CN104911546A - 一种pc眼镜片镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种PC眼镜片镀膜方法，本发明的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，膜层密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。
Description
技术领域
本发明属于PC眼镜片加工技术领域，具体涉及一种PC眼镜片镀膜方法。
背景技术
PC的化学名称叫聚碳酸脂(polycarbonate)，是一种环保型工程塑料。PC材料的特点：重量轻、抗冲击强度高、硬度高、折射指数高、机械性能良好、热塑性好、电绝缘性能良好、不污染环境等优点。PC被广泛应用于Cd\vcd\dvd的光盘、汽车零部件、照明灯具和器材、交通行业的玻璃窗户、电子电器、医疗保健、光学通讯、眼镜镜片制造等众多行业。随着PC眼镜市场逐步扩大，其PC眼镜片也越来越得到消费者的关注。PC眼镜片具有超高的抗破碎性和100％阻挡紫外线，且其镜片薄、透亮、重量轻，但其光学性能和机械性能仍然有待进一步的完善，现有技术多采用镀膜方式进行改善，但效果仍不尽理想。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种PC眼镜片镀膜方法。
本发明的具体技术方案如下：
一种PC眼镜片镀膜方法，包括如下步骤：
(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～95℃烘烤8小时以上；
(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0～2.3×10-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～78℃，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min，氩气流量为18-23sccm，时间2～5min；
(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2800μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～370μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；
(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为100～160μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为820～9000μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；
(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～120μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ITO固体熔化电压为7～7.4kV，ITO固体熔化电流为10～23A，氧气流量为20-32sccm，时间1～2min，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min；
(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为800～880μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～170μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，HT-100固体熔化电压为7～7.4kV，HT-100固体熔化电流为8～22A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(1)为：将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～90℃烘烤8～10小时。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(2)为：对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0×10-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～75℃，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min，氩气流量为20-22sccm，时间3min。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(3)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2750μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(4)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～350μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(5)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为110～150μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(6)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为830～880μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(7)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～100μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ITO固体熔化电压为7kV，ITO固体熔化电流为10～20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(8)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810～860μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
在本发明的一个优选实施方案中，所述步骤(9)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～150μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，HT-100固体熔化电压为7kV，HT-100固体熔化电流为10～20A。
本发明的有益效果是：
本发明的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，磨蹭密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。
具体实施方式
以下通过具体实施方式本发明的技术方案进行进一步的说明和描述。
实施例1
一种PC眼镜片镀膜方法，包括如下步骤：
(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～90℃烘烤8～10小时，以将吸附在PC眼镜片表面的剩余气体排除，增加基片与沉积分子之间的结合力；增强分子之间相互作用，使膜层紧密，附着力增大，提高机械强度；提高膜层密集度，增加膜层硬度，消除内应力；
(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0×10-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，以提高膜层在PC眼镜片表面的凝集系数和附着力，其中，温度为70～75℃，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min，氩气流量为20-22sccm，时间3min；
(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2750μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～350μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为110～150μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为830～880μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～100μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ITO固体熔化电压为7kV，ITO固体熔化电流为10～20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min。
(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810～860μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～150μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，HT-100固体熔化电压为7kV，HT-100固体熔化电流为10～20A。
镀好一面后通过翻片，重复上述步骤(2)至(9)以再镀另一面，直到两面都完成镀膜。
上述实施例通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，磨蹭密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。
Claims (10)
1.一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～95℃烘烤8小时以上；
(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0～2.3×10-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～78℃，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min，氩气流量为18-23sccm，时间2～5min；
(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2800μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～370μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；
(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为100～160μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为820～9000μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；
(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～120μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，ITO固体熔化电压为7～7.4kV，ITO固体熔化电流为10～23A，氧气流量为20-32sccm，时间1～2min，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min；
(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为800～880μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；
(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～170μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10-5torr，温度为70～78℃，HT-100固体熔化电压为7～7.4kV，HT-100固体熔化电流为8～22A。
2.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(1)为：将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～90℃烘烤8～10小时。
3.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(2)为：对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0×10-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～75℃，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min，氩气流量为20-22sccm，时间3min。
4.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(3)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2750μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
5.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(4)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～350μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
6.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(5)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为110～150μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
7.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(6)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为830～880μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ZrO2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220～240A。
8.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(7)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～100μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，ITO固体熔化电压为7kV，ITO固体熔化电流为10～20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min。
9.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(8)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810～860μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，SiO2固体熔化电压为7kV，SiO2固体熔化电流为120～150A。
10.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(9)为：利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～150μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0×10-5torr，温度为70～75℃，HT-100固体熔化电压为7kV，HT-100固体熔化电流为10～20A。
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