CN104978153A - 资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 - Google Patents
资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104978153A CN104978153A CN201510406116.XA CN201510406116A CN104978153A CN 104978153 A CN104978153 A CN 104978153A CN 201510406116 A CN201510406116 A CN 201510406116A CN 104978153 A CN104978153 A CN 104978153A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- information
- comparison
- power
- groups
- flash memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
本发明提出了一种资料存储型闪存中配置信息的方法和装置。该方法包括以下步骤,获取至少两组上电信息;获取所述至少两组上电信息数据相反的反信息;比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,获得对应的比对信息;判断所述比对信息,选择比对成功的比对信息,并将所述比对信息发送至状态机。本发明通过对芯片内部增加存储对应上电信息的反信息,并通过比对模块对上电信息与对应反信息进行比对进而来确认配置信息的正确性;同时通过多次比对来增加比对的可靠性,进而提高了资料存储型闪存芯片每次上电过程读取配置信息的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及存储器读取操作的技术领域,特别是涉及一种资料存储型闪存中配置信息的方法与装置。
背景技术
随着电子产品的不断发展,芯片技术也在发生着巨大的变化。资料存储型闪存作为闪存FLASH的一种,由于其内部非线性宏单元模式为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。资料存储型闪存存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
但资料存储型闪存在其应用领域也存在一定的不足。由于资料存储型闪存(以下称为闪存)每次上电都需要对上电配置信息进行读取。一旦读取配置的信息有误,会造成闪存不能正常读取。
发明内容
针对以上不足,本发明提出了一种资料存储型闪存中配置信息的方法与装置,通过增加每次上电所需读取的配置信息,进而提高了读取配置信息的可靠性。
为了实现以上技术方案,本发明提供了一种资料存储型闪存中配置信息的方法,包括以下步骤:
S1、获取至少两组上电信息;
S2、获取与所述至少两组上电信息数据相反的反信息;
S3、比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,获得对应的比对信息;
S4、判断所述比对信息,选择比对成功的比对信息,并将所述比对信息发送至状态机。
进一步的,所述至少两组上电信息包括相同的信息内容。
进一步的,依次比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,并获得比对信息。
进一步的,若比对成功,发送所述比对信息至所述状态机,若依次比对均不成功,不发送所述比对信息至所述状态机。
此外,本发明还提出了一种资料存储型闪存中配置信息的装置,包括,采集模块、取反模块、比对模块和判断模块;
其中,采集模块,用于获取至少两组上电信息;
取反模块,用于获取所述至少两组上电信息数据相反的反信息;
比对模块,比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,用于获得对应的比对信息;
判断模块,用于判断所述比对信息,选择比对成功的比对信息,并将比对状态发送至状态机。
进一步的,所述采集模块获取的所述至少两组上电信息包括相同的信息内容。
进一步的,所述比对模块通过依次比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,并获得比对信息。
进一步的,所述判断模块用于判断所述比对信息,若比对成功,发送所述比对信息至所述状态机,若依次比对均不成功,不发送所述比对信息至所述状态机。
本发明通过获取资料存储型闪存上电信息对应的反信息,并使其与对应上电信息进行比对,以确认上电信息确认配置的正确性。通过进行至少两次上电信息与对应反信息的比对,以增加比对的可靠性,从而提高了资料存储型闪存每次上电读取配置信息的可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种资料存储型闪存中配置信息的方法的流程图。
图2是本发明实施例二提供的一种资料存储型闪存中配置信息的装置的结构示意图。
图3是本发明实施例三提供的一种资料存储型闪存中配置信息的装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
实施例一
图1是本发明实施例一提供的一种资料存储型闪存中配置信息的方法的流程图。
由图1所示,本发明提供的一种资料存储型闪存(以下称为闪存)中配置信息的方法,包括以下步骤:
101、获取至少两组上电信息。
当闪存上电之后,闪存会采集相应的一些上电信息,比如电压和时序等。本发明获取四组上电信息。并且,这四组上电信息所包括的信息内容相同,采用此方法的目的在于增加比对次数,进而提高比对的可靠性。
102、获取与所述两组上电信息数据相反的反信息。
其中,上电信息与反信息在数值上相反。当闪存上电之后,每读取一个字的信息,低字节将存储对应的上电信息,高字节将存储对应上电信息的反信息。
103、比对至少两组上电信息与对应的反信息,获得对应的比对信息。通过对低字节存储的上电信息与高字节存储的上电信息的反信息进行比对,将比对结果进行输出。
这里需要指出的是,这里所采用的比对方式是通过异或门来实现的。并且,四组上电信息与上电信息的反信息对应四组异或门。也就是说,每一组上电信息与上电信息的反信息分别加载至异或门的两个输入端。异或门的输出端输出比对信息。
其中,异或门的作用在于若两个输入电平相异,则输出为高电平;若两个输入电平相同,则输出为低电平。
公式可表示为:因此,正常情况下,上电信息与上电信息的反信息比对信息输出应该为1。
并且,这四组上电信息与对应的反信息是依次进行比对,并将比对信息输出。
104、判断比对信息,选择比对成功的比对信息,并将比对信息发送至状态机。
判断比对信息,并获取第一个输出为1的比对信息,将其对应的上电信息与上电信息的反信息发送至状态机。
例如,判断第一个异或门输出为0,第二个异或门输出为1,选取第二个异或门对应的上电信息与上电信息的反信息,输出至状态机。此时,不再对第三组上电信息与对应反信息,第四组上电信息与对应反信息进行比对。
若四个异或门的输出均为0,也就是说,四组信息比对没有一组比对成功。此时,则不会选取任何一组上电信息与上电信息的反信息输出至状态机。状态机会选取自身内部的默认信息发送至闪存内部的锁存器。
可以理解的是,状态机的作用在于将不同输入信号进行处理后进行输出。
实施例二
图2是本发明实施例二提供的一种资料存储型闪存中配置信息的装置的结构示意图。
由图2所示,本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中配置信息的装置,包括采集模块201、取反模块202、比对模块203和判断模块204;此外,还包括状态机205。
其中,采集模块201,用于获取至少两组上电信息。本发明采集模块201用于获取四组上电信息。
取反模块202,用于获取至少两组上电信息数据相反的反信息。当闪存上电之后,会对采集模块201中的上电信息进行读取。系统每次读取一个字的信息,低字节存储的为上电信息,高字节存储的为上电信息的反信息。因此,可以理解的是,采集模块201用于获取上电信息,而取反模块202用于获得上电信息的反信息。
比对模块203,比对至少两组上电信息与对应的反信息,用于获得对应的比对信息。
对本发明而言,比对模块203包括有四个异或门,每一组上电信息与对应反信息对应其中一个异或门。
异或门的作用实施例一中已经描述,这里不再重复。通过四个异或门输出四个比对信息,并将比对信息发送至判断模块204。
判断模块204,用于判断比对信息,选择比对成功的比对信息,并将比对信息发送至状态机205。
判断模块204选择接收第一组比对成功的上电信息与对应反信息,并将其对应的上电信息与反信息发送至状态机205。例如,当第三个异或门输出为1,也就是说,第三组上电信息与对应反信息比对成功。并且前两个异或门输出为0,对应上电信息与反信息比对不成功。则将第三组上电信息与对应反信息发送至状态机205。
如果,四组上电信息与对应反信息比对均不成功,判断模块204将不发送上电信息与反信息至状态机205。状态机205会选取自身内部的默认信息发送至闪存内部的锁存器。
实施例三
图3是本发明实施例三提供的一种资料存储型闪存中配置信息的装置的示意图。
实施例三是本发明优选的实施方案。由图3所示,采集模块201与取反模块202均包括四组上电信息a,b,c,d和对应反信息-a,-b,-c,-d。其中,a与-a,b与-b,c与-c,d与-d是互为相反的关系。
比对模块203包括有四个异或门,每一组上电信息与对应反信息分别加载到同一异或门的两个输入端进行异或运算,进行比对。若上电信息与对应反信息比对成功,则比对结果应该为1,否则即为0。该比对过程是依次比对,并将比对信息传送至控制模块。
判断模块204通过判断选择第一组比对成功的上电信息与对应反信息,输出比对信息至状态机205。若四组比对均不成功,判断模块204将不选择上电信息与对应反信息发送。
此时,状态机205会选择自身内部的默认信息发送至闪存内部的锁存器。
本发明通过对芯片内部增加存储对应上电信息的反信息,并通过比对模块对上电信息与对应反信息进行比对进而来确认配置信息的正确性;同时通过多次比对来增加比对的可靠性,进而提高了资料存储型闪存芯片每次上电过程读取配置信息的可靠性。
值得注意的是,以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的构思和原则的前提下所做的等同变化、修改与结合,均应属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种资料存储型闪存中配置信息的方法,其特征在于,包括以下步骤,
S1、获取至少两组上电信息;
S2、获取与所述至少两组上电信息数据相反的反信息;
S3、比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,获得对应的比对信息;
S4、判断所述比对信息,选择比对成功的比对信息,并将所述比对信息发送至状态机。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少两组上电信息包括相同的信息内容。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,依次比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,并获得比对信息。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,若比对成功,发送所述比对信息至所述状态机,若依次比对均不成功,不发送所述比对信息至所述状态机。
5.一种资料存储型闪存中配置信息的装置,其特征在于,包括,采集模块、取反模块、比对模块和判断模块;
其中,采集模块,用于获取至少两组上电信息;
取反模块,用于获取所述至少两组上电信息数据相反的反信息;
比对模块,比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,用于获得对应比对信息;
判断模块,用于判断所述比对信息,选择比对成功的比对信息,并将所述比对信息发送至状态机。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述采集模块获取的所述至少两组上电信息包括相同的信息内容。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述比对模块通过依次比对所述至少两组上电信息与所述对应的反信息,并获得比对信息。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述判断模块用于判断所述比对信息,若比对成功,发送所述比对信息至所述状态机,若依次比对均不成功,不发送所述比对信息至所述状态机。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510406116.XA CN104978153B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510406116.XA CN104978153B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104978153A true CN104978153A (zh) | 2015-10-14 |
CN104978153B CN104978153B (zh) | 2018-12-25 |
Family
ID=54274699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510406116.XA Active CN104978153B (zh) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104978153B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090103360A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-Bit Flash Memory Device and Program and Read Methods Thereof |
CN101436137A (zh) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | 希姆通信息技术(上海)有限公司 | 支持多种闪存芯片的驱动方法 |
CN103811070A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
CN103811071A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
CN103839592A (zh) * | 2014-03-05 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法及装置 |
-
2015
- 2015-07-10 CN CN201510406116.XA patent/CN104978153B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090103360A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-Bit Flash Memory Device and Program and Read Methods Thereof |
CN101436137A (zh) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | 希姆通信息技术(上海)有限公司 | 支持多种闪存芯片的驱动方法 |
CN103811070A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
CN103811071A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统 |
CN103839592A (zh) * | 2014-03-05 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104978153B (zh) | 2018-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10049005B2 (en) | Flash memory control apparatus utilizing buffer to temporarily storing valid data stored in storage plane, and control system and control method thereof | |
CN110059017B (zh) | 用于存取安全数字sd卡的方法及sd卡的控制器 | |
US8392794B2 (en) | Non-volatile memory device and data processing method thereof | |
CN106021120A (zh) | 存储系统及其操作方法 | |
CN103077094A (zh) | 存储控制装置、存储装置、信息处理系统和存储控制方法 | |
CN100517254C (zh) | 数据线测试方法 | |
CN105354107A (zh) | NOR Flash的数据传输方法及系统 | |
CN101339812B (zh) | 存储装置测试设备 | |
CN104978153A (zh) | 资料存储型闪存中配置信息的方法与装置 | |
CN101944391A (zh) | 一次可编程只读存储器测试方法及一次可编程只读存储器 | |
CN101533372B (zh) | 数据存取系统 | |
CN106155916B (zh) | 数据储存装置以及数据读取方法 | |
CN111143254B (zh) | 存储系统 | |
CN103793333A (zh) | 非易失性存储器加密的方法和装置以及非易失性存储器 | |
CN108073468A (zh) | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体系统 | |
US9251454B2 (en) | Storage medium, transmittal system and control method thereof | |
CN101533373B (zh) | 数据存取系统 | |
CN104992724A (zh) | 资料存储型闪存中写操作控制方法与装置 | |
US20110040929A1 (en) | Method and apparatus for modifying data sequences stored in memory device | |
US20180196621A1 (en) | Memory module, memory system and operating method of memory system | |
CN204808884U (zh) | 资料存储型闪存优化译码使能装置 | |
CN117079703B (zh) | 用于测试芯片内嵌存储器的方法及装置、电子设备 | |
CN203773958U (zh) | 一次性编程寄存器读写装置 | |
KR101175250B1 (ko) | 낸드 플래시 메모리 장치와 그의 컨트롤러 및 이들의 라이트 오퍼레이션 방법 | |
CN105446701A (zh) | 一种数据处理方法、电子设备及控制器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 101, Floor 1-5, Building 8, Yard 9, Fenghao East Road, Haidian District, Beijing 100094 Patentee after: Zhaoyi Innovation Technology Group Co.,Ltd. Address before: 100083 12 Floors, Block A, Tiangong Building, Science and Technology University, 30 College Road, Haidian District, Beijing Patentee before: GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) Inc. |
|
CP03 | Change of name, title or address |