CN104898754A - 一种低压差线性稳压器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种低压差线性稳压器，包括：第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第三P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管、第一电阻、低压差线性稳压器使能信号、第一P型场效应晶体管使能信号和第一N型场效应晶体管使能信号；在传统的低压差线性稳压器中增加场效应晶体管作为开关管，利用低压差线性稳压器使能信号产生两个开关管的使能信号，在拉高低压差线性稳压器使能信号时，将P型场效应晶体管的栅端拉倒一个合适的低电压，加速整个环路的建立过程，减少低压差线性稳压器的电压建立时间。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种低压差线性稳压器。
背景技术
传统的低压差线性稳压器如图1，包括：输入电压Vref、输出电压Vout、电源VCC、P型场效应晶体管P3、电阻R、低压差线性稳压器使能信号LDO_EN，由于低压差线性稳压器应用于闪存的比较器COMP，为了节约功耗，比较器的电流一般比较小，带宽比较低，所以低压差线性稳压器的整个环路的建立时间比较长，容易降低闪存的工作效率。
发明内容
本发明提供一种低压差线性稳压器，以解决低压差线性稳压器的整个环路的建立时间比较长的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种低压差线性稳压器，包括：第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第三P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管、第一电阻、低压差线性稳压器使能信号、第一P型场效应晶体管使能信号和第一N型场效应晶体管使能信号；
其中，所述第三P型场效应晶体管的栅端与所述第一电阻的一端和所述第二P型场效应晶体管的源端相连，所述第一N型场效应晶体管的漏端与所述第一电阻的另一端相连，所述第二P型场效应晶体管的漏端与所述第一P型场效应晶体管的漏端相连，所述第一P型场效应晶体管使能信号与所述第一P型场效应晶体管的栅端相连，所述第一N型场效应晶体管使能信号与所述第一N型场效应晶体管的栅端相连；
所述第一P型场效应晶体管使能信号和第一N型场效应晶体管使能信号均由所述低压差线性稳压器使能信号产生，在所述低压差线性稳压器使能信号拉高时，在所述第三P型场效应晶体管的栅端产生低电压，将所述第三P型场效应晶体管导通。
优选地，还包括：第二电阻和输出电压，所述第二电阻与所述第一N型场效应晶体管的源端和所述输出电压相连。
优选地，所述第三P型场效应晶体管的源端与电源相连，所述第三P型场效应晶体管的漏端与所述输出电压相连。
优选地，所述低压差线性稳压器使能信号经过延迟预置时间并且反向得到延迟使能信号，所述低压差线性稳压器使能信号与所述延迟使能信号相与，产生所述第一N型场效应晶体管使能信号。
优选地，所述第一N型场效应晶体管使能信号为所述第一P型场效应晶体管使能信号的反向信号。
优选地，拉高所述第一N型场效应晶体管使能信号，所述第一P型场效应晶体管和所述第一N型场效应晶体管同时导通，所述第三P型场效应晶体管的栅端电压是所述第二P型场效应晶体管和所述第一电阻的分压。
优选地，所述第一P型场效应晶体管的源端与电源相连。
优选地，所述第一N型场效应晶体管的漏端与地相连。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在传统的低压差线性稳压器中增加场效应晶体管作为开关管，利用低压差线性稳压器使能信号产生两个开关管的使能信号，在拉高低压差线性稳压器使能信号时，将P型场效应晶体管的栅端拉倒一个合适的低电压，加速整个环路的建立过程，减少低压差线性稳压器的电压建立时间。
附图说明
图1是传统的低压差线性稳压器的结构示意图；
图2是本发明实施例一中的一种低压差线性稳压器的结构示意图；
图3是本发明实施例一中的低压差线性稳压器使能信号产生第一N型场效应晶体管使能信号和第一P型场效应晶体管使能信号的原理示意图；
图4是本发明实施例一中的低压差线性稳压器使能信号与延迟使能信号的对照示意图；
图5是本发明实施例一中的第一N型场效应晶体管使能信号与第一P型场效应晶体管使能信号的对照示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在传统的低压差线性稳压器的基础上，增加了第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管和电阻。通过低压差线性稳压器使能信号产生第一P型场效应晶体管的使能信号和第一N型场效应晶体管和电阻的使能信号，在拉高低压差线性稳压器使能信号时，在第三P型场效应晶体管的栅端产生合适的低电压，使第三P型场效应晶体管导通，加强了低压差线性稳压器的环路建立过程。
下面通过列举几个具体的实施例详细介绍本发明提供的一种低压差线性稳压器。
实施例一
本发明实施例一提供了一种低压差线性稳压器。
参照图2，示出了本发明实施例一中的一种低压差线性稳压器的结构示意图。
所述低压差线性稳压器可以包括：第一P型场效应晶体管P1、第二P型场效应晶体管P2、第三P型场效应晶体管P3、第一N型场效应晶体管N1、第一电阻R1、低压差线性稳压器使能信号LDO_EN、第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB和第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN。
其中，低压差线性稳压器使能信号LDO_EN与闪存比较器COMP的使能端EN相连，输入电压Vref和输出电压Vout分别与闪存比较器的输入端+和输出端-相连。
所述第三P型场效应晶体管P3的栅端P3_gate与所述第一电阻R1的一端和所述第二P型场效应晶体管P2的源端相连，所述第三P型场效应晶体管P3的源端与电源VCC相连，所述第一N型场效应晶体管N1的漏端与所述第一电阻R1的另一端相连，所述第一N型场效应晶体管N1的漏端与地相连，所述第二P型场效应晶体管P2的漏端与所述第一P型场效应晶体管P1的漏端相连，所述第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB与所述第一P型场效应晶体管P1的栅端相连，所述第一P型场效应晶体管P1的源端与电源VCC相连，所述第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN与所述第一N型场效应晶体管N1的栅端相连。
优选地，所述低压差线性稳压器还可以包括：输入电压Vref、输出电压Vout和第二电阻R2。其中，输入电压Vref与闪存比较器COMP的输入端+相连，输出电压Vout与闪存比较器COMP的输出端-相连，输出电压Vout还与第三P型场效应晶体管P3漏端相连，所述第二电阻R2的一端与所述第一N型场效应晶体管N1的源端相连，另一端与所述输出电压Vout相连。
所述第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB和第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN均由所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN产生，在所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN拉高时，在所述第三P型场效应晶体管P3的栅端P3_gate产生一个合适的低电压，将所述第三P型场效应晶体管P3导通。
如图3所示，所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN经过延迟预置时间并且反向得到延迟使能信号LDO_ENB_Dly，所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN与所述延迟使能信号LDO_ENB_Dly相与，产生所述第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN。再将所述第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN反向得到第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB。
本发明实施例中，所述预置时间可以为20ns，本发明对预置时间不做具体限制，可以采用其他时间。
当所述第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN拉高时，所述第一N型场效应晶体管N1和所述第一P型场效应晶体管P1同时导通，此时，所述第三P型场效应晶体管P3的栅端P3_gate的电压值是所述第二P型场效应晶体管P2和所述第一电阻R1的分压，足以让所述第三P型场效应晶体管P3导通。
所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN与所述延迟使能信号LDO_ENB_Dly的对照示意图如图4所示，所述延迟使能信号LDO_ENB_Dly与所述低压差线性稳压器使能信号LDO_EN反向，且存在一定延迟。第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN与所述第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB的对照示意图如图5所示，第一N型场效应晶体管使能信号ACC_EN与所述第一P型场效应晶体管使能信号ACC_ENB反向。
综上所述，本发明实施例的技术方案在传统的低压差线性稳压器中增加场效应晶体管作为开关管，利用低压差线性稳压器使能信号产生两个开关管的使能信号，在拉高低压差线性稳压器使能信号时，将P型场效应晶体管的栅端拉倒一个合适的低电压，加速整个环路的建立过程，减少低压差线性稳压器的电压建立时间。
进一步地，可以减少闪存的擦除和编程中电压转换的时间，提高闪存的擦写效率。
以上对本发明实施例所提供的一种低压差线性稳压器，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括：第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第三P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管、第一电阻、低压差线性稳压器使能信号、第一P型场效应晶体管使能信号和第一N型场效应晶体管使能信号；
其中，所述第三P型场效应晶体管的栅端与所述第一电阻的一端和所述第二P型场效应晶体管的源端相连，所述第一N型场效应晶体管的漏端与所述第一电阻的另一端相连，所述第二P型场效应晶体管的漏端与所述第一P型场效应晶体管的漏端相连，所述第一P型场效应晶体管使能信号与所述第一P型场效应晶体管的栅端相连，所述第一N型场效应晶体管使能信号与所述第一N型场效应晶体管的栅端相连；
所述第一P型场效应晶体管使能信号和第一N型场效应晶体管使能信号均由所述低压差线性稳压器使能信号产生，在所述低压差线性稳压器使能信号拉高时，在所述第三P型场效应晶体管的栅端产生低电压，将所述第三P型场效应晶体管导通。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：第二电阻和输出电压，所述第二电阻与所述第一N型场效应晶体管的源端和所述输出电压相连。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第三P型场效应晶体管的源端与电源相连，所述第三P型场效应晶体管的漏端与所述输出电压相连。
4.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器使能信号经过延迟预置时间并且反向得到延迟使能信号，所述低压差线性稳压器使能信号与所述延迟使能信号相与，产生所述第一N型场效应晶体管使能信号。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管使能信号为所述第一P型场效应晶体管使能信号的反向信号。
6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，拉高所述第一N型场效应晶体管使能信号，所述第一P型场效应晶体管和所述第一N型场效应晶体管同时导通，所述第三P型场效应晶体管的栅端电压是所述第二P型场效应晶体管和所述第一电阻的分压。
7.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一P型场效应晶体管的源端与电源相连。
8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管的漏端与地相连。
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