CN104916347B - 铅-碲无机反应体系 - Google Patents
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- 238000007130 inorganic reaction Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 119
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 71
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 48
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- -1 chalcogen Chalcogenide Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 claims description 26
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 claims description 4
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 claims 3
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 claims 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims 2
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 claims 2
- VPJOGDPLXNTKAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanoic acid;2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical class CC(C)C(O)=O.CC(C)C(O)C(C)(C)CO VPJOGDPLXNTKAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 18
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 9
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 6
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- BNRRFUKDMGDNNT-JQIJEIRASA-N (e)-16-methylheptadec-2-enoic acid Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCC\C=C\C(O)=O BNRRFUKDMGDNNT-JQIJEIRASA-N 0.000 description 2
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 2
- 101100518501 Mus musculus Spp1 gene Proteins 0.000 description 2
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Chemical group 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 2
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002457 octadec-9-ynoyl group Chemical group C(CCCCCCCC#CCCCCCCCC)(=O)* 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical class CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920013820 alkyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N cis-p-Menthan-1,8-diol Natural products CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N isosorbide mononitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[C@@H]1CO[C@@H]2[C@@H](O)CO[C@@H]21 YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 239000005267 main chain polymer Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930006948 p-menthane-3,8-diol Natural products 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000009394 selective breeding Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- SDLBJIZEEMKQKY-UHFFFAOYSA-M silver chlorate Chemical compound [Ag+].[O-]Cl(=O)=O SDLBJIZEEMKQKY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZYXPMOIHQRKWGT-UHFFFAOYSA-N silver;2,2,2-trifluoroacetic acid Chemical compound [Ag].OC(=O)C(F)(F)F ZYXPMOIHQRKWGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-WAAGHKOSSA-N terpin Chemical compound CC(C)(O)[C@H]1CC[C@@](C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-WAAGHKOSSA-N 0.000 description 1
- 229950010257 terpin Drugs 0.000 description 1
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012932 thermodynamic analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
包含式(I)Pba‑Teb‑Znf‑Md‑Oe的铅‑碲‑锌组合物的无机反应体系,其中0<a、b、d或f≤1,a、b、d和f的和为1,0≤d≤0.5,0<f≤0.2,a:b为约10:90至约90:10,(a+f+d):b为约10:90至约90:10,M为一种或多种元素,且e为足以使Pb、Te、Zn和M组分平衡的数。
Description
技术领域
本发明涉及铅-碲-锌(PTZ)、铅-碲-碱土金属(PTM)和铅-碲-碱土金属-锌(PTMZ)无机反应体系(IRS)。在本发明一个方面中,用于太阳能电池板技术,尤其是用于形成正面电接触的导电糊组合物包含导电颗粒、有机载体和本发明PTZ、PTM和/或PTMZ IRS。
背景
太阳能电池是使用光生伏打效应将光能转化成电的装置。太阳能是有吸引力的绿色能源,因为它是可持续的且仅产生非污染的副产物。因此,目前投入了大量研究以开发具有增强的效率,同时持续降低材料和生产成本的太阳能电池。在操作中,当光击中太阳能电池时,一部分入射光被表面反射,且其余透射到太阳能电池中。透射光的光子被通常使用半导体材料如硅制成的太阳能电池吸收。来自吸收光子的能量激发半导体材料的电子离开其原子,产生电子-空穴对。这些电子-空穴对然后被p-n结隔开并被应用于太阳能电池表面上的导电电极收集。
太阳能电池通常具有应用于其正面和背面上的导电糊。将通常包含银的正面糊丝网印刷在基质的正面上以用作前电极。典型的导电糊包含导电金属颗粒、玻璃料(glassfrit)和有机载体。在一些情况下,玻璃料在烧制时蚀刻通过硅基质表面上的抗反射涂层如氮化硅涂层,帮助在导电颗粒与硅基质之间建立电接触。另一方面,理想的是玻璃料不会如此侵蚀性以致它在烧制以后分流p-n结。例如,包含相对高量的氧化铅和氧化铋的玻璃料可能损害抗反射层并使表面的p-n结降解。因此,太阳能电池的电性能可能降低。另外,已知玻璃料具有宽熔融温度范围,使得它们强烈取决于其组成和加工参数而行为。因而,利用已知玻璃料预测玻璃加工参数和在快速烧制方法下的行为的能力是困难的。
因此,需要使导电糊与下面基质之间的接触最佳化以实现改进的太阳能电池效率,而不会如此侵蚀性以致它损害抗反射层和p-n结的IRS。另外,具有更可预测的加工行为的IRS也是理想的。
概述
本发明提供包含锌和/或碱土金属的铅无机反应体系(IRS),所述铅无机反应体系在用于导电糊中时改进与下面基质的电接触。此外,由于IRS中包含锌和/或碱土金属而改进的接触性能,铅含量可降低,并且可实现更加可预测的加工参数。
本发明一方面为包含式(I):Pba-Teb-Znf-Md-Oe的铅-碲-锌组合物的无机反应体系,其中0<a、b、d或f≤1,a、b、d和f的和为1,0≤d≤0.5,0<f≤0.2,a:b为约10:90至约90:10,(a+f+d):b为约10:90至约90:10,M为一种或多种元素,且e为足以使Pb、Te、Zn和M组分平衡的数。
包含式(II):Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Md-Oe的铅-碲-镁组合物的无机反应体系,其中0<a、b或d≤1,0≤w、x、y、z≤1,w+x+y+z=c,w、x、y和z中的至少一个为大于零,a、b、c和d的和为1,0<c≤0.2,0≤d≤0.5,a:b为约10:90至约90:10,(a+c+d):b为约10:90至约90:10,M为一种或多种元素,且e为足以使Pb、Te、Mg-Ca-Sr-Ba和M组分平衡的数。
包含式(III):Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Znf-Md-Oe的铅-碲-镁-锌组合物的无机反应体系,其中0<a、b、d或f≤1,0≤w、x、y、z≤1,w+x+y+z=c,w、x、y和z中的至少一个为大于零,a、b、c、d和f的和为1,0<c≤0.2,0<f≤0.2,0≤d≤0.5,a:b为约10:90至约90:10,(a+c+f+d):b为约10:90至约90:10,M为一种或多种元素,且e为足以使Pb、Te、Mg-Ca-Sr-Ba、Zn和M组分平衡的数。本发明另一方面为通过将本发明导电糊应用于硅片上并将硅片烧制而生产的太阳能电池。
本发明还提供包含本发明电互连太阳能电池的太阳能电池模块。
本发明另一方面为生产太阳能电池的方法,所述方法包括步骤:提供具有正面和背面的硅片,将本发明导电糊应用于硅片上,和将硅片烧制。详述
本发明涉及PTZ、PTM和PTMZ无机反应体系。尽管不限于该应用,IRS组合物或其组合可用于导电糊组合物如用于硅太阳能电池中的那些中。导电糊组合物优选包含导电金属颗粒、有机载体,以及PTZ、PTM或PTMZ IRS组合物中的至少一种。导电糊组合物可包含一种或多种其它添加剂。
在其它实施方案中,IRS可包含多种PTZ、PTM和PTMZ玻璃组合物,PTZ、PTM和PTMZ玻璃组合物与含PTZ、PTM和PTMZ化合物或者在物理加工(例如机械化学加工、碾磨、研磨)或化学加工(例如烧制、热分解、光或辐射化学分解)期间形成PTZ、PTM和PTMZ IRS的含PTZ、PTM和PTMZ化合物(例如有机金属化合物、盐)的组合。在其它实施方案中,形成PTZ、PTM和PTMZ的元素可存在于单一组分中或者分布于两种或更多种组分中,所述组分可以为无定形或者结晶或部分结晶的。
当应用于硅太阳能电池时,这类糊可用于在硅片的正面或背面上形成电接触层或电极。
在一个优选实施方案中,导电糊用在用于太阳能电池的硅片的正面上,且包含银导电颗粒、本发明IRS组合物和有机载体。
无机反应体系
本发明涉及例如用于导电糊组合物中的IRS。IRS在用于导电糊组合物中时用作多个功能。首先,IRS为导电颗粒提供输送介质,容许它们从糊迁移至半导体基质的界面上。IRS体系还为糊组分提供反应介质以在经受升高的温度时在界面上经受物理和化学反应。物理反应包括但不限于熔融、溶解、扩散、烧结、沉淀和结晶。化学反应包括但不限于合成(形成新的化学键)和分解、还原和氧化,和相变。另外,IRS还充当提供导电颗粒与半导体基质之间结合的粘着介质,由此改进在太阳能器件的寿命期间的电接触性能。尽管意欲实现相同效果,由于玻璃的绝缘性能,现有玻璃料组合物可在导电糊和硅片的界面上产生高接触电阻。本发明IRS提供所需输送、反应性和粘着介质,而且降低接触电阻并改进总电池性能。
更具体而言,IRS提供太阳能电池中导电颗粒与半导体基质(例如硅基质)之间改进的欧姆和肖特基接触。IRS是相对于硅的反应性介质并在硅基质上产生活性面积,这改进了总接触,例如通过直接接触或穿透。改进的接触性能提供较好的欧姆接触和肖特基接触,以及因此更好的总太阳能电池性能。另外,不受任何特定理论束缚,认为IRS中包含锌和/或碱土金属改进了导电糊的接触性能。另外,IRS组分以特定量组合提供具有拓宽范围的玻璃化转变温度、软化温度、熔融温度、结晶温度和流动温度的糊,因此拓宽所得糊的加工窗口。这容许所得导电糊具有与多种基质的改进的相容性。
IRS可包含玻璃材料、陶瓷材料、本领域中已知在高温下形成反应性基体的任何其它化合物。在一个实施方案中,IRS可包含至少一种基本无定形玻璃料。在另一实施方案中,IRS可结合结晶相或化合物,或者无定形、部分结晶和/或结晶材料的混合物。IRS还可包含本领域中已知的其它氧化物或化合物。例如,可使用镁、镍、碲、钨、锌、钆、锑、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬或其至少两种的任何组合,优选锌、锑、锰、镍、钨、碲和钌或其至少两种的组合的氧化物,在烧制时可产生那些金属氧化物的化合物,或者上述金属中至少两种的混合物,上述氧化物中至少两种的混合物,在烧制时可产生那些金属氧化物的上述化合物中至少两种的混合物,或者上述任意两种或更多种的混合物。其它玻璃基体形成剂或玻璃改性剂,例如氧化锗、氧化钒、钼氧化物、铌氧化物、铟氧化物、其它碱和碱土金属(例如K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba)化合物、稀土氧化物(例如La2O3、铈氧化物)、磷氧化物或金属磷酸盐和金属卤化物(例如铅氟化物和锌氟化物)也可作为添加剂用于调整IRS的性能,例如玻璃化转变温度。在一个实施方案中,IRS可包含至少一种玻璃和至少一种氧化物或添加剂的组合。
PTZ无机反应体系
根据一个实施方案,PTZ IRS可由下式表示:
Pba-Teb-Znf-Md-Oe (式I)
其中0<a、b、d或f≤1,a、b、d和f的和为1,0≤d≤0.5,0<f≤0.2,M为一种或多种可充当玻璃形成剂的金属,且变量“e”使Pba-Teb-Znf-Md组分电荷平衡。优选0≤d≤0.4.优选0<f≤0.1。
M可以为任何金属,包括但不限于碱金属、碱土金属、稀土金属、硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银、铅及其任何组合。优选M为锂、硼、硅或其任何组合。
优选铅与碲的比或a:b为约10:90至约90:10。更优选a:b比为约20:80至约80:20。碲与锌的比或b:f优选为约5:95至约95:5。更优选b:f比为约1:1至约20:1。另外,铅和锌与碲的比或(a+f+d):b优选为约10:90至约90:10,更优选约20:80至约40:60。铅与锌的比或a:f:优选为约10:90至约90:10。更优选a:f比为约30:70至约70:30。
式I优选配制成单玻璃组合物,由此IRS的起始组分(Pb、Te、Zn和其它金属)都化学反应形成一种复杂化合物或复合物,而不是具有各种氧化物的物理混合物的玻璃。作为选择,锌组分可作为IRS的添加剂包含在式I的外部。
根据另一实施方案,PTZ IRS可由下式表示:
Pba-Teb-Znf-Big-Md-Oe(式IA)
其中a、b、d、e和f及其所有比,以及M如它们在式I中所定义。关于铋组分,a:g比为约10:90至约90:10。更优选a:g比为约15:85至约85:15。g:b的比优选为约5:95至约95:5。更优选g:b比为约10:90至约80:20。f:g比优选为约10:90至约90:10。更优选f:g比为约15:85至约85:10。
式IA可根据上文关于式I所述相同参数配制成单玻璃组合物。
PTM无机反应体系
根据一个实施方案,PTM IRS可由下式表示:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Md-Oe (式II)
其中0<a、b或d≤1,0≤w、x、y、z≤1,w、x、y和z中的至少一个为大于零,w+x+y+z=c,0<c≤0.2,0≤d≤0.5,a、b、c和d的和为1,且变量“e”使Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)c-Md组分电荷平衡。如上所述,优选“c”为小于或等于0.1且至少0.005。变量“d”为小于或等于0.4。
尽管优选使用镁,代替或者除镁外,可使用钙、锶或钡中的任一种。另外,M可以为任何元素或组分,包括但不限于碱金属、碱土金属、稀土金属、硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银、卤化物、硫属元素化物、铅及其任何组合。优选M为锂、硼、硅或其任何组合。
在一个实施方案中,铅与碲的比或a:b为约10:90至90:10。更优选a:b比为约1:10至约10:1。碲与Mg-Ca-Sr-Ba组分的比或b:c优选为约5:95至约95:5。更优选b:c比为约1:1至约20:1。另外,铅和Mg-Ca-Sr-Ba组分与碲的比或(a+c+d):b优选为约10:90至约90:10,更优选约20:80至约40:60。铅与Mg-Ca-Sr-Ba组分的比或a:c优选为约10:90至约90:10。更优选a:c比为30:70至约70:30。
式II优选配制成单玻璃组合物,由此IRS的起始组分(Pb、Te、Zn、Mg或Ca、Sr、Ba和其它金属)都化学反应形成一种复杂化合物或复合物,而不是具有各种氧化物的物理混合物的玻璃。作为选择,Mg-Ca-Sr-Ba组分可作为IRS的添加剂包含在式II的外部。
根据另一实施方案,PTM IRS可由下式表示:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)c-Big-Md-Oe (式IIA)
其中a、b、c、d和e及其所有比以及M如它们在式II中所定义。关于铋组分,a:g比为约10:90至约90:10。更优选a:g比为约15:85至约85:15。g:b的比优选为约5:95至约95:5。更优选g:b比为约10:90至约80:20。f:g比优选为约10:90至约90:10。更优选f:g比为约15:85至约85:10。
式IIA可根据上文关于式II所述相同参数配制成单玻璃组合物。
PTMZ无机反应体系
根据一个实施方案,PTMZ IRS可由下式表示:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Znf-Md-Oe (式III)
其中0<a、b、d或f≤1,0≤w、x、y、z≤1,w+x+y+z=c,w、x、y和z中的至少一个为大于零,0<f≤0.2,0<d≤0.5,a、b、c、d和f的和为1,且变量“e”使Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)c-Znf-Md组分电荷平衡。如上所述,优选“c”为小于或等于约0.2,优选小于或等于约0.1。同时,“c”为至少0.05。变量“d’为小于或等于0.4。变量“f”优选为小于0.1。
尽管优选使用镁,代替或者除镁外,可使用钙、锶或钡中的任一种。另外,M可以为任何元素,包括但不限于碱金属、碱土金属、稀土金属、硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银、铅、卤化物、硫属元素化物及其任何组合。优选M为锂、硼、硅或其任何组合。
在一个实施方案中,铅与碲的比或a:b为约10:90至约90:10。更优选a:b比为约15:85至约30:70。碲与Mg-Ca-Sr-Ba组分的比或b:c优选为约5:95至约95:5。更优选b:c比为约1:1至约20:1。铅与Mg-Ca-Sr-Ba组分的比或a:c优选为10:90-90:10。更优选a:c比为1:10-10:1。Mg-Ca-Sr-Ba组分与锌组分的比或c:f为约1:1至约20:1。碲与锌的比或b:f优选为约5:95至约95:5。更优选b:f比为约1:1至约20:1。另外,铅和Mg-Ca-Sr-Ba组分和其它元素与碲的比或(a+c+d+f):b优选为约10:90至约90:10,更优选约20:80至约40:60。
式III优选配制成单玻璃组合物,由此IRS的起始组分(Pb、Te、Zn、Mg或Ca、Sr、Ba、Zn和其它金属)都化学反应形成一种复杂化合物或复合物,而不是具有各种氧化物的物理混合物的玻璃。作为选择,Mg-Ca-Sr-Ba和/或锌组分可作为IRS的添加剂包含在式III的外部。
根据又一实施方案,PTMZ IRS可由下式表示:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)c-Big-Znf-Md-Oe (式IIIA)
其中a、b、c、d、e和f及其所有比以及M如它们在式III中所定义。关于铋组分,a:g比为约10:90至约90:10。更优选a:g比为约15:85至约85:15.g:b的比优选为约5:95至约95:5。更优选g:b比为约10:90至约80:20。f:g比优选为约10:90至约90:10。更优选f:g比为约15:85至约85:10。
式IIIA可根据上文关于式III所述相同参数配制成单玻璃组合物。
在其它实施方案中,IRS可包含多种玻璃组合物的组合,例如式I、II或III玻璃组合物与含PTZ、PTM或PTMZ化合物,或者在物理加工(例如机械化学加工、碾磨、研磨)或化学加工(例如烧制、热分解、光或辐射化学分解)期间形成PTZ、PTM或PTMZ IRS的化合物(例如有机金属化合物、盐)的组合。
IRS可由结晶或部分结晶原料形成。形成IRS的元素可存在于单一组分中或者分布于两种或更多种组分中,优选用于制备IRS组合物的原料为氧化铅(例如PbO)、氧化碲(例如TeO2),以及锌和/或碱土金属的氧化物,例如氧化锌(例如ZnO)和氧化镁(例如MgO)。然而,可使用可用于配制根据式I、II和III的PTZ、PTM或PTMZ体系的任何已知含铅、碲、锌和镁组合物。
根据一个实施方案,用于制备IRS的原料包含基于IRS的100%总重量至少约5重量%含铅化合物(例如PbO),优选至少约8重量%含铅化合物。同时组合物包含不大于约45%含铅化合物,优选不大于约40重量%,最优选不大于约38重量%。另外,材料优选包含基于用于制备IRS的原料的100%总重量至少20重量%含碲化合物(例如TeO2),优选至少约30重量%。同时,材料优选包含不大于约70重量%含碲化合物,优选不大于约60重量%。关于锌和碱土金属(例如镁),原料优选包含基于IRS的100%总重量不大于约15重量%这种化合物,优选不大于约10重量%。同时,原料可包含基于IRS的100%总重量至少约0.1重量%这种化合物,优选至少约0.3重量%。
其它玻璃基体形成剂可用于形成PBT IRS,如式I中由“M”指定。合适的化合物包括但不限于碱金属、碱土金属、稀土金属、硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银的化合物、卤化物、硫属元素化物或其任何组合。优选,包含这些金属的原料为金属氧化物,例如Li2O、Na2O、SiO2、Al2O3、MoO3、MgO、Cr2O3、P2O5、B2O3和Ag2O。也可使用金属卤化物,例如AgI或PbF2。在一个优选实施方案中,IRS包含锂、硼、硅或其任何组合。在另一实施方案中,IRS包含铋,如本文中更完整地描述的。如果存在的话,IRS的原料包含至少约0.1重量%上述元素。同时,它们包含基于IRS的100%总重量不大于约30重量%,优选不大于约20重量%。
形成IRS组合物
IRS可通过本领域已知的任何方法形成,包括固态合成、熔融和骤冷,或其它Chimie Douce(软化学)方法。在典型的熔融和骤冷方法中,第一步骤是将适量的原料(通常为粉末形式)混合。然后将该混合物在空气中或者在含氧气氛中加热以形成熔体。然后将熔体骤冷,然后将它研磨、球磨并筛分,以提供具有所需粒度的混合物。例如,可将粉末形式的组分在V-comb混合机中一起混合。然后将混合物加热(例如至约800-1200℃)约30-40分钟使得原料可反应形成单玻璃体系。然后将IRS骤冷,呈现砂状稠度。将该粗粉末例如在球磨机或喷射磨中研磨,直至产生细粉。可将IRS颗粒研磨至约0.01–20μm,优选约0.1-5μm的平均粒度(d50)。在一个实施方案中,IRS颗粒可形成具有约5至约100nm的d50的纳米级颗粒。
Chimie Douce(软化学)方法在约20℃至约500℃的温度下进行。Chimie Douce反应为局部规整反应,意指反应物的结构元素保持在产物中,但组成改变。这类方法包括但不限于溶胶-凝胶方法、沉淀、水热/溶剂热方法和热解。
常规固态合成也可用于制备本文所述IRS体系。在该方法中,将粗原料在真空下密封在熔凝石英管或者钽或铂管中,然后加热至至约700-1200℃。材料在该高温下保持约12-48小时,然后缓慢冷却(约0.1℃/分钟)至室温。在一些情况下,固态反应可在氧化铝坩埚中在空气中进行。
制备IRS体系的又一方法是共沉淀。在该方法中,通过调整pH水平或者通过并入还原剂而将金属元素还原并与其它金属氧化物或氢氧化物共沉淀以形成包含金属阳离子的溶液。然后将这些金属、金属氧化物或氢氧化物的沉淀物干燥并在真空下在约400-800℃下烧制以形成细粉。
导电糊组合物
本发明一方面涉及导电糊组合物。所需导电糊是高度导电的一种,以使所得太阳能电池的电性能最佳化。导电糊组合物通常包含金属颗粒、有机载体和至少一种本文所讨论的IRS组合物。根据一个实施方案,导电糊包含基于糊的100%总重量:(i)至少约50重量%且不大于约95重量%金属颗粒;(ii)至少约1重量%且不大于约10重量%IRS;和(iii)至少约1重量%且不大于约25重量%有机载体。
本发明导电糊包含至少一种如本文所述的本发明IRS组合物。优选导电糊包含至少约0.1重量%IRS,更优选至少约0.5重量%。同时,糊包含基于糊的100%总重量不大于约10重量%IRS,优选不大于约5重量%,最优选不大于约3重量%。
根据本发明一个实施方案,IRS应具有在导电糊的所需烧制温度以下的玻璃化转变温度范围(Tg)。优选的IRS组分具有至少约250℃,优选,至少300℃,最优选至少350℃的Tg范围。同时,当使用热力学分析测量时,优选的IRS材料具有不大于约750℃,优选不大于约700℃,最优选不大于约650℃的Tg范围。具体而言,玻璃化转变温度可使用DSC设备,TAInstruments SDT Q600Simultaneous TGA/DSC(TA Instruments)测定。对于测量和数据评估,应用测量软件TA Universal Analysis 2000,V4.5A。作为用于参比和试样的盘,使用具有6.8mm的直径和约90μl的体积的氧化铝试样杯(由TA Instruments市购)。将约20-50mg的量的试样以0.01mg的准确度称重放入试样盘中。将空参比盘和试样盘放入设备中,将炉子关闭并开始测量。从25℃的起始温度至1000℃的最终温度使用10-50℃/min的加热速率。总是将仪器中的余量用氮气(N25.0)清洗,并将炉子用合成空气(80%N2和20%O2,来自Linde)以50ml/min的流速清洗。DSC信号的第一步使用上述软件评估为玻璃化转变,且测定的开始值认为是Tg的温度。
本领域中熟知IRS固体颗粒可显示多种形状、尺寸和涂层。例如,IRS固体颗粒的大量形状是本领域技术人员已知的。一些实例包括球形、有角的、细长的(棒或针状)和平的(片状、薄片)。IRS固体颗粒也可作为不同形状(例如球和薄片)的颗粒的组合存在。优选具有对所产生的电极的有利粘着有帮助的形状或形状组合的玻璃颗粒。
中值粒径d50为本领域技术人员熟知的颗粒特征。D50为中值直径或粒度分布的中值。它是累积分布中50%的粒径值。粒度分布可借助激光衍射、动态光散射、成像、电泳光散射或本领域已知的任何其它方法测量。连接在具有LA-910软件程序的计算机上的HoribaLA-910激光衍射粒度分析仪用于测定玻璃料的粒度分布。从LA-910中人工选择玻璃料颗粒的相对折射率并进入软件程序中。将测试室中填充去离子水至罐上的合适填充线。然后通过使用软件程序中的循环和搅拌功能使溶液循环。在1分钟以后,将溶液排出。这重复另外一次以确保室清除了任何残余材料。然后将室用去离子水第三次填充并使其循环和搅拌1分钟。通过使用软件中的空白功能消除溶液中的任何背景颗粒。然后开始超声波搅动,并将玻璃料缓慢加入测试室中的溶液中直至透射率条在软件程序中的合适区中。当透射率在正确水平时,运行激光衍射分析,测量玻璃的粒度分布并作为d50给出。
在一个优选实施方案中,IRS颗粒的中值粒径d50为至少约0.1μm,且优选不大于约20μm,更优选不大于约5μm,更优选不大于约2μm,最优选不大于约1μm。
IRS颗粒可以具有表面涂层。本领域中已知且在本发明上下文中合适的任何这种涂层可用于IRS颗粒上。优选的涂料为促进导电糊改进的粘着特性的那些涂料。如果存在该涂层,则优选涂层以不大于10重量%,优选不大于约8重量%,更优选不大于约5重量%,更优选不大于约3重量%,最优选不大于约1重量%的量存在,每种情况下基于IRS组分的总重量。
优选,IRS颗粒具有至少约0.1m2/g且不大于约15m2/g,优选至少约1m2/g且不大于约10m2/g的比表面积。测量比表面积的方法是本领域中已知的。如本文所述,所有表面积测量使用BET(Brunauer-Emmett-Teller)方法借助根据SMART方法操作的Monosorb MS-22分析仪(由Quantachrome Instruments of Boynton Beach,Florida生产)进行。在内置除气站中制备用于分析的试样。流动气体清除杂质,产生可在其上进行吸附的干净表面。可将试样用提供的加热罩加热至使用者可选择的温度。将数字温度控制和显示器安装在仪器面板上。在除气完成以后,将试样池转移至分析站。在转移期间快速连接配件自动地密封试样池。用单个按钮推动,开始分析。填充有冷却剂的杜瓦烧瓶自动地升高,浸渍试样池并导致吸附。仪器检测到,在吸附完成(2-3分钟)时,自动地降低杜瓦烧瓶,并使用内置热空气鼓风机温和地将试样池加热回室温。因此,在数字式仪表上显示解吸气体信号,且表面积直接显示于前面板显示器上。整个测量(吸附和解吸)周期通常需要小于6分钟。该技术使用高灵敏度导热率检测器测量在吸附和解吸进行时吸附物/惰性载体气体混合物的浓度变化。当通过机载电子器件集成并与校准对比时,检测器提供吸附或解吸气体的体积。内置微型处理器确保线性并自动地计算试样的BET表面积,以m2/g表示。
导电金属颗粒
导电糊还包含导电金属颗粒。导电糊可包含基于糊的100%总重量至少约50重量%金属颗粒,优选至少约60重量%,更优选至少约70重量%,最优选至少约80重量%。同时,糊优选包含基于糊的100%总重量不大于约95重量%金属颗粒。
本领域中已知且认为适用于本发明上下文中的所有金属颗粒可用作导电糊中的金属颗粒。优选的金属颗粒为显示出导电性且得到具有高效率和填充因数以及低串联和栅极电阻的那些。优选的金属颗粒为元素金属、合金、金属衍生物、至少两种金属的混合物、至少两种合金的混合物或者至少一种金属与至少一种合金的混合物。
优选的金属包括银、铝、金、铜和镍及其合金或混合物中的至少一种。在一个优选实施方案中,金属颗粒包含银。在另一优选实施方案中,金属颗粒包含银和铝。合适的银衍生物包括例如银合金和/或银盐,例如银卤化物(例如氯化银)、硝酸银、乙酸银、三氟乙酸银、正磷酸银及其组合。在一个实施方案中,金属颗粒包含涂有一种或多种不同金属或合金的金属或合金,例如涂有铝的银颗粒。
如同IRS颗粒,金属颗粒可显示出多种形状、尺寸和涂层。大量形状是本领域中已知的。一些实例为球形、有角的、细长的(棒或针状)和平的(片状、薄片)。金属颗粒也可作为不同形状(例如球和薄片)的颗粒的组合存在。优选具有对改进的导电率有利的形状或形状组合的金属颗粒。表征这类形状而不考虑颗粒的表面性质的一种方法是通过以下参数:长度、宽度和厚度。在本发明上下文中,颗粒的长度通过最长空间位移矢量的长度给出,其两个端点包含在颗粒内。颗粒的宽度通过垂直于上文所定义的长度矢量的最长空间位移矢量的长度给出,其两个端点包含在颗粒内。颗粒的厚度通过垂直于上文所定义的长度矢量和宽度矢量的最长空间位移矢量给出,其两个端点包含在颗粒内。在一个实施方案中,优选具有尽可能均匀的形状(即其中关于长度、宽度和厚度的比尽可能接近1;优选至少0.7,更优选至少0.8,最优选至少0.9,且优选不大于约1.5,优选不大于约1.3,最优选不大于约1.2的形状)的金属颗粒。在该实施方案中,金属颗粒的优选形状的实例为球形和立方体或其组合,或者其一种或多种与其它形状的组合。在另一实施方案中,优选具有低均匀性的形状,优选关于长度、宽度和厚度的尺寸比中的至少一个为约1.5以上,更优选约3以上,最优选约5以上的金属颗粒。根据该实施方案的优选形状为薄片型、棒或针型,或者薄片型、棒或针型与其它形状的组合。
优选金属颗粒的如上文所述中值粒径d50为至少约0.1μm,且优选不大于约10μm,优选不大于约8μm,更优选不大于约7μm,最优选不大于约5μm。
另外,优选的金属颗粒具有至少约0.1m2/g且不大于约10m2/g的比表面积。根据一个优选实施方案,使用具有至少约0.2m2/g,优选至少0.5m2/g,且同时不大于约5m2/g的比表面积的银粉。比表面积根据如本文所述参数测量。
优选贡献更有利的接触性能和导电率的其它组分。例如,金属颗粒可具有表面涂层。本领域中已知且认为适于本发明上下文中的任何这类涂层可用于金属颗粒上。优选的涂料为促进所得导电糊的粘着特性的那些涂料。如果存在该涂层,则优选涂层基于金属颗粒的100%总重量为不大于约10重量%,优选不大于约8重量%,最优选不大于约5重量%。
有机载体
本发明导电糊还可包含有机载体。在一个实施方案中,有机载体以基于糊的100%总重量至少约0.01重量%且不大于约50重量%,优选不大于约30重量%,最优选不大于约20重量%的量存在于导电糊中。
在本发明上下文中优选的有机载体为基于一种或多种溶剂,优选有机溶剂的溶液、乳液或分散体,其确保导电糊的组分以溶解、乳化或分散形式存在。优选的有机载体为提供导电糊的组分的最佳稳定性并赋予糊容许有效印刷性的粘度的那些。
在一个实施方案中,有机载体包含有机溶剂以及粘合剂(例如聚合物)、表面活性剂和触变剂中的一种或多种或其任何组合。例如,在一个实施方案中,有机载体包含在有机溶剂中的一种或多种粘合剂。
在本发明上下文中优选的粘合剂为有助于形成具有有利稳定性、可印刷性、粘度和烧结性能的导电糊的那些。本领域中已知且认为适用于本发明上下文中的所有粘合剂可用作有机载体中的粘合剂。优选的粘合剂(其通常属于称为“树脂”的类别)为聚合物粘合剂、单体粘合剂以及为聚合物和单体的组合的粘合剂。聚合物粘合剂还可以为其中至少两个不同的单体单元包含在单一分子中的共聚物。优选的聚合物粘合剂为在聚合物主链中带有官能团的那些、主链外带官能团的那些以及主链内和主链外都带有官能团的那些。优选的主链中带有官能团的聚合物为例如聚酯、取代聚酯、聚碳酸酯、取代聚碳酸酯、主链中带有环状基团的聚合物、聚糖、取代聚糖、聚氨酯、取代聚氨酯、聚酰胺、取代聚酰胺、苯酚树脂、取代苯酚树脂、一种或多种前述聚合物的单体任选与其它共聚单体的共聚物,或其至少两种的组合。根据一个实施方案,粘合剂可以为聚乙烯醇缩丁醛或聚乙烯。优选的主链中带有环状基团的聚合物为例如聚丁酸乙烯酯(PVB)及其衍生物和聚萜品醇及其衍生物或其混合物。优选的聚糖为例如纤维素及其烷基衍生物,优选甲基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素、丙基纤维素、羟丙基纤维素、丁基纤维素及其衍生物,及其至少两种的混合物。其它优选的聚合物为纤维素酯树脂,例如乙酸丙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素及其任何组合。优选的主聚合物链外带有官能团的聚合物为带有酰胺基团的那些、带有酸和/或酯基团的那些,通常称为丙烯酸树脂,或者带有上述官能团的组合的聚合物,或其组合。优选的主链外带有酰胺的聚合物为例如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)及其衍生物。优选的主链外带有酸和/或酯基团的聚合物为例如聚丙烯酸及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯(PMA)及其衍生物或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及其衍生物,或其混合物。优选的单体粘合剂为乙二醇基单体、萜品醇树脂或松香衍生物,或其混合物。优选的基于乙二醇的单体粘合剂为具有醚基质、酯基团的那些,或者具有醚基团和酯基团的那些,优选的醚基团为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和更高级烷基醚,优选的酯基团为乙酸酯及其烷基衍生物,优选乙二醇单丁基醚单乙酸酯或其混合物。烷基纤维素,优选乙基纤维素、其衍生物及其与来自前述列的粘合剂或其它的其它粘合剂的混合物,是本发明上下文中最优选的粘合剂。粘合剂可以以基于有机载体的100%总重量至少约0.1重量%,优选至少约0.5重量%的量存在。同时,粘合剂可以以基于有机载体的100%总重量不大于约10重量%,优选不大于约8重量%,更优选不大于约7重量%的量存在。
优选的溶剂为在烧制期间明显程度地从糊中除去的组分。优选,它们在烧制以后以与烧制以前相比降低至少约80%,优选与烧制以前相比降低至少约95%的绝对重量存在。优选的溶剂为贡献有利的粘度、可印刷性、稳定性和烧结特性的那些。本领域中已知且认为适于本发明上下文中的所有溶剂可用作有机载体中的溶剂。优选的溶剂为在标准环境温度和压力(SATP)(298.15K,25℃,77°F),100kPa(14.504psi,0.986atm)下作为液体存在的那些,优选具有约90℃以上的沸点和约-20℃的熔点的那些。优选的溶剂为极性或非极性的、质子或非质子的、芳族或非芳族的。优选的溶剂为单醇、二醇、多元醇、单酯、二酯、聚酯、单醚、二醚、聚醚,包含这些类别的官能团中至少一种或多种,任选包含其它类别的官能团,优选环状基团、芳族基团、不饱和键、一个或多个O原子被杂原子取代的醇基团、一个或多个O原子被杂原子取代的醚基团、一个或多个O原子被杂原子取代的酯基团的溶剂,以及上述溶剂中两种或更多种的混合物。在本文中优选的酯为己二酸的二烷基酯,其中优选的烷基组分为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和更高级烷基或两种不同的这类烷基的组合,优选己二酸二甲酯,和两种或更多种己二酸酯的混合物。在本文中优选的醚为二醚,优选乙二醇的二烷基醚,其中优选的烷基为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和更高级烷基或两种不同的这类烷基的组合,及两种二醚的混合物。在本文中优选的醇为伯、仲和叔醇,优选叔醇,其中优选萜品醇及其衍生物,或者两种或更多种醇的混合物。优选的结合多于一个不同官能团的溶剂为2,2,4-三甲基-1,3-丙二醇单异丁酸酯,通常称为texanol,及其衍生物,2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇,通常称为卡必醇,其烷基衍生物,优选甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基卡必醇,优选己基卡必醇或丁基卡必醇,及其乙酸酯衍生物,优选丁基卡必醇乙酸酯,或者上述中至少两种的混合物。有机溶剂可以以基于有机载体的100%总重量至少约60重量%,更优选至少约70重量%,最优选至少约80重量%的量存在。同时,有机溶剂可以以基于有机载体的100%总重量不大于约99重量%,更优选不大于约95重量%的量存在。
有机载体还可包含一种或多种表面活性剂和/或添加剂。优选的表面活性剂为有助于形成具有有利的稳定性、可印刷性、粘度和烧结性能的导电糊的那些。本领域中已知且认为适于本发明上下文中的所有表面活性剂可用作有机载体中的表面活性剂。优选的表面活性剂为基于线性链、支链、芳族链、氟化链、硅氧烷链、聚醚链及其组合的那些。优选的表面活性剂包括但不限于单链、双链或多链聚合物。优选的表面活性剂可具有非离子、阴离子、阳离子、两性或两性离子头。优选的表面活性剂可以为聚合和单体的或其混合物。优选的表面活性剂可具有颜料亲合基团,优选具有颜料亲合基团的羟基官能羧酸酯(例如-108,由BYK USA,Inc.生产),具有颜料亲合基团的丙烯酸酯共聚物(例如-116,由BYK USA,Inc.生产),具有颜料亲合基团的改性聚醚(例如DISPERS 655,由Evonik Tego Chemie GmbH生产),具有高颜料亲合力基团的其它表面活性剂(例如DISPERS 662C,由Evonik Tego Chemie GmbH生产)。不在上列中的其它优选聚合物包括但不限于聚氧化乙烯、聚乙二醇及其衍生物,和羧酸及其衍生物或盐,或其混合物。优选的聚乙二醇衍生物为聚(乙二醇)乙酸。优选的烷基羧酸为具有完全不饱和烷基链的那些和具有单或多不饱和烷基链的那些或其混合物。优选的具有饱和烷基链的羧酸为具有约8至约20个碳原子的烷基链长的那些,优选C9H19COOH(癸酸)、C11H23COOH(月桂酸)、C13H27COOH(肉豆蔻酸)、C15H31COOH(棕榈酸)、C17H35COOH(硬脂酸)或者其盐或混合物。优选的具有不饱和烷基链的羧酸为C18H34O2(油酸)和C18H32O2(亚油酸)。优选的单体表面活性剂为苯并三唑及其衍生物。如果存在的话,表面活性剂可基于有机载体的100%总重量为至少约0.01重量%。同时,表面活性剂基于有机载体的100%总重量优选为不大于约10重量%,优选不大于约8重量%,更优选不大于约6重量%。
优选的有机载体中的添加剂为不同于上述组分且贡献于导电糊的有利性能如有利粘度、可印刷性、稳定性和烧结特性的那些材料。可使用本领域中已知且认为适于本发明上下文中的添加剂。优选的添加剂包括但不限于触变剂、粘度调节剂、稳定剂、无机添加剂、增稠剂、乳化剂、分散剂和pH调节剂。优选的触变剂包括但不限于羧酸衍生物,优选脂肪酸衍生物及其组合。优选的脂肪酸衍生物包括但不限于C9H19COOH(癸酸)、C11H23COOH(月桂酸)、C13H27COOH(肉豆蔻酸)、C15H31COOH(棕榈酸)、C17H35COOH(硬脂酸)、C18H34O2(油酸)、C18H32O2(亚油酸)及其组合。在本文中,优选的包含脂肪酸的组合为蓖麻油。
添加剂
根据另一实施方案,导电糊可包含不同于导电颗粒、IRS和有机载体的添加剂。优选的添加剂贡献于导电糊、其产生的电极或所得太阳能电池的提高性能。本领域中已知且认为适于本发明上下文中的所有添加剂可用作导电糊中的添加剂。优选的添加剂包括但不限于触变剂、粘度调节剂、乳化剂、稳定剂或pH调节剂、无机添加剂、增稠剂和分散剂,或其至少两种的组合。最优选无机添加剂。优选的无机添加剂包括但不限于碱和碱土金属、过渡金属,例如镍、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬、钨、钼、锌;后过渡金属,例如硼、硅、锗、碲、钆、铅、铋、锑,稀土金属,例如镧、铈氧化物、混合金属氧化物、络合物,或者由这些氧化物形成的无定形或部分结晶玻璃,或其至少两种的组合,优选锌、锑、锰、镍、钨、碲和钌或其至少两种的组合,其氧化物,在烧制时可产生那些金属氧化物或玻璃的化合物,或者上述金属中至少两种的混合物,上述氧化物中至少两种的混合物,上述在烧制时可产生那些金属氧化物、混合金属氧化物、化合物或者无定形或部分结晶玻璃的化合物中至少两种的混合物,或者上述任意两种或更多种的混合物。
如果存在的话,导电糊组合物可包含基于糊的100%总重量至少约0.1重量%添加剂。同时,糊优选包含基于糊的100%总重量不大于约10重量%,优选不大于约5重量%,更优选不大于约2重量%添加剂。
形成导电糊组合物
为形成导电糊组合物,可使用本领域已知用于制备糊组合物的任何方法将IRS与导电金属颗粒和有机载体结合。制备方法不是关键的,条件是它产生均匀分散的糊。可将组分例如用混合机混合,然后通过三个辊磨机,例如以制备分散均匀的糊。
太阳能电池
一方面,本发明涉及太阳能电池。在一个实施方案中,太阳能电池由半导体基质如硅片和根据本文所述实施方案中任一个的导电糊组合物形成。
另一方面,本发明涉及通过一种方法制备的太阳能电池,所述方法包括将根据本文所述实施方案中任一个的导电糊组合物应用于半导体基质上并将半导体基质烧制。
硅片
除了太阳能电池的其它区外,优选的晶片具有能够以高效率吸收光以得到电子-空穴对并以高效率在边界上,优选在p-n结边界上将空穴和电子分离的区域。优选的晶片为包含由正面掺杂层和背面掺杂层构成的单一体的那些。
优选,晶片包含适当掺杂的四价元素、二元化合物、三元化合物或合金。在本文中,优选的四价元素为硅、Ge或Sn,优选硅。优选的二元化合物为两种或更多种四价元素的组合、III族元素与V族元素的二元化合物、II族元素与VI族元素的二元化合物,或者IV族元素与VI族元素的二元化合物。优选的四价元素的组合为选自硅、锗、锡或碳的两种或更多种元素的组合,优选SiC。优选的III族元素与V族元素的二元化合物为GaAs。根据一个优选实施方案,晶片为硅。其中明确提到硅的上述描述也适用于本文所述其它晶片组合物。
p-n结边界位于晶片的正面掺杂层和背面掺杂层相遇的位置。在n型太阳能电池中,背面掺杂层掺杂有给电子n型掺杂剂且正面掺杂层掺杂有吸电子或给空穴p型掺杂剂。在p型太阳能电池中,背面掺杂层掺杂有p型掺杂剂且正面掺杂层掺杂有n型掺杂剂。根据一个优选实施方案,具有p-n结边界的晶片通过首先提供掺杂硅基质,然后将相对类型的掺杂层应用于基质的一面上而制备。
掺杂硅基质是本领域中熟知的。掺杂硅基质可通过本领域中已知且认为适于本发明的任何方法制备。优选的硅基质来源为单晶硅、多晶硅、无定形硅和高品位冶金硅,最优选单晶硅或多晶硅。掺杂形成掺杂硅基质可通过在硅基质的制备期间加入掺杂剂而同时进行,或者它可在随后的步骤中进行。在硅基质的制备以后掺杂可通过例如气体扩散取向生长而进行。掺杂硅基质也是容易市购的。根据一个实施方案,硅基质的初始掺杂可通过将掺杂剂加入硅混合料中而与其形成同时进行。根据另一实施方案,正面掺杂层和如果存在的话高度掺杂的背面层的应用可通过气相取向生长进行。气相取向生长优选在至少约500℃,优选至少约600℃,最优选至少约650℃的温度下进行。同时,气相取向生长优选在不大于约900℃,更优选不大于约800℃,最优选不大于约750℃的温度下进行。取向生长还优选在至少2kPa,优选至少约10kPa,最优选至少约30kPa的压力下进行。同时,取向生长在不大于约100kPa,优选不大于约80kPa,最优选不大于约70kPa的压力下进行。
本领域中已知硅基质可存在大量形状、表面结构和尺寸。举一些例子,基质的形状可包括立方体、圆盘、晶片和不规则多面体。根据一个优选实施方案,晶片为具有类似,优选相同的两个维和明显小于其它两个维的第三维的立方体。第三维可以比前两个维小至少100倍。
另外,多种表面类型是本领域中已知的。在一个实施方案中,优选具有粗糙表面的硅基质。评估基质的粗糙度的一种方法是评估基质次表面的表面粗糙度参数,其与基质的总表面积相比是小的,优选为总表面积的小于约1%,且其基本是平坦的。表面粗糙度参数的值通过次表面的面积与理论表面的面积的比给出,所述理论表面的面积通过将该次表面投射到与次表面最佳拟合的平面上通过使均方位移最小化而形成。较高的表面粗糙度参数值表示较粗糙、较不规则的表面,较低的表面粗糙度参数表示较光滑、较均匀的表面。优选将硅基质的表面粗糙度改性以产生大量因素,包括但不限于光吸收和在表面上的粘着力之间的最佳平衡。
可改变硅基质的两个较大维以适合所得太阳能电池所要求的应用。优选硅片的厚度为至少约0.01mm。同时,厚度优选为不大于约0.5mm,更优选不大于约0.3mm,最优选不大于约0.2mm。根据一个实施方案,硅片可具有0.01mm的最小厚度。
优选正面掺杂层与背面掺杂层相比是薄的。还优选正面掺杂层具有至少约0.1μm,且不大于约10μm,优选不大于约5μm,最优选不大于约2μm的厚度。
可将高度掺杂层在背面掺杂层与任何其它层之间应用于硅基质的背面上。该高度掺杂层具有与背面掺杂层相同的掺杂类型,且该层通常以+表示(n+型层应用于n型背面掺杂层上且p+型层应用于p型背面掺杂层上)。该高度掺杂背面层用于帮助金属化和改进导电性能。优选如果存在的话,高度掺杂背面层具有至少约1μm,且不大于约100μm,优选不大于约50μm,最优选不大于约15μm的厚度。
掺杂剂
优选的掺杂剂为在加入硅片中时通过将电子或空穴引入能带结构中而形成p-n结边界的那些。优选具体地选择这些掺杂剂的特性和浓度以调整p-n结的能带结构特征并根据需要设置光吸收和导电率特征。优选的p型掺杂剂为将空穴加入硅片能带结构中的那些。本领域已知且认为适于本发明上下文中的所有掺杂剂可用作p型掺杂剂。优选的p型掺杂剂包括但不限于三价元素,特别是周期表13族的那些。优选的周期表13族元素包括但不限于硼、铝、镓、铟、铊或其中至少两种的组合,其中特别优选硼。
优选的n型掺杂剂为将电子加入硅片能带结构中的那些。本领域已知且认为适于本发明上下文中的所有掺杂剂可用作n型掺杂剂。优选的n型掺杂剂包括但不限于周期表15族的元素。优选的周期表15族元素包括但不限于氮、磷、砷、锑、铋或其中至少两种的组合,其中特别优选磷。
如上所述,可改变p-n结的各种掺杂水平以调整所得太阳能电池的所需性能。
根据某些实施方案,半导体基质(即硅片)具有高于约60Ω/□,例如高于约65Ω/□、70Ω/□、90Ω/□、95Ω/□或100Ω/□的薄层电阻。
太阳能电池结构
本发明一方面是可由本发明方法得到的太阳能电池。优选的太阳能电池为根据转化成电能输出的总入射光能的比例,具有高效率的那些。还优选重量轻且耐久的太阳能电池。至少,太阳能电池通常包含(i)前电极,(ii)正面掺杂层,(iii)p-n结边界,(iv)背面掺杂层和(v)焊垫。太阳能电池还可包含用于化学/机械保护的其它层。
抗反射层
抗反射层可在将电极应用于太阳能电池的正面以前作为外层应用。优选的抗反射层为降低通过正面反射的入射光比例并提高越过正面以被晶片吸收的入射光比例的那些。产生有利的吸收/反射比,容易通过导电糊蚀刻,或者对导电糊烧制所需的温度具有抗性,且不贡献电极界面附近提高的电子和空穴重组的抗反射层是优选的。可使用本领域中已知且认为适于本发明上下文中的所有抗反射层。优选的抗反射层包括但不限于SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2或其中至少两种的混合物和/或其至少两层的组合。根据一个优选实施方案,抗反射层为SiNx,其中使用硅片的话特别如此。
抗反射层的厚度适于合适光的波长。根据本发明一个优选实施方案,抗反射层具有至少约20nm,优选至少约40nm,最优选至少约60nm的厚度。同时,厚度优选为不大于约300nm,优选不大于约200nm,最优选不大于约90nm。
钝化层
一层或多层钝化层可作为外层应用于硅片的正面和/或背面上。钝化层可在形成前电极以前或者在应用抗反射层以前(如果存在一层的话)应用。优选的钝化层为降低电极界面附近电子/空穴重组速率的那些。可使用本领域中已知且认为适于本发明上下文中的任何钝化层。优选的钝化层包括但不限于氮化硅、二氧化硅和二氧化钛。根据一个优选实施方案,使用氮化硅。优选钝化层具有至少0.1nm,优选至少约10nm,最优选至少约30nm的厚度。同时,钝化层优选为不大于约2μm,更优选不大于约1μm,最优选不大于约200nm。
其它保护层
除直接贡献太阳能电池的主要功能的上述层外,可加入用于机械和化学保护的其它层。
可将电池封装以提供化学保护。封装是本领域中熟知的并可使用适于本发明的任何封装。根据一个优选实施方案,如果存在该封装,则透明聚合物,通常称为透明热塑性树脂用作封装材料。优选的透明聚合物包括但不限于硅橡胶和聚乙烯乙酸乙烯酯(PVA)。
也可将透明玻璃板加在太阳能电池的正面以提供对电池正面的机械保护。透明玻璃板是本领域中熟知的,并可使用适合的任何合适透明玻璃板。
可将背面保护材料加在太阳能电池的背面以提供机械保护。背面保护材料是本领域中熟知的,并可使用任何合适的背面保护材料。优选的背面保护材料为具有良好机械性能和抗风化性的那些。优选的背面保护材料为具有聚氟乙烯层的聚对苯二甲酸乙二醇酯。优选背面保护材料存在于封装层下面(在存在背面保护层和封装的情况下)。
可将框架材料加入太阳能电池的外部以得到机械支撑。框架材料是本领域中熟知的,并可使用任何适于本发明上下文中的任何框架材料。优选的框架材料为铝。
制备太阳能电池的方法
太阳能电池可通过将导电糊组合物应用于半导体基质如硅片的正面上的抗反射涂层如氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝上以形成正面电极而制备。然后将本发明背面导电糊应用于太阳能电池的背面以形成焊垫。导电糊可以以本领域中已知且认为适于本发明上下文中的任何方式应用。实例包括但不限于浸渍、浸没、倾注、滴涂、喷射、喷雾、刮涂、幕涂、刷涂或印刷,或者其至少两种的组合。优选的印刷技术为喷墨印刷、丝网印刷、移印、胶版印刷、凸版印刷或镂版印刷,或其至少两种的组合。优选导电糊通过印刷,优选通过丝网印刷应用。具体而言,网优选具有直径为至少约10μm,更优选至少约15μm,更优选至少约20μm,最优选至少约25μm的指线(finger line)开口。同时指线开口直径优选为不大于约100μm,更优选不大于约80μm,最优选不大于约70μm。
然后将铝糊应用于基质的背面,重叠由背面导电糊形成的焊垫的边缘以形成BSF。然后将基质根据由基质和导电糊的组成决定的合适廓线烧制。
烧制是将印刷的电极和焊垫烧结以形成固体导电体所必需的。烧制是本领域中熟知的,并且可以以认为适于本发明上下文中的任何方式进行。优选烧制在IRS材料的Tg以上进行。
设置用于烧制的最大温度为约900℃以下,优选约860℃以下。与约820℃一样低的烧制温度用于得到太阳能电池。通常设置烧制温度廓线以能够烧尽来自导电糊组合物的有机粘合剂材料以及存在的任何其它有机材料。烧制步骤通常在带式炉中在空气中或者在含氧气氛中进行。优选烧制以快速烧制方法用约30秒至约3分钟,更优选约30秒至约2分钟,最优选约40秒至约1分钟的总烧制时间进行。在600℃以上的时间最优选为约3-7秒。基质可达到约700-900℃的峰值温度约1-5秒。烧制也可以以高输送速率,例如约100-500cm/min进行,产生约0.05-5分钟的保持时间。可使用多个温度区,例如3-12个区控制所需热廓线。
将正面和背面上的导电糊烧制可同时或顺序地进行。如果应用于两个面上的导电糊具有类似,优选相同的最佳烧制条件,则同时烧制是合适的。如果合适的话,优选同时进行烧制。如果烧制顺序地进行,则优选首先应用并烧制背面导电糊,其后将导电糊应用于正面上并烧制。
测量导电糊的性能
为测量太阳能电池的性能,进行标准电试验。使用来自Halm Elektronik GmbH的商业IV试验机“cetisPV-CTL1”表征其上印有正面和背面糊的试样太阳能电池。在电测量期间将测量设备的所有部件以及待测试的太阳能电池保持在25℃下。该温度总是在实际测量期间在电池表面上通过温度探针同时测量。Xe弧光灯模拟电池表面上具有1000W/m2的已知AM1.5强度的日光。为使模拟器达到该强度,使灯在短时间内闪动几次直至它达到由IV试验机的“PVCTControl 4.260.0”软件监控到的稳定水平。Halm IV试验机使用多点接触方法测量电流(I)和电压(V)以测定电池的IV曲线。为了这样做,将太阳能电池以这样的方式放在多点接触探针之间以致探针指与电池的汇流条(bus bar)接触。将接触探针线的数目调整至电池表面上汇流条的数目。所有电值通过执行的软件包直接由该曲线自动地测定。作为参比标准,测试由相同面积尺寸、相同晶片材料组成并使用相同正面配线的来自ISEFreiburg的校准太阳能电池并将数据与验证值对比。测量至少5个以非常相同的方式加工的晶片,数据通过计算各值的平均值而体现。软件PVCTControl 4.260.0提供关于效率、填充因数、短路电流、串联电阻和开路电压的值。
太阳能电池模块
本发明另一方面是由本发明太阳能电池形成的太阳能电池模块。可将多个太阳能电池空间排列并电互连以形成称为模块的集合性布置。优选的模块可具有多个布置,优选称为太阳能电池板的矩形布置。将太阳能电池电连接的多种方法以及将这类电池机械排列并固定以形成集合性布置的多种方法是本领域中熟知的。可使用本领域中已知且认为适于本发明上下文中的任何这类方法。优选的方法是产生低质量:功率输出比、低体积:功率输出比和高耐久性的那些。铝是用于太阳能电池的机械固定的优选材料。
实施例
实施例1
用下表1所述原料制备一组IRS组合物(G1和G2)。对照物使用除锌或镁基化合物外,与G1和G2相同的原料(铅、碲和M-氧化物)制备。试样通过将各个氧化物组分以表1中指定的量混合而以100g批料制备。将氧化物混合物装入8.34英寸3体积的Colorado坩埚中。然后将坩埚放入600℃的炉子中40分钟以将氧化物混合物预热。在预热以后,将坩埚移入850℃的耐熔炉子中15分钟以将各个组分熔融成玻璃混合物。然后将熔融的玻璃从炉子中取出并倒入包含去离子水的桶中以快速骤冷。将该玻璃材料在1L陶瓷罐磨机中进一步加工。将罐磨机用1/2”圆柱形氧化铝介质或2mm直径钇稳定化氧化锆(YTZ)研磨介质和去离子水填充至约一半。将玻璃加入罐磨机中并以60-80RPM辊压8小时。在研磨以后,将玻璃通过325目筛过滤并在125℃下干燥12小时。所有量基于IRS的100%总重量。
表1.示例PTZ和PTM IRS组合物(G1和G2)
对照物 | G1 | G2 | |
PbO | 29.23% | 27.88% | 27.71% |
TeO2 | 50.19% | 47.86% | 47.57% |
ZnO | -- | 0.87% | -- |
MgO | -- | -- | 0.88% |
M-氧化物 | 20.58% | 23.39% | 23.85% |
然后将IRS组合物与银颗粒和有机载体混合以形成示例导电糊组合物。为形成各示例糊(P1和P2)和对照糊,各自将基于糊的100%总重量约2.3重量%各IRS组合物、约88.5重量%银颗粒和约9.2重量%有机载体结合。
当将糊混合至均匀稠度时,使用250目不锈钢,5μm EOM,以约30μm丝直径将它们丝网印刷在空白单晶硅片的正面上。使用市售的背面糊形成焊垫,其延伸越过电池的全部长度,且为约4mm宽。接着,将市售铝背面糊印刷在电池背面的所有其余面积上以形成铝BSF。然后将电池在合适的温度下干燥。然后将具有印刷的正面和背面糊的硅基质在约700-975℃的峰值温度下烧制。
示例和对照糊的导电性能描述于下表2中。效率(Eta,%)、短路电流(Isc,mΩ)、填充因数(FF,%)、开路电压(Voc,V)和三标准照明强度下的串联电阻(Rs3,Ω)都根据本文所述参数计算,且下表中提供的值关于对照糊标准化至1。最明显,示例糊P1和P2具有比对照糊更低的串联电阻以及更高的短路电流和填充因数。
表2.示例糊(P1和P2)的电性能
对照 | P1 | P2 | |
Eta(%) | 1 | 0.9989 | 1.0021 |
Isc(mΩ) | 1 | 1.0011 | 1.0009 |
Voc(V) | 1 | 0.9967 | 0.9984 |
FF(%) | 1 | 1.0012 | 1.0028 |
Rs3(Ω) | 1 | 0.9506 | 0.9331 |
实施例2
制备一组PTZM、PTZ和PTM IRS组合物(G3-G5)以及另一对照IRS(对照2)。IRS组合物用下表3所述原料根据实施例1所述参数制备。各示例IRS包含MgO、ZnO或二者,以及Pb、Te和M-氧化物。所有量基于IRS的100%总重量。
表3.示例PTM IRS组合物(G3-G5)
对照2 | G3 | G4 | G5 | |
PbO | 28.26% | 27.89% | 28.04% | 28.17% |
TeO2 | 48.53% | 47.89% | 48.15% | 48.36% |
MgO | -- | 0.43% | -- | 0.42% |
ZnO | -- | 0.86% | 0.85% | -- |
M-氧化物 | 23.21% | 22.93% | 22.96% | 23.06% |
然后将2重量%的各IRS组合物与约89重量%银颗粒和约9重量%有机载体根据实施例1所述相同参数混合以形成糊P3-P5和对照2糊。然后根据实施例1的参数将示例糊丝网印刷在单晶硅片上。根据本文所述参数测量导电性并相对于对照2糊标准化至1。如表4所示,各示例糊以效率和填充因数的具体改进和串联电阻的降低胜过对照2。
表4.糊P3-P5的电性能
对照2 | P3 | P4 | P5 | |
Eta | 1 | 1.0302 | 1.0233 | 1.0177 |
Isc | 1 | 0.9990 | 0.9983 | 0.9985 |
Voc | 1 | 1.0000 | 1.0000 | 1.0000 |
FF | 1 | 1.0316 | 1.0256 | 1.0200 |
Rs3 | 1 | 0.6399 | 0.7052 | 0.7753 |
实施例3
以下表5所述原料根据实施例1所述参数制备一组PTMZ和PTZ IRS组合物(G6-G9)。所有量基于IRS的100%总重量。
表5.示例PTMZ和PTZ IRS组合物(G6-G9)
G6 | G7 | G8 | G9 | |
PbO | 28.06% | 28.17% | 28.03% | 27.89% |
TeO2 | 48.18% | 48.36% | 48.12% | 47.88% |
MO | 22.05% | 22.04% | 21.94% | 21.82% |
MgO | 0.85% | -- | -- | -- |
ZnO | 0.86% | 0.84% | 0.84% | 0.84% |
CaO | -- | 0.58% | -- | -- |
SrO | -- | -- | 1.07% | -- |
BaO | -- | -- | -- | 1.57% |
将约2重量%的各PTMZ和PTZ IRS组合物与约89重量%银颗粒和约9重量%有机载体根据如实施例1所述相同参数混合以形成糊P6-P9。还用相同的糊组分制备具有实施例2的对照2IRS的对照糊。然后将糊根据实施例1的参数丝网印刷在单晶硅片上。根据本文所述参数测量导电性能并相对于对照2糊标准化至1。如在表6中可以看出,糊P6-P9显示出改进的填充因数和降低的串联电阻。
表6.糊P6-P9的电性能
对照2 | P6 | P7 | P8 | P9 | |
Eta | 1 | 0.9955 | 0.9947 | 0.9901 | 0.9981 |
Isc | 1 | 0.9737 | 0.9748 | 0.9732 | 0.9750 |
Voc | 1 | 0.9906 | 0.9938 | 0.9938 | 0.9938 |
FF | 1 | 1.0315 | 1.0274 | 1.0248 | 1.0303 |
Rs3 | 1 | 0.6531 | 0.7107 | 0.7309 | 0.6741 |
实施例4
另一组PBZ、PBM和PBMZ IRS组合物可用下表7所述原料根据实施例1所述参数制备。这些组合物进一步包含Li2O和B2O3。所有量基于IRS的100%总重量。预期的电性能描述于下表8中。
表7.预期PTZ、PTM和PTMZ IRS组合物(X1-X3)
1 | X1 | X2 | X3 |
PbO | 27.89% | 28.04% | 28.17% |
TeO2 | 47.89% | 48.15% | 48.36% |
MgO | 0.43% | -- | 0.42% |
ZnO | 0.86% | 0.85% | -- |
Li2O | 5.80% | 6.30% | 6.70% |
B2O3 | 17.13% | 16.66% | 16.36% |
表8.预期糊(X1-X3)的电性能
对照 | X1 | X2 | X3 | |
Eta | 0 | + | + | + |
Isc | 0 | + | + | + |
Voc | 0 | + | + | + |
FF | 0 | + | + | + |
Rs3 | 0 | + | + | + |
实施例5
另一组PBT IRS组合物(X4-X6)可用下表9所述原料根据实施例1所述参数制备。这些组合物都仅包含PTZ、PTM和/或PTMZ体系。所有量基于IRS的100%总重量。预期的电性能描述于下表10中。
表9.预期PTZ、PTM和PTMZ IRS组合物(X4-X6)
X4 | X5 | X6 | |
PbO | 36.19% | 36.40% | 36.61% |
TeO2 | 62.13% | 62.49% | 62.85% |
MgO | 0.56% | 0.55% | |
ZnO | 1.12% | 1.10% |
表10.预期糊(X4-X6)的电性能
对照 | X4 | X5 | X6 | |
Eta | 0 | + | + | + |
Isc | 0 | + | + | + |
Voc | 0 | + | + | + |
FF | 0 | + | + | + |
Rs3 | 0 | + | + | + |
本发明这些和其它优点是本领域技术人员从先前说明书中获悉的。因此,本领域技术人员认识到可做出对上述实施方案的改变或改进而不偏离本发明的宽创造性概念。描述任何特定实施方案的具体尺度仅用于说明。因此,应当理解本发明不限于本文所述特定实施方案,而是意欲包括在本发明的范围和精神内的所有变化和改进。
Claims (39)
1.一种用于通过将导电糊应用于硅片上并将硅片烧制而生产太阳能电池的导电糊,其中设置用于烧制的温度为在600℃以上且在900℃以下,所述导电糊包含:
金属颗粒;
至少一种无机反应体系;和
有机载体,
其特征在于所述至少一种无机反应体系为式(II)的组合物:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Md-Oe, 式(II)
其中0<a<1或0<b<1,0≤w、x、y、z≤1,w+x+y+z=c,w、x、y和z中的至少一个为大于零,a、b、c和d的和为1,0<c≤0.2,0≤d≤0.5,a:b为10:90至90:10,(a+c+d):b为10:90至90:10,M选自硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银、卤化物、硫属元素化物、碱金属、碱土金属和稀土金属,且e为足以使Pb、Te、Mg-Ca-Sr-Ba和M组分平衡的数,和
其中导电糊包括至少0.1重量%且不大于3重量%的无机反应体系。
2.一种用于通过将导电糊应用于硅片上并将硅片烧制而生产太阳能电池的导电糊,其中设置用于烧制的温度为在600℃以上且在900℃以下,所述导电糊包含:
金属颗粒;
至少一种无机反应体系;和
有机载体,
其特征在于所述无机反应体系为式(III)的组合物:
Pba-Teb-(Mgw-Cax-Sry-Baz)-Znf-Md-Oe, 式(III)
其中0<a<1或0<b<1,0≤w、x、y、z≤1,w+x+y+z=c,w、x、y和z中的至少一个为大于零,a、b、c、d和f的和为1,0<c≤0.2,0<f≤0.2,0≤d≤0.5,a:b为10:90至90:10,(a+c+f+d):b为10:90至90:10,M选自硼、铝、镓、硅、锗、锡、磷、锑、铌、钽、钒、钛、钼、钨、铬、银、卤化物、硫属元素化物、碱金属、碱土金属和稀土金属,且e为足以使Pb、Te、Mg-Ca-Sr-Ba、Zn和M组分平衡的数,和
其中导电糊包括至少0.1重量%且不大于3重量%的无机反应体系。
3.根据权利要求1的导电糊,其中d为0≤d≤0.4。
4.根据权利要求2的导电糊,其中d为0≤d≤0.4。
5.根据权利要求1的导电糊,其中a:b为20:80至80:20。
6.根据权利要求2的导电糊,其中a:b为20:80至80:20。
7.根据权利要求1的导电糊,其中0<c≤0.1。
8.根据权利要求2的导电糊,其中0<c≤0.1。
9.根据权利要求2的导电糊,其中0<f≤0.1。
10.根据权利要求1-9中任一项的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量至少5重量%,且不大于45重量%的含铅化合物形成。
11.根据权利要求10的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量至少8重量%,且不大于40重量%的含铅化合物形成。
12.根据权利要求10的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量至少8重量%,且不大于38重量%的含铅化合物形成。
13.根据权利要求1-9中任一项的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量至少20重量%,且不大于70重量%的含碲组合物形成。
14.根据权利要求13的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量至少30重量%,且不大于60重量%的含碲组合物形成。
15.根据权利要求1-9中任一项的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量不大于15重量%的含锌化合物、含镁化合物或二者形成。
16.根据权利要求15的导电糊,其中无机反应体系由基于无机反应体系的100%总重量不大于10重量%的含锌化合物、含镁化合物或二者形成。
17.根据权利要求1-9中任一项的导电糊,其中无机反应体系进一步包含铋。
18.根据权利要求1-9中任一项的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量,至少50重量%,且不大于95重量%的金属颗粒。
19.根据权利要求1-9中任一项的导电糊组合物,其中金属颗粒选自银、铝、金、铜、镍及其合金或混合物。
20.根据权利要求18的导电糊组合物,其中金属颗粒选自银、铝、金、铜、镍及其合金或混合物。
21.根据权利要求1-9中任一项的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.5重量%,且不大于3重量%的无机反应体系。
22.根据权利要求18的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.5重量%,且不大于3重量%的无机反应体系。
23.根据权利要求19的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.5重量%,且不大于3重量%的无机反应体系。
24.根据权利要求1-9中任一项的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.01重量%,且不大于50重量%的有机载体。
25.根据权利要求18的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.01重量%,且不大于50重量%的有机载体。
26.根据权利要求19的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.01重量%,且不大于50重量%的有机载体。
27.根据权利要求21的导电糊组合物,其中糊组合物包含基于糊的100%总重量至少0.01重量%,且不大于50重量%的有机载体。
28.根据权利要求1-9中任一项的导电糊组合物,其中有机载体包含有机溶剂,以及粘合剂、表面活性剂和触变剂中的一种或多种,或其任何组合。
29.根据权利要求28的导电糊组合物,其中有机溶剂选自卡必醇、萜品醇、己基卡必醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二酸二甲酯二醇醚及其任何组合。
30.根据权利要求28的导电糊组合物,其中粘合剂选自乙基纤维素、苯酚树脂、聚丙烯酸、聚乙烯醇缩丁醛、聚酯树脂、聚碳酸酯、聚乙烯树脂、聚氨酯树脂、松香衍生物及其任何组合。
31.根据权利要求29的导电糊组合物,其中粘合剂选自乙基纤维素、苯酚树脂、聚丙烯酸、聚乙烯醇缩丁醛、聚酯树脂、聚碳酸酯、聚乙烯树脂、聚氨酯树脂、松香衍生物及其任何组合。
32.根据权利要求28的导电糊组合物,其中表面活性剂选自聚氧化乙烯、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亚油酸、硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸酯、棕榈酸酯及其任何组合。
33.根据权利要求29的导电糊组合物,其中表面活性剂选自聚氧化乙烯、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亚油酸、硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸酯、棕榈酸酯及其任何组合。
34.根据权利要求30的导电糊组合物,其中表面活性剂选自聚氧化乙烯、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亚油酸、硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸酯、棕榈酸酯及其任何组合。
35.通过将根据权利要求1-34中任一项的导电糊应用于硅片上并将硅片烧制而生产的太阳能电池。
36.根据权利要求35的太阳能电池,其中将导电糊应用于硅片表面上的抗反射涂层上。
37.包含根据权利要求35或36的电互连太阳能电池的太阳能电池模块。
38.生产太阳能电池的方法,其包括步骤:
提供具有正面和背面的硅片;
将根据权利要求1-34中任一项的导电糊应用于硅片上;和
将硅片烧制。
39.根据权利要求38的生产太阳能电池的方法,其中将导电糊应用于硅片的正面上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461928744P | 2014-01-17 | 2014-01-17 | |
US61/928744 | 2014-01-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104916347A CN104916347A (zh) | 2015-09-16 |
CN104916347B true CN104916347B (zh) | 2018-05-25 |
Family
ID=52446193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510021651.3A Active CN104916347B (zh) | 2014-01-17 | 2015-01-16 | 铅-碲无机反应体系 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20150206992A1 (zh) |
EP (1) | EP2897132A1 (zh) |
JP (1) | JP2015171988A (zh) |
KR (1) | KR101634487B1 (zh) |
CN (1) | CN104916347B (zh) |
TW (1) | TWI636030B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107408586B (zh) * | 2015-03-13 | 2021-10-19 | 昭荣化学工业株式会社 | 太阳能电池电极形成用导电性糊 |
US10134925B2 (en) | 2016-04-13 | 2018-11-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US20190280133A1 (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Seed layer for improved contact on a silicon wafer |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214045A (ja) * | 1990-12-11 | 1992-08-05 | Hoya Corp | 低融点ガラス |
US5240884A (en) * | 1991-09-05 | 1993-08-31 | Johnson Matthey, Inc. | Silver-glass die attach paste |
JP4072603B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-04-09 | Agcテクノグラス株式会社 | 接着用ガラスの製造方法、接着用ガラスを用いた真空気密容器およびその製造方法 |
JP5559509B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-07-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
WO2011140189A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US9129725B2 (en) * | 2010-12-17 | 2015-09-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition containing lithium, and articles made therefrom |
KR20130064659A (ko) * | 2011-12-08 | 2013-06-18 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
US8956557B2 (en) * | 2012-01-24 | 2015-02-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film silver paste containing copper and lead—tellurium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
WO2014117409A1 (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 深圳首创光伏有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
CN103545016B (zh) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
-
2014
- 2014-12-29 US US14/584,411 patent/US20150206992A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-01-07 JP JP2015001702A patent/JP2015171988A/ja active Pending
- 2015-01-14 TW TW104101218A patent/TWI636030B/zh active
- 2015-01-16 KR KR1020150008185A patent/KR101634487B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-16 CN CN201510021651.3A patent/CN104916347B/zh active Active
- 2015-01-16 EP EP15151442.9A patent/EP2897132A1/en not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-03-10 US US15/455,251 patent/US20170186889A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2897132A1 (en) | 2015-07-22 |
JP2015171988A (ja) | 2015-10-01 |
US20150206992A1 (en) | 2015-07-23 |
US10224438B2 (en) | 2019-03-05 |
CN104916347A (zh) | 2015-09-16 |
TW201546014A (zh) | 2015-12-16 |
KR101634487B1 (ko) | 2016-06-28 |
US20170186888A1 (en) | 2017-06-29 |
US20170186889A1 (en) | 2017-06-29 |
TWI636030B (zh) | 2018-09-21 |
KR20150086200A (ko) | 2015-07-27 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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