CN105335002A - 触控显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触控显示装置及其制备方法。一种触控显示装置，包括薄膜晶体管显示模组，所述薄膜晶体管显示模组包括薄膜晶体管基板及与薄膜晶体管基板间隔设置的彩色滤光片基板，所述触控显示装置还包括导电层及通过引线与所述导电层连接的石墨烯层，所述导电层层叠于所述薄膜晶体管基板表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板表面。上述触控显示装置厚度较薄。

Description

触控显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种触控显示装置及其制备方法。
背景技术
触控屏是可触摸电子装置比如触控屏手机、平板电脑、电子书等电子装置的重要组成部分。触控屏一般包括显示模组及触控模组。触控模组通常包括两层层叠的ITO玻璃，两层ITO玻璃通过光学胶粘合在一起。
随着人们对电子产品轻薄化的追求，目前触控屏至少包括两层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，厚度较厚，限制了触控屏的发展。
发明内容
基于此，有必要提供一种厚度较薄的触控显示装置及其制备方法。
一种触控显示装置，包括薄膜晶体管显示模组，所述薄膜晶体管显示模组包括薄膜晶体管基板及与薄膜晶体管基板间隔设置的彩色滤光片基板，所述触控显示装置还包括导电层及通过引线与所述导电层连接的石墨烯层，所述导电层层叠于所述薄膜晶体管基板表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板表面。
在其中一个实施方式中，所述石墨烯层的厚度为20nm～100nm。
在其中一个实施方式中，所述导电层形成于所述薄膜晶体管基板朝向所述彩色滤光片基板的表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面。
在其中一个实施方式中，所述导电层的材料为ITO。
在其中一个实施方式中，还包括层叠于所述石墨烯层表面的盖板。
在其中一个实施方式中，还包括层叠于所述薄膜晶体管基板远离所述彩色滤光片基板的表面的偏光板。
在其中一个实施方式中，包括在所述薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层。
在其中一个实施方式中，所述真空磁控溅射制备石墨烯层的工艺条件为：镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为100℃～110℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390～1410秒，混合气体流量为25～29sccm，电压300～350V，功率为350～1000W，靶溅距为40mm；所述混合气体为氦气和氧气的混合气体，其中，所述氦气流量为20～26sccm。
在其中一个实施方式中，所述彩色滤光片基板在真空磁控溅射制备石墨烯层之前先进行清洗、干燥处理及静电消散处理，所述清洗的步骤包括依次进行纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋及高压喷淋，所述干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。
在其中一个实施方式中，所述在所述薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层的步骤中，使用的靶材为石墨烯。
上述触控显示装置，通过在薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板表面形成石墨烯层，石墨烯层与导电层通过引线连接组成触控模组，石墨烯层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载石墨烯层，从而上述触控显示装置较薄。
附图说明
图1为本发明一实施方式的触控显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面主要结合具体附图及具体实施例对触控显示装置及其制备方法作进一步详细的说明。
请参阅图1，一实施方式的触控显示装置100，包括薄膜晶体管显示模组10、石墨烯层30、盖板70及偏光板90。
薄膜晶体管(TFT)显示模组10包括薄膜晶体管(TFT)基板12、彩色滤光片(CF)基板14及设置于薄膜晶体管基板12和彩色滤光片基板14的液晶层16。当然，薄膜晶体管显示模组10还包括电极等其他元件，在此不做赘述。
薄膜晶体管(TFT)显示模组10还包括导电层18。导电层18形成于薄膜晶体管基板12的表面。具体在本实施方式中，导电层18形成于薄膜晶体管基板12朝向彩色滤光片基板14的一侧表面，液晶层16位于导电层18及彩色滤光片基板14之间。在图示的实施方式中，导电层50直接形成于薄膜晶体管基板12的表面。当然，在其他实施方式中，导电层50可以形成于玻璃基板(图未视)的表面形成ITO玻璃，再将ITO玻璃通过光学胶粘合在薄膜晶体管基板12远离彩色滤光片基板14的表面即可。
优选的，导电层18的材料为ITO，当然，导电层18的材料不限于为ITO，也可以为其他导电材料如AZO等。
优选的，导电层18的厚度为30nm～40nm。
石墨烯层30直接形成于彩色滤光片基板14远离薄膜晶体管基板12的表面。石墨烯层30与导电层18通过引线(图未视)连接组成触控模组。
优选的，石墨烯层30的厚度为20nm～100nm。
优选的，石墨烯层30的透光率≥96％，此处透光率指的是TFT模组的彩色滤光片基板14表面形成石墨烯层30后的透光率与TFT模组的透光率的比值。
优选的，石墨烯层30的色差L＝39.3，a＝-1.8，b＝-4.8，△E≤0.5。
盖板70层叠于石墨烯层30的表面。优选的，盖板70的材料选自板硝子钠钙玻璃、高铝白玻璃、及旭虹高铝玻璃中的至少一种。
偏光片90层叠于薄膜晶体管基板12远离彩色滤光片基板14的表面。
优选的，偏光片90的材料选自EVA、PET、PVA及AP中的至少一种。
上述触控显示装置，通过在薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板表面形成石墨烯层，石墨烯层与导电层通过引线连接组成触控模组，石墨烯层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载石墨烯层，从而上述触控显示装置较薄；同时石墨烯层直接形成于彩色滤光片基板表面，无需粘合，工艺步骤较为简单，石墨烯层与彩色滤光片基板之间的附着力较强，不易脱落；另外石墨烯层稳定性强，不易被氧化；石墨烯层可以起到消除静电的作用，另外可以提高触控的灵敏度。
上述触控显示装置的制备方法，包括：在薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层。
优选的，真空磁控溅射制备石墨烯层的工艺条件为：镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为100℃～110℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390～1410秒，混合气体流量为25～29sccm，电压300～350V，功率为350～1000W，靶溅距为40mm；混合气体为氦气和氧气的混合气体，其中，氦气流量为20～26sccm；彩色滤光片基板的运行速度为0.8m/min，镀膜时间为120S。该步骤中，将整个TFT模组放进真空磁控溅射设备中进行溅镀。
优选的，在薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层时使用的靶材为石墨烯。优选的，石墨烯靶材的纯度≥95％。
优选的，薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板在真空磁控溅射制备石墨烯层之前先进行清洗、干燥处理及静电消散处理。清洗的步骤包括依次进行纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋及高压喷淋。优选的，碱液为清洗剂，更优选的，碱液中含有氢氧化钾。BJ喷淋指的是二流体喷淋，即采用含空气的水进行喷淋。DI喷淋指的是超纯水喷淋，超纯水指的是电阻率≥8兆欧的水。干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。需要说明的是，如果薄膜晶体管显示模组本身是干净的，无脏污及灰尘，则这个步骤可以省略。
优选的，上述触控显示装置的制备方法还包括步骤：将盖板及偏光板分别层叠于石墨烯层及导电层表面。优选的，盖板及偏光板通过光学胶分别与石墨烯层及薄膜晶体管基板12的表面粘合。
上述触控显示装置的制备方法，石墨烯层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载石墨烯层，从而上述触控显示装置较薄；同时石墨烯层直接形成于彩色滤光片基板表面，无需粘合，工艺步骤较为简单；真空磁控溅射制备石墨烯层时的温度为100℃～120℃，温度较低，不会对TFT显示模组造成损伤。
以下结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
实施例1的触控显示装置的石墨烯层的制备包括以下步骤：
(1)使用清洗机对TFT模组的TFT基板进行纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋依次清洗，将基板表面脏污及灰尘清洗干净、经冷风、热风干燥、静电消散，检验表面无脏污及灰尘，等待镀膜。
(2)使用真空磁控溅射镀膜机镀膜，基板加热温度为100℃，基板面表温差为±1.5℃，基板加热时间为1400S，镀膜室基板运行速度为0.8m/min，镀膜时间120S，混合气体流量为27sccm，电压330V，功率750W，靶溅距为40MM，按以下工艺条件进行溅射镀膜：镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-2Pa之间，混合气体为氦气和氧气的混合气体，其中氦气和氧气的流量比为5：95。
采用膜厚仪测试石墨烯层的厚度为28nm。
采用色差计测试石墨烯层的色差：L＝39.3，a＝-1.8，b＝-4.8，合格。
采用分光计测试石墨烯层的透光率为96.8％。
当然，制备触控显示装置还包括盖板、偏光板、引线的制备，采用业内常用方法即可，在此不做限定。
采用电阻仪测试石墨烯层的电阻为7.9*108Ω/cm2；采用恒温恒湿箱在90℃，60％湿度240小时烘烤实验，石墨烯层的电阻变化率为22％；酒精浸泡5分钟，石墨烯层的电阻变化率为24％；烤箱加垫60℃烘烤240小时，电阻率变化为7％。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种触控显示装置，包括薄膜晶体管显示模组，所述薄膜晶体管显示模组包括薄膜晶体管基板及与薄膜晶体管基板间隔设置的彩色滤光片基板，其特征在于，所述触控显示装置还包括导电层及通过引线与所述导电层连接的石墨烯层，所述导电层层叠于所述薄膜晶体管基板表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板表面。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为20nm～100nm。
3.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述导电层形成于所述薄膜晶体管基板朝向所述彩色滤光片基板的表面，所述石墨烯层形成于所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面。
4.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述导电层的材料为ITO。
5.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，还包括层叠于所述石墨烯层表面的盖板。
6.根据权利要求3所述的触控显示装置，其特征在于，还包括层叠于所述薄膜晶体管基板远离所述彩色滤光片基板的表面的偏光板。
7.如权利要求1～6任一项所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，包括在所述薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层。
8.根据权利要求7所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述真空磁控溅射制备石墨烯层的工艺条件为：镀膜室的真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为100℃～110℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390～1410秒，混合气体流量为25～29sccm，电压300～350V，功率为350～1000W，靶溅距为40mm；所述混合气体为氦气和氧气的混合气体，其中，所述氦气流量为20～26sccm。
9.根据权利要求7所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述彩色滤光片基板在真空磁控溅射制备石墨烯层之前先进行清洗、干燥处理及静电消散处理，所述清洗的步骤包括依次进行纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋及高压喷淋，所述干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。
10.根据权利要求7所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管显示模组的彩色滤光片基板上真空磁控溅射制备石墨烯层的步骤中，使用的靶材为石墨烯。
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