CN104854682B - 超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法 - Google Patents

超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104854682B
CN104854682B CN201380065904.6A CN201380065904A CN104854682B CN 104854682 B CN104854682 B CN 104854682B CN 201380065904 A CN201380065904 A CN 201380065904A CN 104854682 B CN104854682 B CN 104854682B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bulge
nozzle
particle
ultrahigh speed
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201380065904.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104854682A (zh
Inventor
李振远
金忍号
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Academy Industry Foundation of POSTECH
Original Assignee
Academy Industry Foundation of POSTECH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Academy Industry Foundation of POSTECH filed Critical Academy Industry Foundation of POSTECH
Publication of CN104854682A publication Critical patent/CN104854682A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104854682B publication Critical patent/CN104854682B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/003Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/02Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape
    • B05B1/10Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape in the form of a fine jet, e.g. for use in wind-screen washers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C5/00Devices or accessories for generating abrasive blasts
    • B24C5/02Blast guns, e.g. for generating high velocity abrasive fluid jets for cutting materials
    • B24C5/04Nozzles therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

根据本发明的超高速均匀纳米粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法,其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴而生成超高速均匀纳米粒子,特征在于,包括:孔口,其用于调节所述喷嘴喉的开闭截面积,从而在没有额外的冷却装置的情况下诱导均匀的核生成;膨胀部,其越向所述喷嘴的出口侧截面积及膨胀角逐渐增大;并且通过比较平缓的第一膨胀部使所述核生长,从而促进粒子的生成,并且通过与第一膨胀部相比具有急剧的膨胀角的第二膨胀部,从而使生成的粒子加速。

Description

超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法
技术领域
本发明涉及一种超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法,更为详细地涉及一种超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法,其在常温条件下生成均匀大小的粒子,并将粒子进行超高速喷射。
背景技术
本发明涉及一种超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法。本发明可用于污染物质的去除、大小的开槽、表面粗糙度的调节等多种用途,但是,通常高速微细粒子生成及喷射装置多用于以FPD(平面显示器,Flat Display Panel)、半导体元件等为对象的干式清洗装置,因此以下以用于所述干式清洗装置的微细粒子生成及喷射装置为基准,对本发明的背景技术进行观察。
清洗装置或方法大体可分为湿式清洗方式和干式清洗方式。其中,干式清洗方式指生成升华性粒子并将其喷射至被污染的对象物的表面,从而使污染物脱离并去除的方式。
就生成升华性粒子而言,通常利用将气体、液体或者气体-液体混合物供给至喷嘴并将其变换为固体粒子来喷射的方式。
美国登记专利5,062,898中公开了利用极低温气雾剂(aerosol)的表面清洗方法。具体地属于如下方法:使混合气体膨胀,由此将氩气(argon gas)形成为气雾剂,从而清洗被污染的对象物表面,并且为了实现气雾剂的极低温而包括冷却至液化点的热交换过程。
另外,韩国公开专利10-2006-0079561号中公开了一种清洗装置,其具备额外的冷却装置,并利用二氧化碳及氩来生成固体粒子,并利用载气(carrier gas)对其进行喷射。并且,在10-2004-0101948号中公开了喷嘴,其包括用于加热所述载气的额外的加热装置。
另外,干式清洗装置的性能变量根据清洗粒子的大小、大小的均等性、数量密度、喷射速度等来决定。
首先,从清洗粒子的大小侧面观察时,作为清洗对象的污染物质越小,与其成比例,升华性粒子的大小也应变小。为了去除100nm以下大小的污染物,则要求大小的升华性粒子。
并且,从去垢力的侧面观察时,为了具有高去垢力,则升华性粒子的喷射速度应提高,并且为了去除10nm级的污染物,则要求超音速。
但是,根据上述的现有技术的干式清洗装置存在粒子的大小和速度非常有限的问题。
首先,利用氩气生成升华性粒子的情况,需要具备额外的冷却装置来预冷至接近氮的液化温度的程度后进行供给,由此必然降低升华性粒子的喷射速度。此外,因预冷时难以调节温度而存在难以生成高数量密度和高均匀性的升华性粒子的问题。
相反,利用二氧化碳生成升华性粒子的情况,具有在常温下无需额外的温度调节而能够比较易于生成升华性粒子的优点。但是,利用二氧化碳虽能够易于生成微型以上的升华性粒子,但是生成大小的升华性粒子则伴随许多技术难题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法,其在没有额外的冷却装置的情况下生成大小的常温升华性粒子的同时以超高速喷射其,从而能够大大地提高清洗效率。
为了达成上述目的而提出的根据本发明的超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法,其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴而生成超高速均匀粒子,特征在于,包括:孔口,其用于调节所述喷嘴喉的开闭截面积,从而在没有额外的冷却装置的情况下诱导均匀的核生成;膨胀部,其越向所述喷嘴的出口侧截面积及膨胀角逐渐增大;并且通过比较平缓的第一膨胀部使所述核生长,从而促进粒子的生成,并且通过与第一膨胀部相比具有急剧的膨胀角的第二膨胀部,从而使生成的粒子加速。
本发明具有以下效果:在没有额外的冷却装置的情况下,使大小的常温升华性粒子生成的同时以超高速喷射其,从而能够大大地提高清洗效率。
更详细地,具备孔口,因此在没有额外的冷却装置的情况下,能够通过急速膨胀来诱导高数量密度及高均匀度的核的生成。
并且,通过具有平缓的膨胀角的第一膨胀部使生成的核生长,从而能够形成大小的升华性粒子,并且通过第二膨胀部膨胀至增加的膨胀角,由此能够使形成的粒子加速。
此外,具备第三膨胀部来调节剥离地点,从而能够提高清洗效率,另外,将喷嘴的出口面倾斜地截断,从而能够提高与清洗对象物的邻近度。
附图说明
图1是表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴的横截面的截面图。
图2是表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴的膨胀部的膨胀角的截面图。
图3是表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴和与对象物的邻近关系的概念图。
图4是表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子生成装置的主要结构的结构图。
图5是表示根据本发明的一个实施例的利用混合气体的情况下超高速均匀粒子的生成方法的顺序图。
图6是表示根据本发明的一个实施例的利用纯粒子生成气体的情况下超高速均匀粒子的生成方法的顺序图。
标号说明
1:对象物
10:喷嘴
11:喷嘴喉
12:孔口(orifice)
13:孔口块体(orifice block)
14:第一膨胀部
15:第二膨胀部
16:第三膨胀部
17:气体供给管
18:隔热部
19:喷嘴轴
20:压力调节器
30:混合室(chamber)
40:粒子生成气体存储部
50:载气(carrier gas)存储部
θ1、θ2、θ3:膨胀角
θ4:截断角
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本发明的具体内容进行详细说明。
图1及图2属于表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴的横截面的概略图。
根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴包括:孔口12,其置于喷嘴喉11;膨胀部,其从所述喷嘴喉11的出口开始延伸。
首先,所述孔口12调节喷嘴喉11的开闭截面积,将所述喷嘴喉11的截面积减小为微细孔。通过所述孔口12的所述粒子生成气体(或者粒子生成气体与载气的混合气体)急速膨胀,从而生成大小的核。
并且,所述孔口12置于喷嘴喉11,但是在此的喷嘴喉11指相对于喷嘴10而言截面积最窄的部分,因此也包括在膨胀部入口侧仅结合有孔口12的情况。换句话说,孔口12本身也可以看作一个喷嘴喉11。
另外,根据现有技术的粒子生成装置的喷嘴的情况,为了核生成,必须包括冷却粒子生成气体的过程,但是根据本发明的喷嘴10的情况,具备具有微细孔的孔口12,从而使其急速膨胀,由此在没有额外的冷却装置且在常温状态下能够诱导核生成。
并且,所述孔口12当然可实现为使所述微细孔的大小不可变的形态,也可实现为能够调节所述微细孔大小的光圈形态形成,另外,以可更换的形态具备安装于喷嘴10的孔口12,从而也可考虑调节微细孔大小的方式。
并且,根据本发明的超高速均匀粒子的生成喷嘴包括膨胀部,其置于所述喷嘴喉11的出口侧或孔口12的出口侧。与根据现有技术的粒子生成喷嘴不同,所述膨胀部形成为越向出口侧截面积逐渐增加的形状。根据现有技术的粒子生成喷嘴为了粒子的生长,截面积的大小反复形成增加/减小的形状。
更具体地,所述膨胀部包括膨胀角互不相同的第一膨胀部14及第二膨胀部15。
优选地,所述第一膨胀部14具有大于0°且小于30°的膨胀角θ1,并且通过所述第一膨胀部14的同时实现核生长。与第二膨胀部15相比,第一膨胀部14形成为具有比较平缓的膨胀角θ1,并且提供用于实现核生长的充分时间。
所述第一膨胀部14以比较平缓的膨胀角θ1形成得比较长,从而诱导核生长,相反,边界层增加而使有效面积减小,由此导致流动速度的减小。因此,为了补偿此情况,设置能够获得额外加速力的第二膨胀部15。
优选地,所述第二膨胀部15的平均膨胀角θ2具有比所述第一膨胀部14的膨胀角θ1增加10°~45°的膨胀角θ2。所述第二膨胀部15形成为比第一膨胀部14具有急剧的膨胀角,从而形成入口和出口的高面积比,因此对粒子进行充分加速。另外,与第一膨胀部14及第三膨胀部不同,第二膨胀部15不具有单一膨胀角,因此表现为平均膨胀角。
对于所述第二膨胀部15从第一膨胀部14开始延长而言,其连接部位的膨胀角间断地有大变化时,产生内部冲击波。因此,所述第二膨胀部15优选地形成为具有曲折的形状。更详细地,优选地,第二膨胀部15的与第一膨胀部14的连接部分形成为具有与第一膨胀部14出口侧的膨胀角θ1相同的的膨胀角,并且越向所述第二膨胀部15的中心部膨胀角逐渐增加,在所述中心部附近形成急剧的倾斜角,并且再次从所述中心部越向第二膨胀部15的出口侧膨胀角逐渐减小,从而形成为防止产生内部冲击波。
如上所述,根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴的膨胀部可考虑包括第一膨胀部14及第二膨胀部15,但是另一方面可考虑还包括第三膨胀部16。
第三膨胀部16连接至所述第二膨胀部15的出口并形成膨胀部的最终出口。所述第三膨胀部16执行以下作用:调节喷嘴10内部流动的剥离地点。
优选地,所述第三膨胀部16比所述第二膨胀部15的膨胀角θ2增加10°~45°,并且具有最大不足90°的膨胀角θ3
喷嘴10后端的背压低的情况下,剥离地点从喷嘴喉11远离,从而流动场能够额外地生长,因此,优选地,第三膨胀部16形成为确保充分长度的同时将剥离地点诱导至膨胀部的末端。这是因为高速核(isentropic core)向喷嘴10外部形成而能够极大地提高清洗效率。
相反,喷嘴10后端的背压形成得高的情况下,剥离地点靠近喷嘴喉11,从而可以看作流动场已经为充分生长的状态,因此,优选地,缩短第三膨胀部16的长度使高速核露出至喷嘴10外部。
另外,优选地,喷嘴10的外部面用隔热部18包围。所述隔热部18包括外部隔热管和充填于其内部的隔热材料。所述隔热部18维持喷嘴10的隔热性来促进粒子生长的同时,形成外壁来提供机械强度,以便使喷嘴10能够耐于高压气体。并且,优选地,形成为一体型,以便包围喷嘴10侧面整体。
另外,图3属于表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴和对象物1的接近关系的概略图。
图3的a属于表示一般情况下的喷嘴10出口面和对象物1的位置关系,图3的b属于表示将喷嘴的出口面倾斜地截断,以便喷嘴能够更接近对象物1。
如图3的a所示,喷嘴10通常在倾斜一定角度的状态下进行清洗作业。所述情况下,因为圆筒形状的特性所以喷嘴10出口不能完全接近对象物1,因此产生清洗效率降低的问题。
因此,为了解决所述问题,如图3的b所示,优选地,以倾斜地截断的形状具备喷嘴10的出口面,以便与喷嘴10的作业角度对应。优选地,如上所述的截断形状的截断角θ4将喷嘴轴19看作基准时,在20°以上且90°以下的范围内形成。
上述中对于根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成喷嘴进行了观察。以下,将对于包括所述喷嘴10的超高速均匀粒子生成装置进行观察。
图4属于表示根据本发明的一个实施例的超高速均匀粒子的生成装置的主要结构的重点结构图。
根据本发明的超高速均匀粒子生成装置可分为以下情况进行观察:i)将载气混合于粒子生成气体而进行利用的情况;和ii)仅利用粒子生成气体的情况。
首先,在i)将载气混合于粒子生成气体而进行利用的情况下,如图1所示,包括气体存储部、混合室30、压力调节器20及喷嘴10,所述气体存储部包括粒子生成气体存储部40及载气存储部50。
并且,在ii)仅利用粒子生成气体的情况下,不包括所述载气存储部50及混合部。
将粒子生成气体和载气混合而使用的情况,所述粒子生成气体存储部40和载气存储部50连接至混合室30。如上所述,优选地,利用二氧化碳作为粒子生成气体,利用氮或氦(helium)作为载气。所述混合室30将所述粒子生成气体与载气充分混合的同时,执行调节混合比例的作用。优选地,所述混合比例混合成使载气的体积比例占混合气体整体体积的10%以上且99%以下,从而形成二氧化碳混合气体。
在混合室30中混合的混合气体流入至压力调节器20。压力调节器20调节所述混合气体向喷嘴10的供给压力。
另外,在仅利用由二氧化碳形成的粒子生成气体的情况下,也可考虑不经过所述混合室30并将所述粒子生成气体存储部40直接连接至压力调节器20,从而将粒子生成气体供给至压力调节器20。以下,作为与混合气体形成对比的概念,在仅利用粒子生成气体的情况下,将粒子生成气体称为纯粒子生成气体。
并且,优选地,就从所述压力调节器20的输出压力而言,考虑生成的升华性粒子的大小及喷射速度,在i)所述混合气体的情况下在5~120bar范围内形成;在ii)所述纯粒子生成气体的情况下在5~60bar范围内形成。
通过所述压力调节器20的混合气体或纯粒子生成气体供给至喷嘴10的入口。
如上所述,供给至喷嘴10的入口的所述混合气体或纯粒子生成气体依次通过孔口12、第一膨胀部14、第二膨胀部15,从而将升华性粒子喷射于对象物1。喷嘴10的详细内部结构如上所述,因此省略重复的说明。
以下,将对于根据本发明的一个实施例的超音速均匀粒子生成方法进行观察。
根据本发明的一个实施例的超音速均匀粒子生成方法属于使由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴10而生成超高速均匀粒子的方法。在此,粒子生成气体可与载气混合而供给至混合气体的喷嘴10,也可以纯粒子生成气体的形态进行供给。
首先,优选地,以混合气体的形态进行供给的情况,依次包括将所述粒子生成气体与载气混合而形成混合气体的混合步骤及对经过所述混合步骤的混合气体的压力进行调节的压力调节步骤。
在此,优选地,所述载气由氮或氦形成,并且经过所述压力调节步骤的所述混合气体的压力调节至5bar以上且120bar以下,从而流入至所述喷嘴10。
经过所述压力调节步骤之后,将经过核生成步骤,所述核生成步骤为所述粒子生成气体通过孔口12的同时急速膨胀而实现核生成的步骤,并且所述孔口12置于所述喷嘴10的喷嘴喉11。
并且,经过所述核生成步骤之后,将经过粒子生成步骤,所述粒子生成步骤为通过第一膨胀部14的同时实现核生长,从而生成升华性粒子的步骤,并且所述第一膨胀部14具有从喷嘴喉11出口开始延伸的0°以上且30°以下的膨胀角θ1
并且,经过所述粒子生成步骤之后,将经过粒子加速步骤,所述粒子加速步骤为通过第二膨胀部15的同时抵消边界层的生长且使所述升华性粒子的喷射速度上升的步骤,并且所述第二膨胀部15具有从所述第一膨胀部14的出口开始延伸且比所述第一膨胀部14的膨胀角增加10°~45°的平均膨胀角θ2
优选地,经过所述粒子加速步骤之后,还包括流动调节步骤,所述流动调节步骤为通过第三膨胀部16的同时将升华性粒子的高速核向喷嘴10外部形成的步骤,并且所述第三膨胀部16具有从所述第二膨胀部15的出口开始延伸且比所述第二膨胀部15的平均膨胀角θ2增加10°~45°。
另外,仅供给纯粒子生成气体的情况,不经过所述混合步骤而经过调节所述粒子生成气体的压力的压力调节步骤。
在此,优选地,经过所述压力调节步骤的所述粒子生成气体的压力调节为5bar以上且60bar以下,从而流入至所述喷嘴10。
在此之后的步骤与所述的核生成步骤、粒子生成步骤、粒子加速步骤及流动调节步骤相同。
为了说明本发明的优选实施例而使用的位置关系以附图为中心进行了说明,因此根据实施方式其位置关系可能不同。
此外,在未进行不同定义的情况下,包括技术或科学术语而在本发明中使用的全部术语应与根据本发明所属技术领域中具有一般知识的人通常所理解的意义相同。并且,在本申请未明确定义的情况下,不得解释理想或夸张形式的意义。
以上,虽然举例说明了本发明的优选实施例,但是所述实施例,并且将现有的公知技术单纯合并于本发明,或者将本发明进行单纯变形的实施,当然也应看作属于本发明的权利范围。
本发明不仅适用于去除污染物质,还可在大小的开槽、表面粗糙度的调节等要求超高速升华性粒子的喷射的多种领域以多种用途适用。

Claims (21)

1.一种超高速均匀粒子的生成喷嘴,其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过而生成超高速均匀粒子的喷嘴,特征在于,包括:
膨胀部,其为截面积向喷嘴的出口侧逐渐变宽的形态;
孔口,其置于所述膨胀部的入口并使所述粒子生成气体急速膨胀;
所述膨胀部从所述孔口的出口侧向所述喷嘴的出口侧,依次包括第一膨胀部及第二膨胀部而形成,
所述第二膨胀部的平均膨胀角比所述第一膨胀部的膨胀角大;
所述第二膨胀部的与所述第一膨胀部的连接部分形成为具有与第一膨胀部出口侧的膨胀角相同的膨胀角,并且形成为越向所述第二膨胀部的中心部膨胀角逐渐增加,并且膨胀角从所述中心部至出口侧逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的超高速均匀粒子的生成喷嘴,其特征在于,
所述第一膨胀部具有0°以上且30°以下的膨胀角,
所述第二膨胀部具有比所述第一膨胀部的膨胀角增加10°~45°的平均膨胀角。
3.根据权利要求2所述的超高速均匀粒子的生成喷嘴,其特征在于,还包括:
第三膨胀部,其连接于第二膨胀部的出口;
所述第三膨胀部具有比所述第二膨胀部的平均膨胀角增加10°~45°并最大不足90°的膨胀角。
4.根据权利要求1所述的超高速均匀粒子的生成喷嘴,其特征在于,还包括:
压缩部,其置于所述喷嘴的入口侧。
5.根据权利要求1所述的超高速均匀粒子的生成喷嘴,其特征在于,
以喷嘴轴为基准,所述膨胀部的出口为倾斜地截断的形状,以便所述喷嘴接近于对象物。
6.根据权利要求1所述的超高速均匀粒子的生成喷嘴,其特征在于,还包括:
隔热部,其包围所述喷嘴的外周面。
7.一种超高速均匀粒子生成装置,其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴而生成超高速均匀粒子,特征在于,所述喷嘴,包括:
膨胀部,其越向所述喷嘴的出口侧截面积及膨胀角逐渐增加;
所述膨胀部朝向所述喷嘴的出口侧,依次包括第一膨胀部及第二膨胀部,所述第一膨胀部和第二膨胀部膨胀角互不相同,
所述第二膨胀部的平均膨胀角比所述第一膨胀部的膨胀角大;
所述第二膨胀部的与所述第一膨胀部的连接部分形成为具有与第一膨胀部出口侧的膨胀角相同的膨胀角,并且形成为越向所述第二膨胀部的中心部膨胀角逐渐增加,并且膨胀角从所述中心部至出口侧逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,还包括:
孔口,其位于所述喷嘴的喷嘴喉并且调节所述喷嘴喉的开闭截面积。
9.根据权利要求7所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,还包括:
压力调节器,其调节所述粒子生成气体的供给压力;
所述粒子生成气体以5bar以上且60bar以下的压力供给至所述喷嘴。
10.根据权利要求7所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,
所述粒子生成气体与载气混合而被供给,
所述超高速均匀粒子生成装置还包括混合室,其调节所述粒子生成气体和载气的混合比例。
11.根据权利要求10所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,
所述载气由氮或者氦形成,
所述混合比例特征在于,所述载气的体积比例为10%以上且99%以下。
12.根据权利要求11所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,还包括:
压力调节器,其调节将所述粒子生成气体与载气混合的混合气体的供给压力;
所述粒子生成气体以5bar以上且120bar以下的压力供给至所述喷嘴。
13.根据权利要求11所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,
所述第一膨胀部具有0°以上且30°以下的膨胀角,
所述第二膨胀部具有比所述第一膨胀部的膨胀角增加10°~45°的平均膨胀角。
14.根据权利要求13所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,还包括:
第三膨胀部,其连接于第二膨胀部的出口;
所述第三膨胀部具有比所述第二膨胀部的膨胀角增加10°~45°并最大不足90°的膨胀角。
15.根据权利要求7所述的超高速均匀粒子生成装置,其特征在于,
以喷嘴轴为基准,所述膨胀部的出口为倾斜地截断的形状,以便所述喷嘴接近于对象物。
16.一种超高速粒子生成方法,其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴而生成超高速均匀粒子的方法,特征在于,
所述喷嘴包括:膨胀部,其为截面积向喷嘴的出口侧逐渐变宽的形态;孔口,其置于所述膨胀部的入口并使所述粒子生成气体急速膨胀,
所述膨胀部从所述孔口的出口侧向所述喷嘴的出口侧,依次包括第一膨胀部及第二膨胀部而形成,所述第二膨胀部的平均膨胀角比所述第一膨胀部的膨胀角大,所述第二膨胀部的与所述第一膨胀部的连接部分形成为具有与第一膨胀部出口侧的膨胀角相同的膨胀角,并且形成为越向所述第二膨胀部的中心部膨胀角逐渐增加,并且膨胀角从所述中心部至出口侧逐渐减小,
所述方法包括:
核生成步骤,所述粒子生成气体通过孔口的同时急速膨胀而实现核生成,所述孔口置于所述喷嘴的喷嘴喉;
粒子生成步骤,经过所述核生成步骤之后,通过第一膨胀部的同时实现核生长,从而生成升华性粒子,所述第一膨胀部具有从喷嘴喉出口开始延伸的0°以上且30°以下的膨胀角;
粒子加速步骤,经过所述粒子生成步骤之后,通过第二膨胀部的同时抵消边界层的 生长且使所述升华性粒子的喷射速度上升,所述第二膨胀部具有从所述第一膨胀部的出口开始延伸且比所述第一膨胀部的膨胀角增加10°~45°的平均膨胀角。
17.根据权利要求16所述的超高速粒子生成方法,其特征在于,还包括:
压力调节步骤,其作为所述核生成步骤的前步骤,调节所述粒子生成气体的压力。
18.根据权利要求17所述的超高速粒子生成方法,其特征在于,
经过所述压力调节步骤的所述粒子生成气体的压力调节为5bar以上且60bar以下,从而流入至所述喷嘴。
19.根据权利要求16所述的超高速粒子生成方法,其特征在于,依次包括:
混合步骤,将所述粒子生成气体与载气混合而形成混合气体;以及
压力调节步骤,其调节经过所述混合步骤的混合气体的压力,
所述混合步骤和压力调节步骤作为所述核生成步骤的前步骤。
20.根据权利要求19所述的超高速粒子生成方法,其特征在于,
所述载气由氮或者氦形成,
经过所述压力调节步骤的所述混合气体的压力调节为5bar以上且120bar以下,从而流入至所述喷嘴。
21.根据权利要求16所述的超高速粒子生成方法,其特征在于,经过所述粒子加速步骤之后,包括:
流动调节步骤,通过第三膨胀部的同时将升华性粒子的高速核向外部形成喷嘴,所述第三膨胀部具有从所述第二膨胀部的出口开始延伸且比所述第二膨胀部的平均膨胀角增加10°~45°并最大不足90°的膨胀角。
CN201380065904.6A 2012-12-18 2013-10-25 超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法 Expired - Fee Related CN104854682B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120148975A KR101305256B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 초고속 균일 나노 입자 생성 노즐, 생성 장치 및 생성 방법
KR10-2012-0148975 2012-12-18
PCT/KR2013/009554 WO2014098364A1 (ko) 2012-12-18 2013-10-25 초고속 균일 나노 입자 생성 노즐, 생성 장치 및 생성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104854682A CN104854682A (zh) 2015-08-19
CN104854682B true CN104854682B (zh) 2017-10-31

Family

ID=49455359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380065904.6A Expired - Fee Related CN104854682B (zh) 2012-12-18 2013-10-25 超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9700990B2 (zh)
JP (1) JP6266015B2 (zh)
KR (1) KR101305256B1 (zh)
CN (1) CN104854682B (zh)
WO (1) WO2014098364A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101272785B1 (ko) * 2012-12-18 2013-06-11 포항공과대학교 산학협력단 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
CN105607434A (zh) * 2016-04-05 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显影设备和显影方法
KR101935579B1 (ko) 2017-07-24 2019-01-04 (주)엔피홀딩스 기체입자조절장치
CN107790318B (zh) * 2017-12-08 2023-09-08 山东大学 一种渐变涂层的双路送粉热喷涂装置及工作方法
CN110042356B (zh) * 2019-05-17 2021-08-10 中国科学院化学研究所 一种基于磁控溅射的团簇高效制备与尺寸可调的团簇束源系统
CN111721495B (zh) * 2020-06-16 2022-02-08 中国人民解放军国防科技大学 一种新型纳米粒子平面激光散射实验的粒子生成装置
CN111981748B (zh) * 2020-09-01 2022-02-15 广州极速制冷设备有限公司 一种液氮速冻机
JP7447345B1 (ja) 2023-07-28 2024-03-11 リックス株式会社 ドライアイス噴射装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461454A (en) * 1982-06-01 1984-07-24 New Product, Inc. Caulking tube valve
US4574586A (en) * 1984-02-16 1986-03-11 Hercules Incorporated Self compensating ducted rocket motor fuel nozzle and method for regulating fuel generation
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2583726A (en) * 1948-01-26 1952-01-29 Chalom Joseph Aaron Nozzle
US2666279A (en) * 1949-01-17 1954-01-19 Chalom Joseph Aron Nozzle for expansion and compression of gases
DE3113028C2 (de) * 1981-04-01 1983-10-13 Gkss - Forschungszentrum Geesthacht Gmbh, 2054 Geesthacht Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Unterwasserbauwerken und Schiffen
JPS62155954A (ja) * 1985-12-28 1987-07-10 Canon Inc 微粒子流の流れ制御装置
US5062898A (en) * 1990-06-05 1991-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using a cryogenic aerosol
JP2557383Y2 (ja) * 1991-12-06 1997-12-10 大陽東洋酸素株式会社 ドライアイス・ブラスト用噴射ガン
US5545073A (en) * 1993-04-05 1996-08-13 Ford Motor Company Silicon micromachined CO2 cleaning nozzle and method
JPH09140726A (ja) * 1995-11-20 1997-06-03 Osada Res Inst Ltd 歯面清掃用チップ
JP2002079145A (ja) * 2000-06-30 2002-03-19 Shibuya Kogyo Co Ltd 洗浄ノズル及び洗浄装置
KR20040101948A (ko) 2004-05-31 2004-12-03 (주)케이.씨.텍 표면세정용 승화성 고체입자 분사용 노즐 및 이를 이용한 세정방법
JP2006130406A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Kagawa Industry Support Foundation 亜臨界あるいは超臨界流体噴射用ノズル及び微粒子の作製方法
JP2008522813A (ja) * 2004-12-13 2008-07-03 クール クリーン テクノロジーズ, インコーポレイテッド 二酸化炭素雪装置
KR100740827B1 (ko) 2004-12-31 2007-07-19 주식회사 케이씨텍 분사 노즐 및 이를 이용한 세정 시스템
KR100662241B1 (ko) 2005-11-17 2006-12-28 주식회사 케이씨텍 건식 세정장치
KR20090050707A (ko) * 2007-11-16 2009-05-20 포항공과대학교 산학협력단 초음속 노즐을 이용한 나노입자 세정장치 및 그 세정방법
JP4760843B2 (ja) * 2008-03-13 2011-08-31 株式会社デンソー エジェクタ装置およびエジェクタ装置を用いた蒸気圧縮式冷凍サイクル
US9475174B2 (en) * 2008-10-23 2016-10-25 Thomas Francis Hursen Method and apparatus for soil excavation using supersonic pneumatic nozzle with wear tip and supersonic nozzle for use therein
KR101025300B1 (ko) * 2009-06-16 2011-03-29 포항공과대학교 산학협력단 이중구조 나노입자 빔 생성방법
US8485455B2 (en) * 2010-11-20 2013-07-16 Fisonic Holding Limited Supersonic nozzle for boiling liquid

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461454A (en) * 1982-06-01 1984-07-24 New Product, Inc. Caulking tube valve
US4574586A (en) * 1984-02-16 1986-03-11 Hercules Incorporated Self compensating ducted rocket motor fuel nozzle and method for regulating fuel generation
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP6266015B2 (ja) 2018-01-24
US9700990B2 (en) 2017-07-11
CN104854682A (zh) 2015-08-19
KR101305256B1 (ko) 2013-09-06
US20150321314A1 (en) 2015-11-12
WO2014098364A1 (ko) 2014-06-26
JP2016511135A (ja) 2016-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104854682B (zh) 超高速均匀粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法
Boulos The inductively coupled radio frequency plasma
US7534410B1 (en) Method for making silica nanoparticles by flame spray pyrolysis adopting two-fluid nozzle
JP4420690B2 (ja) 微粒子製造方法及び微粒子製造装置
CN106623957A (zh) 连续量产超细纳米级金属粒子的纳米粒子生长器
CN106735279B (zh) 循环冷却连续量产高纯纳米级金属粒子的装置
CN104057097A (zh) 一种双环超音速雾化器
CN206854659U (zh) 连续量产超细纳米级金属粒子的纳米粒子生长器
JP2007083112A (ja) 粉体製造装置および粉体製造方法
WO2005072027A3 (de) Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung fester filamente in einer vakuumkammer
CN100542667C (zh) 等离子体合成多种纳米粉末的生产工艺
CN104588670A (zh) 纳米级Mg-Y-Ni储氢合金粉的制备方法
KR101429728B1 (ko) 건식 식각 장치, 건식 식각을 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 식각 방법.
US10081091B2 (en) Nozzle, device, and method for high-speed generation of uniform nanoparticles
JP3931233B2 (ja) 超微小気泡を利用したガスハイドレートの製造方法及びこの製造方法により得られる微粒子状のガスハイドレート
CN212493657U (zh) 超声波雾化装置
JP2004031924A (ja) エアロゾル洗浄方法及び装置
WO2015076441A1 (ko) Icp를 이용한 실리콘 나노입자 제조장치
CN204281349U (zh) 气化态氧化钼纳米颗粒淬火、收集装置
CN206305464U (zh) 一种喷射沉积雾化装置
CN110257660A (zh) 一种生产小孔径泡沫铝的装置及方法
RU2321543C1 (ru) Способ синтеза нанодиоксида титана
CN203900490U (zh) 一种双环超音速雾化器
JP2004243253A (ja) 粒子製造方法および粒子製造装置
WO2014098487A1 (ko) 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171031

Termination date: 20201025

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee