CN104844164B - 一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000012174 chinese wax Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052656 albite Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 10
- CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N Hexazinone Chemical compound O=C1N(C)C(N(C)C)=NC(=O)N1C1CCCCC1 CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
一种高导热自释釉陶瓷,制备方法包括以下步骤：制成复合玻璃；按重量比称取高导热自释釉陶瓷原料，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h‑20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%‑15%加入白蜡制成蜡饼；将蜡饼熔化并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃‑960℃之间；将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150‑1250℃，保持恒温0.5‑1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。本发明配方简单，制备工艺便捷，且外表光亮，给生产和生活带来了很大的便利。
Description
技术领域
本发明涉及无机非金属材料工业和LED照明领域，具体为一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法。
背景技术
氧化铝陶瓷以其耐高温、抗氧化、耐磨损等优良特性，成为当今世界上应用最广的陶瓷材料之一，而其复合材料，又具有相对高的强度与韧性，无论在航天航空等国防尖端技术领域，还是在机械、冶金、化工及日常生活等一般工业领域，都有着广泛的应用前景。随着科学技术的发展，人们对LED有了更多的需求，不仅限于环保和价格，更多的关注性能和美观等问题。
灯架是LED球泡灯用来安装驱动和散热结构的装置，一般采用铝材和高温绝缘塑胶材料，目前大量采用陶瓷支架，已成熟的LED球泡灯陶瓷支架，散热仅仅依靠陶瓷本身耐高温和散热结构进行，散热效果较差，且在装配过程中很容易造成表面脏污，装配成本增加，不能满足大生产要求和人们日益提高的审美观，需要进一步改进，以降低LED陶瓷球泡灯生产成本，提高视觉效果。
自釉陶瓷因有较好的性能和光亮的外表而得到很多应用和喜爱，但是目前的自释釉陶瓷因制作工艺复杂，成本较高，而多数的自釉陶瓷因不具有较好的导热性，烧成温度范围窄，主体骨架支撑力不够，给生产和生活带来了很大的不便，开发一种既有自释釉又有高导热性能的LED陶瓷散热灯架具有十分重要的意义。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法，以解决上述背景技术中的缺点。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种高导热自释釉陶瓷配方，由如下重量份的组分组成：
三氧化二铝： 45%-65%
复合玻璃： 35%-55%
外加高岭土： 1%-5%。
本发明中，所述复合玻璃的原料包括以下重量份的组分：
二氧化硅 60%-65%
钾钠长石 30%-35%
钠长石 5%-10%。
本发明中，所述二氧化硅的纯度为90%-95%。
一种高导热自释釉陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
第一步：按重量比称取复合玻璃的原料，将二氧化硅、钾钠长石、钠长石放在格子型湿式球磨机中球磨10h-18h，控制球磨后的物料粒度为-200目占95%以上；然后将球磨后的物料放在1500℃-1800℃的环境中烧结制成熔块，然后将熔块在-5℃-0℃的环境下加12MPa-15MPa的压力将熔块击碎，碾磨，制成复合玻璃；
第二步：按重量比称取高导热自释釉陶瓷原料，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h-20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%-15%加入白蜡制成蜡饼；
第三步：将蜡饼熔化并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃-960℃之间；
第四步：将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150-1250℃，保持恒温0.5-1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。
技术原理：本发明中适量的氧化钙替代氧化镁能够促进Mg-Al2O3-SiO2系的烧结致密化和降低介质损耗，随着氧化钙的增加，烧结样品的密度、介电常数和热膨胀系数也增加，且与密度变化曲线相似，含3%氧化钙的样品具有低的ε（5.42）、低的tgδ（≤0.13×10-2）、低的烧结温度（900℃）和与硅相匹配的热膨胀系数α（3.55×10-6℃-1。
有益效果：本发明由于配方中以三氧化二铝作为主晶相，因此制作的产品较传统自釉陶瓷具有较高的导热性能和稳定性，产品在析晶过程中主体骨架支撑力高，不变形；本发明添加的适量复合玻璃既可作为Si晶相与AL2O3刚玉相形成稳定的陶瓷相；同时，适量的Si晶相在一定的温度下发生析晶，在产品表面均匀地形成自釉层。本发明配方简单，制备工艺便捷，且外表光亮，给生产和生活带来了很大的便利。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实验例，进一步阐述本发明。
实施例1
按重量比称取复合玻璃的原料，其中二氧化硅60%、钾钠长石30%、钠长石10%，将二氧化硅、钾钠长石、钠长石放在格子型湿式球磨机中球磨10h，控制球磨后的物料粒度为-200目占95%以上；然后将球磨后的物料放在1500℃-1800℃的环境中烧结制成熔块，然后将熔块在-5℃-0℃的环境下加12MPa-15MPa的压力将熔块击碎，碾磨，制成复合玻璃；按重量比称取高导热自释釉陶瓷原料，其中复合玻璃35%-40%、三氧化二铝45%-58%、高岭土1%-3%，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h-20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%-15%加入白蜡制成蜡饼；将蜡饼熔化并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃-960℃之间；将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150-1250℃，保持恒温0.5-1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。
实施例2
按重量比称取复合玻璃的原料，其中二氧化硅63%、钾钠长石30%、钠长石7%，将二氧化硅、钾钠长石、钠长石放在格子型湿式球磨机中球磨10h，控制球磨后的物料粒度为-200目占95%以上；然后将球磨后的物料放在1500℃-1800℃的环境中烧结制成熔块，然后将熔块在-5℃-0℃的环境下加12MPa-15MPa的压力将熔块击碎，碾磨，制成复合玻璃；按重量比称取高导热自释釉陶瓷原料，其中复合玻璃35%-40%、三氧化二铝50%-58%、高岭土1%-3%，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h-20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%-15%加入白蜡制成蜡饼；将蜡饼熔化并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃-960℃之间；将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150-1250℃，保持恒温0.5-1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。
实施例3
按重量比称取复合玻璃的原料，其中二氧化硅65%、钾钠长石30%、钠长石5%，将二氧化硅、钾钠长石、钠长石放在格子型湿式球磨机中球磨10h，控制球磨后的物料粒度为-200目占95%以上；然后将球磨后的物料放在1500℃-1800℃的环境中烧结制成熔块，然后将熔块在-5℃-0℃的环境下加12MPa-15MPa的压力将熔块击碎，碾磨，制成复合玻璃；按重量比称取高导热自释釉陶瓷原料，其中复合玻璃35%-40%、三氧化二铝52%-65%、高岭土1%-3%，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h-20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%-15%加入白蜡制成蜡饼；将蜡饼熔化并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃-960℃之间；将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150-1250℃，保持恒温0.5-1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种高导热自释釉陶瓷，其特征在于，其原料由如下重量百分比的组分组成：
三氧化二铝： 45%-65%
复合玻璃： 35%-55%
外加高岭土： 1%-5%
所述复合玻璃的原料包括以下重量百分比的组分：
二氧化硅 60%-65%
钾钠长石 30%-35%
钠长石 5%-10%。
2.根据权利要求1所述的一种高导热自释釉陶瓷，其特征在于，所述二氧化硅的纯度为90%-95%。
3.根据权利要求2所述的一种高导热自释釉陶瓷，其特征在于，制备方法包括以下步骤：
第一步：按重量百分比称取复合玻璃的原料，将二氧化硅、钾钠长石、钠长石放在格子型湿式球磨机中球磨10h-18h，控制球磨后的物料粒度为-200目占95%以上；然后将球磨后的物料放在1500℃-1800℃的环境中烧结制成熔块，然后将熔块在-5℃-0℃的环境下加12MPa-15MPa的压力将熔块击碎，碾磨，制成复合玻璃；
第二步：按重量百分比称取高导热自释釉陶瓷原料，将三氧化二铝、复合玻璃、高岭土放在料球比为1：2的干式数控球磨机中球磨18h-20h，按高导热自释釉陶瓷原料重量的11.3%-15%加入白蜡制成蜡饼；
第三步：将蜡饼熔化 并通过模具热压注浆成型得到坯件，将坯件用吸附粉保护放在中温窑中素烧，得到素烧后的产品，且素烧温度控制在900℃-960℃之间；
第四步：将素烧后的产品清除吸附粉后放入中温遂道窑中烧结；烧结温度控制在1150-1250℃，保持恒温0.5-1.0小时，即得到一种高导热自释釉陶瓷。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410053559.0A CN104844164B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410053559.0A CN104844164B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104844164A CN104844164A (zh) | 2015-08-19 |
| CN104844164B true CN104844164B (zh) | 2018-05-22 |
Family
ID=53844211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410053559.0A Expired - Fee Related CN104844164B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 一种高导热自釉陶瓷配方及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104844164B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105859328B (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 谢敬裕 | 自生釉陶瓷成型泥胎封闭剂和方法 |
| CN106587947A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-04-26 | 湖南省新化县林海陶瓷有限公司 | 一种特种陶瓷材料配制工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1648926A1 (ru) * | 1989-01-10 | 1991-05-15 | Московский Инженерно-Строительный Институт Им.В.В.Куйбышева | Способ изготовлени самоглазурующихс облицовочных плиток |
| CN1082013A (zh) * | 1993-07-31 | 1994-02-16 | 湖南省陶瓷研究所 | 自释釉强化瓷 |
| CN101671179A (zh) * | 2009-10-15 | 2010-03-17 | 湖南泰鑫瓷业有限公司 | 高强度、高耐磨锆铝硅复合自释釉陶瓷材料及制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055464B2 (ja) * | 1979-06-25 | 1985-12-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 自己施釉磁器 |
-
2014
- 2014-02-18 CN CN201410053559.0A patent/CN104844164B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1648926A1 (ru) * | 1989-01-10 | 1991-05-15 | Московский Инженерно-Строительный Институт Им.В.В.Куйбышева | Способ изготовлени самоглазурующихс облицовочных плиток |
| CN1082013A (zh) * | 1993-07-31 | 1994-02-16 | 湖南省陶瓷研究所 | 自释釉强化瓷 |
| CN101671179A (zh) * | 2009-10-15 | 2010-03-17 | 湖南泰鑫瓷业有限公司 | 高强度、高耐磨锆铝硅复合自释釉陶瓷材料及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104844164A (zh) | 2015-08-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
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