元件的密封体和从密封体露出了的有机EL元件的阳极及阴极的一部分或全部、以规定温度加热压接保护部件的重复部分。也可以使两个保护部件重合而被覆有机EL元件的密封体等并将其侧缘部彼此加热压接，也可以折叠1个保护部件而被覆有机EL元件10的密封体等、将其侧缘部(特别是开放端)彼此加热压接。

通过以上处理，可制造密封·保护有机EL元件10的有机EL模块。

[其它的构成]

予以说明，在上述第1实施方式中，例示了从基板侧依次层叠成为透明电极的阳极、第1发光单元、中间连接层、第2发光单元及成为反射电极的阴极的底部发光型的有机EL元件，但不限定于该构成。例如，各层的层叠顺序也可以颠倒，也可以是阳极和阴极颠倒的构成。

另外，有机EL元件只要具有至少两个发光层即可。而且，在各自的发光层中设为如下构成，即，在一般易于产生亮度降低的发光层的阳极侧设置LUMO浅且T1高的层，且在一般不易产生亮度降低的发光层的阳极侧设置满足LUMO深及T1低的至少任一项的层。由此，可以调整各发光层的亮度降低的平衡，并抑制从有机EL元件取出的白色光的质量降低。

因此，如果满足上述层构成的条件，则对发光单元的层构成及层叠数、发光层的层构成及层叠数均没有特别限定，可以设为可实现希望的有机EL构成。例如，也可以将构成有机EL元件的发光单元设为1层，另外，也可以设为层叠3层以上的发光单元的构成。另外，在发光单元内，发光层也可以为单层，或也可以是直接或经由有机层层叠多个发光层的构成。

也可以设为适当组合这些层的构成。

另外，上述实施方式中，将用于有机EL元件的发光掺杂剂的种类设为蓝、绿及红的3种进行了例示，但也可以使用除此以外的发光色的发光掺杂剂。例如，也可以使用具有成为蓝、绿及红各色的补色的发光色的发光掺杂剂。通过在亮度降低速度不同的发光层和形成于这些发光层的阳极侧的层之间具备LUMO及T1满足上述关系的层，也可以在发光层上使用这种发光掺杂剂。

另外，在上述实施方式中，将来自有机EL元件的发光色设为白色发光进行说明，但有机EL元件的发光色不限于白色，也可以设为由多个发光层的发光色的组合形成的任意发光色。在设为白色以外的发光色的情况下，通过在亮度降低速度不同的发光层和形成于这些发光层的阳极侧的层之间具备LUMO及T1满足上述关系的层，可以抑制经过驱动时间带来的由最初的发光色的色变化。

另外，在上述实施方式中，根据发光波长和发光能量的关系对短波长侧的发光层的亮度降低较大且长波长侧的发光层的亮度降低较小的例子进行说明，但亮度降低的大小不仅依赖于发光波长。例如，根据构成发光层的化合物的种类或层叠构成不同，不管发光波长，经过驱动时间带来的亮度降低的速度不同。因此，发光层的亮度降低不仅依赖于发光波长，也受到其它构成的影响。

即使在发光层的亮度降低不依赖于发光波长的构成中，如果具有2层以上的发光层，且在这些发光层上具有一般的亮度降低的大小的差，则可以应用上述实施方式的有机EL构成，并可以抑制有机EL元件经过驱动时间带来的来自最初发光色的色变化。

〈2.有机电致发光元件的实施方式(第2实施方式)〉

接着，对有机电致发光元件(有机EL元件)的第2实施方式进行说明。图4中示出第2实施方式的有机EL的构成。

[有机EL元件的构成]

图4中所示的有机EL元件30，具备阳极36、发光单元31及阴极37。而且，将这些的各层层叠形成于基板38上。图4中所示的第2实施方式的有机EL元件30，除了发光单元内的层构成与上述第1实施方式的有机EL元件不同以外，可以应用相同的构成。另外，即使对于发光单元内的构成，也仅为层叠顺序、层叠方式不同，构成发光单元的各层可以应用与上述第1实施方式相同的构成。因此，在以下的说明中，对于构成有机EL元件30的各层的详细说明，省略。

有机EL元件30中，在基板38上形成有阳极36，在该阳极36上形成有发光单元31。进而，在发光单元31上形成有阴极37。

上述有机EL元件30具有阳极36通过透明电极而构成、将阴极37作为反射电极而发挥功能的构成，是从基板38侧取出光的所谓的底部发光型的构成。

发光单元31为从阳极36侧依次层叠形成了空穴传输层32、第1发光层33、第2发光层34及电子传输层35的构成。

空穴传输层32是具有传输空穴的功能的层，广义上也含有空穴注入层及电子阻挡层等。另外，电子传输层35是具有传输电子的功能的层，广义上也含有电子注入层及空穴阻挡层。

另外，有机EL元件30是在第1发光层33及第2发光层34中至少含有发光性的有机材料、例如作为发光性的有机材料而具有蓝(B)、绿(G)及红(R)的各色的发光掺杂剂的白色发光元件。

为了提高有机EL元件30的发光效率，优选在光取出侧设置发出短波长的光的发光层。因此，在图4中所示的有机EL元件30中，优选在第1发光层33中含有发出短波长的蓝的发光掺杂剂。而且，优选在第2发光层34中含有绿(G)及红(R)的发光掺杂剂。

因此，图4中所示的有机EL元件30中，第1发光层33为含有蓝色发光掺杂剂的蓝色发光层，第2发光层34为含有绿色发光掺杂剂及红色发光掺杂剂的绿色及红色(黄色)发光层。

在有机EL元件30中，作为第1发光层33在阳极36侧进行接触的层，设有空穴传输层32。因此，空穴传输层32是与第1发光层33相比LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的层。

另外，在有机EL元件30中，作为第2发光层34在阳极36侧进行接触的层，设有第1发光层33。因此，第1发光层33是满足与第2发光层34相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一项的层。

通过形成上述的层构成，在第1发光层33及第2发光层34中产生与上述的第1实施方式相同的现象。因此，可以抑制第1发光层33的劣化，且可以促进第2发光层34的劣化。而且，通过调整第1发光层33和第2发光层34的亮度降低的平衡，可以抑制有机EL元件30的白色发光的质量的降低。

如上述，即使由1个发光单元形成的构成、将发光层彼此直接层叠的构成中，也可以构成具有与上述的第1实施方式相同的效果的有机EL元件。

即，通过在发出一般亮度降低大的短波长侧的光的发光层的阳极侧设置LUMO浅且T1高的层，可以抑制该发光层的亮度降低。而且，通过在发出一般亮度降低小的长波长侧的光的发光层的阳极侧设置满足LUMO深及T1低的至少任一项的层，可以促进该发光层的亮度降低。

而且，与这些发光层相比LUMO浅且T1高的层、以及满足与发光层相比LUMO深及T1低的至少任一项的层，不仅为空穴传输性高的层，而且也可以设为具有发光性的层。即，与发光层相比LUMO浅且T1高的层以及满足与发光层相比LUMO深及T1低的至少任一项的层，没有特别限定其方式，如果是满足该条件的层，则即使是任意构成的层也可以应用。而且，通过满足该条件的层构成，可以得到与上述的第1实施方式相同的效果。

〈3.有机电致发光元件的实施方式(第3实施方式)〉

接着，对有机电致发光元件(有机EL元件)的第3实施方式进行说明。图5中示出第3实施方式的有机EL元件构成。

[有机EL元件构成]

图5中所示的有机EL元件40具备阳极47、发光单元41及阴极48。而且，将这些的各层层叠形成于基板49上。图5中所示的第3实施方式的有机EL元件40，除了发光单元内的层构成与上述的第1实施方式及第2实施方式的有机EL元件不同以外，可以应用相同的构成。另外，即使对于发光单元内的构成，也仅为层叠顺序、层叠方式不同，构成发光单元的各层可以应用与上述的第1实施方式及第2实施方式相同的构成。因此，在以下的说明中，对于构成有机EL元件40的各层的详细的说明省略。

有机EL元件40中，在基板49上形成有阳极47，在该阳极47上形成有发光单元41。另外，在发光单元41上形成有阴极48。

上述有机EL元件40具阳极47通过透明电极而构成、将阴极48作为反射电极而发挥功能的构成，是从基板49侧取出光的所谓的底部发光型的构成。

发光单元41为从阳极47侧依次层叠形成了第1有机层42、第1发光层43、第2有机层44、第2发光层45及第3有机层46的构成。

第1有机层42是具有传输空穴的功能的层，相当于上述的第1实施方式中的空穴传输层，广义上也含有空穴注入层及电子阻挡层等。

第3有机层46是具有传输电子的功能的层，相当于上述的第1实施方式中的电子传输层，广义上也含有电子注入层及空穴阻挡层。

第2有机层44是具有与将多个发光层串联地电连结的有机化合物层的界面的层。该第2有机层44由至少一层以上的有机材料层形成，但也可以设为通过外部电场而可以在层内部产生·传输空穴、电子的双极层。例如，可以从上述中间连接层中例示的有机材料层、发光层中所使用的主体化合物中适当选择来使用。

另外，第1发光层43及第2发光层45，可以设为与上述的第2实施方式中的第1发光层及第2发光层相同的构成。因此，有机EL元件40中，第1发光层43为含有蓝色发光掺杂剂的蓝色发光层，第2发光层45为含有绿色发光掺杂剂及红色发光掺杂剂的绿色及红色(黄色)发光层。

在有机EL元件40中，第1发光层43在阳极47侧进行接触的层为第1有机层42。因此，第1有机层42是与第1发光层43相比LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的层。

另外，有机EL元件40中，第2发光层45在阳极47侧进行接触的层为第2有机层44。因此，第2有机层44是满足与第2发光层45相比LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一项的层。

通过形成上述层构成，在第1发光层43及第2发光层45中产生与上述的第1实施方式及第2实施方式相同的现象。因此，可以抑制第1发光层43的劣化，且可以促进第2发光层45的劣化。而且，通过调整第1发光层43和第2发光层45的亮度降低的平衡，可以抑制有机EL元件40的白色发光的质量的降低。

如上述，即使在1个发光单元中经由有机层而层叠有多个发光层的构成中，均可以构成具有与上述的第1实施方式、第2实施方式相同的效果的有机EL元件。

即，在发出一般亮度降低大的短波长侧的光的发光层的阳极侧设置LUMO浅且T1高的层，在发出一般亮度降低小的长波长侧的光的发光层的阳极侧设置满足LUMO深及T1低的至少任一项的层。通过满足该条件的层构成，可以调整各发光层的亮度降低的平衡，因此，可以得到与上述的第1实施方式相同的效果。

〈4.有机电致发光元件的实施方式(第4实施方式)〉

接着，对于有机电致发光元件(有机EL元件)的第4实施方式进行说明。图6中示出第4实施方式的有机EL元件的构成。

[有机EL元件构成]

图6中所示的有机EL元件50具备：阳极75、第1发光单元51、第1中间连接层55、第2发光单元61、第2中间连接层65、第3发光单元71及阴极76。而且，将这些各层层叠形成于基板77上。

图6中所示的第4实施方式的有机EL元件50，除了发光单元及中间连接层的数与上述第1实施方式的有机EL元件不同以外，可以应用相同的构成。另外，对于发光单元的构成及中间连接层的构成，也可以应用与上述第1实施方式相同的构成。因此，在以下的说明中，对于构成有机EL元件50的各层详细说明，省略。

有机EL元件50中，在基板77上形成有阳极75，在该阳极75上形成有第1发光单元51。而且，在第1发光单元51上形成有第1中间连接层55，在该第1中间连接层55上形成有第2发光单元61。进而，在第2发光单元61上形成有第2中间连接层65，在该第2中间连接层65上形成有第3发光单元71。而且，在第3发光单元71上形成有阴极76。

上述有机EL元件50具有阳极75通过透明电极而构成、使阴极76作为反射电极而发挥功能的构成，是从基板77侧取出光的所谓的底部发光型的构成。另外，是经由中间连接层而层叠了多个发光单元的构成。

第1发光单元51是从阳极75侧依次层叠形成了第1空穴传输层52、第1发光层53及第1电子传输层54的构成。

第2发光单元61是从阳极75侧(第1中间连接层55侧)依次层叠形成了第2空穴传输层62、第2发光层63及第2电子传输层64的构成。

第3发光单元71是从阳极75侧(第2中间连接层65侧)依次层叠形成了第3空穴传输层72、第3发光层73及第3电子传输层74的构成。

第1空穴传输层52、第2空穴传输层62及第3空穴传输层72是具有传输空穴的功能的层，广义上也含有空穴注入层及电子阻挡层等。另外，第1电子传输层54、第2电子传输层64及第3电子传输层74是具有传输电子的功能的层，广义上也含有电子注入层及空穴阻挡层。

有机EL元件50是在第1发光层53及第2发光层63及第3发光层73中至少含有发光性的有机材料、例如作为发光性的有机材料具有蓝(B)、绿(G)及红(R)的各色的发光掺杂剂的白色发光元件。

为了提高有机EL元件50的发光效率，优选在光取出侧设置发出短波长的光的发光层。

因此，在有机EL元件50中，优选在第1发光层53中含有发出短波长的蓝的发光掺杂剂。而且，优选在第2发光层63及第3发光层73中含有绿(G)及红(R)的发光掺杂剂。

另外，如果有机EL元件50为可发出希望的色的构成，则第1发光层53、第2发光层63及第3发光层73中所含有的发光掺杂剂的种类没有特别限定。例如，可以应用在第1发光层53/第2发光层63/第3发光层73中含有蓝/绿红/绿红、蓝/蓝/绿红、绿红/蓝/绿红、蓝/绿/绿红及蓝/绿/红等的含有发光掺杂剂的构成。

这样，第1发光层53、第2发光层63及第3发光层73可以形成任意的发光色。

予以说明，在以下的说明中，作为有机EL元件的一例，对第1发光层53为含有蓝色发光掺杂剂的蓝色发光层、第2发光层63及第3发光层73为含有绿色发光掺杂剂及红色发光掺杂剂的绿色及红色(黄色)发光层的情况进行说明。

有机EL元件50中，第1发光层53为发出短波长的蓝色的层。另外，第1发光层53在阳极75侧进行接触的层，为第1空穴传输层52。

因此，第1空穴传输层52是与第1发光层43相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的层。

另外，在有机EL元件50中，第2发光层63为发出长波长的绿色及红色的层。另外，第2发光层63在阳极75侧进行接触的层，为第2空穴传输层62。

因此，第2空穴传输层62是满足与第2发光层63相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一方的层。

另外，在有机EL元件50中，第3发光层73是发出长波长的绿色及红色的层。另外，第3发光层73在阳极75侧进行接触的层，为第3空穴传输层72。

因此，第3空穴传输层72是满足与第3发光层73相比LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一方的层。

如上述，通过在发出一般亮度降低速度大的短波长的光的发光层的阳极侧设置与该发光层相比LUMO浅且T1高的层，可以抑制发光层的劣化。

而且，通过在发出一般亮度降低速度小的长波长的光的发光层的阳极侧设置满足与该发光层相比LUMO深及T1低的至少任一方的层，可以促进发光层的劣化。

通过形成这样的构成，可以调整各发光层的亮度降低的平衡，因此可以抑制有机EL元件的白色发光的质量的降低。

如上述，在有机EL元件设置多个发光单元、在各个发光单元设置任意的发光色的发光层的情况下，通过形成满足上述的条件的层构成，可以构成具有与上述的第1实施方式相同的效果的有机EL元件。

即，通过在一般易于产生亮度降低的发光层的阳极侧设置LUMO浅且T1高的层，可以抑制该发光层的亮度降低。而且，通过在一般难以产生亮度降低的发光层的阳极侧设置满足LUMO深及T1低的至少任一方的层，可以促进该发光层的亮度降低。

通过满足这样的条件的层构成，可以得到与上述第1实施方式相同的效果。

〈5.电子器件的实施方式(第5实施方式)〉

[照明装置-1]

接着，作为使用上述第1实施方式～第4实施方式的有机EL元件的电子器件的实施方式的一例，对照明装置进行说明。

在照明装置中使用的有机EL元件，也可以设为使上述的第1～四实施方式的构成的有机EL元件具有共振器结构的设计。作为构成为共振器结构的有机EL元件的使用目的，可举出光存储介质的光源、电子照相复印机的光源、光通信处理器的光源、光传感器的光源等，但不限定于此。另外，通过进行激光振荡，也可以使用于上述用途。

予以说明，在有机EL元件中使用的材料，可适用于实质上产生白色的发光的有机EL元件(也称为白色有机EL元件)。例如，通过多种发光材料同时发出多种发光色而通过混色也可以得到白色发光。作为多种发光色的组合，可以含有红色、绿色、蓝色的3原色的3个发光极大波长，也可以含有利用了蓝色和黄色、蓝绿和橙色等的补色关系的2个发光极大波长。

另外，用于得到多个发光色的发光材料的组合，也可以是多种的以磷光或荧光进行发光的材料的组合、以荧光或磷光进行发光的发光材料和将来自发光材料的光作为激发光而进行发光的色素材料的组合。在白色有机EL元件中，也可以组合多种发光掺杂剂来进行混合。

这样的白色有机EL元件，与阵列状地分别并列配置各色发光的有机EL元件而得到白色发光的构成不同，有机EL元件本身发出白色光。因此，在构成元件的大部分层的形成中不需要掩模，在一面用蒸镀法、流延法、旋涂法、喷墨法、印刷法等可形成例如导电层，生产率也提高。

另外，作为在这样的白色有机EL元件的发光层中使用的发光材料，没有特别限制，例如如果是液晶显示元件中的背光，可以以适合于与CF(滤色器)特性相对应的波长范围地从上述的有机EL元件的实施方式中所记载的金属络合物、另外公知的发光材料中选择任意的材料进行组合而白色化。

如果使用在以上说明了的白色有机EL元件，则可以制作实质上产生白色的发光的照明装置。

[照明装置-2]

另外，就照明装置而言，例如通过使用多个有机EL元件，也可以进行发光面大面积化。在该情况下，通过将在基材上设有有机EL元件的多个发光面板在支承基板上排列多个(即贴砖(タイリングする))，将发光面大面积化。支承基板也可以是兼作密封材料的基板，在该支承基板和发光面板的基材之间以夹持有机EL元件的状态将各发光面板贴砖。也可以在支承基板和基材之间填充粘接剂、由此密封有机EL元件。予以说明，在发光面板的周围露出阳极及阴极的端子。

这样的构成的照明装置中，各发光面板的中央成为发光区域，在发光面板间产生非发光区域。由此，也可以将用于使来自非发光区域的光取出量增加的光取出部件设于光取出面的非发光区域。作为光取出部件，可以使用聚光片材、光扩散片材。

实施例

在以下举出实施例具体地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。

〈有机EL元件的制作〉

以发光区域的面积成为5cm×5cm地制作试样101～112的各有机EL元件。在以下示出试样101～112的各发光性薄膜层叠体的构成及制作顺序。

另外，表1中示出试样101～105的有机EL元件的构成。进而，表2中示出试样106～112的有机EL元件的构成。

予以说明，试样101～102、105为上述的图1中所示的构成的有机EL元件，试样103～104为上述的图5中所示的构成的有机EL元件，试样106～112为上述的图6中所示的构成的有机EL元件。

[试样101的有机EL元件的制作]

(阳极)

作为透明支承基板，准备厚度0.7mm的玻璃基板。而且，在该透明支承基板上，以110nm的厚度将ITO(铟锡氧化物)制膜而进行构图，形成由ITO透明电极构成的阳极。然后，用异丙醇对带ITO透明电极的透明支承基板进行超声波清洗，用干燥氮气体进行干燥，进行UV臭氧清洗5分钟。

(第1空穴传输层)

接着，将形成了阳极的透明支承基板固定于市售的真空蒸镀装置的基板支架。而且，将构成试样101的有机EL元件的各层的材料在真空蒸镀装置内的各蒸镀用坩埚中填充最适于元件制作的量。作为各蒸镀用坩埚，使用由钼制或钨制的电阻加热用材料而制作了的蒸镀用坩埚。

接着，在减压到真空度1×10^-4Pa后，对放入了下述结构式所示的化合物1-A(HAT-CN)的蒸镀用坩埚进行通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒在阳极上蒸镀，以成为厚度20nm地形成。

[化学式2]

接着，以厚度成为50nm地形成下述结构式所示的化合物1-B(玻璃化转变温度(Tg)＝140℃)。

[化学式3]

接着，以厚度成为10nm地形成下述结构式所示的化合物1-C。

[化学式4]

通过以上的工序，形成从阳极侧层叠了化合物1-A、化合物1-B、化合物1-C的第1空穴传输层。化合物1-C是与后述的构成第1发光层的化合物2-A及化合物2-B相比LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)浅、且最低激发三重态能量(T1)高的材料。

即，LUMO中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。

通过将满足这样的关系的上述化合物1-C在与第1发光层接触的层中使用，形成为在第1空穴传输层中形成了电子及三重态能量阻挡层的构成。

(第1发光层)

接着，以作为主体化合物的下述结构式所示的化合物2-A(Tg＝189℃)成为95vol％、作为蓝色荧光发光掺杂剂的下述结构式所示的化合物2-B成为5vol％地进行蒸镀。由此，作为第1发光层，形成呈现蓝色的厚度30nm的荧光发光层。

[化学式5]

(第1电子传输层)

接着，以下述结构式所示的化合物3(ET-100)成为86vol％、LiF成为14vol％地进行蒸镀，形成厚度20nm的层。另外，以化合物3(ET-100)成为98vol％、Li成为2vol％地进行蒸镀，形成厚度10nm的层。由此，制作由化合物3及LiF和化合物3及Li的2层构成的第1电子传输性层。

通过以上的工序，制作由第1空穴传输层(含有电子及三重态能量阻挡层)、第1发光层及第1电子传输层构成的第1发光单元。

[化学式6]

(中间连接层)

接着，在制作了的第1电子传输层上，以厚度10nm将Ag成膜，形成中间连接层。

(第2空穴传输层)

接着，与上述第1空穴传输层一样，形成厚度20nm化合物1-A(HAT-CN)，形成60nm化合物1-B。

通过以上的工序，形成从阳极侧层叠了化合物1-A、化合物1-B的第2空穴传输层。化合物1-B是与后述的构成第2发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)深、且最低激发三重态能量(T1)低的材料。

即，LUMO中，形成1-B＜主体化合物、及、1-B＜发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-B＜主体化合物、及、1-B＜发光掺杂剂的关系。

(第2发光层)

接着，以作为主体化合物的下述结构式所示的化合物4(Tg＝143℃)成为79vol％、作为绿色磷光发光掺杂剂的下述结构式所示的化合物5成为20vol％、作为红色磷光发光掺杂剂的下述结构式所示的化合物6成为1vol％地进行蒸镀，形成呈现绿色和红色的厚度20nm的磷光发光层。

[化学式7]

化合物4(磷光主体化合物)

化合物5(磷光掺杂剂)

化合物6(磷光掺杂剂)

(第2电子传输层)

接着，以化合物3(ET-100)成为86vol％、LiF成为14vol％地进行蒸镀，形成厚度20nm的层。另外，以化合物3(ET-100)成为98vol％、Li成为2vol％地进行蒸镀，形成厚度10nm的层。由此，制作由化合物3及LiF和化合物3及Li的2层构成的第2电子传输性层。

(阴极、及、密封)

接着，蒸镀铝150nm而形成阴极。

接着，用玻璃壳覆盖上述有机EL元件的非发光面，在与制作了有机EL元件的玻璃基板(支承基板)接触的、覆盖有机EL元件的玻璃壳的周边部设置利用环氧系光固化型粘接剂(东亚合成公司制ラクストラックLC0629B)的密封剂。而且，将该密封材料与上述有机EL元件的阴极侧重合而与玻璃基板密接。然后，从玻璃壳侧照射UV光而使密封材料固化，由此密封有机EL元件，制作试样101的有机EL元件。

予以说明，玻璃壳中的密封作业，不使有机EL元件与大气接触的在氮氛围下的手套箱(纯度99.999％以上的高纯度氮气体的氛围下)中进行。

[试样102的有机EL元件的制作]

在构成第2发光单元的第2空穴传输层的工序中，形成厚度20nm化合物1-A、形成厚度50nm化合物1-B，然后以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外，使用与上述试样101相同的方法，制作试样102的有机EL元件。

化合物1-C是与构成第2发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的材料。

即，LUMO中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。

[试样103的有机EL元件的制作]

使用与上述试样101相同的方法，制作阳极。

接着，在阳极上，使用与上述试样101相同的方法，形成从阳极侧层叠了20nm化合物1-A、60nm化合物1-B、60nm化合物1-C的空穴传输层(第1有机层)。

接着，以作为主体化合物的化合物2-A(Tg＝189℃)成为95vol％、作为蓝色荧光发光掺杂剂的化合物2-B成为5vol％地进行蒸镀。由此，作为第1发光层，形成呈现蓝色的厚度30nm的荧光发光层(第1发光层)。

接着，作为中间连接层(第2有机层)，以2nm的厚度形成化合物2-A。

接着，以作为主体化合物的化合物4(Tg＝143℃)成为79vol％、作为绿色磷光发光掺杂剂的化合物5成为20vol％、作为红色磷光发光掺杂剂的化合物6成为1vol％地进行蒸镀，形成呈现绿色和红色的厚度20nm的磷光发光层(第2发光层)。

接着，以化合物3(ET-100)成为86vol％、LiF成为14vol％地进行蒸镀，形成厚度100nm的层。

接着，蒸镀铝150nm而形成阴极。而且，使用与上述试样101相同的方法密封有机EL元件，制作试样103的有机EL元件。

予以说明，构成中间连接层(第2有机层)的化合物2-A是与构成第2发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深且最低激发三重态能量(T1)低的材料。

即，LUMO中，形成2-A＜主体化合物、及、2-A＜发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成2-A＜主体化合物、及、2-A＜发光掺杂剂的关系。

[试样104的有机EL元件的制作]

除了作为中间连接层(第2有机层)以2nm的厚度形成化合物1-C以外，使用与上述试样103相同的方法，制作试样104的有机EL元件。

化合物1-C是与构成第2发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的材料。

即，LUMO中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。

[试样105的有机EL元件的制作]

除了在构成第2发光单元的第2发光层的工序中将第2发光层的厚度设为30nm以外，使用与上述试样101相同的方法，制作试样105的有机EL元件。

下述表1中示出试样101～105的有机EL元件的构成。另外，表1中示出各构成中的空穴传输层和发光层的LUMO及T1的关系。

予以说明，表1中，在各试样101～105中，对于作为共同的构成的基板(玻璃)、阳极(ITO)、电子传输层(化合物3，LiF/化合物3，Li)及各试样101～102、105的中间连接层(Ag)的构成，省略记载。

[表1]

[试样106的有机EL元件的制作]

首先，使用与上述的试样101相同的方法在玻璃基板上形成阳极、第1发光单元、中间连接层(第1中间连接层)及第2发光单元。

(中间连接层)

接着，在第2发光单元的第2电子传输层上以厚度10nm将Ag成膜、形成第2中间连接层。

(第3空穴传输层)

接着，与上述的试样101的第1空穴传输层同样地形成厚度20nm的化合物1-A(HAT-CN)、形成60nm的化合物1-B。

通过以上的工序，形成从阳极侧层叠了化合物1-A、化合物1-B的第3空穴传输层。化合物1-B与后述的构成第3发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)深、且最低激发三重态能量(T1)低的材料。

即，LUMO中，形成1-B＜主体化合物、及、1-B＜发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-B＜主体化合物、及、1-B＜发光掺杂剂的关系。

(第3发光层)

接着，以作为主体化合物的化合物4(Tg＝143℃)成为79vol％、作为绿色磷光发光掺杂剂的化合物5成为20vol％、作为红色磷光发光掺杂剂的化合物6成为1vol％地进行蒸镀、形成呈现绿色和红色的厚度20nm的磷光发光层。

(第3电子传输层)

接着，以化合物3(ET-100)成为86vol％、LiF成为14vol％地蒸镀、形成厚度20nm的层。进而，以化合物3(ET-100)成为98vol％、Li成为2vol％地蒸镀、形成厚度10nm的层。由此，制作由化合物3及LiF和化合物3及Li的2层构成的第3电子传输性层。

(阴极及密封)

接着，使用与上述的试样101相同的方法而形成阴极后，密封该有机EL元件而制作试样106的有机EL元件。

[试样107的有机EL元件的制作]

在构成第2发光单元的第2空穴传输层的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度50nm化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用与上述试样106相同的方法而制作试样107的有机EL元件。

化合物1-C是与构成第2发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的材料。

即，LUMO中，形成1-C＞主体化合、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。

[试样108的有机EL元件的制作]

在构成第3发光单元的第3空穴传输层的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用与上述试样106相同的方法而制作试样108的有机EL元件。

化合物1-C是与构成第3发光层的化合物4、化合物5及化合物6相比LUMO(LowestUnoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的材料。

即，LUMO中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。另外，T1中，形成1-C＞主体化合物、及、1-C＞发光掺杂剂的关系。

[试样109的有机EL元件的制作]

在构成第2发光单元的第2空穴传输层的工序及构成第3发光单元的第3空穴传输层的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用与上述试样106相同的方法而制作试样109的有机EL元件。

[试样110的有机EL元件的制作]

除了将第1发光单元的第1发光层设为呈现绿色和红色的厚度20nm的磷光发光层、将第2发光单元的第2发光层变更成呈现蓝色的厚度30nm的荧光发光层以外，使用与上述试样107相同的方法而制作试样110的有机EL元件。

予以说明，在试样110的有机EL元件中，第1发光层及第2发光层的形成方法使用与试样101的第2发光层及第1发光层相同的方法。

[试样111的有机EL元件的制作]

在构成第3发光单元的第3空穴传输层的工序中，形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度50nm的化合物1-B后，以形成厚度10nm地形成化合物1-C，除此以外使用与上述试样110相同的方法而制作试样111的有机EL元件。

[试样112的有机EL元件的制作]

除了在构成第1发光单元的第1空穴传输层的工序中形成厚度20nm的化合物1-A、形成厚度60nm的化合物1-B以外，使用与上述试样110相同的方法而制作试样112的有机EL元件。

下述表2中表示试样106～112的有机EL元件的构成。另外，表2中表示各构成中的空穴传输层和发光层的LUMO及T1的关系。

予以说明，在表2中，在各试样106～112中，对于作为共同的构成的基板(玻璃)、阳极(ITO)、第1～3电子传输层(化合物3，LiF/化合物3，Li)及第1、2中间连接层(Ag)的构成省略记载。

[表2]

[评价]

对于如上述得到的试样101～112的有机EL元件，如下述进行元件特性的评价。表3中示出各试样的评价结果。

(色度差)

各样品的色度的测定，例如可以参考大田登“色彩工学第2版”(东京电机大学出版局)等。

具体而言，在室温(约23～25℃的范围内)下，使用分光放射亮度计CS-2000(コニカミノルタセンシング公司制)对进行了50mA/cm²的恒定电流密度条件下的点灯时的各样品的发光光谱进行测定。而且，将通过该测定而得到了的光谱由CIE1931表色系中规定了的原刺激[X]、[Y]、[Z]使用三刺激值X、Y、Z来转换成色度坐标x、y。

同样，在室温下，使用分光放射亮度计CS-2000(コニカミノルタセンシング公司制)对进行了50mA/cm²的恒定电流密度条件下的点灯时的各样品的发光亮度进行测定。另外，在同条件下进行连续驱动，将直到亮度减少30％的时间作为发光寿命而求得。

而且，由初始(LT100)的色度坐标x、y和亮度减少30％时(LT70)的色度坐标x、y，通过下述式算出色度差ΔE_xy。

ΔE_xy＝[(x_LT100-x_LT70)²+(y_LT100-y_LT70)²]^1/2

(相关色温度)

各样品的相关色温度的测定，可以例如参考大田登“色彩工学第2版”(东京电机大学出版局)等。

具体而言，在室温(约23～25℃的范围内)下，使用分光放射亮度计CS-2000(コニカミノルタセンシング公司制)对进行了50mA/cm²的恒定电流密度条件下的点灯时的各样品的发光亮度进行测定。而且，将通过该测定而得到了的光谱由CIE1931表色系中规定的原刺激[X]、[Y]、[Z]使用三刺激值X、Y、Z来对色度坐标u、v进行转换。

通过将得到了的色度坐标u、v对照CIE1960uv色度图上所示的黑体轨迹及等色温度线而决定色温度。

予以说明，就各有机EL元件的相关色温度而言，以将得到了的值的100的位进行四舍五入的值来表示。

[表3]

另外，将在试样101的有机EL元件和试样102的有机EL元件中、以50mA/cm²的连续驱动时的蓝色光、绿色光及红色光的短波长的衰减以及色度的变化示于图7～10。予以说明，在图7及8中，纵轴为亮度的残存率，横轴为连续驱动时间。

另外，图7是表示试样101的有机EL元件中的红蓝绿的各单波长的衰减的情形的图。图8是表示试样102的有机EL元件中的红蓝绿的各单波长的衰减的情形的图。

予以说明，在图7及8中，“B”表示来自第1发光层的呈现波长480nm的蓝色的光，“G”表示来自第2发光层的呈现波长545nm的绿色的光，“R”表示来自第2发光层的呈现波长595nm的红色的光。

另外，图9是表示试样101的有机EL元件中的色度坐标x、y的变化的情形的图。图10是表示试样102的有机EL元件中的色度坐标x、y的变化的情形的图。在图9及10中，纵轴为色度坐标x、y，横轴为连续驱动时间。

[结果]

在试样101的有机EL元件中，在第1发光单元中，设有与第1发光层相比LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的第1空穴传输层。进而，在第2发光单元中，设有与第2发光层相比LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital)深且最低激发三重态能量(T1)低的第2空穴传输层。

因此，可以调节蓝色发光层和绿色及红色发光层的亮度降低速度，连续驱动了有机EL元件时的色度差形成0.003这样的全部试样中最佳的值。

与之相对，在试样102的有机EL元件中，在第2发光单元中，设有与第2发光层相比LUMO浅且T1高的第2空穴传输层。因此，不能调节蓝色发光层和绿色及红色发光层的亮度降低速度，蓝色发光层的亮度降低比绿色及红色发光层大，连续驱动了有机EL元件时的色度差恶化成0.028。

在将发光单元设为单层的构成的试样103中，在第2发光层的阳极侧进行接触的中间连接层，通过与第2发光层相比LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深且最低激发三重态能量(T1)低的化合物2-A而形成。因此，可以调节蓝色发光层和绿色及红色发光层的亮度降低速度，连续驱动了有机EL元件时的色度差形成0.015这样的良好的值。

与之相对，在同样将发光单元设为单层的构成的试样104中，在第2发光层的阳极侧进行接触的中间连接层，通过与第2发光层相比LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的化合物1-C而形成。因此，不能调节色发光层和绿色及红色发光层的亮度降低速度，连续驱动了有机EL元件时的色度差恶化成0.025。

另外，试样105中，第2发光层的厚度比试样101厚，第1发光层和第2发光层为相同的厚度。而且，在试样105中，色度差为0.010，与试样102相比得到良好的结果，但与试样101相比恶化。

由该结果可知，如试样101，通过与亮度降低大的发光层相比、将一般亮度降低少的发光层薄地形成，可进一步促进化合物的劣化。而且，由此可以调整各发光层的亮度降低的平衡，抑制驱动时间的经过所导致的由最初的发光色的色变化。

在将发光单元层叠了3层的试样106～试样109的有机EL元件的结果中，均看到与上述试样101～试样105的有机EL元件的结果相同的倾向。

试样106，在第1发光单元中，设有与第1发光层相比LUMO浅且T1高的第1空穴传输层。

另外，在第2发光单元及第3发光单元中，设有与各发光层相比LUMO深且T1低的空穴传输层。

即，在第1～3发光单元中，满足与上述的试样101相同的LUMO及T1的关系。因此，在试样106的有机EL元件中，连续驱动了时的色度差形成0.005这样的良好的结果。

与之相对，在试样109的有机EL元件中，在第2发光单元及第3发光单元中，不满足LUMO及T1的关系。因此，与试样106的有机EL元件相比，连续驱动了有机EL元件时的色度差大为恶化。

在试样107及试样108中，在第2发光单元或第3发光单元中，任一者不满足LUMO及T1的关系。因此，与试样106相比，色度差稍微恶化。但是，在第2发光单元或第3发光单元中，任一者满足LUMO及T1的关系，因此，与试样109的有机EL元件相比，大为改善。

因此，在具有多层一般亮度降低小的发光层的构成的有机EL元件中，通过形成与一般亮度降低小的发光层的至少任一方接触而满足LUMO及T1的关系的层，可以抑制有机EL元件的驱动时间的经过所导致的由最初的发光色的色变化。

另外，通过形成与一般亮度降低小的发光层的全部接触而满足LUMO及T1的关系的层，可以进一步抑制有机EL元件的驱动时间的经过所导致的由最初的发光色的色变化。

在变更了发光单元的层叠顺序的试样110～试样112的有机EL元件的结果中，看到与上述的试样106～试样108的有机EL元件的结果相同的倾向。

与在第1发光单元及第3发光单元中不满足LUMO及T1的关系的试样111的有机EL元件相比，在第1发光单元及第3发光单元中满足LUMO及T1的关系的试样112及仅在第3发光单元中满足LUMO及T1的关系的试样110得到了连续驱动了时的色度差形成良好的结果。

进而，与仅在第3发光单元中满足LUMO及T1的关系的试样110相比，在第1发光单元及第3发光单元中满足LUMO及T1的关系的试样112得到了连续驱动了时的色度差形成良好的结果。

这样，即使在一般亮度降低小的发光层和一般亮度降低大的发光层在有机EL元件中成为任意层叠顺序的情况下，通过满足上述的关系，可以抑制有机EL元件的驱动时间的经过所导致的由最初的发光色的色变化。

另外，如图7中所示，在具备与第1发光层接触而LUMO浅且T1高的第1空穴传输层、具备与第2发光层接触、LUMO深且T1低的第2空穴传输层的试样101的有机EL元件中，蓝、绿及红的光的衰减的情形大致一致。这表示在第1发光层和第2发光层中亮度降低的速度接近。

与之相对，如图8中所示，在具备与第1发光层及第2发光层接触而共同LUMO浅且T1高的第1空穴传输层及第2空穴传输层的试样102的有机EL元件中，在第1发光层的蓝色光的衰减情形和第2发光层的绿及红色光的衰减的情形中形成大的差。

另外，当比较图7和图8时，第1发光层的蓝色光的衰减的情形近似。但是，在图7中，与图8相比，在第2发光层的绿及红色光的衰减的情形中形成大的差。具体而言，第2发光层的绿及红色光的衰减的情形，向接近第1发光层的蓝色光的衰减的情形的方向转移。

由该图7和图8中所示的结果得知：通过设置与第2发光层接触而LUMO深且T1低的第2空穴传输层，在一般亮度降低小的发光层中促进劣化。

另外，在图9及图10中也得到相同的结果。

如图9中所示，在试样101的有机EL元件中，即使驱动时间经过，色度坐标x、y的变动也少。这是由于：如上述的图7中所示，蓝、绿及红的光的衰减的情形大致一致。

另外，如图10中所示，在试样102的有机EL元件中，因驱动时间经过，色度坐标x、y的变动大。这是由于：如上述的图8中所示，在蓝色光的衰减的情形和绿及红色光的衰减的情形中形成大的差。

因此，由图7～10中所示的结果，通过设置与一般亮度降低大的发光层接触而LUMO浅且T1高的层、设置满足与一般亮度降低小的发光层接触而LUMO深及T1低的至少任一者的层，可以抑制有机EL元件驱动时间的经过所引起的从最初的发光色的色变化。

予以说明，本发明不限定于在上述的实施方式例中所说明的构成，其他可以在不脱离本发明构成的范围中进行各种变形、变更。

Claims (9)

1.一种有机电致发光元件，其为具备阳极、阴极、介于所述阳极和所述阴极之间的第1发光层及第2发光层的有机电致发光元件，其中，

在所述第1发光层和在所述阳极侧与所述第1发光层接触的层中，

与所述第1发光层接触的层满足：与所述第1发光层相比，LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)浅且最低激发三重态能量(T1)高的关系，

在所述第2发光层和在所述阳极侧与所述第2发光层接触的层中，

与所述第2发光层接触的层满足：与所述第2发光层相比，LUMO(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一者，

所述的在所述阳极侧与所述第2发光层接触的层为空穴传输层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，与所述第2发光层接触的层满足：与所述第2发光层相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的两者。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，与来自所述第2发光层的发光的光的波长相比，来自所述第1发光层的发光的光的波长短。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述第2发光层的厚度比所述第1发光层的厚度小。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，与所述第2发光层相比，所述第1发光层形成于所述有机电致发光元件的光取出侧。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，在所述第1发光层和所述第2发光层之间具有中间连接层。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光元件，其中，所述中间连接层由金属、合金或无机化合物形成。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其具有所述第1发光层及所述第2发光层和第3发光层，在所述阳极侧与所述第3发光层接触的层满足：与所述第3发光层相比，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)深及最低激发三重态能量(T1)低的至少任一者。

9.一种电子器件，其具备权利要求1～8的任一项所述的有机电致发光元件。