CN104861183A - 一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法。该材料主要由以PVDF为基体，以IL接枝的PVDF为纳米微区组成的纳米构造材料。该方法是将PVDF和IL加入熔融混炼设备熔融混炼，出料，并降温结晶，压制成薄膜辐射照射后高温熔融并冷却。优点是PVDF-g-IL纳米微区将IL“受限”在纳米尺寸内，减小了IL在外加电场下的运动，进而减小IL的介电损耗和产生的热，延长了材料的使用寿命。（2）PVDF-g-IL纳米微区因离子液体的加入，属于有机导电微区，大大提高了纯PVDF的导电性。（3）PVDF-g-IL微区因PVDF分子量的提高，提高纯PVDF的杨氏模量。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法，尤其涉及一种通过多步法将离子液体和聚偏氟乙烯制备为纳米构造材料。
背景技术
聚偏氟乙烯(PVDF)介电材料因其优异的介电性能以及PVDF基体所赋予的较好的柔性(力学性能)而广泛应用于工业部门和高科技领域中的电子行业。目前，早有文献报道，将常温离子液体(RTIL)和PVDF复合，可以得到功能性的PVDF符合材料，其功能性包括透明性，抗静电性以及高含量极性晶体等。研究表明，PVDF和IL的相互作用参数为负值，二者具有较好的热力学相容性，这是IL能够成功改性PVDF的根本原因。
然而，通过普通的高分子复合方式，PVDF和IL的复合材料是均相的，即IL以分子形式均匀分散在PVDF的基体中。国内外从未有任何报道表明，通过普通方式，能够将PVDF和IL制备成纳米构造的复合材料。
本发明首次通过多步法，成功将PVDF和IL共混制备出了纳米构造的PVDF复合材料。详细地，在纳米构造的PVDF复合材料中，PVDF为基体,PVDF-g-IL(离子液体IL接枝的PVDF分子链)链段所形成的微区为纳米微区，尺寸大小为5～60nm，并均匀分散在PVDF的基体中。
发明内容
本发明的一个目的是针对现有技术的不足，提供一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
本发明一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料，主要由以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，以离子液体(IL)接枝的聚偏氟乙烯(PVDF-g-IL)为纳米微区组成的纳米构造材料；其中所述的纳米微区中每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为1～8，纳米微区的尺寸为5～60nm。
所述的离子液体(IL)为含不饱和键的离子液体；优选地，所述含不饱和键的离子液体为咪唑类离子液体；更优选地，所述咪唑类离子液体为1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。
其中，所述的离子液体(IL)占PVDF的质量百分含量为1～40﹪，优选地，所述的离子液体(IL)占PVDF的质量百分含量为1～35﹪。
本发明的另一个目的是提供上述纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。
该方法包括以下步骤：
步骤(1)、将PVDF和离子液体以一定比例加入熔融混炼设备进行熔融混炼；所述的离子液体(IL)与PVDF的加入量质量比为1～40：100；优选地，所述的离子液体(IL)与PVDF的加入量质量比为1～35：100。
所述的熔融混炼过程中熔炼温度通常设定在所有原料(PVDF和离子液体)的熔融温度以上，但应当低于PVDF基体的热降解温度，从而使得所有原料保持熔融状态。
所述的离子液体(IL)为含不饱和键的离子液体；优选地，所述含不饱和键的离子液体为咪唑类离子液体；更优选地，所述咪唑类离子液体为1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。
步骤(2)、将经熔融混炼后的上述混合物从熔融混炼设备出料，并降温结晶，于平板硫化机压制成300～500微米厚度的薄膜；
步骤(3)、将所得固体复合物薄膜至于聚乙烯的塑料袋中进行辐射照射；
所述的辐照为电子束辐照，实验条件为常温下，空气或氮气环境；
所述的辐照吸收剂量为1～1000kGy；优选地，辐照吸收剂量为1～800kGy；
步骤(4)、将辐照后的样品高温熔融并冷却，最后获得纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料；其中熔融温度为高于PVDF的熔点。
上述方法步骤(3)制备得到的是辐照后的PVDF/IL薄膜，形成了IL接枝的PVDF接枝聚合物，即PVDF-g-IL分子链段。PVDF-g-IL分子链段的构像和未接枝IL的PVDF的分子链完全不同。
上述方法步骤(4)中，当材料处于高温状态下时(即温度高于PVDF的熔点)，未接枝IL的PVDF的分子链形成了聚合物熔体，而PVDF-g-IL分子链段从PVDF基体中发生了微相分离，形成了纳米尺寸的微区。当材料从熔体冷却下来时，随着PVDF基体的结晶，最终得到以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，以离子液体(IL)接枝的聚偏氟乙烯(PVDF-g-IL)这一接枝聚合物为纳米微区的纳米构造材料。其中，纳米微区的尺寸为5到60nm。
上述方法制备仅需使用常用的熔融混炼设备，工业制备简单，其辐射所需要的设备为常用辐照源。
本发明的有益效果是：本发明所制备的“以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，以离子液体(IL)接枝的聚偏氟乙烯(PVDF-g-IL)这一接枝聚合物为纳米微区的纳米构造材料”与传统的PVDF和IL的简单共混物相比，具有以下独特优点：(1)PVDF-g-IL所形成的纳米微区能够将IL“受限”在纳米尺寸内，大大减小了IL在外加电场下的运动，进而减小了IL的介电损耗和产生的热，延长了材料的使用寿命。而在传统的PVDF和IL的简单共混物中，IL的阴，阳离子可以在PVDF的基体中因外加电场的施加而发生沿电场方向的定向移动；这种阴阳离子的运动可以将电能转变为热能，不仅消耗了材料储存的电能，其产生的热会减少材料的使用寿命，这是需要克服的。(2)PVDF-g-IL所形成的纳米微区因离子液体的加入，属于有机导电微区，本申请所制备的这一纳米构造材料属于导电材料。这大大提高了纯PVDF的导电性。(3)PVDF-g-IL所形成的微区因微区中PVDF的分子量的提高，这种纳米形式的微区属于硬性微区，可以大大提高纯PVDF的杨氏模量；同时因为纳米微区的存在，材料的韧性也大大提高。
附图说明
图1为实施例2(PVDF纳米构造材料)、对比例1(纯PVDF)和对比例2(PVDF/IL共混物)的透射电子显微镜照片，其中A为对比例1(纯PVDF)，B为对比例2(PVDF/IL共混物)，C为实施例2(PVDF纳米构造材料)；
图2为实施例2(PVDF纳米构造材料)、对比例1(纯PVDF)和对比例2(PVDF/IL共混物)的介电常数随频率的变化关系曲线；
图3为实施例2(PVDF纳米构造材料)、对比例1(纯PVDF)和对比例2(PVDF/IL共混物)的介电损耗随频率的变化关系曲线；
图4为实施例2(PVDF纳米构造材料)和对比例1(纯PVDF)的力学应力-应变曲线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式详细阐述本发明，但并不将本发明限制在所述的具体实施方式的范围中。
本发明中经离子液体(IL)接枝的聚偏氟乙烯(PVDF)介电材料(PVDF-g-IL)是由PVDF和IL经过电子束辐照所得。在电子束的照射下，PVDF形成大分子自由基，从而作为引发剂将IL接枝到PVDF的分子链上，形成PVDF-g-IL介电材料。
上述的IL优选为含不饱和键的咪唑类离子液体。更优选地，所述咪唑类离子液体为1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐，其结构如下：
其中，所述1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐占PVDF基体的质量分数为1﹪～40﹪，优选地，所述1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐占PVDF基体的质量分数为1﹪～35﹪。
其中，所述辐照为电子束辐照。
其中，所述辐照的吸收剂量为1～1000kGy，优选的，所述辐照剂量为1～800kGy
其中，所述辐照时的实验条件为常温和空气以及氮气。
本发明中上述纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的生产工艺如下：
首先，将上述PVDF基体和IL以一定加入熔融混炼设备中，其中上述熔融混炼设备没有特别的要求，其可以是密炼机、单螺杆挤出机、双螺杆挤出机或注射机等各种工业上常用的熔融混炼装置，而且本领域技术人员公也熟知上述熔融混炼设备的使用方式。然后，根据各原料的熔点温度，设定合适的熔炼温度，并进行熔融混炼获得经过熔融混炼后的保持熔融状态的产物。其中，在熔融混炼时，设备中的熔炼温度通常设定在所有原料的熔融温度以上，但应当低于PVDF基体的热降解温度，从而使得所有原料保持熔融状态。最后，将上述经过熔融混炼后的保持熔融状态的产物从上述熔融混炼设备中出料并降温结晶，形成PVDF/IL复合物。在实际应用中，上述经过熔融混炼后的产物可根据实际需要通过各种成形工艺(如挤出成型、注射成型、吹塑成型或压延成型等)制备相应的PVDF复合物制品，例如薄膜、管、棒、纤维丝、塑料部件等。
其次，将上述PVDF/IL复合物在平板硫化机上压制为300～500微米的薄膜；将其放于聚乙烯的自封袋中，用于电子束辐照。
接着，将上述PVDF/IL薄膜至于一定吸收剂量下的电子束辐照。实验过程中，温度为常温。辐照后的样品即为PVDF-g-IL介电材料。
最后，将上述辐照后的PVDF/IL薄膜在平板硫化机上高温熔融20min，冷却后得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
以下来详细说明本发明。
在本实施例及其对比例中均使用PVDF基体，该PVDF为KurehaChemistry(日本)生产，型号为KF850。
在本实施例中所使用的含不饱和键的咪唑类离子液体为：1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。
实施例1
步骤(1)、首先，将100gPVDF和8g1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐加入到熔融共混设备(具体设备)中，温度为190℃，转速为20rpm/min时，混炼时间为2min；转速为50rpm时，混炼时间为5min。接着出料，得到PVDF和IL的共混物，记为PVDF/IL(100/8)共混物。
步骤(2)、将上述PVDF/IL(100/8)共混物在平板硫化机上制备出厚度为0.3mm的薄膜。平板硫化机温度为200℃，压力为15MPa；先热压，时间为3min；随后冷压，时间为1min。最后得到，PVDF/IL(100/8)薄膜。
步骤(3)、将上述PVDF/IL(100/8)薄膜至于聚乙烯的自封袋中，密封。在电子束辐照中，于10kGy辐照剂量下进行常温辐射接枝。将辐照后的样品进行甲醇索氏抽提，以计算IL的辐射接枝率。
经计算，PVDF/IL(100/8)薄膜中，IL的接枝率相对于IL投料比为7/8，剩余1/8的IL是以分子形式或者均聚物的形式存在。而且通过这一接枝率以及PVDF/IL(100/8)薄膜的结晶度36％，可以估算出PVDF的分子链中，每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为4个；其中，纳米微区的尺寸分布为20～30nm。
步骤(4)、将上述进行甲醇索氏抽提后的样品在平板硫化机上制备出厚度0.3mm的薄膜。平板硫化机温度为200℃，压力为15MPa；先热压，时间为20-30min；随后冷压，时间为1min。最后得到所需的纳米构造材料。
实施例2
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g备用；分别称取8g1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。将上述两种材料同时加入到密炼机中，密炼机温度为190℃，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF/IL复合物在平板硫化机上制为500微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF/IL至于磨具中在200℃，15MPa下热压10min；接着在常温下，15MPa下冷压5min。最终得到500微米的PVDF/IL薄膜。
将上述所得PVDF/IL薄膜至于聚乙烯的自封袋中在一定的吸收剂量下进行电子束辐照；其辐照吸收剂量为100kGy。
最后，将上述辐照后的PVDF/IL薄膜在平板硫化机上200℃，15MPa下热压30min；接着在常温下，15MPa下冷压5min；冷却后得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
经计算，实施例2中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为5个；其中，纳米微区的尺寸分布为25～34nm。
实施例3
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g备用；分别称取3g1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。将上述两种材料同时加入到密炼机中，密炼机温度为190℃，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF/IL复合物在平板硫化机上制为400微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF/IL至于磨具中在200℃，20MPa下热压5min；接着在常温下，20MPa下冷压2min。最终得到400微米的PVDF/IL薄膜。
将上述所得PVDF/IL薄膜至于聚乙烯的自封袋中在一定的吸收剂量下进行电子束辐照；其辐照吸收剂量为800kGy。
最后，将上述辐照后的PVDF/IL薄膜在平板硫化机上200℃，20MPa下热压20min；接着在常温下，20MPa下冷压2min；冷却后得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
经计算，实施例3中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为2个；其中，纳米微区的尺寸分布为10～15nm。
实施例4
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g备用；分别称取5g 1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。将上述两种材料同时加入到密炼机中，密炼机温度为190℃，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF/IL复合物在平板硫化机上制为350微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF/IL至于磨具中在200℃，16MPa下热压8min；接着在常温下，16MPa下冷压4min。最终得到350微米的PVDF/IL薄膜。
将上述所得PVDF/IL薄膜至于聚乙烯的自封袋中在一定的吸收剂量下进行电子束辐照；其辐照吸收剂量为1000kGy。
最后，将上述辐照后的PVDF/IL薄膜在平板硫化机上200℃，16MPa下热压28min；接着在常温下，16MPa下冷压4min；冷却后得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
经计算，实施例4中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为3个；其中，纳米微区的尺寸分布为20～25nm。
实施例5
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g备用；分别称取1g1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。将上述两种材料同时加入到密炼机中，密炼机温度为190℃，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF/IL复合物在平板硫化机上制为450微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF/IL至于磨具中在200℃，18MPa下热压6min；接着在常温下，18MPa下冷压3min。最终得到450微米的PVDF/IL薄膜。
将上述所得PVDF/IL薄膜至于聚乙烯的自封袋中在一定的吸收剂量下进行电子束辐照；其辐照吸收剂量为400kGy。
最后，将上述辐照后的PVDF/IL薄膜在平板硫化机上200℃，18MPa下热压23min；接着在常温下，18MPa下冷压3min；冷却后得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
经计算，实施例5中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为1个；其中，纳米微区的尺寸分布为5～10nm。
实施例6
将实施例1中的1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐加入量更改为1g，辐照吸收剂量为1000kGy，其他实验条件不变，得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。经计算，实施例6中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为1个；其中，纳米微区的尺寸分布为5～11nm。
实施例7
将实施例1中的1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐加入量更改为40g，辐照吸收剂量为1kGy，其他实验条件不变，得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。经计算，实施例7中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为8个；其中，纳米微区的尺寸分布为40～60nm。
实施例8
将实施例1中的1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐加入量更改为35g，辐照为100kGy,其他实验条件不变，得到纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。经计算，实施例8中PVDF分子链上每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为7个；其中，纳米微区的尺寸分布为35～50nm。
对比例1
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g加入到密炼机中，密炼机温度为190℃，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF在平板硫化机上制为500微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF至于磨具中在200℃，15MPa下热压10min；接着在常温下，15MPa下冷压5min。最终得到500微米的PVDF薄膜。
对比例2
PVDF在80℃的真空干燥箱里过夜干燥，称取100.00g备用；分别称取8gIL。将上述两种材料同时加入到密炼机中，密炼机温度为190o C，在密炼机转子速度为20rpm/min时，密炼1min；紧接着将转速提高为50rpm/min并密炼5min后出料。
将上述所得的PVDF/IL复合物在平板硫化机上制为500微米的薄膜。具体过程如下：将所得PVDF/IL至于磨具中在200℃，15MPa下热压10min；接着在常温下，15MPa下冷压5min。最终得到500微米的PVDF/IL薄膜。
将实施例2、对比例1和对比例2所得样品进行冷冻切片并用于透射电子显微镜照检测，实验结果列于图1。实验条件：四氧化钌染色；操作电压为80kV。。
如图1所示，对比例1(纯PVDF，(A))和对比例2(PVDF/IL共混物,(B))的透射电子显微镜照片中，PVDF的基体呈现出来的是均相结构；而且在图(B)中，并未出现IL的分相，表明IL和PVDF较好的相容性。然而，在实施例2(本发明中的PVDF纳米构造材料，(C))，可以看见黑色的纳米微区(尺寸为25～34nm)均匀分散在PVDF的基体中，表明了纳米构造PVDF复合材料的获得。经证明，黑色的纳米微区为PVDF-g-IL相，其是有PVDF和IL的辐照所获得的。
将实施例2、对比例1和对比例2所得样品进行介电性能的测试，其中介电常数随频率的变化关系列于图2，介电损耗随频率的变化关系列于图3.
如图2所示，对比例1(纯PVDF)的介电常数较小，在整个频率范围内不超过9。对比例2(PVDF/IL共混物)的介电常数由于IL的加入而大大提高，这是由于IL的分子在PVDF的基体中形成了大量的微电容器所导致的。与纯PVDF(即对比例1)相比，实施例2(PVDF纳米构造材料)的介电常数很明显的得到提高。
尽管对比例2(PVDF/IL共混物)在图2中显示出较大的介电常数，但是如图3所示，对比例2(PVDF/IL共混物)显示出非常大的介电损耗，这是由于IL在PVDF的基体中以“自由的状态”存在，其在外加电场下可以发生定向移动，产生大量的损耗。介电损耗对于介电材料的使用时不利的，因为介电损耗会消耗介电材料所储存的能量，并将其转变为热能，从而影响材料的使用寿命。本发明中，实施例2(PVDF纳米构造材料)不仅显示出较高的介电常数(如图2所示)，而且在图3中表现出非常低的介电损耗，表明本发明的PVDF纳米构造材料与对比例1和对比2相比，具有非常好的介电性能。
将实施例2和对比例1所得样品进行电学性能表针，实验结果列于表1。实验条件：常温；电压为10V；样品厚度为300-500微米。
表1为实施例2(PVDF纳米构造材料)和对比例1(纯PVDF)的导电性能测试结果
| 表面电阻(Ω/□) | 体积电阻(Ω·cm) | |
| 对比例1(纯PVDF) | 超出量程(数量级≥1013) | 超出量程(数量级≥1013) |
| 实施例2(PVDF纳米构造材料) | 7.73×1010 | 7.76×109 |
如表1所示，对比例1(纯PVDF)因为是电绝缘性的聚合物，其表面电阻和体积电阻都超出了仪器的检测范围，两者数量级均在13以上。于此相反，实施例2(PVDF纳米构造材料)表现出较好的导电性，其表面电阻和体积电阻分别为7.73×1010Ω/□(Ω/□，即为欧姆/平方米)和7.76×109(Ω·cm)，与对比例1(纯PVDF)相比，有3个数量级的降低，表明了实施例2(PVDF纳米构造材料)有良好的导电性。
将实施例2和对比例1所得样品进行力学性能表针，所得应力-应变曲线列于图4。实验条件：常温；拉伸速率10mm/min，拉伸样品为国标哑铃型样条。
如图4所示，实施例2(PVDF纳米构造材料)显示出较好的力学性能，其杨氏模量为1.76GPa，而对比例1(纯PVDF)的杨氏模量为1.02GPa，表明在实施例2(PVDF纳米构造材料)中，纳米导电微区有助于提高材料的强度。此外，实施例2(PVDF纳米构造材料)和对比例1(纯PVDF)相比具有较高的断裂伸长率为328.4％，而对比例1(纯PVDF)的断裂伸长率仅为226.7％，表明纳米导电微区有助于提高材料的韧性和延展性。
上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料，其特征在于主要由以聚偏氟乙烯为基体，以离子液体接枝的聚偏氟乙烯为纳米微区组成的纳米构造材料；所述的离子液体为含不饱和键的离子液体。
2.如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料，其特征在于所述的纳米微区中每100个CH2-CF2的链节接枝IL的分子数为1～8，纳米微区的尺寸为5～60nm。
3.制备如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤（1）、将PVDF、离子液体加入熔融混炼设备进行熔融混炼；其中所述的离子液体为含不饱和键的离子液体；
步骤（2）、将经熔融混炼后的上述混合物从熔融混炼设备出料，并降温结晶，于平板硫化机压制成300～500 微米厚度的薄膜；
步骤（3）、将所得固体复合物薄膜至于聚乙烯的塑料袋中进行辐射照射；
步骤（4）、将辐照后的样品熔融并冷却，最后获得纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料。
4.如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料或如权利要求3所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于所述的离子液体为咪唑类离子液体。
5.如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料或如权利要求3所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于所述的离子液体为1-乙烯基-3-丁基咪唑氯盐。
6.如权利要求3所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于所述的辐照为电子束辐照，实验条件为常温下，空气或氮气环境；所述的辐照吸收剂量为1～1000 kGy。
7.如权利要求6所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于辐照吸收剂量为1～800 kGy。
8.如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料或如权利要求3所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于所述的离子液体与PVDF的质量比为1～40：100。
9.如权利要求1所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料或如权利要求3所述的一种纳米构造的聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于所述的离子液体与PVDF的质量比为1～35：100。
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