CN104953039A - El显示装置及el显示装置的制造方法 - Google Patents
El显示装置及el显示装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104953039A CN104953039A CN201510138136.3A CN201510138136A CN104953039A CN 104953039 A CN104953039 A CN 104953039A CN 201510138136 A CN201510138136 A CN 201510138136A CN 104953039 A CN104953039 A CN 104953039A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- upper electrode
- display unit
- insulating barrier
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 136
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 55
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 42
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ITO Chemical class 0.000 description 1
- 241000227425 Pieris rapae crucivora Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种EL显示装置及EL显示装置的制造方法，彩色滤光片方式的EL显示装置(100)能防止发光层的劣化，并且可采用拼板的方法进行制造，同时能减少其制造时的成本，EL显示装置具有下部电极(4)、绝缘层(5)、白色发光的EL层(6)、上部电极(7)和密封层(8)，所述下部电极和所述绝缘层按每个像素形成于阵列基板上，所述EL层以跨越复数个像素的方式形成于下部电极和绝缘层的上层，所述上部电极以跨越复数个像素的方式形成于EL层的上层，所述密封层形成于上部电极的上层，在边框区域(27)，上部电极和绝缘层以围绕显示区域(21)的方式相接触，或者，密封层和绝缘层以围绕显示区域的方式相接触。
Description
技术领域
本发明涉及EL显示装置及EL显示装置的制造方法。
背景技术
对于搭载于便携设备等小型设备上等、要求高精细且小型的全彩色的电致发光(以下记为“EL”)显示装置而言，各个像素的尺寸变小，将作为发光层的EL层涂布划分为按每个像素具有不同发色光的EL层是困难的，因此提出了彩色滤光片方式。
在上述方式的EL显示装置中，像例如JP 2002-299044 A中所公开的那样，设置跨越全部像素的共同的白色发光层，并在其上部配置彩色滤光片，由此实现全彩色显示。
在制造通常所谓的平面显示器时，为了削减平均一个制品的成本及前置时间(lead time)，下述方法被广泛采用：依据所谓的拼板的要领，在大张玻璃基板(被称为母玻璃(mother glass))上制作多个显示装置，在工序结束后，对母玻璃进行切割，得到多个单独的显示装置。
此处，在以跨越母玻璃的整个面的方式形成发光层，制作多个显示装置后，对母玻璃进行切割时，在其切割面内，发光层露出至外部。此处，由于发光层中使用的EL材料对水分和氧不稳定，因此发光层会因从该露出部侵入的水分和氧而劣化。
发明内容
本发明是鉴于上述观点而完成的，其目的是，在彩色滤光片方式的EL显示装置中，防止发光层的劣化，并且，使能够采用拼板的方法进行制造，以及减少其制造时的成本。
在本申请中所公开的发明中，若对代表性发明的概要进行简单说明，则如下所述。
(1)一种EL显示装置，具有下部电极、绝缘层、白色发光的EL层、上部电极和密封层，所述下部电极和所述绝缘层按每个像素形成于阵列基板(array substrate)上，所述EL层以跨越复数个像素的方式形成于所述下部电极和所述绝缘层的上层，所述上部电极以跨越复数个像素的方式形成于所述EL层的上层，所述密封层形成于所述上部电极的上层，在边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触，或者，所述密封层和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触。
(2)如(1)所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触，并且，所述密封层和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触。
(3)如(1)或(2)所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，在所述EL层或所述EL层和所述上部电极上以围绕所述显示区域的方式形成槽，所述上部电极和所述绝缘层、或者所述密封层和所述绝缘层在所述槽中相接触。
(4)如(3)所述的EL显示装置，其中，所述上部电极和所述绝缘层在所述槽中相接触，所述密封层和所述绝缘层在所述槽的外周侧相接触。
(5)如(1)所述的EL显示装置，其中，在所述上部电极的上层形成第2密封层，所述密封层和所述绝缘层在所述第2密封层的外周侧相接触。
(6)一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序：按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层；以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极，以围绕所述显示区域的方式使所述上部电极与所述绝缘层接触。
(7)一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序：按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极；在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层和所述上部电极；在所述上部电极的上层形成密封层，以围绕所述显示区域的方式使所述密封层与所述绝缘层接触。
(8)如(6)或(7)所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层的除去或所述EL层和所述上部电极的除去通过激光消融(laser abrasion)法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
(9)如(7)所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层和所述上部电极的除去通过干蚀刻来进行，所述干蚀刻将形成于所述上部电极的上层的第2密封层作为保护层。
附图说明
[图1]是本发明的第1实施方式的EL显示装置的分解透视简图。
[图2]是表示制造中途的EL显示装置形成于分割前的母玻璃上的状态的透视简图。
[图3]是由图2的III-III线得到的截面的示意图。
[图4]是关于本发明的第2实施方式的EL显示装置的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
[图5]是关于本发明的第3实施方式的EL显示装置的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
[图6]是关于本发明的第4实施方式的EL显示装置的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
[图7]是关于本发明的第5实施方式的EL显示装置的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
[图8]是关于本发明的第6实施方式的EL显示装置的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
附图标记说明
1：阵列基板；2：电路层；3：反射层；4：下部电极；5：像素分离膜；6：EL层；7：上部电极；8：密封层；9：密封基板；10：黑矩阵(black matrix)；11：彩色滤光片；12：保护层(overcoat layer)；13：填充剂；14：密封材料；15：第2密封层；20：像素；21：显示区域；22：扫描电路；23：扫描信号线；24：驱动电路；25：视频信号线；26：FPC；27：边框区域；28：槽；100，200，300，400，500，600：EL显示装置；101：阵列母基板；109：密封母基板；110：切割线；111：废弃区域。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下，参照附图对本发明的第1实施方式的EL显示装置100进行说明。
图1是本发明的第1实施方式的EL显示装置100的分解透视简图。EL显示装置100中，在矩形的阵列基板1的前表面上设置有矩形的显示区域21，所述显示区域21是配置有像素20的区域。以与显示区域21的左右任一边或两侧的边相邻的方式配置扫描电路22。本实施方式中，仅在显示区域21的左侧设置了扫描电路22。多条扫描信号线23从扫描电路22延伸至显示区域21。需要说明的是，对于扫描电路22，可以像图示那样利用所谓的SOG(System On Glass)等方法直接在阵列基板1的表面上制作电路本身从而进行设置，也可以通过封装半导体芯片来进行设置。此外，以与显示区域21的近身侧的边相邻的方式设置驱动电路24。多条视频信号线25从驱动电路24延伸至显示区域21，与扫描信号线23正交。以与该扫描信号线23和视频信号线25相连接的方式配置一个像素20。需要说明的是，驱动电路24可以与扫描电路22同样地直接制作于阵列基板1的表面上而进行设置，但本实施方式中是通过封装半导体芯片而设置的。FPC(Flexible Printed Circuit，柔性线路板)26与驱动电路24相连接，使得图像数据从外部设备供给至驱动电路24。
进而，在阵列基板1的前表面侧配置密封基板9。在密封基板9的后表面，彩色滤光片11形成在与显示区域21的各像素20相对应的位置上(图中用虚线表示)。此外，密封基板9比阵列基板1的尺寸小，使得驱动电路24及FPC26不被密封基板9覆盖而露出。本实施方式中，密封基板9的图中进深方向(长边)的尺寸比阵列基板1的进深方向的尺寸小，密封基板9的图中宽度方向(短边)的尺寸与阵列基板1的宽度方向的尺寸相同。需要说明的是，本说明书中，将“前表面”用作表示朝向EL显示装置100的观察者一侧的面的术语，将“后表面”用作表示朝向其相反侧的面的术语。
从外部设备供给的图像数据，通过驱动电路24转换成表示每个像素20的亮度的电压信号，输出至视频信号线25，供给至由扫描电路22选择的、与扫描信号线23相对应的像素20。像素20利用设置于各个像素20的像素电路，以与所供给的电压信号相应的亮度进行发光。由此，通过以格子状设置于显示区域21的多个像素20以与给予的图像数据相应的亮度进行发光，EL显示装置100在显示区域21形成图像。
图2是表示制造中途的EL显示装置100形成于分割前的母玻璃上的状态的透视简图。母玻璃是将大张阵列母基板101和与其形状大小相同的密封母基板109贴合而成，多个EL显示装置100在其面内规则地排列成格子状。该图中，给出了在其后的工序中对母玻璃进行切割的位置、即切割线110。
图3是由图2的III-III线得到的截面的示意图。所述截面是跨越母玻璃上相邻的2个EL显示装置100的位置上的截面。
EL显示装置100包括显示区域21和作为其外围区域的边框区域27，所述显示区域21中，将多个像素规则地配置在绝缘性的阵列母基板101上，通过控制与各像素相对应的位置上的EL层6的发光量而形成图像。阵列母基板101上形成有规则地(在本实施方式的情况下，为格子状)配置着用于控制流过各像素的电流的量的电气回路的电路层2，所述电气回路由TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等构成。需要说明的是，本实施方式中，阵列母基板101为玻璃基板，但只要为绝缘性的基板，则其材质没有特别限定，也可以为合成树脂等其他材质。此外，其为透明、不透明均可。
电路层2包括适当的绝缘层、布线(包括扫描信号线、视频信号线、电源线及接地线等)和TFT(包括栅极、源极、漏极的各个电极和半导体层)。构成电路层2的电气回路及其截面结构是公知的，因此，此处将其详细内容省略，将它们简单化地仅表示为电路层2。
在电路层2上，按每个像素独立地设置有反射层3。反射层3具有反射由设置于其更上层的EL层6发出的光的功能。反射层3可以利用适当的金属膜形成，例如可以使用铝、铬、银或它们的合金。需要说明的是，反射层3可以由下文所述的下部电极4同时担任，故可省略。或者，在反射层3和下部电极4被任意的绝缘层等绝缘的情况下，反射层3不必按每个像素独立地设置，可以例如以覆盖显示区域21(参照图2)的整个面的方式进行设置。
在反射层3的更上层，按每个像素设置下部电极4。下部电极4通过作为绝缘层的像素分离膜5(亦称为堤(bank))而相互隔开、绝缘。下部电极4是透明导电膜，优选使用ITO(氧化铟锡)、InZnO(氧化锌锡)等导电性金属氧化物、在上述导电性金属氧化物中混入银、镁等金属而得的导电膜、将银、镁等金属薄膜与导电性金属氧化物层合而得的导电膜。在下部电极4同时作为反射层3的情况下，可将其制成单一的金属薄膜。此外，像素分离膜5只要为绝缘性的材料即可，可以为任意材料，可以利用聚酰亚胺、丙烯酸树脂等有机绝缘材料或氮化硅形成。沿着各像素的边界配置像素分离膜5，将各像素相互分离。本实施方式中，像素分离膜5为聚酰亚胺。
在下部电极4及像素分离膜5的上层设置EL层6。EL层6设置为在显示区域21的整个面中共用，而不是按每个像素独立地设置。因此，在像素分离膜5的上部也形成有EL层6。此外，EL层6的发光颜色为白色。通常而言，所述白色的发光可通过将发出复色(例如红、绿、蓝中的各种颜色)光、黄色和蓝色光的EL材料层合而以合成色的形式获得，本实施方式中，EL层6的具体构成没有特别限定，关于其单层/层合的区别和其层结构，只要结果能够获得白色发光，则可以为任意结构。此外，构成EL层6的材料为有机材料或无机材料均可，但本实施方式中使用了有机材料。
进而，在EL层6的上部设置上部电极7。上部电极7也设置为在显示区域21整个面中共用，而不是按每个像素独立地设置。上部电极7也是透明导电膜，优选使用在ITO、InZnO等导电性金属氧化物中混入银、镁等金属而得的膜、将银、镁等金属薄膜与导电性金属氧化物层合而得的膜、或者单一的金属薄膜。
在阵列基板1的前表面侧设置密封层8，从而防止氧和水分向以EL层6为代表的各层中的侵入，对各层进行保护。密封层8可以由保护性能优异的任意材料、例如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等无机绝缘材料或适当的有机材料构成，此外，也可以通过将多种不同种类的材料层合而构成密封层8。选择透明的材料用于密封层8。
配置了以与阵列基板1相对的方式设置的密封母基板109，在密封母基板109的后表面、即与阵列基板1相对的面上，黑矩阵10形成于作为像素的边界的部分，进而以覆盖黑矩阵10的上方的方式，在与各像素相对应的位置上，形成有与各像素的发光颜色相对应的颜色的彩色滤光片11。密封母基板109为玻璃或合成树脂制，对于可视光是透明的。此外，黑矩阵10只要对于可视光为黑色、即为具有吸光性的材料即可，可以为任意材料，例如可以使用在聚酰亚胺、丙烯酸系合成树脂中混入碳而得到的材料。此外，彩色滤光片11是通过在任意的合成树脂(例如丙烯酸系合成树脂)中混入染料材料而分别染成了红色、绿色及蓝色的滤光片。
进而，以覆盖彩色滤光片11的方式形成保护(overcoat)层12，实现对彩色滤光片11的保护和显示区域21内的密封母基板109的表面的平坦化。在保护层12和密封层8之间填充填充剂13。填充剂13填充在密封材料14(其在边框区域27内设置成框形)所围绕的、包括显示区域21在内的内侧的区域中。填充剂13及密封材料14均为适当的有机材料，优选使用化学反应型或紫外线固化型合成树脂。
通过如上所述的结构，通过下部电极4及上部电极7注入由配置于电路层2的电气回路控制的量的空穴及电子时，位于与EL显示装置100的各像素相对应的位置的EL层6以与该电流量相应的亮度进行发光。下部电极4及上部电极7的极性没有特别限定，但本实施方式中，下部电极4作为阳极而发挥作用，并且上部电极7作为阴极而发挥作用。此外，根据以上说明及图1可知，EL显示装置100为所谓的顶部发光(top emission)形式，发出的光透出至阵列母基板1的前侧。
构成母玻璃的阵列母基板101及密封母基板109在图3所示的相互贴合的状态下，于切割线110的位置对阵列母基板101及密封母基板109进行切割，从而将EL显示装置100各自分离。切割线110所间隔的废弃区域111被废弃，而不作为制品使用。
在上文说明过的构成中，在母玻璃上形成EL显示装置100时，对于阵列母基板101的EL层6的下侧的层、即像素分离膜5、下部电极4、反射层3及电路层2，可利用通常的光刻(photolithography)的方法形成。此外，对于密封母基板的保护层12及其上侧的层、即彩色滤光片11、黑矩阵10，也可以利用光刻的方法。
但是，由于EL层6会像上文所述那样因氧和水分而劣化，因此对于EL层6和到保护层12为止的其上侧的层，不能利用包括蚀刻等湿法工艺(wet process)在内的通常的光刻的方法。因此，本实施方式中，在防止氧和水分的混入的同时形成如下部分，即，通过蒸镀形成EL层6，通过溅射形成上部电极7，通过CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)形成密封膜8，通过滴加而实现填充剂13的填充，通过使用分配器(dispenser)的涂布而形成密封材料14。
此时，在形成EL层6、上部电极7及密封层8时，不采用使用金属掩模等进行的掩蔽，而是进行针对母玻璃的整个面的层形成，因此，如图3所示那样，在废弃区域111内也形成有EL层6、上部电极7及密封层8。
此处，考虑到母玻璃沿切割线110被切割的状态，EL层6会在其切割面露出。因此，必须杜绝水分和氧从该切割面的露出部分侵入至内部而导致显示区域21内的EL层6的劣化。
因此，本实施方式中，在边框区域27内，在EL层6设置有围绕显示区域21的槽28，俯视时，呈现下述状态：EL层6的下部的绝缘膜即像素分离膜5相对于EL层6露出。而且，以覆盖该槽28的方式设置上部电极7，结果，上部电极7和像素分离膜5在槽28中相接触。从切割面侵入的水分和氧被该槽28阻隔，不会再向内部侵入，因此能够防止显示区域21内的EL层6的劣化。
该槽28的形成如下进行：形成EL层6后，利用适当的方法将EL层6部分地除去。作为具体方法的例子，可以举出所谓的激光消融法，或预先在像素分离膜5上形成与槽28形状相同的牺牲层、形成EL层6后、将该牺牲层剥离的方法。
即，本实施方式的EL显示装置100的制造方法如下：首先，利用光刻法等适当的方法在阵列母基板101上形成电路层2、根据需要形成反射层3、下部电极4及像素分离膜5，然后在阵列母基板101的整个面上形成EL层6，进而形成槽28。然后形成上部电极7及密封层8。进而，在边框区域27内涂布密封材料14，填充填充剂13，贴合已另外形成有黑矩阵10、彩色滤光片11及保护层12的密封基板109，将密封材料14及填充剂13固化。最后，在切割线110内对母玻璃进行切割，进行必要的布线和驱动电路24的安装，由此得到单个的EL显示装置100。
本实施方式中，由于在边框区域27内，上部电极7和像素分离膜5以围绕显示区域21的方式在槽28中相接触，所以能够防止水分和氧向显示区域21内的EL层6中侵入。此外，由于在形成EL层6及上部电极7时不需要金属掩模，所以制造成本减少。
需要说明的是，若对上述方面进行详述，则为了母玻璃的大型化、减少废弃成本而使每一张母玻璃的EL显示装置100的生产数最大化，优选在可能的限度内使废弃区域111的宽度窄。但是，为了确保金属掩模的精度和强度，进行掩蔽的区域需要一定程度的宽度，若不使用金属掩模，则能够将该宽度最小化，并且，也可以削减作为消耗品的金属掩模本身的成本。
[第2实施方式]
接着，参照附图对本发明的第2实施方式的EL显示装置200进行说明。需要说明的是，EL显示装置200与作为上文所述的第1实施方式的EL显示装置100的外观而示于图1中的外观相同，此外，由于EL显示装置200的制造中途的状态与图2所示的状态相同，因此将这些图引用为关于本实施方式的图。此外，对本实施方式的EL显示装置200进行说明时，对与第1实施方式相同或等同的构成赋予相同标记，省略重复的说明。
图4是关于本发明的第2实施方式的EL显示装置200的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
本实施方式中，在边框区域27内，也以围绕显示区域21的方式设置槽28，此处，槽28设置为：除贯通EL层6以外，还贯通上部电极7。即，俯视时，呈现下述状态：EL层6及上部电极7的下部的绝缘膜即像素分离膜5露出。而且，以覆盖槽28的方式设置密封层8，结果，密封层8和像素分离膜5在槽28中相接触。本实施方式中，从切割面侵入的水分和氧也被该槽28阻隔，不会再向内部侵入，因此能够防止显示区域21内的EL层6的劣化。进而，关于上部电极7，从在切割面露出的部分向显示区域21的通讯也被槽28阻断，因此由切割面产生的电气噪声(例如静电)不会侵入至显示区域21内的上部电极7，从而能防止EL显示装置200的误动作和破损。
该槽28的形成如下进行：形成EL层6及上部电极7后，利用适当的方法同时将EL层6和上部电极7部分地除去。作为具体方法的例子，与上文所述的实施方式同样地，可以举出所谓的激光消融法，或预先在像素分离膜5上形成与槽28形状相同的牺牲层、形成EL层6及上部电极7后、将该牺牲层剥离的方法。
本实施方式中，由于密封层8和像素分离膜5相接触，因此能防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入，并且，也能防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。此外，由于在形成EL层6及上部电极7时不需要金属掩模，所以制造成本减少。
[第3实施方式]
接着，参照附图对本发明的第3实施方式的EL显示装置300进行说明。需要说明的是，EL显示装置300与作为上文所述的第1实施方式的EL显示装置100的外观而示于图1中的外观相同，此外，由于EL显示装置300的制造中途的状态与图2所示的状态相同，因此将这些图引用为关于本实施方式的图。此外，对本实施方式的EL显示装置300进行说明时，对与第1实施方式相同或等同的构成赋予相同标记，省略重复的说明。
图5是关于本发明的第3实施方式的EL显示装置300的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
本实施方式中，在边框区域27内，密封层8和像素分离膜5也以围绕显示区域21的方式相接触，但该接触区域并不依赖于槽，而是延伸到了切割面。在所述结构中，也能防止水分和氧从切割面向显示区域21内的EL层6的侵入，并且，也能防止电气噪声从切割面侵入显示区域21。
本实施方式的EL显示装置300可如下得到：预先在边框区域27内，于像素分离膜5之上形成覆盖至切割线110的牺牲层，形成EL层6及上部电极7后，将该牺牲层剥离。需要说明的是，此时，由于EL层6及上部电极7通过牺牲层的剥离而被同时剥离，所以在俯视时其端面的位置是相同的。
本实施方式中，也由于密封层8与像素分离膜5相接触，所以能防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入，并且，也能防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。此外，由于在形成EL层6及上部电极7时不需要金属掩模，所以制造成本减少。
[第4实施方式]
接着，参照附图对本发明的第4实施方式的EL显示装置400进行说明。需要说明的是，EL显示装置400与作为上文所述的第1实施方式的EL显示装置100的外观而示于图1中的外观相同，此外，由于EL显示装置400的制造中途的状态与图2所示的状态相同，因此将这些图引用为关于本实施方式的图。此外，对本实施方式的EL显示装置400进行说明时，对与第1实施方式相同或等同的构成赋予相同标记，省略重复的说明。
图6是关于本发明的第4实施方式的EL显示装置400的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
本实施方式中，也在边框区域27内，以围绕显示区域21的方式设置槽28，槽28将EL层6贯通，俯视时，呈现下述状态：EL层6的下部的绝缘膜即像素分离膜5相对于EL层6露出。进而，在边框区域27内、且在槽28的外周侧，密封层8和像素分离膜5进一步以围绕显示区域21及槽28的方式相接触。
在该结构中，通过密封层8和像素分离膜5相接触、以及上部电极7和像素分离膜5相接触这两重防护，能够更加坚固地防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入。此外，通过密封层8和像素分离膜5相接触，能够防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。
本实施方式的EL显示装置400可如下得到：预先在边框区域27内，于应该形成槽28的位置的外侧，在像素分离膜5之上形成牺牲层。然后，形成EL层6后，利用激光消融法等适当的方法形成槽28，形成上部电极7后，进而将牺牲层剥离。此时，由于EL层6及上部电极7也通过牺牲层的剥离而被同时剥离，所以在俯视时其端面的位置是相同的。
本实施方式中，通过密封层8与像素分离膜5的接触、和上部电极7与像素分离膜5的接触，能够双重防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入，进而也能防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。此外，由于在形成EL层6及上部电极7时不需要金属掩模，所以制造成本减少。
[第5实施方式]
接着，参照附图对本发明的第5实施方式的EL显示装置500进行说明。需要说明的是，EL显示装置500与作为上文所述的第1实施方式的EL显示装置100的外观而示于图1中的外观相同，此外，由于EL显示装置500的制造中途的状态与图2所示的状态相同，因此将这些图引用为关于本实施方式的图。此外，对本实施方式的EL显示装置500进行说明时，对与第1实施方式相同或等同的构成赋予相同标记，省略重复的说明。
图7是关于本发明的第5实施方式的EL显示装置500的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
本实施方式中，与上文所述的第3实施方式同样地，密封层8和像素分离膜5以围绕显示区域21的方式相接触，该接触区域延伸至切割面。因此，在本实施方式中，也与第3实施方式同样地，能防止水分和氧从切割面向显示区域21内的EL层6的侵入，并且能防止电气噪声从切割面向显示区域21内的上部电极7的侵入。
此处，本实施方式中，以覆盖EL层6及上部电极7的方式设置有第2密封层15，在俯视时，EL层6、上部电极7及第2密封层15的端面的位置一致。其原因是：在制作本实施方式的EL显示装置500时，遍及阵列母基板101的整个面制作EL层6及上部电极7，然后以覆盖显示区域21和边框区域27的一部分的方式制作第2密封层15，通过以第2密封层15作为保护层的除去工序、例如干蚀刻，将露出的EL层6及上部电极7除去，由此得到EL显示装置500。
该结构中，由于密封层8与像素分离膜5相接触，因此能够防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入，并且能够防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。此外，由于在形成EL层6及上部电极7时不需要金属掩模，所以制造成本减少。进而，在显示区域21内，层合有密封层8和第2密封层15，因此，能够坚固地保护显示区域21内的EL层6。
[第6实施方式]
接着，参照附图对本发明的第6实施方式的EL显示装置600进行说明。需要说明的是，EL显示装置600的外观与作为上文所述的第1实施方式的EL显示装置100的外观而示于图1中的外观相同，此外，由于EL显示装置600的制造中途的状态与图2所示的状态相同，因此将这些图引用为关于本实施方式的图。此外，对本实施方式的EL显示装置600进行说明时，对与第1实施方式相同或等同的构成赋予相同标记，省略重复的说明。
图8是关于本发明的第6实施方式的EL显示装置600的、由图2的III-III线得到的截面的示意图。
本实施方式中，在边框区域27内，上部电极7在EL层6的外周与像素分离膜5相接触，进而，同样地，在边框区域27内形成下述结构：密封层8在上部电极7的外周与像素分离膜5相接触。即，上部电极7的外部形状比EL层6的外部形状稍大，两者的端部均收纳在边框区域27内。
在该结构中，也与第4实施方式同样地，通过密封层8和像素分离膜5相接触、以及上部电极7和像素分离膜5相接触这两重防护，坚固地防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入。此外，通过密封层8和像素分离膜5相接触，防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。
本实施方式的EL显示装置600中，使用两种金属掩模。即，使用第1金属掩模，通过蒸镀形成EL层6，然后使用第2金属掩模形成上部电极7。使第2金属掩模的开口的大小比第1金属掩模的开口稍大。
本实施方式中，通过密封层8与像素分离膜5的接触、和上部电极7与像素分离膜5的接触，双重防止水分和氧向显示区域21内的EL层6的侵入。进而，也防止电气噪声向显示区域21内的上部电极7的侵入。但是，由于在形成EL层6及上部电极7时使用金属掩模，所以其成本是必要的。
需要说明的是，上文说明过的实施方式中给出的各部件的具体形状、配置、数量等是一个例子，并不将本发明限定于此。在实施本发明时，本领域技术人员可根据其实施方式任意地设计及变更各部件的形状等。此外，也可以将上述各实施方式适当组合。
Claims (10)
1.一种EL显示装置，具有下部电极、绝缘层、白色发光的EL层、上部电极和密封层，所述下部电极和所述绝缘层按每个像素形成于阵列基板上，所述EL层以跨越复数个像素的方式形成于所述下部电极和所述绝缘层的上层，所述上部电极以跨越复数个像素的方式形成于所述EL层的上层，所述密封层形成于所述上部电极的上层，
所述EL显示装置中，在边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触，或者，所述密封层和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触。
2.如权利要求1所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触，并且，所述密封层和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触。
3.如权利要求1所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，在所述EL层或所述EL层和所述上部电极上以围绕所述显示区域的方式形成槽，
所述上部电极和所述绝缘层、或者所述密封层和所述绝缘层在所述槽中相接触。
4.如权利要求3所述的EL显示装置，其中，所述上部电极和所述绝缘层在所述槽中相接触，
所述密封层和所述绝缘层在所述槽的外周侧相接触。
5.如权利要求1所述的EL显示装置，其中，在所述上部电极的上层形成第2密封层，
所述密封层和所述绝缘层在所述第2密封层的外周侧相接触。
6.一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序：按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；
以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；
在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层；
以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极，以围绕所述显示区域的方式使所述上部电极与所述绝缘层接触。
7.如权利要求6所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层的除去或所述EL层和所述上部电极的除去通过激光消融法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
8.一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序：按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；
以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；
以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极；
在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层和所述上部电极；
在所述上部电极的上层形成密封层，以围绕所述显示区域的方式使所述密封层与所述绝缘层接触。
9.如权利要求8所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层的除去或所述EL层和所述上部电极的除去通过激光消融法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
10.如权利要求8所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层和所述上部电极的除去通过干蚀刻来进行，所述干蚀刻将形成于所述上部电极的上层的第2密封层作为保护层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014065924A JP6329795B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | Ｅｌ表示装置及びｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2014-065924 | 2014-03-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104953039A true CN104953039A (zh) | 2015-09-30 |
| CN104953039B CN104953039B (zh) | 2017-09-05 |
Family
ID=54167558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510138136.3A Active CN104953039B (zh) | 2014-03-27 | 2015-03-26 | El显示装置及el显示装置的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9591701B2 (zh) |
| JP (1) | JP6329795B2 (zh) |
| KR (1) | KR20150112834A (zh) |
| CN (1) | CN104953039B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107578703A (zh) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN108123063A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 使用有机发光二极管的发光设备及其制造方法 |
| CN111164667A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-05-15 | 株式会社日本显示器 | 显示装置、及显示装置的制造方法 |
| WO2023115504A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示模组、移动终端 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102351410B1 (ko) * | 2015-06-02 | 2022-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 모듈, 차량용 표시 장치, 및 표시 모듈의 제조 방법 |
| CN109644531B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-02-12 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
| KR102661550B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2024-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| JP7001398B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-01-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法及び多面取り基板 |
| JP6405436B1 (ja) * | 2017-10-23 | 2018-10-17 | 住友化学株式会社 | 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス |
| CN108428808B (zh) * | 2018-04-16 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光基板的制作方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1671255A (zh) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US20050212413A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hiroyasu Matsuura | Organic electroluminescence display apparatus |
| CN1735292A (zh) * | 2004-08-12 | 2006-02-15 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
| US20090033215A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic el display apparatus |
| CN101859876A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-13 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光装置 |
| CN102057513A (zh) * | 2008-06-09 | 2011-05-11 | 佳能株式会社 | 有机发光器件 |
| CN102347454A (zh) * | 2003-06-27 | 2012-02-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制作方法 |
| TWI405496B (zh) * | 2004-12-13 | 2013-08-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件之封裝方法，及發光面板以及顯示面板之製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3948082B2 (ja) | 1997-11-05 | 2007-07-25 | カシオ計算機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP4262902B2 (ja) | 2001-03-30 | 2009-05-13 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP4449857B2 (ja) | 2005-08-17 | 2010-04-14 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2010003682A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-01-07 | Canon Inc | 有機発光装置の製造方法 |
| KR101769068B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5605283B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP6168742B2 (ja) | 2011-09-02 | 2017-07-26 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065924A patent/JP6329795B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-24 KR KR1020150040677A patent/KR20150112834A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-03-26 CN CN201510138136.3A patent/CN104953039B/zh active Active
- 2015-03-26 US US14/670,176 patent/US9591701B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102347454A (zh) * | 2003-06-27 | 2012-02-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制作方法 |
| CN1671255A (zh) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US20050212413A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hiroyasu Matsuura | Organic electroluminescence display apparatus |
| CN1735292A (zh) * | 2004-08-12 | 2006-02-15 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
| TWI405496B (zh) * | 2004-12-13 | 2013-08-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件之封裝方法，及發光面板以及顯示面板之製造方法 |
| US20090033215A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic el display apparatus |
| CN102057513A (zh) * | 2008-06-09 | 2011-05-11 | 佳能株式会社 | 有机发光器件 |
| CN101859876A (zh) * | 2009-04-01 | 2010-10-13 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107578703A (zh) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN108123063A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 使用有机发光二极管的发光设备及其制造方法 |
| US10290687B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Lighting apparatus using organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| CN111164667A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-05-15 | 株式会社日本显示器 | 显示装置、及显示装置的制造方法 |
| WO2023115504A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示模组、移动终端 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150282259A1 (en) | 2015-10-01 |
| JP6329795B2 (ja) | 2018-05-23 |
| JP2015191700A (ja) | 2015-11-02 |
| US9591701B2 (en) | 2017-03-07 |
| CN104953039B (zh) | 2017-09-05 |
| KR20150112834A (ko) | 2015-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104953039A (zh) | El显示装置及el显示装置的制造方法 | |
| JP6674013B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| US9147717B2 (en) | Organic display device having a contact hole planarization film made of an organic insulating material | |
| US11825716B2 (en) | Display device | |
| JP6733203B2 (ja) | 電気光学装置、電子機器 | |
| US9825109B2 (en) | Display device | |
| CN107799555A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| KR101927334B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2008135325A (ja) | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 | |
| CN109411619A (zh) | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 | |
| CN104241538A (zh) | 电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备 | |
| CN104244485A (zh) | 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备 | |
| TWI699882B (zh) | 光電裝置、電子機器 | |
| KR102247825B1 (ko) | 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US11950450B2 (en) | Display substrate and method of manufacturing the same and electronic device | |
| JP4572561B2 (ja) | 自発光型表示装置 | |
| KR100360328B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 | |
| US20210288272A1 (en) | Organic light emitting display screen and manufacturing method therefor | |
| JP2016170935A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| KR102593332B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20150107646A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20200067346A (ko) | 전계 발광 표시 장치 | |
| CN118076145A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN115568249A (zh) | 显示基板及制备方法、显示面板及修复方法、显示装置 | |
| KR20200127762A (ko) | 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |